JPH0462275B2 - - Google Patents

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JPH0462275B2
JPH0462275B2 JP60095589A JP9558985A JPH0462275B2 JP H0462275 B2 JPH0462275 B2 JP H0462275B2 JP 60095589 A JP60095589 A JP 60095589A JP 9558985 A JP9558985 A JP 9558985A JP H0462275 B2 JPH0462275 B2 JP H0462275B2
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JP
Japan
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optical recording
phase
recording layer
crystalline
light
Prior art date
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JP60095589A
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Japanese (ja)
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JPS61254390A (en
Inventor
Hidekazu Kobayashi
Toyoji Oohashi
Mitsutaka Myabayashi
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Priority to EP86301531A priority patent/EP0194798B1/en
Priority to DE8686301531T priority patent/DE3664068D1/en
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Priority to US07/485,812 priority patent/US5032489A/en
Publication of JPH0462275B2 publication Critical patent/JPH0462275B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/245Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component

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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報を光エネルギー、熱エネルギー
等の外部エネルギーにより記録し、かつ記録され
た部分の光学的変化を利用して再生することので
きる光記録媒体に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to recording information using external energy such as optical energy or thermal energy, and reproducing information using optical changes in the recorded portion. Regarding optical recording media that can be used.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出し
ヘツドが非接触であるので、記録媒体が摩耗、劣
化しないという特徴を有する。
Optical recording media have the characteristic that the recording medium does not wear out or deteriorate because there is no contact between the medium and the writing or reading head.

さらに、レーザー光線等を集束した光ビームを
用いて記録することで高密度記録が可能となる。
また、高速で情報の書き込みや読みとりができる
こと、アクセスタイムが短いことなどの特徴を有
する。
Furthermore, high-density recording becomes possible by recording using a focused light beam such as a laser beam.
It also has characteristics such as being able to write and read information at high speed and short access time.

さらに、このような記録媒体への記録は、記録
すべき情報を電気的な時系列信号に変換し、その
信号に応じて強度変調されたレーザービームでそ
の記録媒体上を走査させて行うことができ、この
場合はリアルタイムで記録画像が得られるという
利点がある。
Furthermore, recording on such a recording medium can be performed by converting the information to be recorded into an electrical time-series signal and scanning the recording medium with a laser beam whose intensity is modulated according to the signal. This has the advantage that recorded images can be obtained in real time.

かかる特徴を有する光記録媒体としては、
MnBi系の多結晶材料、Gd−Co,Gd−Tb−Fe
などの希土類−遷移金属系の非晶質合金を用いた
光磁気記録媒体がある。これは、レーザーによる
加熱と外部印加磁界の両者を利用して記録し、磁
化の向きによる光の振動面の回転方向の違いを利
用して再生するものである。特に光記録媒体に対
して磁化が垂直となる垂直光磁気記録は高密度記
録が可能である。しかしこの光磁気記録媒体は、
再生時の感度が悪くS/N非常に悪いという欠点
を有している。従つて読み取りのエラーが起こり
やすいという実用化上大きな障害を有することに
なる。
Optical recording media having such characteristics include:
MnBi-based polycrystalline materials, Gd-Co, Gd-Tb-Fe
There are magneto-optical recording media using rare earth-transition metal-based amorphous alloys such as . This uses both laser heating and an externally applied magnetic field to record data, and reproduces data by using the difference in the rotational direction of the light vibration plane depending on the direction of magnetization. In particular, perpendicular magneto-optical recording in which magnetization is perpendicular to the optical recording medium allows high-density recording. However, this magneto-optical recording medium
The disadvantage is that the sensitivity during reproduction is poor and the S/N ratio is very poor. Therefore, this poses a major problem in practical use because reading errors are likely to occur.

また、光記録媒体として、Te,Bi,As−Te−
Seなどの金属薄膜にレーザー光を集光して照射
し、照射部分を局部的に蒸発させてピツトを形成
して記録する媒体がある。再生にはピツトの有無
を反射光で読み出す。
In addition, Te, Bi, As-Te-
There is a recording medium in which a thin metal film such as Se is irradiated with focused laser light, and the irradiated area is locally evaporated to form pits. For reproduction, the presence or absence of pits is read out using reflected light.

しかしこの記録媒体は、情報の記録に大きなパ
ワーのレーザー光線を要するといつたこと、また
ピツトの形状制御が難しくノイズレベルが高くな
りやすいことなどの問題点を有する。
However, this recording medium has problems such as the need for a high power laser beam to record information, and the difficulty in controlling the shape of the pits, which tends to increase the noise level.

さらに、光記録媒体として、Te−TeO薄膜の
非晶から結晶への転移を利用するもの、Se−S
系薄膜のアモルフアス相内の準安定状態間の構造
変化に基づく光黒化現象を利用するものがある。
Furthermore, optical recording media that utilize the transition from amorphous to crystalline Te-TeO thin film, Se-S
Some methods utilize the photo-blackening phenomenon based on structural changes between metastable states within the amorphous phase of thin films.

しかし、Te系媒体は毒性に関し問題があり、
記録部と未記録部のコントラストが充分でないと
いつた問題点を有している。Se−S系薄膜は、
記録感度が小さく、さらに光吸収端が比較的短波
長であり、その吸収端付近の波長では吸収が小さ
く長波長光での記録感度が特に悪いといつた問題
点を有する。
However, Te-based media have problems regarding toxicity;
The problem is that the contrast between the recorded area and the unrecorded area is not sufficient. Se-S thin film is
The recording sensitivity is low, and furthermore, the light absorption edge is a relatively short wavelength, and the absorption is small at wavelengths near the absorption edge, and the recording sensitivity for long wavelength light is particularly poor.

