JPH0457501A - Connection structure between microstrip lines - Google Patents
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- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロストリップ線路間の接続にかかわり、特に接地
導体の接続構造に関し、
広帯域にわたって、特性インピーダンスのマツチングが
行われる、マイクロストリップ線路間の接続構造を提供
することを目的とし、
上面にマイクロストリップ線路を実装したキャリアと、
該マイクロストリップ線路に接続する他のマイクロスト
リップ線路を上面に実装したキャリアとを、双方の側壁
が微小間隙を隔てて対向する如くに金属基台に固着し、
双方のマイクロストリップ線路のストリップ導体を接続
線を介して接続した線路において、該マイクロストリッ
プ線路の接地導体に近接して平行するよう、一方の該キ
ャリアの側壁に溝を設け、溝開口側の長手方向の側面が
、他方のキャリアの側壁に圧接する如く、抜溝に棒形の
導電性ゴムを圧入し埋設した構成とする。[Detailed Description of the Invention] [Summary] It is an object of the present invention to provide a connection structure between microstrip lines in which characteristic impedance matching is performed over a wide band, with regard to the connection between microstrip lines, and particularly regarding the connection structure of a ground conductor. A carrier with a microstrip line mounted on the top surface,
A carrier having another microstrip line mounted on the upper surface to be connected to the microstrip line is fixed to a metal base so that both side walls face each other with a small gap in between,
In a line in which the strip conductors of both microstrip lines are connected via a connecting line, a groove is provided in the side wall of one of the carriers so as to be close to and parallel to the ground conductor of the microstrip line, and the longitudinal side of the groove opening side is provided with a groove. A rod-shaped conductive rubber is press-fitted into the groove and buried so that the side surface of the carrier is in pressure contact with the side wall of the other carrier.
本発明は、マイクロストリップ線路間の接続にかかわり
、特に接地導体の接続構造に関する。The present invention relates to connections between microstrip lines, and particularly to connection structures for ground conductors.
マイクロ波ＩＣを金属パッケージに収容したマイクロ波
モジュール間、及びマイクロ波モジュールと他の部品（
例えばアンテナ）等を接続する線路として、第２図に図
示したようなマイクロストリップ線路が広く使用されて
いる。Between microwave modules containing microwave ICs housed in metal packages, and between microwave modules and other parts (
For example, a microstrip line as shown in FIG. 2 is widely used as a line for connecting an antenna or the like.
第２図において、■はアルミニウム、銅系金属等よりな
る金属基台であって、上部が開口した箱形のケースの底
板であるのが一般である。In FIG. 2, ``■'' is a metal base made of aluminum, copper metal, etc., and is generally the bottom plate of a box-shaped case with an open top.
５Ａ、 ５Ｂは、それぞれの金属パッケージにマイクロ
波ＩＣ（移相器、ＦＥＴアンプ、アイソレータ等）を封
止収容したマイクロ波モジュールであって、それぞれの
金属パッケージの前後の側壁に、入出力端子（ストリッ
プ導体構造の端子）６を装着することで、ストリップ導
体状の入出力線を金属パッケージの外へ引き出している
。5A and 5B are microwave modules in which microwave ICs (phase shifter, FET amplifier, isolator, etc.) are sealed and housed in respective metal packages, and input/output terminals ( By attaching a terminal (6) having a strip conductor structure, the input/output line in the form of a strip conductor is drawn out of the metal package.
２１は、裏面の全面に金等を蒸着することて接地導体２
２を設けたアルミナセラミック等よりなる、平板状（板
厚は例えば０．３６ｍｍ）の誘電体基板である。21 is a ground conductor 2 by depositing gold etc. on the entire back surface.
2 is a flat dielectric substrate (thickness is, for example, 0.36 mm) made of alumina ceramic or the like.
このような誘電体基板２１の表面に、細幅（例えば０．
３５ｍｍ ）のストリップ導体２５を設けることでマイ
クロストリップ線路２０が構成されている。The surface of such a dielectric substrate 21 is coated with a narrow width (for example, 0.
