JPH0456355A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH0456355A
JPH0456355A JP16806990A JP16806990A JPH0456355A JP H0456355 A JPH0456355 A JP H0456355A JP 16806990 A JP16806990 A JP 16806990A JP 16806990 A JP16806990 A JP 16806990A JP H0456355 A JPH0456355 A JP H0456355A
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input
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corner
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Yasunori Sakamoto
坂本 安準
Katsuhiro Masui
増井 捷宏
Shigenori Imai
繁規 今井
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Abstract

PURPOSE:To arrange a larger number of input/output interface cells by providing power supply wirings including the linear portions overlapping with arrangement of input/output interface cells and angular portions bent along the angular portions of a semiconductor chip and forming the angular portions as the multilayer portion which is narrower than the linear portions. CONSTITUTION:The linear portions 15a, 15b are respectively formed by a single conductive metal layer. Meanwhile, the angular portions 16a, 16b are respectively formed as a multilayer portion of a plurality of conductive metal layers which are thicker and narrower than the linear portions 15a, 15b. Since the angular portions 16a, 16b are narrow, the linear portions 15a, 15b are formed longer corresponding to reduction of width and the areas on the surface 13 occupied by the angular portions 16a, 16b are reduced. Thereby, the areas allowing formation of interface cell is increasing at the areas near the angular portions of surface 13 depending on such reduced areas and the interface cell 11a indicated by a broken line is provided adjacent to the arrangement of interface cell 11 in such increased region.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は半導体集積回路装置に関し、特にマスクスライ
ス方式、ゲルトアレ一方式、スタンダードセル方式等の
、半導体チップの外周部に複数の入出力インタフェース
セルが配列された半導体集積回路装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and in particular to a semiconductor integrated circuit device having a plurality of input/output interface cells on the outer periphery of a semiconductor chip, such as a mask slice method, a gelt array method, a standard cell method, etc. The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device in which are arranged.

[従来の技術] マスクスライス方式の半導体集積回路装置は、多数の基
本セル及び多数の入出力インタフェースセルが規則的に
配列されたマスクスライスと呼ばれる半導体チップ上に
、所望の配線パターンが形成されて構成されている。
[Prior Art] A mask slice type semiconductor integrated circuit device has a desired wiring pattern formed on a semiconductor chip called a mask slice in which a large number of basic cells and a large number of input/output interface cells are regularly arranged. It is configured.

多数の基本セルは、機能ブロックを構成しており、半導
体チップ上の配線チャネルにおいて、信号線、基本セル
用電源配線等の内部配線により電気的接続が施されてい
る。また、多数のインタフェースセルは、入出力インタ
フェース回路を構成しており、半導体チップ上に形成さ
れた入出力インタフェース回路用電源配線と電気的接続
されている。
A large number of basic cells constitute a functional block, and electrical connections are made through internal wiring such as signal lines and basic cell power supply wiring in wiring channels on the semiconductor chip. Further, a large number of interface cells constitute an input/output interface circuit, and are electrically connected to power supply wiring for the input/output interface circuit formed on the semiconductor chip.

このように入出力インタフェース回路用電源配線が形成
された半導体チップの角付近の構成を第4図に示す。
FIG. 4 shows the configuration of the vicinity of the corner of the semiconductor chip in which the power supply wiring for the input/output interface circuit is formed in this manner.

同図において、!数の入出力インタフェースセル31は
、半導体チップ32の面33の外周部に配列されている
。人出方インタフェース回路用電源配線34a、 34
bは、このインタフェースセル31の配列に沿って面3
3及びインタフェースセル3I上に形成されており、夫
々のインタフェースセル31の所定部分に電気的接続さ
れている。
In the same figure,! Several input/output interface cells 31 are arranged on the outer periphery of the surface 33 of the semiconductor chip 32 . Power supply wiring for the turnout interface circuit 34a, 34
b is the plane 3 along this array of interface cells 31.
3 and interface cell 3I, and is electrically connected to a predetermined portion of each interface cell 31.