こうした現状において、さらに一層の記録感度
の向上、記録の高密度化及び記録部と未記録部の
光学的コントラストの増大によるS/N比の向
上、記録媒体の無毒化などが強く望まれている。
Under these circumstances, there is a strong desire to further improve recording sensitivity, increase recording density, improve S/N ratio by increasing optical contrast between recorded and unrecorded areas, and make recording media non-toxic. .

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

本発明者らは、光、熱等の外部エネルギーによ
り記録し、かつ記録された部分の光学的変化を利
用して再生する光記録媒体において、上述の如き
欠点を有せず、すなわち毒性がなく、かつ記録感
度が良く、記録部と未記録部の光学的コントラス
トが大きく、かつ高密度に情報を記録することの
できる光記録媒体を提供すべく鋭意研究を行なつ
た。
The present inventors have proposed an optical recording medium that is recorded using external energy such as light or heat and reproduced using optical changes in the recorded portion, which does not have the above-mentioned drawbacks, that is, is non-toxic. We have conducted extensive research to provide an optical recording medium that has good recording sensitivity, high optical contrast between recorded and unrecorded areas, and can record information at high density.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

その結果、以下に示す重合体を光記録層とする
光記録媒体が上記問題を解決し得ることを見出
し、本発明を達成した。
As a result, it was discovered that an optical recording medium having an optical recording layer made of the following polymer could solve the above problems, and the present invention was achieved.

すなわち本発明は、下記構造式()で表わさ
れる基を繰り返し単位とする、ジエチニルベンゼ
ン誘導体とベンゼンジチオール誘導体との付加重
合体(以下「芳香族ビニレンスルフイド重合体」
と略記する。)を光記録層として用いてなること
を特徴とする光記録媒体である。
That is, the present invention relates to an addition polymer (hereinafter referred to as "aromatic vinylene sulfide polymer") of a diethynylbenzene derivative and a benzenedithiol derivative, which has a group represented by the following structural formula () as a repeating unit.
It is abbreviated as ) is used as an optical recording layer.

〔R1,R2,R3,R4は、それぞれ水素、炭素数
1〜12のアルキル基、ハロゲンの中から選ばれた
基を表わす。〕 以下に本発明を詳述する。
[R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 each represent a group selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and halogen. ] The present invention will be explained in detail below.

(1) 光記録媒体の構造及び製造 本発明の光記録媒体は、芳香族ビニレンスルフ
イド重合体の成形体、一般には薄膜状物、好まし
くは、基板上に芳香族ビニレンスルフイド重合体
薄膜を形成して用いられる。
(1) Structure and manufacture of optical recording medium The optical recording medium of the present invention is a molded article of an aromatic vinylene sulfide polymer, generally a thin film-like article, preferably a substrate made of an aromatic vinylene sulfide polymer. It is used by forming a thin film.

本発明に用いられる基板は、ポリメチルメタク
リレート、ポリカーボネートなどの透明なプラス
チツク基板、あるいは、ガラス等の透明な無機材
料基板などが用いられる。
The substrate used in the present invention may be a transparent plastic substrate such as polymethyl methacrylate or polycarbonate, or a transparent inorganic material substrate such as glass.

基板上に光記録層として用いられる上述の芳香
族ビニレンスルフイド重合体は、下記構造式
()及び()に示す構造の化合物の付加重合
により合成することができる。
The above-mentioned aromatic vinylene sulfide polymer used as an optical recording layer on the substrate can be synthesized by addition polymerization of compounds having structures shown in the following structural formulas () and ().

〔R1,R2,R3,R4は、それぞれ水素、炭素数
1〜12のアルキル基、ハロゲンの中から選ばれた
基を表す。〕 構造式()で示される化合物の例としては、
p−ジエチニルベンゼン、ジエチニルトルエン、
ジエチニルエチルベンゼン等がある。
[R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 each represent a group selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and a halogen. ] Examples of compounds represented by the structural formula () are:
p-diethynylbenzene, diethynyltoluene,
Examples include diethynylethylbenzene.

構造式()で示される化合物の例としては、
p−ベンゼンジチオール、2−クロル−p−ベン
ゼンジチオール、トルエン−2,5−ジチオール
等がある。
Examples of compounds represented by the structural formula () are:
Examples include p-benzenedithiol, 2-chloro-p-benzenedithiol, and toluene-2,5-dithiol.

反応の手段としては、化合物()及び()
の混合物に活性光線を照射することにより重合体
を得るのが好ましい。
As a means of reaction, compounds () and ()
It is preferable to obtain the polymer by irradiating the mixture with actinic rays.

活性光線とは、可視光線、紫外線、γ線、X線
等の電磁波、電子線、中性子線等をいう。
Active rays refer to visible rays, ultraviolet rays, electromagnetic waves such as γ rays, X-rays, electron beams, neutron rays, and the like.

また、化合物()及び()の混合物に、ベ
ンゾイルパーオキサイドの如き、ラジカル発生剤
を加えることによつても得ることができる。更に
微量の酸素を存在させて重合を行なうことも可能
である。
It can also be obtained by adding a radical generator such as benzoyl peroxide to a mixture of compounds () and (). Furthermore, it is also possible to carry out the polymerization in the presence of a trace amount of oxygen.

