JPH0459967A - Method for reforming surface with laser beam - Google Patents

Method for reforming surface with laser beam

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JPH0459967A
JPH0459967A JP2170201A JP17020190A JPH0459967A JP H0459967 A JPH0459967 A JP H0459967A JP 2170201 A JP2170201 A JP 2170201A JP 17020190 A JP17020190 A JP 17020190A JP H0459967 A JPH0459967 A JP H0459967A
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JP
Japan
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laser
layer
modified
thin layer
compound
Prior art date
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Application number
JP2170201A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masako Nakabashi
中橋 昌子
Takao Suzuki
隆夫 鈴木
Masayuki Ito
伊藤 昌行
Seiichi Suenaga
誠一 末永
Shinichiro Okude
信一郎 奥出
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To partially reform the surface-layer part of a material to be reformed by forming a patterned thin film on the material surface and irradiating the entire surface with a laser beam to heat it. CONSTITUTION:A patterned thin film 3 is formed on the surface of a metallic material 1 to be reformed, and the entire surface of the material 1 is irradiated with a laser beam 7 from a laser 5. When a compd. having a higher absorptivity for the beam 7 than the material 1 is used for the thin layer 3, the lower part of the compd. is preferentially and selectively heated by the beam 7, the lower part of the layer 3 (oblique line part 4) is melted or vaporized, and the surface part is reformed. Consequently, when a metallic layer having a high laser beam reflectivity is used as the thin layer 3, the thin layer 3 at the lower part of the metallic layer is not heated so much, and an oblique line part 6 is preferentially and selectively heated and reformed. When the same metal is used ass the metal having a different absorptivity, the metals are patterned to change their surface roughness, and the absorptivities for the laser beam are different from each other.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、金属材料、セラミック材料等の改質対象物の
表面にレーザを照射して、この改質対象物の表層部を部
分的に改質するためのレーザ表面改質方法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Field of Application) The present invention aims to irradiate the surface of an object to be modified, such as a metal material or a ceramic material, with a laser to transform the surface layer of the object to be modified. The present invention relates to a laser surface modification method for partially modifying a surface.

(従来の技術) 近年、製品の高機能化、高付加価値化に対する要求が高
まっており、この要求に伴い新素材開発への期待が高ま
っている。また材料の表面改質は、基材の素材を損なう
ことなく、新しい機能を付加することか出来、複合効果
が有効に得られることから特に期待されている。
(Conventional Technology) In recent years, there has been an increasing demand for products with higher functionality and higher added value, and with these demands, expectations for the development of new materials have also increased. In addition, surface modification of materials is particularly expected because new functions can be added without damaging the base material, and composite effects can be effectively obtained.

材料表面を改質する改質方法には、以下の種々の方法が
提案されている。
The following various methods have been proposed for modifying the surface of a material.

0表面に物理的蒸着(真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンブレーティングなど材料を蒸発させて表面に堆積させ
る)法によりコーティング層を設ける。
A coating layer is provided on the 0 surface by a physical vapor deposition method (evaporating a material and depositing it on the surface, such as vacuum evaporation, sputtering, or ion blasting).

■化学的蒸着(熱CVD、プラズマCVD、など主に気
相同士の反応で材料表面に析出堆積させる)法によりコ
ーティング層を設ける。
■Provide a coating layer by chemical vapor deposition (thermal CVD, plasma CVD, etc., where deposition is deposited on the surface of a material mainly by reaction between gas phases).

■溶射、肉盛など液相にした材料を表面に凝固堆積させ
てコーティング層を設ける。
■Provide a coating layer by coagulating and depositing a liquid material on the surface, such as by thermal spraying or overlaying.

■特定の元素を浸透させて(炭素−浸炭、窒素−窒化、
AI−アルミナイジング、イオン注入など)表面層の状
態を変化させる。
■By infiltrating specific elements (carbon-carburizing, nitrogen-nitriding,
AI-aluminizing, ion implantation, etc.) changes the state of the surface layer.

■材料の表面を加熱などして状態を変化させる。■Changing the state of a material by heating it, etc.

表面改質方法は、一般に表面のみ加熱するなどして改質
を行うため材料全体に影響が及びにくい。
Surface modification methods generally modify only the surface by heating, so the entire material is unlikely to be affected.

このため、元の材料特性を招なうことなく表面の特性の
みを向上することが出来る。
Therefore, only the surface properties can be improved without impairing the original material properties.

なかでも、加熱源としてレーザーを用いると、他の熱源
と比較して高密度エネルギが得られるため、表面改質が
容易に行えるのみならず、急熱、急冷も容易である。
Among these, when a laser is used as a heating source, high-density energy can be obtained compared to other heat sources, so that not only surface modification can be easily performed, but also rapid heating and cooling can be performed easily.

従って、これまでに困難であった非平衡過程を伴う表面
改質の可能性も可能と考えられている。
Therefore, the possibility of surface modification involving non-equilibrium processes, which has been difficult until now, is considered possible.

特に炭酸レーサー(CO2レーレーサ、連続で大出力発
振が可能であり期待されている。これらの観点からレー
ザーを熱源として用いた表面改質は近年脚光を浴びてい
る。
In particular, carbon dioxide lasers (CO2 laser lasers) are expected to be capable of continuous high output oscillation. From these viewpoints, surface modification using lasers as a heat source has been in the spotlight in recent years.

ところで、レーザーの他の特徴として制御性の容易さが
挙げられる。レーザーはレンズ、ミラて容易に集光、反
射か出来るため、改質対象物である材料表面の任意の箇
所にレーサー光を照射することが可能である。この特徴
を生かして材料表面の部分的改質も可能である。
By the way, another feature of lasers is ease of control. Laser light can be easily focused and reflected by lenses and mirrors, so it is possible to irradiate laser light to any location on the surface of the material to be modified. Taking advantage of this feature, it is also possible to partially modify the surface of the material.