A microstrip line 20 is constructed by providing a strip conductor 25 of 35 mm 2 ).
３１は、裏面の全面に金等を蒸着することて接地導体３
２を設けたアルミナセラミック等よりなる、平板状の誘
電体基板である。31 is a ground conductor 3 by depositing gold etc. on the entire back surface.
2 is a flat dielectric substrate made of alumina ceramic or the like.
このような誘電体基板３１の表面に、細幅のストリップ
導体３５を設けることでマイクロストリップ線路３０が
構成されている。A microstrip line 30 is constructed by providing a narrow strip conductor 35 on the surface of such a dielectric substrate 31.
２は、上面にマイクロ波モジュール５Ｂ、マイクロ波モ
ンユール５Ａ、マイクロストリップ線路２０がこの順に
直列に配列して搭載される、アルミニウム、銅系金属等
よりなる細長い板状（板厚はほぼ１０ｍｍ）のキャリア
である。2 is a long and slender plate (approximately 10 mm thick) made of aluminum, copper metal, etc., on which are mounted a microwave module 5B, a microwave module 5A, and a microstrip line 20 arranged in series in this order. It's a career.
キャリア２は、底面が金属基台１の上面に密着した状態
で、小ねじ（図示省略）によって、金属基台１に固着さ
れる。The carrier 2 is fixed to the metal base 1 with machine screws (not shown) with the bottom surface in close contact with the top surface of the metal base 1.
３は、上面にマイクロストリップ線路３０が搭載される
、アルミニウム、銅系金属等よりなる細長い板状（板厚
はほぼ１０ｍｍ）のキャリアである。Reference numeral 3 denotes an elongated plate-shaped carrier (the plate thickness is approximately 10 mm) made of aluminum, copper metal, etc., on which the microstrip line 30 is mounted.
キャリア３は、底面が金属基台ｌの上面に密着した状態
で、小ねじ（図示省略）によるか或いは半田付けされて
金属基台ｌに固着される。The carrier 3 is fixed to the metal base l by machine screws (not shown) or by soldering, with the bottom surface in close contact with the upper surface of the metal base l.
なお、キャリア２の側壁２Ａとキャリア３の側壁３Ａと
は、間隙（間隙幅は０．１ ｍｍ〜０．２ ｍｍ） １
０を隔てて対向して金属基台ｌに固着されている。Note that the side wall 2A of the carrier 2 and the side wall 3A of the carrier 3 have a gap (the gap width is 0.1 mm to 0.2 mm) 1
They are fixed to a metal base 1 facing each other with 0 apart.
マイクロ波モジュール５Ａ、 ５Ｂは、パッケージ底面
を半田付けすることでキャリア２に搭載され、また、マ
イクロストリップ線路２０は、裏面（接地導体２２を設
けた面）が半田付けされ、その表面がマイクロ波モジュ
ール５Ａの入出力端子６の誘電体基板の表面と同一平面
になる如くに、キャリア２に実装されている。The microwave modules 5A and 5B are mounted on the carrier 2 by soldering the bottom surface of the package, and the microstrip line 20 is soldered on the back surface (the surface on which the ground conductor 22 is provided), and the surface is connected to the microwave. It is mounted on the carrier 2 so as to be flush with the surface of the dielectric substrate of the input/output terminal 6 of the module 5A.
マイクロ波モジュール５Ｂとマイクロ波モジュール５Ａ
とは、それそぞれの入出力端子６のストリップ導体間が
、接続線（例えば金りぼん）７の両端が熱圧着されて固
着され、接続線７を介して接続されている。Microwave module 5B and microwave module 5A
That is, the strip conductors of the respective input/output terminals 6 are connected via the connecting wire 7, with both ends of the connecting wire (for example, gold ribbon) bonded and fixed by thermocompression.