基板上に芳香族ビニレンスルフイド重合体薄膜
を形成して本記録媒体を得るときは、基板上に化
合物()及び()を同時に昇華、蒸着させ、
これに活性光線を照射して重合させることができ
る。
When forming an aromatic vinylene sulfide polymer thin film on a substrate to obtain the present recording medium, compounds () and () are simultaneously sublimated and vapor-deposited on the substrate,
This can be polymerized by irradiating actinic rays.

あるいは、基板上に、スピンコート法、ブレー
ドコート法、デイツプ法、キヤスト法等により化
合物物()と()の混合物の溶液を塗布した
後乾燥させ、これに活性光線を照射して重合させ
ることによつても得られる。
Alternatively, a solution of a mixture of compounds () and () is applied onto a substrate by a spin coating method, a blade coating method, a dip method, a casting method, etc., and then dried, and then irradiated with actinic rays to polymerize. It can also be obtained by

化合物()及び()を同時に昇華、蒸着さ
せ、化合物()及び()の混合蒸着モノマー
結晶薄膜を形成した後、これに活性光線を照射し
て芳香族ビニレンスルフイド重合体結晶薄膜を得
るのは、記録する前の光記録層として芳香族ビニ
レンスルフイド重合体の結晶薄膜を用いる時に、
有用な薄膜形成法である。
Compounds () and () are simultaneously sublimated and vapor-deposited to form a mixed vapor-deposited monomer crystal thin film of compounds () and (), and then irradiated with active light to obtain an aromatic vinylene sulfide polymer crystal thin film. The reason is that when a crystalline thin film of aromatic vinylene sulfide polymer is used as an optical recording layer before recording,
This is a useful thin film formation method.

光記録層を構成する芳香族ビニレンスルフイド
重合体薄膜の膜厚は、特に限定するものでない
が、通常10〓〜100μmである。
The thickness of the aromatic vinylene sulfide polymer thin film constituting the optical recording layer is not particularly limited, but is usually 10 to 100 μm.

また、本発明の光記録層として用いられる上述
の芳香族ビニレンスルフイド重合体の数平均分子
量は、一般に300ないし500000である。
Further, the above-mentioned aromatic vinylene sulfide polymer used as the optical recording layer of the present invention generally has a number average molecular weight of 300 to 500,000.

本発明の光記録媒体は前述の()式を繰り返
し単位とするジエチニルベンゼン誘導体とベンゼ
ンジチオール誘導体の付加重合体(芳香族ビニレ
ンスルフイド重合体)を記録層として有すること
に特徴があり、その構成については特に限定する
ものではないが、通常よく用いられる光記録媒体
の構成例を第1図a,b,cに示す。
The optical recording medium of the present invention is characterized in that it has an addition polymer (aromatic vinylene sulfide polymer) of a diethynylbenzene derivative and a benzenedithiol derivative having the above-mentioned formula () as a repeating unit as a recording layer, Although the structure is not particularly limited, examples of commonly used optical recording media are shown in FIGS. 1a, b, and c.

図のaにおいて、1は基板、2は上述の芳香族
ビニレンスルフイド重合体からなる光記録層であ
る。
In the figure a, 1 is a substrate, and 2 is an optical recording layer made of the above-mentioned aromatic vinylene sulfide polymer.

図のbは、aに示される記録媒体の上層の記録
層2の上面に、透明無機物あるいはアクリルなど
の樹脂からなる保護膜3を設けたものである。
In the figure b, a protective film 3 made of a transparent inorganic material or a resin such as acrylic is provided on the upper surface of the upper recording layer 2 of the recording medium shown in a.

図のcに示す記録媒体は、記録層2の下面にア
ルミ、銀等の反射膜4を介して基板1を設け、記
録層2の上面に保護膜3を形成したものである。
The recording medium shown in c in the figure has a substrate 1 provided on the lower surface of the recording layer 2 via a reflective film 4 made of aluminum, silver, etc., and a protective film 3 formed on the upper surface of the recording layer 2.

(2) 記録方法 上述の芳香族ビニレンスルフイド重合体は、光
エネルギーあるいは熱エネルギー等の外部エネル
ギーを印加することで、結晶、非晶間の相転移が
生ずることを本発明者らは発見した。本発明の光
記録媒体は、この芳香族ビニレンスルフイド重合
体を光記録層として、外部エネルギー印加による
光記録層の結晶、非晶間の相転移を誘起して情報
を記録するのである。
(2) Recording method The present inventors discovered that the above-mentioned aromatic vinylene sulfide polymer undergoes a phase transition between crystalline and amorphous by applying external energy such as light energy or thermal energy. did. The optical recording medium of the present invention uses this aromatic vinylene sulfide polymer as an optical recording layer and records information by inducing a phase transition between crystal and amorphous in the optical recording layer by applying external energy.

光記録層として用いた芳香族ビニレンスルフイ
ド重合体薄膜に外部エネルギーを付与することに
より結晶相と非晶相の相転移が誘起されること
は、両者のX線回析データにより確認される。す
なわち第2図の結晶相の回析図、第3図は非晶相
の回析図に見られるように、結晶相が鋭い結晶ピ
ークを有するのに比し、非晶相はこうした鋭い結
晶ピークを有しない。
It is confirmed by X-ray diffraction data that a phase transition between a crystalline phase and an amorphous phase is induced by applying external energy to the aromatic vinylene sulfide polymer thin film used as the optical recording layer. . In other words, as seen in the diffraction diagram of the crystalline phase in Figure 2 and the diffraction diagram of the amorphous phase in Figure 3, the crystalline phase has sharp crystal peaks, whereas the amorphous phase has such sharp crystal peaks. does not have.