しかしながら、そのためには、レーザの位置制御など複
雑な制御系が必要であり、また用途に応じて制御プログ
ラムを変更する必要があった。
However, this requires a complicated control system such as laser position control, and it is also necessary to change the control program depending on the application.

(発明が解決しようとする課題) 以上のような理由により、材料の表層部の部分的な改質
を容易に行う方法が切望されていた。
(Problems to be Solved by the Invention) For the reasons described above, a method for easily partially modifying the surface layer of a material has been desired.

本初発明は上記事実を考慮し、レーザーを用いて材料の
表層部を部分的に容易に改質することが出来るレーザ表
面改質方法を提供することが目的である。
In consideration of the above facts, the present invention aims to provide a laser surface modification method that can easily partially modify the surface layer of a material using a laser.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するため請求項(1)記載の発明では、
改質対象物の表面にパターン化された薄層を形成し、こ
のパターン化された薄層が形成された改質対象物の表面
全体にレーザを照射して加熱し改質対象物の表層部を部
分的に改質するこ止を特徴としている。
[Structure of the invention] (Means for solving the problem) In order to achieve the above object, the invention described in claim (1) provides the following:
A patterned thin layer is formed on the surface of the object to be modified, and the entire surface of the object on which the patterned thin layer is formed is irradiated with a laser to heat the surface layer of the object. It is characterized by the fact that it does not partially modify the material.

請求項(2)記載の発明では、パターン化された薄層が
レーサの熱吸収率の高い化合物であることを特徴として
いる。
The invention as set forth in claim (2) is characterized in that the patterned thin layer is a compound having a high heat absorption rate for the laser.

請求項(3)記載の発明では、パターン化された薄層が
レーザの反射率の高い材料層あることを特徴としている
The invention according to claim (3) is characterized in that the patterned thin layer is a material layer with high laser reflectivity.

請求項(4)記載の発明では、パターン化された薄層が
改質対象物の表面を粗の状態にして形成したことを特徴
としている。
The invention according to claim (4) is characterized in that the patterned thin layer is formed on the surface of the object to be modified in a rough state.

請求項(5)記載の発明では、改質対象物と化合物を形
成するガス雰囲気中でレーザを改質対象物の表面全体に
照射することを特徴としている。
The invention described in claim (5) is characterized in that the entire surface of the object to be modified is irradiated with a laser in a gas atmosphere that forms a compound with the object to be modified.

請求項(6)の発明では、パターン化された薄層が形成
された改質対象物ヘレーザを照射した後に、この改質対
象物を急冷することを特徴とじている 請求項(7)の発明では、改質対象物の表面に、加熱に
より薄層を形成した後、この薄層の表面にパターン化さ
れたレーザの熱吸収率の高い化合物層を形成した後に、
レーザを全体に照射して、化合物層の下部の薄層を優先
的に加熱して、薄層の化合物層を形成することを特徴と
するレーザ表面改質方法。
The invention according to claim (6) is characterized in that after irradiating a laser beam onto a modification target on which a patterned thin layer has been formed, the modification target is rapidly cooled. Then, after forming a thin layer on the surface of the object to be modified by heating, and after forming a patterned compound layer with high heat absorption rate of the laser on the surface of this thin layer,
A laser surface modification method characterized by irradiating the entire surface with a laser to preferentially heat the thin layer at the bottom of the compound layer to form a thin compound layer.

請求項(8)の発明は、上記請求項(1)乃至請求項(
7)記載のレーザ表面改質方法により表面が改質された
改質対象物である。
The invention of claim (8) covers the above claims (1) to (
7) A surface-modified object whose surface has been modified by the laser surface modification method described above.

(作用) 請求項(1)記載の発明によれば、改質対象物の表面に
、パターン化された薄層を形成する。
(Operation) According to the invention described in claim (1), a patterned thin layer is formed on the surface of the object to be modified.

このパターン化された薄層は、例えば改質したい部分と
、改質を必要としない部分とが分けられたパターンとな
っている。改質対象物の表面に薄層を形成した状態で、
改質対象物の表面全体にレーザを照射する。この際、レ
ーザは光学系等により拡散されたレーザ光でも良く、ま
たレーザを改質対象物の表面上で、こまかい位置制御な
しに走査することにより、改質対象物の表面全体にレー
ザ光を照射する。
This patterned thin layer has a pattern in which, for example, a portion to be modified and a portion not requiring modification are separated. With a thin layer formed on the surface of the object to be modified,
The entire surface of the object to be modified is irradiated with a laser. At this time, the laser may be a laser beam that has been diffused by an optical system or the like, and by scanning the laser over the surface of the object to be modified without detailed position control, the laser beam can be applied to the entire surface of the object to be modified. irradiate.

これにより、薄層の下部の改質対象物または、薄層が形
成されていない改質対象対象物の表面が改質される。従
って、レーサーを用いて材料の表層部を部分的に容易に
改質することか出来る。
As a result, the surface of the object to be modified below the thin layer or the object to be modified on which the thin layer is not formed is modified. Therefore, the surface layer of the material can be easily partially modified using the racer.

請求項(2)の発明によれば、パターン化された薄層が
熱吸収率の高い化合物であり、この化合物を改質対象物
の表面に形成した後、改質対象物の表面全体にレーサを
照射する。
According to the invention of claim (2), the patterned thin layer is a compound with high heat absorption rate, and after forming this compound on the surface of the object to be modified, a laser beam is applied to the entire surface of the object to be modified. irradiate.

化合物としては、基材金属よりレーザの吸収率の高いも
のであれば、種類を問わないが、例えば、酸化物、炭化
物、窒化物等が挙げられる。
The compound may be of any type as long as it has a higher laser absorption rate than the base metal, and examples include oxides, carbides, and nitrides.

