JPH0458571A - Detecting element for radiation - Google Patents

Detecting element for radiation

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JPH0458571A
JPH0458571A JP2170587A JP17058790A JPH0458571A JP H0458571 A JPH0458571 A JP H0458571A JP 2170587 A JP2170587 A JP 2170587A JP 17058790 A JP17058790 A JP 17058790A JP H0458571 A JPH0458571 A JP H0458571A
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JP
Japan
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radiation
radiation detection
edge
input
lead wire
Prior art date
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Pending
Application number
JP2170587A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiichi Komada
駒田 紀一
Nobunari Mori
森 伸成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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Publication of JPH0458571A publication Critical patent/JPH0458571A/en
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Abstract

PURPOSE:To enable detection efficiency to be improved by connecting each I/O edge and I/O terminal with a lead wire and at the same time placing the I/O terminal at one edge part of the element main body centrally. CONSTITUTION:Each I/O edge 13 which is located on a same chip as a radiation detection part 10 is placed at one edge part centrally and at the same time a lead wire 16 connects the I/O edge 13 and the I/O terminal 15 which are placed at one edge part of an element body 15 centrally. Then, the lead wire 16 and both edge parts which are connected by the lead wire 16 are coated with a protection part 17, thus enabling a solid angle expected by a sensitive part for radiation to be increased and detection efficiency of radiation to be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば、アルファ線、中性子線等の放射線を
検出する放射線検出部と入出力端子とがリード線で接続
されてなる放射線検出素子に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a radiation detection element in which a radiation detection section for detecting radiation such as alpha rays and neutron rays and input/output terminals are connected by lead wires. Regarding.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来から、DRAM (、ダイナミックランダムアクセ
スメモリ)あるいはCCD(11荷結合素子)のような
グイナミソクメモリを用いて、アルファ線の侵入により
そのメモリ中に蓄積されたデータか反転する現象、いわ
ゆるソフト・エラーを検出することによって、アルファ
線の検出を行うことが提案されている(例えば、特開昭
55−18044号公報、特開昭63−40892号公
報、特開昭63−61983号公報蒼照)。ここで、ソ
フト・エラーは、メモリ中にランダムに発生し、繰り返
して生じることがないシングル・ビット・エラーと定義
でき、ソフト・エラーを起こしたビットは、次の書き込
みサイクルには完全に回復してしまうという特徴を有し
ている。
Conventionally, a phenomenon known as software, in which data stored in a memory such as DRAM (dynamic random access memory) or CCD (11 load-coupled device) is inverted due to the intrusion of alpha rays, has been reported.・It has been proposed to detect alpha rays by detecting errors (for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 18044-1982, 40892-1982, and 61983-1983). (see). Here, a soft error can be defined as a single bit error that occurs randomly in memory and does not occur repeatedly, and the bit that caused the soft error can be completely recovered by the next write cycle. It has the characteristic of being

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、上記従来のダイナミックメモリにおいては、
例えば、第5図に示すように、下面に2列状に入出力端
子1が並んで設けられた、いわゆるデュアルインライン
型のパッケージ2として用いられるが、この場合、上面
中央のアルファ線ないし中性子等の放射線検出部3と同
じチップ上にある各入出力端と各入出力端子1とがリー
ド線で接続され、かつこのリード線部を保護するために
、放射線検出部3の周囲に保護部4か設けられている。
By the way, in the conventional dynamic memory mentioned above,
For example, as shown in FIG. 5, it is used as a so-called dual in-line package 2 in which input/output terminals 1 are arranged in two rows on the bottom surface. Each input/output terminal and each input/output terminal 1 on the same chip as the radiation detecting section 3 are connected by lead wires, and a protective section 4 is provided around the radiation detecting section 3 to protect the lead wires. Or is provided.