例えば、前述の()式でR1=R2=R3=R4
Hである芳香族ビニレンスルフイド重合体の結晶
相は、2θ=14〜15°に鋭い最大回析ピークを有し、
さらに2θ=28〜29°、42〜44°、58〜60°に結晶ピー
クを有するのに比し、非晶相は、こうした鋭い結
晶ピークを全く有しない。
For example, in the above equation (), R 1 = R 2 = R 3 = R 4 =
The crystal phase of the aromatic vinylene sulfide polymer that is H has a sharp maximum diffraction peak at 2θ = 14 ~ 15°,
Further, in contrast to crystalline peaks at 2θ=28-29°, 42-44°, and 58-60°, the amorphous phase does not have such sharp crystalline peaks at all.

光記録層として、例えば0.1μm以下程度の極く
薄い芳香族ビニレンスルフイド重合体薄膜を用い
た場合には、X線回析において結晶相の結晶ピー
クを確認できないことがある。しかし、こうした
場合でも、芳香族ビニレンスルフイド重合体薄膜
の光吸収率ないし光反射率において結晶相と非晶
相を識別することができる限り、光記録層として
用いることができる。
When an extremely thin aromatic vinylene sulfide polymer thin film of, for example, 0.1 μm or less is used as the optical recording layer, the crystal peak of the crystal phase may not be confirmed in X-ray diffraction. However, even in such a case, as long as the crystalline phase and the amorphous phase can be distinguished from each other in the light absorption or light reflectance of the aromatic vinylene sulfide polymer thin film, it can be used as an optical recording layer.

光記録層として用いた芳香族ビニレンスルフイ
ド重合体に外部エネルギーにより誘起された結晶
相と非晶相の相転移は、両者の光吸収率ないし光
反射率により確認される。
The phase transition between a crystalline phase and an amorphous phase induced by external energy in the aromatic vinylene sulfide polymer used as the optical recording layer is confirmed by the light absorption rate or light reflectance of both.

例えば前述の式()でR1=R2=R3=R4=H
である芳香族ビニレンスルフイド重合体の結晶相
及び非晶相は、300〜800nmの領域の光反射率な
いし光吸収率において明瞭に識別される。
For example, in the above equation (), R 1 = R 2 = R 3 = R 4 = H
The crystalline and amorphous phases of the aromatic vinylene sulfide polymer can be clearly distinguished in the light reflectance or light absorption in the 300-800 nm region.

なお、結晶相及び非晶相という言葉は、X線回
析における結晶ピークの有、無という意味から、
さらには、光吸収スペクトルないし光反射スペク
トルにおいて識別される分子配列の異つた2相
(分子配列の規則性の高い相を結晶相、分子配列
の規則性の低い相を非晶相)を表わすという広い
意味にも使用するものとする。
The terms "crystalline phase" and "amorphous phase" refer to the presence or absence of a crystalline peak in X-ray diffraction.
Furthermore, it is said to represent two phases with different molecular arrangements that can be identified in the light absorption spectrum or light reflection spectrum (a phase with a highly regular molecular arrangement is a crystalline phase, and a phase with a low regularity of molecular arrangement is an amorphous phase). It is also used in a broader sense.

本発明の記録に用いる外部エネルギーとして
は、光学的エネルギー、熱的エネルギー、電気的
エネルギー、力学的エネルギーなどを用いること
ができる。中でも印加するエネルギーを局部的に
絞り込むことができ高密度記録を可能にするとい
う意味で、光学的エネルギーが好ましい。光学的
エネルギーを用いる場合、光のフオトン効果を利
用して記録する場合と、ヒートモードを利用して
記録する場合を選択して用いることができる。
As the external energy used for recording in the present invention, optical energy, thermal energy, electrical energy, mechanical energy, etc. can be used. Among them, optical energy is preferable in the sense that the energy to be applied can be locally narrowed and high-density recording is possible. When using optical energy, it is possible to select between recording using the photon effect of light and recording using heat mode.

フオトン効果を利用する場合は、用いる光の波
長を相転移が誘起される波長に一致させる必要が
あるが、ヒートモードを利用する場合には、特に
限定する必要はない。
When using the photon effect, the wavelength of the light used needs to match the wavelength at which phase transition is induced, but when using the heat mode, there is no need to limit it in particular.

光学的エネルギーを印加する光源としては、紫
外〜可視〜赤外領域に発振波長を持つ各種半導体
レーザー、気体レーザー、色素レーザーなどレー
ザーや、キセノンフラツシユランプなどの各種パ
ルス発生ランプなどを用いる。
As light sources for applying optical energy, lasers such as various semiconductor lasers, gas lasers, and dye lasers having oscillation wavelengths in the ultraviolet to visible to infrared regions, and various pulse generation lamps such as xenon flash lamps are used.

本発明の光記録媒体は、光記録層として前述の
()式で表わされる芳香族ビニレンスルフイド
重合体を用いることで、高い記録感度を発揮する
ことができる。
The optical recording medium of the present invention can exhibit high recording sensitivity by using the aromatic vinylene sulfide polymer represented by the above formula () as the optical recording layer.