また、マイクロ波モジュール５Ａの他方の入出力端子６
のストリップ導体は、マイクロストリップ線路２０のス
トリップ導体２５に、接続線（例えば金りぼん）７を介
して接続されている。Also, the other input/output terminal 6 of the microwave module 5A
The strip conductor is connected to the strip conductor 25 of the microstrip line 20 via a connection line (for example, gold ribbon) 7.
一方、マイクロストリップ線路３ｏは、ストリップ導体
３５がマイクロストリップ線路２ｏのストリップ導体２
５に同一直線上になるように、裏面（接地導体３２を設
けた面）がキャリア３に半田付けされている。On the other hand, in the microstrip line 3o, the strip conductor 35 is the strip conductor 2 of the microstrip line 2o.
The back surface (the surface on which the ground conductor 32 is provided) is soldered to the carrier 3 so as to be on the same straight line as the carrier 5 .
マイクロストリップ線路２０のストリップ導体２５とマ
イクロストリップ線路３ｏのストリップ導体３５とは、
接続線（例えば金りぼん）７の両端がそれぞれ熱圧着さ
れて固着され、接続線７を介して接続されている。The strip conductor 25 of the microstrip line 20 and the strip conductor 35 of the microstrip line 3o are
Both ends of a connecting wire (for example, gold ribbon) 7 are fixed by thermocompression bonding, and are connected via the connecting wire 7.
一方、アクティブフェーズドアレイアンテナ等では、上
述のようなマイクロ波装置が多く使用されているのであ
るが、特に広帯域（例えば８ ＧＨｚ〜１８ ＧＨｚ）
にわたり、特性が良好なマイクロストリップ線路間の接
続構造が要求されている。On the other hand, microwave devices such as those mentioned above are often used in active phased array antennas, etc., but they are especially used for wideband (e.g. 8 GHz to 18 GHz)
Over the years, a connection structure between microstrip lines with good characteristics has been required.
ところで、前述のようなマイクロストリップ線路の接続
構造は、ストリップ導体相互間は、接続線を介して直接
接続されているが、キャリア２とキャリア３との間に間
隙１０がある。したがって、接地導体同志が直接接続さ
れず金属基台１を介して接続される。Incidentally, in the connection structure of the microstrip line as described above, the strip conductors are directly connected to each other via the connection wire, but there is a gap 10 between the carrier 2 and the carrier 3. Therefore, the ground conductors are not directly connected to each other but are connected via the metal base 1.
よって、接地導体接続路の位置が金属基台Ｉの上面とな
り、ストリップ導体を接続する接続線７と接地導体間の
間隔が大きい。Therefore, the position of the ground conductor connection path is on the upper surface of the metal base I, and the distance between the connection line 7 that connects the strip conductor and the ground conductor is large.
このために、この間隙１０部分で特性インピーダンスが
不連続となり定在波が立つ。For this reason, the characteristic impedance becomes discontinuous at this gap 10 portion, and a standing wave is generated.
よって、従来は第３図、或いは第４図に示すような対策
が実施されている。Therefore, conventional measures have been taken as shown in FIG. 3 or 4.
第３図は従来例の図で、（ａ）は側断面図、（ｂ）は要
所の側断面である。また第４図は他の従来例の図で、（
ａ）は側断面図、（ｂ）は正面断面図である。FIG. 3 shows a conventional example, in which (a) is a side sectional view and (b) is a side sectional view of important points. In addition, Fig. 4 is a diagram of another conventional example, (
(a) is a side sectional view, and (b) is a front sectional view.
第３図のものは、キャリア２の側壁２Ａに階段形の下部
突出部４１を設け、一方、キャリア３の側壁３Ａに、下
面が下部突出部４１の上面に当接する逆層段形の上部突
出部４２を設けたものである。In the case shown in FIG. 3, a step-shaped lower protrusion 41 is provided on the side wall 2A of the carrier 2, and an inverted step-shaped upper protrusion is provided on the side wall 3A of the carrier 3, the lower surface of which contacts the upper surface of the lower protrusion 41. A portion 42 is provided.