従って、放射線検出部3か保護部4で囲まれているため
、放射線に対する放射線検出部3が見込む立体角が小さ
くなり、検出効率か低下するという問題がある。
Therefore, since the radiation detection section 3 is surrounded by the protection section 4, the solid angle that the radiation detection section 3 sees with respect to the radiation becomes small, resulting in a problem that the detection efficiency decreases.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、放射線に対する有感部が見込む立体角
を太き(することができ、かつ放射線の検出効率を向上
させることかできる放射線検出素子を提供することにあ
る。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to increase the solid angle through which the radiation sensitive part looks, and to improve the radiation detection efficiency. An object of the present invention is to provide a radiation detection element.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するために、本発明は、放射線検出部と
同一チップ上にある各入出力端と入出力端子とがリード
線で接続され、上記入出力端子が素子本体の一方の端部
に集合して配置され、かつ上記リード線が保護部によっ
て被覆されたものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides that each input/output terminal and input/output terminal on the same chip as the radiation detection section are connected by a lead wire, and the input/output terminal is connected to one end of the element body. The lead wires are arranged in a group and the lead wires are covered with a protection part.

〔作用〕[Effect]

本発明の放射線検出素子にあっては、素子本体の一方の
端部に集合して入出力端子及びリート線を配置し、リー
ト線を被覆する保護部を素子本体の一方の端部のみに形
成することにより、上記保護部によってできるたけ放射
線検出部が遮蔽されないようにする。
In the radiation detection element of the present invention, the input/output terminals and the wire are arranged together at one end of the element main body, and the protective part that covers the wire is formed only at one end of the element main body. By doing so, the radiation detection section is prevented from being shielded by the protection section as much as possible.

〔実施例〕〔Example〕

以下、第1図ないし第4図に基ついて本発明の詳細な説
明する。
The present invention will be described in detail below with reference to FIGS. 1 to 4.

これらの図において符号10は放射線検出部であり、こ
の放射線検出部10は、第3図と第4図に示すように、
P−基板11上に、MO5型トランジスタ部Trとコン
デンサ部Cとが配設されている。そして、MO3型トラ
ンジスタ部Trは、所定間隔をおいてP−基板11上に
配置された一対のドレイン領域り及びソース領域Sと、
これらの中間に位置するゲートGとから構成されている
In these figures, reference numeral 10 is a radiation detection section, and this radiation detection section 10, as shown in FIGS. 3 and 4,
On the P-substrate 11, an MO5 type transistor section Tr and a capacitor section C are arranged. The MO3 type transistor section Tr includes a pair of drain region and source region S arranged on the P-substrate 11 at a predetermined interval,
A gate G is located between these gates.

また、上記コンデンサ部Cにアルファ線αが侵入するこ
とにより、蓄積された電荷に影響が与えられ、記憶情報
の反転現象が生じる。さらに、上記ドレイン領域りには
ビット線BLが接続され、かっゲートGにはワード線W
Lが接続されている。
Further, when the alpha rays α enter the capacitor section C, the accumulated charges are affected, and a phenomenon of reversal of stored information occurs. Further, a bit line BL is connected to the drain region, and a word line W is connected to the gate G.
L is connected.

さらにまた、上記コンデンサ部Cの導電体層12には正
電圧+V cpが印加され、かっP−基板11は接地さ
れている。なお、第4図において、符号20はメモリセ
ル部、21はセンスアンプ部である。
Furthermore, a positive voltage +V cp is applied to the conductive layer 12 of the capacitor section C, and the P- substrate 11 is grounded. In FIG. 4, reference numeral 20 indicates a memory cell section, and 21 indicates a sense amplifier section.

上記放射線検出部10と同一チップ上にある各入出力端
13は、一方の端部に集合して配置され、かつこれらの
入出力端13と、素子本体14の一方の端部に集合して
配置された入出力端子15との間には、リード線16が
接続されている。そして、これらのリード線16及びリ
ード線16が接続している両端部分には保護部17が被
覆されている。
The input/output terminals 13 on the same chip as the radiation detection section 10 are arranged together at one end, and these input/output terminals 13 and the input/output terminals 13 are arranged together at one end of the element body 14. A lead wire 16 is connected between the arranged input/output terminals 15. These lead wires 16 and both end portions to which the lead wires 16 are connected are covered with a protective portion 17 .

上記のように構成された放射線検出素子にあっては、ア
ルファ線が放射線検出部10に入射することにより、蓄
積電荷の変動が起こり、記憶情報の反転が生じる。この
反転現象を検出することによって、アルファ線の検出を
円滑に行うことができる。
In the radiation detection element configured as described above, the incidence of alpha rays on the radiation detection section 10 causes fluctuations in the accumulated charge, causing reversal of stored information. By detecting this reversal phenomenon, alpha rays can be detected smoothly.