例えば、前述の()式でR1=R2=R3=R4
Hである芳香族ビニレンスルフイド重合体の熱エ
ネルギーによる結晶相から非晶相への相転移の活
性化エネルギーは、下記の値と概算され、極めて
高感度に結晶相から非晶相へ相転移する。
For example, in the above equation (), R 1 = R 2 = R 3 = R 4 =
The activation energy for the phase transition from the crystalline phase to the amorphous phase due to thermal energy of the aromatic vinylene sulfide polymer, which is H, is estimated to be the following value, and the phase transition from the crystalline phase to the amorphous phase can be achieved with extremely high sensitivity. metastasize.

6.9Kcal/mol(結晶相の結晶ピーク2θ=14°d=
7.7〓の回析強度を100として、その相対強度が
100〜80の領域における相転移の活性化エネルギ
ー) 34.3Kcal/mol(上述の相対強度が90〜20の領
域における相転移の活性化エネルギー) 38.9Kcal/mol(上述の相対強度が40〜0の領
域における相転移の活性化エネルギー) 記録する前の光記録層として、前述の()式
で表わされる芳香族ビニレンスルフイド重合体の
結晶相を用い、これに外部エネルギーを印加して
非晶相への相転移を誘起して記録する方法と、記
録する前の光記録層として前述の()式で表わ
される芳香族ビニレンスルフイド重合体の非晶相
を用い、これに外部エネルギーを印加して結晶相
への相転移を誘起して記録する方法と、記録する
前の光記録層として前述()式で表わされる芳
香族ビニレンスフイド重合体の非晶相を用い、こ
れに外部エネルギーを印加して結晶相への相転移
を誘起して記録する方法の両者が記録する方法と
してある。
6.9Kcal/mol (crystalline peak 2θ=14°d=
Taking the diffraction intensity of 7.7〓 as 100, its relative intensity is
34.3 Kcal/mol (activation energy for phase transition in the region where the relative intensity is 90 to 20) 38.9 Kcal/mol (activation energy for phase transition in the region where the above relative intensity is 40 to 0) (activation energy for phase transition in the region) The crystalline phase of the aromatic vinylene sulfide polymer represented by the above formula () is used as the optical recording layer before recording, and external energy is applied to this to create an amorphous state. This method uses an amorphous phase of an aromatic vinylene sulfide polymer expressed by the above formula () as an optical recording layer before recording, and applies external energy to it. There is a method for recording by inducing a phase transition to a crystalline phase by applying external energy, and an amorphous phase of an aromatic vinylene sulfide polymer represented by the above formula () is used as the optical recording layer before recording, and external energy is applied to this. There are two methods of recording: one in which a phase transition to a crystalline phase is induced by applying an electric current, and the other is recording.

光記録層として用いる前述の()式で表わさ
れる芳香族ビニレンスルフイド重合体の種類によ
り、いづれかの方法が選択される。
Either method is selected depending on the type of aromatic vinylene sulfide polymer represented by the above formula () used as the optical recording layer.

例えば、前述の()式でR1=R2=R3=R4
Hである芳香族ビニレンスルフイド重合体薄膜を
光記録層として用いた場合には、通常は前者の記
録方法を用いて記録する。
For example, in the above equation (), R 1 = R 2 = R 3 = R 4 =
When a H aromatic vinylene sulfide polymer thin film is used as an optical recording layer, the former recording method is usually used for recording.

上述のように、本発明の光記録媒体は、光記録
層に芳香族ビニレンスルフイド重合体薄膜を用
い、情報により変調された外部エネルギー、特に
好ましくは光学的エネルギーを光記録層に集束焦
照して、光記録層に結晶相、非晶相の相転移を誘
起して情報を記録するものである。
As described above, the optical recording medium of the present invention uses an aromatic vinylene sulfide polymer thin film for the optical recording layer, and focuses external energy modulated by information, particularly preferably optical energy, onto the optical recording layer. In contrast, information is recorded by inducing phase transition between a crystalline phase and an amorphous phase in an optical recording layer.

情報の記録においては、1ピツト内において、
たとえば結晶相と非晶相とを0,1に対応させた
通常の一次元記録が可能である。
In recording information, within one pit,
For example, normal one-dimensional recording in which the crystalline phase and the amorphous phase correspond to 0 and 1 is possible.

さらに上述の結晶相と非晶相の中間に、外部か
ら印加する光エネルギー等の外部エネルギーの程
度を制御して種々の結晶化度を有する中間状態を
設定することもできる。
Furthermore, intermediate states having various degrees of crystallinity can be set between the above-mentioned crystalline phase and amorphous phase by controlling the degree of external energy such as externally applied optical energy.

例えば、前述の式()でR1=R2=R3=R4
Hである芳香族ビニレンスルフイド重合体結晶を
光記録層として用い、これに紫外光(240〜
400nm)を照射した時の照射時間と結晶ピークの
回析強度の相対比との関係を第4図に示した。
For example, in the equation () above, R 1 = R 2 = R 3 = R 4 =
An aromatic vinylene sulfide polymer crystal of H is used as an optical recording layer, and ultraviolet light (240~
Figure 4 shows the relationship between the irradiation time and the relative ratio of the diffraction intensity of the crystal peak when irradiating the crystal with a wavelength of 400 nm.

このようにして基準となる結晶層と非晶相の中
間に、両者の中間の結晶化度を有するn個の中間
状態を設定して、これに(n+2)個の配列を対
応させた多次元記録も可能である。
In this way, n intermediate states are set between the reference crystalline layer and the amorphous phase with a degree of crystallinity between the two, and (n+2) arrangements are made to correspond to these intermediate states. Recording is also possible.