予め表面改質を必要とする表面にこれらの化合物層をス
パッタリング、真空蒸着、溶射、粉末塗装などの方法で
形成したのち全面にレーザを照射すると、化合物層を形
成した部分のみレーザが選択的に吸収され化合物層下部
の改質対象物が選択的に加熱され改質される。
When these compound layers are formed in advance on a surface that requires surface modification using methods such as sputtering, vacuum evaporation, thermal spraying, or powder coating, and then the entire surface is irradiated with a laser, the laser selectively affects only the areas on which the compound layer has been formed. The absorbed substance to be modified at the bottom of the compound layer is selectively heated and modified.

レーザの吸収率を変化させる方法として、化合物層形成
の他に、吸収率の異なる金属層を形成しても良い。
As a method of changing the laser absorption rate, in addition to forming a compound layer, metal layers having different absorption rates may be formed.

請求項(3)の発明によれば、パターン化された薄層が
改質対象物よりレーザの反射率の高い材料層であり、こ
の材料層改質対象物の表面に形成した後、改質対象物全
体にレーザを照射する。
According to the invention of claim (3), the patterned thin layer is a material layer having a higher laser reflectance than the object to be modified, and after this material layer is formed on the surface of the object to be modified, the material layer is modified. Irradiates the entire object with a laser.

これにより、材料層で覆われていない改質対象物は選択
的に加熱され改質される。
As a result, the object to be modified that is not covered with the material layer is selectively heated and modified.

請求項(4)の発明によれば、パターン化された薄層が
改質対象物の表面をパターンして組の状態にする。この
状態でレーザ照射する。粗の状態の表面は反射率が低下
するので、表面が粗の状態の部分以外の部分に選択的に
レーザが照射されて加熱され改質される。
According to the invention of claim (4), the patterned thin layer patterns the surface of the object to be modified to form a set. Laser irradiation is performed in this state. Since the reflectance of a surface in a rough state decreases, parts of the surface other than those in a rough state are selectively irradiated with a laser to be heated and modified.

請求項(5)の発明によれば、改質対象物と化合物を形
成するガス雰囲気中でレーザを表面全体に照射する。材
料層または表面が粗の状態とされた部分以外の改質対象
物の表面が選択的に加熱されて改質される。
According to the invention of claim (5), the entire surface is irradiated with a laser in a gas atmosphere that forms a compound with the object to be modified. The surface of the object to be modified other than the material layer or the rough surface is selectively heated and modified.

請求項(6)の発明によれば、パターン化された薄層を
形成した後にレーザを照射し、急冷する。
According to the invention of claim (6), after forming the patterned thin layer, it is irradiated with a laser and rapidly cooled.

パターン化された薄層が、レーザの吸収率の高い層を形
成した後、改質対象物の表面全体にレザを照射し、この
層下部の改質対象物を優先的に加熱した後に急冷する。
After the patterned thin layer forms a layer with high laser absorption, the entire surface of the object to be modified is irradiated with the laser, and the object to be modified under this layer is preferentially heated and then rapidly cooled. .

これにより、レーザ吸収率の高い層の下部が優先的に加
熱されて改質される。
As a result, the lower part of the layer with high laser absorption rate is preferentially heated and modified.

パターン化された薄層が、レーザの反射率の高い層であ
る場合、改質対象物の表面全体にレーサを照射し、この
薄層て覆われている改質対象物以外の改質対象物の表面
を選択的に加熱し改質する。
If the patterned thin layer is a layer with high laser reflectance, the entire surface of the object to be modified is irradiated with the laser, and this thin layer is used to remove objects other than the object covered by the thin layer. The surface of the material is selectively heated and modified.

パターン化された薄層か、粗の状態に形成された改質対
象物の表面ではレーザの反射率が低くなり、粗の状態の
改質対象物のレーザの吸収率が多くなった表面を加熱し
た後に急冷する。
The laser reflectance is low on the surface of the modified object that is formed in a patterned thin layer or in a rough state, and the surface of the modified target that is rough and has a high absorption rate is heated. After that, cool it down quickly.

これにより、粗の状態の改質対象物が改質される。As a result, the crude object to be modified is modified.

請求項(7)の発明によれば、レーザの吸収率の高いパ
ターン化された化合物を形成した後、し−ザを表面全体
に照射する。化合物層下部の改質対象物は、優先的に加
熱されて改質される。
According to the invention of claim (7), after forming a patterned compound with high laser absorption rate, the entire surface is irradiated with a laser. The object to be modified at the bottom of the compound layer is preferentially heated and modified.

また、請求項(1)乃至請求項(7)の発明によって改
質された対象物は、部分的な改質が容易になる。
Moreover, the object modified by the inventions of claims (1) to (7) can be easily partially modified.

(実施例) 次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。(Example) Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1実施例 第1図を用いて第1実施例について説明する。First example A first embodiment will be described using FIG.

改質対象物である金属材料1の表面にパターン化された
薄層3を形成した後、レーザー照射装置5によりレーザ
光7を金属材11の表面に全体的に照射する。この場合
レーザを光学系等により拡散して一回で全面照射しても
よく、レーザを適当な条件て薄層3の表面上で走査する
ことによって全面照射しても良い。
After forming a patterned thin layer 3 on the surface of the metal material 1 to be modified, the entire surface of the metal material 11 is irradiated with laser light 7 by the laser irradiation device 5 . In this case, the entire surface may be irradiated at once by diffusing the laser using an optical system or the like, or the entire surface may be irradiated by scanning the laser over the surface of the thin layer 3 under appropriate conditions.

このパターン化された薄層3として、レーザ光7の吸収
率が金属材料1より高い化合物層であるとすると、この
化合物の下部はレーザ光7にょって優先的かつ選択的に
加熱される。この加熱によって化合物層3の下部(第1
図において斜線部4)か溶融あるいは蒸発し、表層部が
改質される。
Assuming that the patterned thin layer 3 is a compound layer having a higher absorption rate for the laser beam 7 than the metal material 1, the lower part of this compound is preferentially and selectively heated by the laser beam 7. This heating causes the lower part of the compound layer 3 (first
In the figure, the shaded area 4) is melted or evaporated, and the surface layer is modified.