即ち、上部突出部４２の厚さを例えば０．５ ｍｍとす
ることで、間隙１０部分の接地導体接続路の位置を金属
基台１の表面ではな（て、下部突出部４１の上面位置（
接地導体３２より０．５ ＋ｎ＋ｎ下の位置）としてい
る。That is, by setting the thickness of the upper protrusion 42 to, for example, 0.5 mm, the position of the ground conductor connection path in the gap 10 is not on the surface of the metal base 1 (but on the upper surface of the lower protrusion 41).
0.5+n+n below the ground conductor 32).
このようになマイクロストリップ線路間の接続構造とす
ることで、特性インピーダンスをマツチングさせ、定在
波が立つのを抑制している。With this connection structure between the microstrip lines, the characteristic impedances are matched and standing waves are suppressed.
第４図のものは、キャリア３の側壁２Ａのストリップ導
体３５の直下の位置に、ストリップ導体３５に平行する
丸穴４６を設け、この丸穴４６に金属ピン４５を挿着し
、キャリア２側の金属ピン４５の端面をキャリア２の側
壁２Ａに当接させたものである。In the case shown in FIG. 4, a round hole 46 parallel to the strip conductor 35 is provided at a position directly below the strip conductor 35 on the side wall 2A of the carrier 3, and a metal pin 45 is inserted into this round hole 46. The end face of the metal pin 45 is brought into contact with the side wall 2A of the carrier 2.
このようにすることで、定在波が立つのを抑制している
。By doing this, standing waves are suppressed.
しかしながら前者のキャリア３の上部突出部４２の下面
の高さが、キャリア２の下部突出部４１の上面位置より
も高いと下部突出部４１との間に隙間が生じて、接地導
体の接続路ができなくなる。However, if the height of the lower surface of the upper protrusion 42 of the former carrier 3 is higher than the upper surface position of the lower protrusion 41 of the carrier 2, a gap will be created between the lower protrusion 41 and the connection path of the ground conductor. become unable.
このため、上部突出部４２の下面の高さを下部突出部４
１の上面位置よりもわずかに低く加工して、キャリア３
を金属基台１にねじ締めして固着することで、上部突出
部４２を下部突出部４１に密着させている。For this reason, the height of the lower surface of the upper protrusion 42 is adjusted to the lower protrusion 4.
Carrier 3 is machined slightly lower than the top surface position of 1.
By screwing and fixing the metal base 1 to the metal base 1, the upper protrusion 42 is brought into close contact with the lower protrusion 41.
この際、上部突出部４２の厚さが薄いので、下部突出部
４１の前縁の稜線部分に上部突出部４２が強く押圧され
、その結果、第３図（ｂ）に図示したように上部突出部
４２が反る。At this time, since the upper protrusion 42 is thin, the upper protrusion 42 is strongly pressed against the ridgeline of the front edge of the lower protrusion 41, and as a result, the upper protrusion 42 is pushed out as shown in FIG. 3(b). The portion 42 is warped.
したがって、前者は電圧定在波比が期待した通りに改善
されないという問題点があった。Therefore, the former has the problem that the voltage standing wave ratio is not improved as expected.
また、下部突出部４１の上面と上部突出部４２の下面と
の平行度が高精度でないと、下部突出部４１の前縁の稜
線部分に上部突出部４２が偏って当接することになり、
その結果電圧定在波比にばらつきが生ずる恐れがあった
。Furthermore, if the parallelism between the upper surface of the lower protrusion 41 and the lower surface of the upper protrusion 42 is not highly accurate, the upper protrusion 42 will come into contact with the ridgeline portion of the front edge of the lower protrusion 41 unevenly.
As a result, there was a risk that variations would occur in the voltage standing wave ratio.