この場合、放射線検出部10と同一チップ上にある各入
出力端13とリード線16と入出力端子15とが、素子
本体14の一方の端部に集合して配置されており、リー
ト線16が接続している両端部分及びIJ −ト線16
か保護部17に被覆されているから、保護部17を除い
て、浅い入射角のアルファ線か、保護部17に邪魔され
ずに、放射線検出部10に確実に入射されるので、放射
線検出部10が見込む立体角を大きくでき、アルファ線
の検出効率が向上する。
In this case, each input/output end 13, lead wire 16, and input/output terminal 15 on the same chip as the radiation detection unit 10 are arranged together at one end of the element body 14, and the lead wire 16 Both ends connected to IJ-T wire 16
Since the radiation detector 10 is covered with the protective part 17, the alpha rays at a shallow angle of incidence are reliably incident on the radiation detection part 10 without being obstructed by the protection part 17, excluding the protection part 17. The solid angle observed by 10 can be increased, and the detection efficiency of alpha rays is improved.

なお、本実施例においては、アルファ線を検出する素子
として説明したか、中性子の検出にも適用できる。この
場合には、放射線検出部10の表面に、”B等、中性子
と(n、  α)反応し易い物質を膜として形成してお
く。
Although this embodiment has been described as an element for detecting alpha rays, it can also be applied to detecting neutrons. In this case, a film of a substance such as "B" that easily reacts with neutrons (n, α) is formed on the surface of the radiation detection section 10.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明は、放射線検出部と同一チ
ップ上にある各入出力端と入出力端子とがリード線で接
続され、上記入出力端子が素子本体の一方の端部に集合
して配置され、かつ上記す−ド線か保護部によって被覆
されたものであるから、素子本体の一方の端部に集合し
て入出力端子及びリード線を配置し、リート線を被覆す
る保護部を素子本体の一方の端部のみに形成することに
より、上記保護部によってできるだけ放射線検出部が遮
蔽されないようにして、放射線に対する有感部か見込む
立体角を大きくすることができ、かつ放射線の検出効率
を向上させることができる。
As explained above, in the present invention, the input/output terminals and input/output terminals on the same chip as the radiation detection section are connected by lead wires, and the input/output terminals are gathered at one end of the element body. The input/output terminals and lead wires are placed together at one end of the element body, and the lead wire is covered by the protective part. By forming it only on one end of the element body, the radiation detection part is prevented from being shielded by the protection part as much as possible, and the solid angle from which the radiation sensitive part is viewed can be increased, and the radiation detection part can be Efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図ないし第4図は本発明の一実施例を示すもので、
第1図は素子を被覆する前の状態の斜視図、第2図は素
子を被覆した後の状態の斜視図、第3図はメモリセル部
の説明図、第4図は放射線検出部の等価回路図、第5図
は従来の素子の斜視図である。 10・・放射線検出部、14・・・素子本体、15・・
・入出力端子、16・ リード線、17・−保護部。
1 to 4 show an embodiment of the present invention,
Fig. 1 is a perspective view of the state before the element is covered, Fig. 2 is a perspective view of the state after the element is covered, Fig. 3 is an explanatory diagram of the memory cell section, and Fig. 4 is the equivalent of the radiation detection section. The circuit diagram, FIG. 5, is a perspective view of a conventional element. 10... Radiation detection section, 14... Element body, 15...
・Input/output terminal, 16. Lead wire, 17.-protection part.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  放射線検出部と同一チップ上にある各入出力端と入出
力端子とがリード線で接続されてなる放射線検出素子に
おいて、上記入出力端子が素子本体の一方の端部に集合
して配置され、かつ上記リード線が保護部によって被覆
されたことを特徴とする放射線検出素子。
In a radiation detection element in which input/output terminals and input/output terminals on the same chip as a radiation detection part are connected by lead wires, the input/output terminals are arranged collectively at one end of the element body, A radiation detection element characterized in that the lead wire is covered with a protective portion.
JP2170587A 1990-06-28 1990-06-28 Detecting element for radiation Pending JPH0458571A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007509345A (en) * 2003-10-20 2007-04-12 アメリカ合衆国 Neutron detection device and manufacturing method thereof

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