このような、化合物としては金属材料]よりレザの吸収
率の高いものであれば種類は問わない。
Any type of compound may be used as long as it has a higher laser absorption rate than metal materials.

例えば酸化物、炭化物、窒化物などが挙げられる。Examples include oxides, carbides, and nitrides.

あらかじめ表面改質を必要とする金属表面の部分にこれ
らの化合物層3をスパッタリング、真空蒸着、溶射、粉
末塗装法などの方法で形成しても良い。
The compound layer 3 may be formed in advance on a portion of the metal surface that requires surface modification by a method such as sputtering, vacuum evaporation, thermal spraying, or powder coating.

また、パターン化された薄層3として、吸収率の異なる
金属層例えば、レーザの反射率の高い金属層とすると、
この金属層の下部の薄層3の加熱は少なく、この金属以
外の部分すなわち第1図斜線6の部分が優先的、選択的
に加熱されて改質される。
Furthermore, if the patterned thin layer 3 is a metal layer with different absorption coefficients, for example, a metal layer with high laser reflectivity,
The thin layer 3 below the metal layer is heated less, and the portion other than the metal, that is, the portion indicated by diagonal lines 6 in FIG. 1, is heated and modified preferentially and selectively.

また吸収率の異なる金属として同一金属の場合には、パ
ターン化して表面粗さを変えることによリレーサの吸収
率が異なることを利用して部分的に表面をArスパッタ
、サンドブラストなどにより粗の状態にしても良い。
In addition, in the case of the same metal with different absorption rates, by patterning and changing the surface roughness, taking advantage of the difference in the absorption rate of the relay, the surface can be partially roughened by Ar sputtering, sandblasting, etc. You can also do it.

上記のように、パターン化された薄層を形成した後に、
レーザを全面に照射することにより、レザが選択的に吸
収された部分ては、金属が加熱、溶融、蒸発して部分的
に表面形状が変化して改質される。
After forming the patterned thin layer as described above,
By irradiating the entire surface with the laser, the metal is heated, melted, and evaporated in the areas where the laser is selectively absorbed, thereby partially changing the surface shape and modifying the metal.

また、上記改質対象物が合金の場合には、構成元素の蒸
気圧の差異により選択蒸発が生じるため組成的変化が生
しる。また基材を焼鈍や加熱により組織変化させ改質し
ても良い。また、れにこれらの改質方法において、レー
ザ照射を大気中など酸素雰囲気中で行えば、部分的に酸
化物を、窒素雰囲気中で行えば部分的に窒化物を形成す
ることが出来る。
Further, when the object to be modified is an alloy, selective evaporation occurs due to differences in vapor pressure of the constituent elements, resulting in a compositional change. Further, the base material may be modified by changing its structure by annealing or heating. Furthermore, in these modification methods, if laser irradiation is performed in an oxygen atmosphere such as the air, oxides can be formed partially, and if laser irradiation is performed in a nitrogen atmosphere, nitrides can be partially formed.

なお、レーザ表面改質においては、表面のみ加熱される
ため改質後急冷されやすく、非平衡が形成されて目的と
する平衡層が形成されないことがある。この場合は、改
質対象物を変質させない範囲で改質対象物を加熱しても
良い。
In addition, in laser surface modification, since only the surface is heated, it is likely to be rapidly cooled after modification, and a non-equilibrium may be formed and the intended equilibrium layer may not be formed. In this case, the object to be modified may be heated within a range that does not change the quality of the object.

第2実施例 第2実施例は、第2図に示されるように、改質対象物で
ある金属材料11の表面にパターン化された薄層9を形
成した後、金属材t、1と化合物を形成するガス雰囲気
中てレーザを金属材料の表面全体に照射する例である。
Second Embodiment In the second embodiment, as shown in FIG. 2, after forming a patterned thin layer 9 on the surface of a metal material 11, which is an object to be modified, a metal material t,1 and a compound are formed. This is an example in which the entire surface of a metal material is irradiated with a laser in a gas atmosphere that forms a .

パターン化された薄層が反射率の高い金属層の場合と、
金属材料の表面を粗の状態にして反射率を低減した後に
金属と化合物を形成するガス雰囲気中てレーザを照射す
る 第3実施例 第3実施例は、第1実施例吉途中までは同じであるが、
レーザ照射部を照射後急冷する。
When the patterned thin layer is a highly reflective metal layer,
Third Embodiment In which the surface of the metal material is roughened to reduce its reflectance, and then the laser is irradiated in a gas atmosphere that forms a compound with the metal.The third embodiment is the same as the first embodiment until halfway through. Yes, but
The laser irradiation area is rapidly cooled after irradiation.

急冷する方法としては、他に金属材料表面部分にこの金
属材料よりレーザの反射率の臭い金属層あるいは化合物
層を形成した後、該金属全表面にレーザを照射し、該化
合物層以外の金属部分を優先的に加熱した後急冷する。
Another method for rapid cooling is to form a metal layer or compound layer on the surface of the metal material that has a higher laser reflectance than the metal material, and then irradiate the entire surface of the metal with a laser to remove the metal parts other than the compound layer. is preferentially heated and then rapidly cooled.

あるいは金属材1表面部分を、該金属より表面粗さを粗
にしてレーザの反射率を低減した後、該金属表面全体に
レーザを照射し、該粗面金属部分を優先的に加熱した後
急冷する。
Alternatively, the surface roughness of the surface of the metal material 1 is made rougher than that of the metal to reduce the laser reflectance, and then the entire surface of the metal is irradiated with a laser, the rough metal portion is heated preferentially, and then rapidly cooled. do.

急冷法には、レーザ照射後に冷却ガスを吹き付けたり、
金属材料を冷却構造としても良い。急冷により、金属あ
るいは、合金を高温の液相状態に保ち非晶質化あるいは
微品質化して表面改質も可能である。
The rapid cooling method involves spraying cooling gas after laser irradiation,
The cooling structure may be made of metal material. By rapid cooling, it is possible to maintain the metal or alloy in a high-temperature liquid phase state and make it amorphous or fine-quality, thereby modifying the surface.