一方後者は、前者の問題点が改善されたものである。し
かしながら、ストリップ導体の直下にのみ細径の接地導
体接続路が形成されているので、特定の周波数以外の帯
域では、インダクタンスがこの金属ピン部分に発生する
。On the other hand, the latter improves the problems of the former. However, since a small-diameter ground conductor connection path is formed only directly below the strip conductor, inductance occurs in this metal pin portion in a frequency band other than a specific frequency band.
したがって、特性インピーダンスがマツチングし得る帯
域が例えば、
９ ＧＨｚ±０．５ＧＨｚ
であって、その帯域幅が狭いという問題点があった。Therefore, there is a problem that the band in which the characteristic impedance can be matched is, for example, 9 GHz±0.5 GHz, and the band width is narrow.
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、広帯
域にわたって、特性インピーダンスのマツチングが行わ
れる、マイクロストリップ線路間の接続構造を提供する
ことを目的としている。The present invention was created in view of these points, and an object of the present invention is to provide a connection structure between microstrip lines in which characteristic impedance matching is performed over a wide band.
上記の目的を達成するために本発明は、第１図に例示し
たように、上面にマイクロストリップ線路３０を実装し
たキャリア３と、上面にそのマイクロストリップ線路３
０に接続する他のマイクロストノツプ線路２０を実装し
たキャリア２とを、双方の側壁３Ａ、 ２Ａが微小間隙
ＩＯを隔てて対向する如く、金属基台１に固着し、双方
のマイクロストリップ線路３０．２０のストリップ導体
３５．２５を接続線７で接続した線路において、マイク
ロストリップ線路の接地導体に近接して平行するように
一方のキャリア３の側壁３Ａに溝５５を設ける。In order to achieve the above object, the present invention, as illustrated in FIG.
The carrier 2 on which the other microstrip line 20 connected to In a line in which strip conductors 35, 25 of 30, 20 are connected by a connecting line 7, a groove 55 is provided in the side wall 3A of one carrier 3 so as to be close to and parallel to the ground conductor of the microstrip line.
そして、溝開口側の長手方向の側面が、他方のキャリア
２の側壁２Ａに圧接する如（、溝５５に棒形の導電性ゴ
ム５０を圧入し埋設した構成とする。Then, a rod-shaped conductive rubber 50 is press-fitted and buried in the groove 55 so that the longitudinal side surface on the groove opening side is in pressure contact with the side wall 2A of the other carrier 2.
上述のように、キャリア幅に等しい長さの導電性ゴムを
対向するキャリア間に装着することで、接地導体接続路
としている。また、この接地導体接続路は、ストリップ
導体間を接続する接続線に近接した位置に設けである。As described above, conductive rubber having a length equal to the carrier width is attached between opposing carriers to form a ground conductor connection path. Further, this ground conductor connection path is provided at a position close to a connection line that connects the strip conductors.
したがって、間隙１０部分での特性インピーダンスの不
連続性が解消されるばかりでなく、導電性ゴム部分にイ
ンダクタンスが発生する恐れがなくて、広帯域にわたっ
て特性インピーダンスがマツチングする。Therefore, not only is the discontinuity of the characteristic impedance at the gap 10 portion eliminated, but there is no possibility that inductance will be generated in the conductive rubber portion, and the characteristic impedance is matched over a wide band.
以下図を参照しながら、本発明を具体的に説明する。な
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。The present invention will be specifically described below with reference to the drawings. Note that the same reference numerals indicate the same objects throughout the figures.
第１図は本発明の実施例の図で、（ａ）は斜視図、（ｂ
）は側断面図である。FIG. 1 is a diagram of an embodiment of the present invention, (a) is a perspective view, (b)
) is a side sectional view.
第１図において、アルミニウム、銅系金属等よりなる金
属基台１の上面には、銅系金属等よりなる細長い板状（
板厚はほぼ］Ｏｍｍ）のキャリア２を、底面を金属基台
ｌの上面に密着した状態で、小ねじ（図示省略）を用い
て固着している。In FIG. 1, the upper surface of a metal base 1 made of aluminum, copper-based metal, etc. has a long and narrow plate shape (made of copper-based metal, etc.).