さらには、前述の式()で表わされる芳香族
ビニレンスルフイド重合体において異なつた置換
基(R1,R2,R3,R4)、分子量等を有する芳香
族ビニレンスルフイド重合体同士を何層か積層さ
せて、各層の結晶相、非晶相の相転移を選択的に
誘起して記録することで、さらに多量の情報を記
録することができる。
Furthermore, aromatic vinylene sulfide polymers having different substituents (R 1 , R 2 , R 3 , R 4 ), molecular weights, etc. in the aromatic vinylene sulfide polymer represented by the above formula () By stacking several layers together and recording by selectively inducing a phase transition between the crystalline phase and the amorphous phase of each layer, it is possible to record even more information.

このように、本発明の光記録媒体は、従来にな
い高密度の情報を記録することができるものであ
る。
In this way, the optical recording medium of the present invention is capable of recording information at a higher density than ever before.

(3) 記録の再生 記録された情報は、前述の光記録層として用い
た芳香族ビニレンスルフイド重合体薄膜の結晶相
と非晶相の光学的特性の違いを利用して再生す
る。
(3) Reproduction of recording Recorded information is reproduced by utilizing the difference in optical properties between the crystalline phase and the amorphous phase of the aromatic vinylene sulfide polymer thin film used as the optical recording layer.

通常は、芳香族ビニレンスルフイド重合体薄膜
の結晶相と非晶相の光反射率の違いないしは光吸
収係数の違いを利用して再生する。
Normally, reproduction is performed by utilizing the difference in light reflectance or light absorption coefficient between the crystalline phase and the amorphous phase of the aromatic vinylene sulfide polymer thin film.

すなわち、情報を記録してある光記録層に光を
照射し、光記録層にて反射された光の強度で情報
を読み取る。光記録層の記録部と未記録部の光反
射率の差を利用して情報を再生するのである。
That is, the optical recording layer on which information is recorded is irradiated with light, and the information is read based on the intensity of the light reflected by the optical recording layer. Information is reproduced by utilizing the difference in light reflectance between recorded and unrecorded areas of the optical recording layer.

あるいは、情報を記録してある光記録層に光を
照射し、光記録層にて吸収されてでてくる光の強
度で情報を読み取る。すなわち、光記録層の記録
部と未記録部の光吸収係数の差を利用して情報を
再生するのである。
Alternatively, the optical recording layer on which information is recorded is irradiated with light, and the information is read based on the intensity of the light absorbed by the optical recording layer. That is, information is reproduced by utilizing the difference in light absorption coefficient between the recorded portion and the unrecorded portion of the optical recording layer.

このとき、記録部と未記録部の光反射率あるい
は光吸収係数の差が大きい程、再生時のS/N比
を大きくとることができるのである。
At this time, the greater the difference in light reflectance or light absorption coefficient between the recorded portion and the unrecorded portion, the greater the S/N ratio during reproduction can be achieved.

本発明の光記録媒体は、光記録層として用いる
芳香族ビニレンスルフイド重合体を選択すること
で、再生時、高いS/N比をとることができる。
The optical recording medium of the present invention can achieve a high S/N ratio during reproduction by selecting an aromatic vinylene sulfide polymer for the optical recording layer.

例えば、前述の()式でR1=R2=R3=R4
Hである芳香族ビニレンスルフイド重合体結晶薄
膜を光記録層として用いた時、光記録層の結晶相
の光反射率は、例えば波長560nmの光に対して50
%程度であるのに対し、結晶相に光エネルギー、
熱エネルギー等の外部エネルギーを印加して相転
移した非晶相の波長560nmの光に対する光反射率
は70%程度であり、この光反射率の違いを利用し
て、記録された情報を再生することができる。
For example, in the above equation (), R 1 = R 2 = R 3 = R 4 =
When an aromatic vinylene sulfide polymer crystal thin film of H is used as an optical recording layer, the optical reflectance of the crystal phase of the optical recording layer is, for example, 50 nm for light with a wavelength of 560 nm.
%, whereas the crystal phase has light energy,
The optical reflectance of the amorphous phase, which undergoes a phase transition by applying external energy such as thermal energy, to light with a wavelength of 560 nm is approximately 70%, and this difference in optical reflectance is used to reproduce recorded information. be able to.

すなわち、情報を再生する時のS/N比を大き
くとることができ、読み出しのエラーを低く抑え
ることができる 記録の再生には、光記録層として用いる芳香族
ビニレンスルフイド重合体薄膜の結晶相、非晶相
の光吸収(反射)スペクトルの短波長側のスペク
トル端以上で、長波長側のスペクトル端以下の波
長の光を用いることができる。
In other words, it is possible to obtain a large S/N ratio when reproducing information, and to suppress read errors to a low level.For reproducing records, crystals of an aromatic vinylene sulfide polymer thin film used as an optical recording layer are used. It is possible to use light having a wavelength that is above the short wavelength end of the light absorption (reflection) spectrum of the phase or amorphous phase and below the long wavelength end of the spectrum.

〔実施例〕〔Example〕

次に実施例によつて本発明を更に具体的に説明
する。
Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.