この場合、合金の種類として、成分元素の混合エンタル
ピーが負値てかつ原子寸法が0.8以下である合金。あ
るいは、鉄、コバルトあるいはニッケルを主成分としボ
ロン、シリコンを含む合金が非晶質あるいは微品質化し
やすく望ましい。
In this case, the type of alloy is an alloy whose component elements have a negative mixing enthalpy and an atomic dimension of 0.8 or less. Alternatively, an alloy containing iron, cobalt, or nickel as a main component and containing boron and silicon is desirable because it easily becomes amorphous or has a fine quality.

また、急冷により結晶変態、特に結晶変態により硬化さ
せることにより部分硬化させることが出来る。その後、
Arスパッタやサンドブラストなどにより微粒子を衝突
させ、非硬化部分のみを選択除去すると表面形状を変化
させることも可能である。
In addition, partial hardening can be achieved by hardening through crystal transformation, particularly through crystal transformation, by rapid cooling. after that,
It is also possible to change the surface shape by selectively removing only the non-hardened portions by colliding fine particles with Ar sputtering, sandblasting, etc.

第4実施例 第4実施例は、第3図に示されるように、金属材料17
の表面に、加熱により該金属と化合物を容易に形成する
金属あるいは化合物層]4を形成した後、金属層あるい
は化合物層の部分に、この金属層あるいは化合物層より
レーザの吸収率の高い化合物層あるいは金属層13を形
成する。その後、表面全体にレーザ7を照射し、該化合
物層下部の金属部分を優先的に加熱し該金属の化合物層
を形成する方法である。
Fourth Embodiment In the fourth embodiment, as shown in FIG.
After forming a metal or compound layer that easily forms a compound with the metal by heating on the surface of the metal layer, a compound layer having a higher laser absorption rate than the metal layer or compound layer is formed on the metal layer or compound layer. Alternatively, a metal layer 13 is formed. Thereafter, the entire surface is irradiated with a laser 7 to preferentially heat the metal portion below the compound layer to form a compound layer of the metal.

これは、部分的に表面改質する方法に関しては第1実施
例と同様であるが、予め改質対象物と合金あるいは化合
物を形成しやすい金属あるいは化合物層を形成しておき
、優先的加熱された部分の下部で選択的に合金や化合物
層を形成して改質する。
This method is similar to the first embodiment in terms of the method of partially modifying the surface, but a metal or compound layer that easily forms an alloy or compound with the object to be modified is formed in advance, and the layer is preferentially heated. An alloy or compound layer is selectively formed at the bottom of the exposed area to modify it.

組み合わせとしては、改質対象物金属元素との生成エン
タルピが負値になる金属あるいは生成自由エネルギが負
値になる化合物が良い。例えば、改質対象物がAIの場
合、Nb、Ti、Stなどの金属あるいは酸化Feなど
が改質対象物がNiの場合Al5Ti、Wなどが、改質
対象物がTiの場合AI、Ni、などが挙げられる。
A good combination is a metal whose enthalpy of formation with the metal element to be modified is a negative value or a compound whose free energy of formation is a negative value. For example, when the object to be modified is AI, metals such as Nb, Ti, St, or Fe oxide; when the object to be modified is Ni, Al5Ti, W, etc.; when the object to be modified is Ti, AI, Ni, etc. Examples include.

なお、上記各実施例では、改質対象物として金属材料の
例について説明したが、これに限らずセラミック等の非
金属材料についても本発明を適用することが出来る。
In addition, in each of the above embodiments, an example of a metal material was explained as an object to be modified, but the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to non-metal materials such as ceramics.

次に、上記実施例のレーザ表面改質方法の実験例につい
て説明する。
Next, an experimental example of the laser surface modification method of the above embodiment will be explained.

第1実験例 Ti−6AI−4V板の表面を直径1mmの穴を島状に
10個あけたステンレス薄板で覆った後に、スパッタリ
ングによりTi02層を穴部分のみに500nm形成し
た。その後、出力1.kWのCO2レーザをArガス雰
囲気中で、オツシレーションモード(100Hz)にて
幅20mmに渡り走査した。その結果、Tie2層下部
のみが溶融し、表面改質された。
First Experimental Example The surface of a Ti-6AI-4V plate was covered with a thin stainless steel plate having 10 island-shaped holes of 1 mm in diameter, and then a Ti02 layer of 500 nm thick was formed only in the hole portions by sputtering. Then output 1. A kW CO2 laser was scanned over a width of 20 mm in an oscillation mode (100 Hz) in an Ar gas atmosphere. As a result, only the lower part of the Tie 2 layer was melted and the surface was modified.

第2実験例 Ti−6AI−4V板の表面に直径1mmの穴を100
個あけたステンレス薄板で覆った後スパッタリングによ
りTlO2層を穴部分のみに500nm形成した。その
後、出力1kWの炭酸レザーを第2図に示す方法てN2
雰囲気中で、オツシレーションモード(1,00Hz 
)にて幅20mmに渡り走査した。この結果、T i 
O、、形成層下部のみか加熱され、TiN層を形成し、
表面改質された。
Second Experimental Example 100 holes with a diameter of 1 mm were made on the surface of a Ti-6AI-4V plate.
After covering the hole with a thin stainless steel plate, a 500 nm thick TlO2 layer was formed only on the hole portion by sputtering. After that, carbonated leather with an output of 1 kW was heated to N2 by the method shown in Figure 2.
Oscillation mode (1,00Hz
) was scanned over a width of 20 mm. As a result, T i
O, only the lower part of the formation layer is heated to form a TiN layer,
Surface modified.