A carrier 2 having a plate thickness of approximately 0 mm) is fixed using machine screws (not shown) with its bottom surface in close contact with the top surface of the metal base l.
また、キャリア２の側壁２Ａに、側壁３Ａが近接して対
向するように、銅系金属等よりなる細長い板状（板厚は
ほぼ１０ｍｍ）のキャリア３を、底面を金属基台ｌの上
面に密着した状態で、小ねしく図示省略）を用いて固着
している。In addition, a carrier 3 in the form of a long and thin plate (approximately 10 mm in thickness) made of copper-based metal or the like is placed so that the side wall 3A is close to the side wall 2A of the carrier 2 and faces the side wall 2A of the carrier 2. They are firmly attached using small screws (not shown).
なお、キャリア２の側壁２Ａとキャリア３の側壁３Ａと
の間隙１０は、その間隙幅が０．１ ｍ＋ｒ＋−０，２
ｍｍである。Note that the gap 10 between the side wall 2A of the carrier 2 and the side wall 3A of the carrier 3 has a gap width of 0.1 m+r+-0,2
It is mm.
それぞれの金属パッケージに、マイクロ波ＩＣ（移相器
、ＦＥＴアンプ、アイソレータ等）を封止収容したマイ
クロ波モジュール５Ａ及びマイクロ波モジュール５Ｂを
、パッケージ底面を半田付けすることでキャリア２に実
装している。A microwave module 5A and a microwave module 5B each having a microwave IC (phase shifter, FET amplifier, isolator, etc.) sealed and housed in a metal package are mounted on the carrier 2 by soldering the bottom of the package. There is.
そして、それぞれの金属パッケージの前後の側壁に設け
た、入出力端子６のストリップ導体間を接続線（例えば
金りぼん）７で接続している。The strip conductors of the input/output terminals 6 provided on the front and rear side walls of each metal package are connected by a connecting wire (for example, gold ribbon) 7.
一方、裏面の全面に金等を蒸着することで接地導体２２
を設けたアルミナセラミック等よりなる、平板状（板厚
は例えば０．３６ｍｍ）の誘電体基板２１の表面に、細
幅（例えば０゜３５ｍｍ）のストリップ導体２５を設け
ることで、マイクロストリップ線路２０が構成されてい
る。On the other hand, the ground conductor 22 is formed by vapor-depositing gold or the like on the entire back surface.
By providing a strip conductor 25 with a narrow width (for example, 0°35 mm) on the surface of a dielectric substrate 21 in the form of a flat plate (with a thickness of, for example, 0.36 mm) made of alumina ceramic or the like, the microstrip line 20 is configured.
また、裏面の全面に金等を蒸着することで接地導体３２
を設けたアルミナセラミック等よりなる、平板状の誘電
体基板の表面に、細幅のストリップ導体３５を設けるこ
とで、マイクロストリップ線路３０が構成されている。In addition, the ground conductor 32 can be made by vapor-depositing gold or the like on the entire back surface.
The microstrip line 30 is constructed by providing a narrow strip conductor 35 on the surface of a flat dielectric substrate made of alumina ceramic or the like.
マイクロストリップ線路２０は、裏面（接地導体２２を
設けた面）が半田付けされ、その表面がマイクロ波モジ
ュール５Ａの入出力端子６の誘電体基板の表面と同一平
面になる如くに、キャリア２に実装され、マイクロスト
リップ線路２０のストリップ導体２５の一方の端末は、
マイクロ波モジュール５Ａの入出力端子６のストリップ
導体に、接続線７を介して接続されている。The microstrip line 20 is soldered on the back surface (the surface on which the ground conductor 22 is provided) and is attached to the carrier 2 so that the surface is flush with the surface of the dielectric substrate of the input/output terminal 6 of the microwave module 5A. One terminal of the strip conductor 25 of the microstrip line 20 is mounted.