実施例 1 真空蒸着装置を用い、ボートにp−ベンゼンジ
チオールとp−ジエチニルベンゼンの粉末結晶の
等モル混合物0.134gを入れ、排気操作により蒸着
室を0.5Torrの真空度とした。さらに蒸発源を60
℃に加熱して30秒間昇華させて石英製ガラス基板
上にp−ベンゼンジチオールとp−ジエチニルベ
ンゼンの混合蒸着モノマーの結晶薄膜を形成させ
た。この混合蒸着モノマーの結晶薄膜を60℃に保
持すると共に高圧水銀ランプ(300w)で紫外線
を12分間にわたつて照射した。
Example 1 Using a vacuum evaporation apparatus, 0.134 g of an equimolar mixture of p-benzenedithiol and p-diethynylbenzene powder crystals was placed in a boat, and the evaporation chamber was brought to a vacuum of 0.5 Torr by evacuation. 60 more evaporation sources
C. and sublimed for 30 seconds to form a crystalline thin film of a mixed vapor-deposited monomer of p-benzenedithiol and p-diethynylbenzene on the quartz glass substrate. The crystalline thin film of this mixed vapor-deposited monomer was maintained at 60°C and irradiated with ultraviolet rays for 12 minutes using a high-pressure mercury lamp (300w).

かくして得られたp−ベンゼンジチオールとp
−ジエチニルベンゼンの付加重合体(芳香族ビニ
レンスルフイド重合体)結晶のX線回析図を第2
図に示した。最大回析ピークを2θ=14°(d=7.78
Å)に有し、これ以外にも2θ=29°(d=3.90Å)、
2θ=44°(d=2.60Å)、2θ=58°(d=1.95Å)に

ークを示した。
The thus obtained p-benzenedithiol and p
- The second X-ray diffraction diagram of the addition polymer (aromatic vinylene sulfide polymer) crystal of diethynylbenzene
Shown in the figure. The maximum diffraction peak is 2θ=14° (d=7.78
Å), and in addition to this, 2θ = 29° (d = 3.90 Å),
Peaks were shown at 2θ = 44° (d = 2.60 Å) and 2θ = 58° (d = 1.95 Å).

また、上記重合体の数平均分子量は銅アセチリ
ド法で3000であつた。上記重合体を元素分析、赤
外吸収分析、X線回析等で測定した結果、 を繰り返し単位とする結晶化度がほぼ100%のジ
エチニルベンゼンとベンゼンジチオールの結晶性
重付加体と認められた。
Further, the number average molecular weight of the above polymer was found to be 3000 by the copper acetylide method. As a result of measuring the above polymer by elemental analysis, infrared absorption analysis, X-ray diffraction, etc., It was recognized as a crystalline polyadduct of diethynylbenzene and benzenedithiol with a repeating unit of nearly 100% crystallinity.

かくして石英製ガラス基板上に光記録層として を繰り返し単位とする芳香族ビニレンスルフイド
重合体結晶薄膜(厚み10.6μm)を形成した光記
録媒体を得た。
Thus, an optical recording layer is formed on the quartz glass substrate. An optical recording medium was obtained in which a thin film (thickness: 10.6 μm) of an aromatic vinylene sulfide polymer crystal having repeating units was formed.

この光記録媒体に熱エネルギーを照射して光記
録層として用いた芳香族ビニレンスルフイドの結
晶相を非晶相に相転移した。
This optical recording medium was irradiated with thermal energy to transform the crystalline phase of the aromatic vinylene sulfide used as the optical recording layer into an amorphous phase.

熱エネルギーによる結晶相から非晶相への相転
移の活性化エネルギーを概算するため、結晶相を
60〜70℃の各温度に保持して、保持した時間と結
晶ピーク2θ=14°(d=7.7Å)の相対強度比を第
5図に示した。これよりさらにアレニウスの式を
用いてプロツトし、結晶相から非晶相への活性化
エネルギーを概算した。
In order to roughly estimate the activation energy of phase transition from crystalline to amorphous phase due to thermal energy, the crystalline phase is
FIG. 5 shows the relative intensity ratio of the crystal peak 2θ=14° (d=7.7 Å) and the holding time at each temperature of 60 to 70°C. From this, we plotted using the Arrhenius equation and roughly estimated the activation energy from the crystalline phase to the amorphous phase.

これより結晶相から非晶相への相転移の活性化
エネルギーは、 6.9Kcal/mol(結晶相の結晶ピーク2θ=14°d=
7.7Åの回析強度を100としてその相対強度が100
〜80の領域における相転移の活性化エネルギー) 34.3Kcal/mol(上述の相対強度が90〜20の領
域における相転移の活性化エネルギー) 38.9Kcal/mol(上述の相対強度が40〜0の領
域における相転移の活性化エネルギー) と求められた。
From this, the activation energy for phase transition from crystalline phase to amorphous phase is 6.9Kcal/mol (crystalline peak 2θ=14°d=
The relative intensity is 100 with the diffraction intensity of 7.7 Å as 100.
Activation energy of phase transition in the region of ~80) 34.3 Kcal/mol (activation energy of phase transition in the region of above relative intensity of 90 to 20) 38.9 Kcal/mol (region of above relative intensity of 40 to 0) The activation energy of the phase transition in

この相転移の活性化エネルギーは小さく、熱エ
ネルギーによる結晶相から非晶相への転移を記録
に用いる時に、高感度に記録することができる。
The activation energy of this phase transition is small, and when the transition from a crystalline phase to an amorphous phase due to thermal energy is used for recording, it can be recorded with high sensitivity.