第3実験例 炭酸鋼板の表面を幅2mmの縞状にステンレス薄板で覆
った後に、粒径5μm以下のFed、粉末をエチルセル
ロースとテレピネオール混合液て混練したペーストを1
0μm以下の厚さに塗布した。150℃で10分加熱し
て乾燥後にステンレス薄板を除去したところ幅2mmの
Fed3層が形成されていた。
Third Experimental Example After covering the surface of a carbonated steel plate with a thin stainless steel plate in stripes with a width of 2 mm, a paste made by kneading Fed powder with a particle size of 5 μm or less with a mixed solution of ethyl cellulose and terpineol was applied.
It was applied to a thickness of 0 μm or less. When the thin stainless steel plate was removed after heating at 150° C. for 10 minutes and drying, three Fed layers with a width of 2 mm were formed.

次いで、出力1 k WのCO2レーザーをデフォーカ
スモードにして、炭素鋼板に全面照射した。
Next, the entire surface of the carbon steel plate was irradiated with a CO2 laser having an output of 1 kW in defocus mode.

この直後にArガスを吹き付は冷却した。この結果Fe
O3層下部の炭素鋼板はマルテンサイト変態している体
積が大きく、表面改質されていた。
Immediately after this, Ar gas was blown to cool it down. As a result, Fe
The carbon steel plate at the bottom of the O3 layer had a large volume that had undergone martensitic transformation, and the surface had been modified.

第4実験例 上記第3実験例と同様な方法で作成した炭素鋼板に、ア
ルミナ微粒子を吹き付けたところ、表面改質された部分
は凸部となって縞状に残った。
Fourth Experimental Example When fine alumina particles were sprayed onto a carbon steel plate prepared in the same manner as in the third experimental example, the surface-modified portions remained in the form of convex stripes.

第5実験例 15w%Cr4B−Ni合金板の表面を幅1mmの縞状
にステンレス薄板で覆った後に、粒径5μm以下のFe
d3粉末をエチルセルロースとテレピネオール混合液て
混練したペーストを10μm以下の厚さに塗布したとこ
ろ幅1mmのFeO3層が形成された。次いで、出力1
kWの炭酸ガスレーサーをデフォーカスモードにして6
001’orrA r中で、合金板に照射した。直後に
Arガスを吹き付は冷却した。Fed3塗布層下部の合
金部では非晶質化し、表面改質されていた。
Fifth Experimental Example After covering the surface of a 15 w% Cr4B-Ni alloy plate with a stainless steel plate in stripes with a width of 1 mm, Fe with a grain size of 5 μm or less was
When a paste obtained by kneading d3 powder with a mixture of ethyl cellulose and terpineol was applied to a thickness of 10 μm or less, a FeO3 layer with a width of 1 mm was formed. Then output 1
6 with a kW carbon dioxide racer in defocus mode
The alloy plate was irradiated in 001'orrAr. Immediately thereafter, Ar gas was blown to cool it down. The alloy part below the Fed3 coating layer became amorphous and surface-modified.

第6実験例 Ni板の表面にTtを真空蒸着により5000m体積し
た。次いて、直径1mmの穴を100個あけたステンレ
ス薄板で覆った後スパッタリングによりTie、層を穴
部分にのみ500nm形成した。その後、第3図に示さ
れるように出力1kWの炭酸ガスレーザーでデフォーカ
スモードにして60 OTorrA r中で合金板に照
射した。
Sixth Experimental Example A volume of 5000 m of Tt was deposited on the surface of a Ni plate by vacuum deposition. Next, it was covered with a thin stainless steel plate in which 100 holes with a diameter of 1 mm were made, and a Tie layer of 500 nm was formed only on the hole portions by sputtering. Thereafter, as shown in FIG. 3, the alloy plate was irradiated with a carbon dioxide laser having an output of 1 kW in a defocus mode at 60 O TorrAr.

TiO2層下部は優先的に加熱され、Ni−Ti化合物
が形成されている。
The lower part of the TiO2 layer is heated preferentially and a Ni-Ti compound is formed.

第7実験例 Si3N、セラミックス板2]の表面を直径1mmの穴
を1.0個あけたステンレス薄板でff1−、た後に、
真空蒸着によりCu層を穴部分のみに500nm形成し
た。その後、第4図に示されるように出力1kWの炭酸
ガスレーサーをAr雰囲気中でオツシレーションモード
(100Hz)て幅2Qmmに渡り走査した。その結果
、Cu形成層下部のみが蒸発し表面改質された。
After the surface of the 7th experimental example Si3N, ceramic plate 2 was ff1- with a stainless steel plate with 1.0 holes with a diameter of 1 mm,
A Cu layer with a thickness of 500 nm was formed only in the holes by vacuum evaporation. Thereafter, as shown in FIG. 4, a carbon dioxide gas racer with an output of 1 kW was used in an oscillation mode (100 Hz) in an Ar atmosphere to scan over a width of 2 Q mm. As a result, only the lower part of the Cu formation layer was evaporated and the surface was modified.

第8実験例 3i3N4セラミツクス板の表面に真空蒸着によりNi
を300nm堆積した。次いで直径1mmの穴を10個
あけたステンレス薄板で覆った後にスパッタリングによ
りTi02層を穴部分のみに300nm形成した。その
後、出力1.kWの炭酸ガスレーザーにて幅20mmに
渡り走査した。
Eighth Experimental Example 3iNi was deposited on the surface of a 3N4 ceramic plate by vacuum evaporation.
was deposited to a thickness of 300 nm. Next, it was covered with a thin stainless steel plate with 10 holes each having a diameter of 1 mm, and a Ti02 layer of 300 nm was formed only on the hole portions by sputtering. Then output 1. Scanning was performed over a width of 20 mm using a kW carbon dioxide laser.

その結果、TiO2層形成下部Si、N4ては、還元さ
れたSiとN1が合金化し表面改質がなされた。
As a result, the reduced Si and N1 were alloyed with the Si and N4 under the TiO2 layer, resulting in surface modification.