It is connected to the strip conductor of the input/output terminal 6 of the microwave module 5A via a connecting wire 7.
一方、マイクロストリップ線路３０は、ストリップ導体
３５がマイクロストリップ線路２０のストリップ導体２
５に同一直線上になるように、裏面（接地導体３２を設
けた面）がキャリア３に半田付けされて、マイクロスト
リップ線路２０のストリップ導体２５とマイクロストリ
ップ線路３０のストリップ導体３５とを、接続線（例え
ば金りぼん）７を介して接続している。On the other hand, in the microstrip line 30, the strip conductor 35 is the strip conductor 2 of the microstrip line 20.
5, the back surface (the surface on which the ground conductor 32 is provided) is soldered to the carrier 3, and the strip conductor 25 of the microstrip line 20 and the strip conductor 35 of the microstrip line 30 are connected. They are connected via a wire (for example, gold ribbon) 7.
キャリア３の側壁３Ａには、接地導体３２に近接して（
約０．３ ｍｍ離れた下方の位置）、接地導体３２に平
行でストリップ導体３５の下方で直交するように、角形
のマイクロストリップ線路間の接続構造に直角の溝５５
を設けである。On the side wall 3A of the carrier 3, there is a (
Grooves 55 perpendicular to the connection structure between the rectangular microstrip lines, parallel to the ground conductor 32 and orthogonal below the strip conductor 35 (approximately 0.3 mm apart)
This is provided.
５０は断面形状が溝５５の断面形状よりも大きい丸棒形
、或いは角棒形の導電性ゴムであって、その長さは、キ
ャリア３の幅にほぼ等しい。50 is a conductive rubber having a round bar shape or a square bar shape whose cross-sectional shape is larger than the cross-sectional shape of the groove 55, and its length is approximately equal to the width of the carrier 3.
そして、導電性ゴム５０は溝５５に圧入して埋設され、
その溝開口側の長手方向の側面が、他方のキャリア２の
側壁２Ａに圧接している。Then, the conductive rubber 50 is press-fitted and buried in the groove 55,
The longitudinal side surface on the groove opening side is in pressure contact with the side wall 2A of the other carrier 2.
本発明は、上述のように長い導電性ゴム５０が、溝５５
に装着され、ストリップ導体３５とストリップ導体２５
を接続する接続線７の下方で、直交するように側壁２Ａ
と側壁３Ａとの間の間隙１０に架橋されて、接地導体接
続路を構成している。In the present invention, as described above, the long conductive rubber 50 is connected to the groove 55.
The strip conductor 35 and the strip conductor 25
Below the connection line 7 connecting the side wall 2A, orthogonally
The gap 10 between the ground conductor and the side wall 3A is bridged to form a ground conductor connection path.
したがって、導電性ゴム部分にインダクタンスが発生す
る恐れがない。また、間隙１０部分での特性インピーダ
ンスの不連続性が解消される。Therefore, there is no possibility that inductance will occur in the conductive rubber portion. Further, discontinuity in characteristic impedance at the gap 10 portion is eliminated.
即ち広帯域（８ＧＨｚ＝ １８ ＧＨｚ）にわたって特
性インピーダンスがマツチングする。That is, the characteristic impedances are matched over a wide band (8 GHz = 18 GHz).
以上説明したように本発明は、一対のキャリアの相対向
する側壁の間隙に、導電性ゴムを装着して接地導体接続
路としたマイクロストリップ線路間の接続構造であって
、広帯域にわたって、特性インピーダンスのマツチング
が行われるという、実用上で優れた効果を奏する。As explained above, the present invention provides a connection structure between microstrip lines in which a conductive rubber is attached to the gap between opposing side walls of a pair of carriers to form a ground conductor connection path, and the characteristic impedance is This has an excellent practical effect in that matching is performed.