また、第4図に結晶相に紫外光(240〜400nm)
を照射したときの照射時間と、結晶ピーク(2θ=
14,d=7.7Å)の相対強度比の関係を示した。
In addition, in Figure 4, ultraviolet light (240 to 400 nm) is applied to the crystal phase.
Irradiation time and crystal peak (2θ=
14, d = 7.7 Å).

このようにして、熱エネルギー、光エネルギー
により光記録媒体の光記録層としての芳香族ビニ
レンスルフイド重合体結晶は、非晶相に相転移す
る。非晶相のX線回析図を第3図に示したが、結
晶相にみられた結晶ピークがすべて消失している
ことがわかる。
In this way, the aromatic vinylene sulfide polymer crystal serving as the optical recording layer of the optical recording medium undergoes a phase transition to an amorphous phase due to thermal energy and optical energy. The X-ray diffraction diagram of the amorphous phase is shown in FIG. 3, and it can be seen that all the crystal peaks seen in the crystalline phase have disappeared.

また、結晶相と非晶相の表面のレプリカ像の走
査型電子顕微鏡写真を第6図に示した。結晶相と
非晶相の表面モルフオロジーに顕著な差違があ
り、両者は、はつきりと識別される。
Furthermore, scanning electron micrographs of replica images of the surfaces of the crystalline phase and the amorphous phase are shown in FIG. There are significant differences in the surface morphology of the crystalline and amorphous phases, and the two can be easily distinguished.

また、結晶相と非晶相の紫外拡散反射スペクト
ル装置(本体 日立330スペクトロメーター、付
属 日立201−2101 60%積分球付属装置)を用い
て、560nmの光に対する反射率を測定したとこ
ろ、結晶相は50%程度であつたのに比し、非晶相
は70%程度であつた。結晶相と非晶相のこの光反
射率の違いを利用して記録を良好に再生すること
ができる。
In addition, when we measured the reflectance for 560 nm light using an ultraviolet diffuse reflectance spectrometer for crystalline and amorphous phases (Hitachi 330 spectrometer, attached Hitachi 201-2101 60% integrating sphere), we found that the crystalline phase was about 50%, while the amorphous phase was about 70%. By utilizing this difference in light reflectance between the crystalline phase and the amorphous phase, records can be reproduced favorably.

また、上述の結晶相、非晶相は40℃で空気中に
1カ月放置しておいてもそのX線回析図、光反射
率に全く変化はなかつた。
Further, even when the crystalline phase and amorphous phase described above were left in air at 40° C. for one month, there was no change at all in their X-ray diffraction diagram and light reflectance.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の光記録媒体は、上述のように、毒性が
なく、かつ記録感度が良く、記録部と未記録部の
光学的コントラストが大きく、かつ高感度に情報
を記録することができるものである。
As described above, the optical recording medium of the present invention is non-toxic, has good recording sensitivity, has a large optical contrast between recorded areas and unrecorded areas, and is capable of recording information with high sensitivity. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図a,b及びcは、本発明光記録媒体の実
施例を示す断面図で、1は基板、2は光記録層、
3は保護膜、4は反射膜である。第2図は、実施
例1で得られた本発明の芳香族ビニレンスルフイ
ド重合体の結晶相のX線回析図、第3図は、同非
晶相のX線回析図である。第4図は、実施例1で
得られた本発明光記録媒体に紫外線光を照射した
ときの照射時間と結晶X線回析ピーク強度比との
関係を示すグラフ、第5図は、同光記録媒体を高
温下に保持した場合の結晶X線回析ピークの相対
強度比変化を示すグラフである。第6図a,b
は、実施例1で得られた本発明光記録媒体の記録
層(芳香族ビニレンスルフイド重合体)の表面の
レプリカ像の走査型電子顕微鏡拡大(20000倍)
写真で、aは結晶相、bは非晶相である。
FIGS. 1a, b, and c are cross-sectional views showing embodiments of the optical recording medium of the present invention, in which 1 is a substrate, 2 is an optical recording layer,
3 is a protective film, and 4 is a reflective film. Figure 2 is an X-ray diffraction diagram of the crystalline phase of the aromatic vinylene sulfide polymer of the present invention obtained in Example 1, and Figure 3 is an X-ray diffraction diagram of the amorphous phase. . FIG. 4 is a graph showing the relationship between the irradiation time and crystal X-ray diffraction peak intensity ratio when the optical recording medium of the present invention obtained in Example 1 is irradiated with ultraviolet light, and FIG. 2 is a graph showing changes in the relative intensity ratio of crystal X-ray diffraction peaks when a recording medium is held at a high temperature. Figure 6 a, b
is a scanning electron microscope magnification (20,000 times) of a replica image of the surface of the recording layer (aromatic vinylene sulfide polymer) of the optical recording medium of the present invention obtained in Example 1.
In the photograph, a is a crystalline phase and b is an amorphous phase.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 下記構造式()で表わされる基を繰り返し
単位とする、ジエチニルベンゼン誘導体とベンゼ
ンジチオール誘導体との付加重合体を光記録層と
して用いてなることを特徴とする光記録媒体。 〔式中、R1,R2,R3,R4は、それぞれ水素、
炭素数1〜12のアルキル基、ハロゲンの中から選
ばれた基を表わす。〕
[Scope of Claims] 1. An optical recording characterized by using an addition polymer of a diethynylbenzene derivative and a benzenedithiol derivative as an optical recording layer, in which the group represented by the following structural formula () is used as a repeating unit. Medium. [In the formula, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 are hydrogen,
Represents a group selected from alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms and halogens. ]
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