第9実験例 AINセラミックス板の表面に真空蒸着によりT1を3
00nm堆積した。次いで直径1mmの穴を10あけた
ステンレス薄板で覆った後スパッタリングよりTiO2
層を穴部分のみに300nm形成した。その後出力1k
Wの炭酸ガスレーザーを真空雰囲気中で、オツシレーシ
ョンモードにて幅2mmに渡り走査した。その結果、T
iO2層形成下部AINでは、還元されたAlとTiが
合金化し表面改質がなされた。
Ninth Experimental Example T1 was increased to 3 on the surface of an AIN ceramic plate by vacuum deposition.
00 nm was deposited. Next, after covering with a thin stainless steel plate with 10 holes of 1 mm in diameter, TiO2 was applied by sputtering.
A layer of 300 nm was formed only in the hole portion. Then output 1k
A W carbon dioxide laser was scanned over a width of 2 mm in an oscillation mode in a vacuum atmosphere. As a result, T
In the lower AIN where the iO2 layer was formed, the reduced Al and Ti were alloyed and the surface was modified.

第10実験例 AINセラミックス板の表面に真空蒸着によりNiとT
jをそれぞれ300nm堆積した。次いで直径1mmの
穴を10個あけたステンレス薄板で覆った後にスパッタ
リングにより、TiO2層を穴部分のみに300nm形
成した。その後、出力3kwの炭酸ガスレーザーを真空
雰囲気中で、インテグレーションミラーで20mmX2
0mmの面積に同時に照射した。その結果、T i Q
2層形成下部AINでは、還元されたA1とNiとTi
が合金化し表面改質がなされた。
10th Experimental Example Ni and T were deposited on the surface of an AIN ceramic plate by vacuum deposition.
300 nm of each layer was deposited. Next, it was covered with a thin stainless steel plate with 10 holes each having a diameter of 1 mm, and then a 300 nm TiO2 layer was formed only on the hole portions by sputtering. After that, a carbon dioxide laser with an output of 3 kW was applied to a 20 mm x 2 area using an integration mirror in a vacuum atmosphere.
An area of 0 mm was irradiated simultaneously. As a result, T i Q
In the two-layered lower AIN, reduced A1, Ni and Ti
was alloyed and surface modified.

第11実験例 上記第10実験例と同様な方法により、AINセタミッ
クス基板の表面に第5図に示されるように半導体回路形
状のマスキング23(ステンレス薄板)を用いてT i
 O2層を形成した後、出力3kWの炭酸ガスレーザー
を真空雰囲気中の条件で、インテグレーションミラーを
用いて20mmX20mmの面積に同時に照射した。そ
の結果、TiO2層形成下部AINでは、還元されたA
1とNiとTiの合金層を形成した。熱伝導率の大きい
、また耐電圧の高い放熱性の高い基板が容易に製造され
た。
11th Experimental Example By the same method as in the 10th Experimental Example above, Ti
After forming the O2 layer, an area of 20 mm x 20 mm was simultaneously irradiated with a carbon dioxide laser with an output of 3 kW in a vacuum atmosphere using an integration mirror. As a result, in the lower AIN where the TiO2 layer is formed, the reduced A
1, an alloy layer of Ni and Ti was formed. A substrate with high thermal conductivity, high withstand voltage, and high heat dissipation properties can be easily manufactured.

第12実験例 樹脂基板表面を、渦巻き形状に中抜き加]ニジたステン
レス薄板で覆った後、粒径5μm以下のFe−Co−B
−Si合金粉末をエチルセルロースとテレピネオール混
合液で混練したペーストを10μm以下の厚さに塗布し
た。150℃で10分加熱して乾燥した後、ステンレス
薄板を除去したところ第6図に示されるように渦巻き状
に合金粉末層25が形成されていた。次いで、出力1k
Wの炭酸ガスレーザーをデフォーカスモードにして60
0 TorrA r中でこの合金層に照射した。直後に
Arガスを吹き付は冷却した。塗布合金層の合金は非晶
質化した良好な磁性を示した。
12th Experimental Example After covering the resin substrate surface with a thin stainless steel plate that had been hollowed out into a spiral shape, Fe-Co-B with a particle size of 5 μm or less was
A paste prepared by kneading -Si alloy powder with a mixed solution of ethyl cellulose and terpineol was applied to a thickness of 10 μm or less. After drying by heating at 150° C. for 10 minutes, the thin stainless steel plate was removed, and as shown in FIG. 6, an alloy powder layer 25 was formed in a spiral shape. Then the output 1k
Set the W carbon dioxide laser to defocus mode and set it to 60
The alloy layer was irradiated in 0 TorrAr. Immediately thereafter, Ar gas was blown to cool it down. The alloy in the coated alloy layer was amorphous and exhibited good magnetism.

第13実験例 炭素鋼工具の刃先の表面を幅2mmの縞状にステンレス
薄板で覆った後粒径5μm以下のFe2O、粉末をエチ
ルセルロースとテレピネオール混合液で混練したペース
トを10μm以下の厚さに塗布した。150℃で10分
間加熱し乾燥した後にステンレス薄板を除去したところ
、幅2mmのFe2O3層が形成されていた。次いて、
出力1kWの炭酸ガスレーザーをオツシレーションモー
ドにしてこの工具表面に照射した。直後にArガスを吹
き付けて冷却した。Fe2O3塗布層下部の炭素鋼はマ
ルテンサイト変態している体積が大きく、表面改質され
ていた。表面改質部の硬さをビッカース硬さ計で測定し
たところ、平均400Hvの高い硬さを示し良好な工具
が得られた。
13th Experimental Example After covering the surface of the cutting edge of a carbon steel tool with a thin stainless steel plate in the form of stripes with a width of 2 mm, a paste made by kneading Fe2O powder with a grain size of less than 5 μm with a mixture of ethyl cellulose and terpineol was applied to a thickness of less than 10 μm. did. When the thin stainless steel plate was removed after heating and drying at 150° C. for 10 minutes, a Fe2O3 layer with a width of 2 mm had been formed. Next,
The surface of this tool was irradiated with a carbon dioxide laser with an output of 1 kW in oscillation mode. Immediately thereafter, Ar gas was blown onto the glass to cool it. The carbon steel under the Fe2O3 coating layer had a large volume of martensitic transformation and was surface modified. When the hardness of the surface modified portion was measured using a Vickers hardness meter, it showed a high hardness of 400 Hv on average, and a good tool was obtained.