第１図は本発明の実施例の図で、
（ａ）は斜視図、
（ｂ）は側断面図、
第２図はマイクロ波装置の斜視図、
第３図は従来例の図で、
（ａ）は側断面図、
（ｂ）は要所の側断面、
第４図は他の従来例の図で、
（ａ）は側断面図、
（ｂ）は正面断面図である。
図において、
１は金属基台、
２．３はキャリア、
２Ａ、 ３Ａは側壁、
５Ａ、 ５Ｂはマイクロ波モジュール、６は入出力端子
、
７は接続線、
１０は間隙、
２０、３０はマイクロストリップ線路、２１．３１は誘
電体基板、
２２、３２は接地導体、
２５、３５はストリップ導体、
５０は導電性ゴム、
５５は溝をそれぞれ示す。Fig. 1 is a diagram of an embodiment of the present invention, (a) is a perspective view, (b) is a side sectional view, Fig. 2 is a perspective view of a microwave device, and Fig. 3 is a diagram of a conventional example. (a) is a side sectional view, (b) is a side sectional view of important points, and FIG. 4 is a diagram of another conventional example, (a) is a side sectional view, and (b) is a front sectional view. In the figure, 1 is a metal base, 2.3 is a carrier, 2A and 3A are side walls, 5A and 5B are microwave modules, 6 is an input/output terminal, 7 is a connection wire, 10 is a gap, 20 and 30 are microstrips A line, 21.31 is a dielectric substrate, 22 and 32 are ground conductors, 25 and 35 are strip conductors, 50 is a conductive rubber, and 55 is a groove.
Claims (1)
ャリア（３）と、該マイクロストリップ線路（３０）に
接続する他のマイクロストリップ線路（２０）を上面に
実装したキャリア（２）とを、双方の側壁（３Ａ，２Ａ
）が微小間隙（１０）を隔てて対向する如く金属基台（
１）に固着し、双方のマイクロストリップ線路（３０，
２０）のストリップ導体（３５，２５）を接続線（７）
を介して接続した線路において、 該マイクロストリップ線路の接地導体に近接して平行す
るよう、一方の該キャリア（３）の側壁（３Ａ）に溝（
５５）を設け、 溝開口側の長手方向の側面が、他方のキャリア（２）の
側壁（２Ａ）に圧接する如く、該溝（５５）に棒形の導
電性ゴム（５０）を圧入し埋設したことを特徴とするマ
イクロストリップ線路間の接続構造。[Claims] A carrier (3) having a microstrip line (30) mounted on its upper surface, and a carrier (2) having another microstrip line (20) connected to the microstrip line (30) mounted on its upper surface. and both side walls (3A, 2A
) are facing each other with a small gap (10) in between.
1), and both microstrip lines (30,
Connect the strip conductors (35, 25) of 20) to the wire (7)
In the line connected via the microstrip line, a groove (
55), and a bar-shaped conductive rubber (50) is press-fitted and buried in the groove (55) so that the longitudinal side surface on the groove opening side is in pressure contact with the side wall (2A) of the other carrier (2). A connection structure between microstrip lines.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171011A JPH0457501A (en) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | Connection structure between microstrip lines |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171011A JPH0457501A (en) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | Connection structure between microstrip lines |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0457501A true JPH0457501A (en) | 1992-02-25 |
Family
ID=15915444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2171011A Pending JPH0457501A (en) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | Connection structure between microstrip lines |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0457501A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007208671A (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | Package for microwave module |
| CN111063972A (en) * | 2019-12-18 | 2020-04-24 | 中国电子科技集团公司第十四研究所 | Microwave module unit structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58111401A (en) * | 1981-12-24 | 1983-07-02 | Fujitsu Ltd | Mounting construction for microwave and millimeter wave integrated circuit |
| JPH01233802A (en) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Fujitsu Ltd | Microwave millimeter wave semiconductor integrated circuit |
-
1990
- 1990-06-27 JP JP2171011A patent/JPH0457501A/en active Pending
Patent Citations (2)
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