このように、上記各実施例及び実験例によれば、複雑な
制御や、用途に応じて制御プログラムを必要としないの
で、容易に改質対象物の表層部を部分的に改質すること
が出来る。
As described above, according to each of the above-mentioned Examples and Experimental Examples, there is no need for complicated control or a control program depending on the application, so it is possible to easily partially modify the surface layer of the object to be modified. I can do it.

[発明の効果] 以上説明したように本発明に係るレーザ表面改質方法に
よれば、レーザを用いて、金属、セラミックスなどの材
料の表層部を部分的に容易に改質することが出来、また
優れた各種部品を提供することが出来るという優れた効
果が得られる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the laser surface modification method of the present invention, it is possible to easily partially modify the surface layer of materials such as metals and ceramics using a laser. Further, an excellent effect can be obtained in that various excellent parts can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係るレーザ表面改質方法で改質対象物
の表面を改質するための装置及び改質対象物を改質して
いる状態を示す説明図、第2図はガス雰囲気中でレーザ
を照射する状態を示す説明図、第3図は改質対象物の表
面に化合物を塗布した後にパターン化された薄層を形成
してレーザを照射している状態を示す説明図、第4図は
合金粉末を塗布した後にレーザを表面に照射している状
態を示す説明図、第5図は半導体回路形状の基板を示す
平面図、第6図は樹脂性基板表面を示す平面図である。 ]、11、]7.18・・・金属材料(改質対象物)3
.9.13・・・化合物層 7・・・レーザ光 13・・・金属層 第1図 代tA弁理士三好秀和 第2図 第5図 、Arがス 第4図 第6図
Fig. 1 is an explanatory diagram showing an apparatus for modifying the surface of an object to be modified by the laser surface modification method according to the present invention and a state in which the object is being modified, and Fig. 2 is a gas atmosphere. Fig. 3 is an explanatory diagram showing a state in which a laser is irradiated inside the object; Fig. 4 is an explanatory diagram showing the state in which the surface is irradiated with a laser after coating the alloy powder, Fig. 5 is a plan view showing a semiconductor circuit-shaped substrate, and Fig. 6 is a plan view showing the surface of the resinous substrate. It is. ], 11, ]7.18...Metal material (modification target) 3
.. 9.13...Compound layer 7...Laser light 13...Metal layer Fig. 1 Hidekazu Miyoshi, Patent Attorney tA Fig. 2 Fig. 5, Ar gas Fig. 4 Fig. 6

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)改質対象物の表面にレーザを照射して改質対象物
の表面を改質するレーザ表面改質方法であって、 前記改質対象物の表面にパターン化された薄層を形成し
、このパターン化された薄層が形成された改質対象物の
表面全体にレーザを照射して改質対象物の表層部を改質
することを特徴とするレーザ表面改質方法。
(1) A laser surface modification method of modifying the surface of the modification target by irradiating the surface of the modification target with a laser, the method comprising forming a patterned thin layer on the surface of the modification target. A laser surface modification method characterized in that the entire surface of the modification target on which the patterned thin layer is formed is irradiated with a laser to modify the surface layer of the modification target.
(2)前記パターン化された薄層がレーザの熱吸収率の
高い化合物であることを特徴とする請求項(1)記載の
レーザ表面改質方法。
(2) The method for modifying a laser surface according to claim (1), wherein the patterned thin layer is a compound having a high laser heat absorption rate.
(3)前記パターン化された薄層がレーザの反射率の高
い材料層であることを特徴とする請求項(1)記載のレ
ーザ表面改質方法。
(3) The method for modifying a laser surface according to claim 1, wherein the patterned thin layer is a material layer having high laser reflectance.
(4)前記パターン化された薄層を改質対象物の表面を
粗の状態にして形成したことを特徴とする請求項(1)
記載のレーザ表面改質方法。
(4) Claim (1) characterized in that the patterned thin layer is formed with the surface of the object to be modified in a rough state.
The described laser surface modification method.
(5)改質対象物と化合物を形成するガス雰囲気中でレ
ーザを改質対象物の表面全体に照射することを特徴とす
る請求項(3)又は請求項(4)記載のレーザ表面改質
方法。
(5) Laser surface modification according to claim (3) or claim (4), characterized in that the entire surface of the object to be modified is irradiated with a laser in a gas atmosphere that forms a compound with the object to be modified. Method.
(6)パターン化された薄層が形成された改質対象物へ
レーザを照射した後に、この改質対象物を急冷すること
を特徴とする請求項(2)、(3)または(4)記載の
レーザ表面改質方法。
(6) Claim (2), (3) or (4), characterized in that after irradiating the object to be modified with a laser on which a patterned thin layer has been formed, the object to be modified is rapidly cooled. The described laser surface modification method.
(7)改質対象物の表面に、加熱により薄層を形成した
後、この薄層の表面にパターン化されたレーザの熱吸収
率の高い化合物層を形成し、レーザを全体に照射して、
化合物層の下部の薄層を優先的に加熱することを特徴と
するレーザ表面改質方法。
(7) After forming a thin layer on the surface of the object to be modified by heating, a patterned compound layer with high heat absorption rate of the laser is formed on the surface of this thin layer, and the entire surface is irradiated with the laser. ,
A laser surface modification method characterized by preferentially heating a thin layer at the bottom of a compound layer.
(8)請求項(1)乃至請求項(7)記載のレーザ表面
改質方法により表面が改質された改質対象物。
(8) A surface-modified object whose surface has been modified by the laser surface modification method according to claims (1) to (7).
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