電源配線34aは、例えばV4d (電源電圧)を供給
する高電位電源に接続される配線であり、電源配線34
bは、例えばGND (接地電圧)を供給する低電位電
源に接続される配線である。電源配線3b、 34bは
、図示しない配線チャネルに配置された内部配線に比べ
て、より多くの電流が流れるように幅広に構成されてい
る。
The power supply wiring 34a is a wiring connected to a high potential power supply that supplies, for example, V4d (power supply voltage).
b is a wiring connected to a low potential power source that supplies GND (ground voltage), for example. The power supply wirings 3b and 34b are configured to have a wider width than internal wiring arranged in a wiring channel (not shown) so that a larger amount of current flows through them.

電源配線34a、 34bは、第4図に示したように、
インタフェースセル31の配列上に重ねて形成された直
線部分35a、 35bと、インタフェースセル21に
重ねて形成することができない面33の角に沿って曲が
った角部分36g、 36bとを含んでいる。
The power supply wiring 34a, 34b is as shown in FIG.
It includes straight portions 35a, 35b formed overlapping the arrangement of the interface cells 31, and corner portions 36g, 36b bent along the corners of the surface 33 that cannot be formed overlapping the interface cells 21.

[発明が解決しようとする課題] 半導体集積回路装置においては、一般に入出力インタフ
ェース回路の処理機能を高めるために、半導体チップ上
により多くの入出力インタフェースセルを形成すること
が望まれている。
[Problems to be Solved by the Invention] In semiconductor integrated circuit devices, it is generally desired to form more input/output interface cells on a semiconductor chip in order to improve the processing function of the input/output interface circuit.

しかしながら、前述したように従来の半導体集積回路装
置では、半導体チップの角付近の領域において、入出力
インタフェース回路用電源配線の曲がった角部分を形成
するために、入出力インタフェースセルを設けることが
できない領域が大きくなってしまうという問題点がある
However, as mentioned above, in conventional semiconductor integrated circuit devices, input/output interface cells cannot be provided in areas near the corners of the semiconductor chip to form curved corner portions of power supply wiring for input/output interface circuits. There is a problem that the area becomes large.

本発明はこのような従来の問題点に鑑み、半導体チップ
上により多くの入出力インタフェースセルを配列し得る
半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of these conventional problems, it is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit device in which more input/output interface cells can be arranged on a semiconductor chip.

[課題を解決するための手段] 本発明は前述の目的を達成するために、半導体チップと
、半導体チップ上の外周部に配列された複数の入出力イ
ンタフェースセルと、入出力インタフェースセルに所定
の電圧を供給するために半導体チップ上に形成されてお
り入出力インタフェースセルの配列に重なる直線部分と
半導体チップの角に沿って曲がった角部分とを含む電源
配線とを備えており、角部分は直線部分よりも幅の狭い
多層に形成されていることを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the present invention includes a semiconductor chip, a plurality of input/output interface cells arranged on the outer periphery of the semiconductor chip, and a predetermined method for the input/output interface cells. The power supply wiring is formed on the semiconductor chip to supply voltage and includes a straight part that overlaps the array of input/output interface cells and a corner part that curves along the corner of the semiconductor chip. It is characterized by being formed in multiple layers with a width narrower than that of the straight portion.

[作用コ 本発明の半導体集積回路装置においては、複数の入出力
インタフェースセルは、半導体チップ上の外周部に配列
されている。電源配線は、半導体チップ上に形成されて
おり、入出力インタフェースセルの配列に重なる直線部
分と半導体チップの角に沿って曲がった角部分とを含ん
でいる。角部分は直線部分よりも幅の狭い多層に形成さ
れている。例えば、直線部分を単一金属層から構成し、
角部分を多重金属層から構成することにより、このよう
に角部分を直線部分よりも幅の狭い多層に形成すること
ができる。従って、角部分の電気抵抗を直線部分と同じ
ように低く維持したまま、該角部分の半導体チップ上に
占める面積を半導体チップの角付近の領域において減少
させ得る。このため、この減少した面積の分だけ直線部
分及び入出力インタフェースセルを形成可能な半導体チ
ップ部分がこの角付近において増加する。この結果、半
導体チップの角付近の領域に、より多くの人出カインタ
フェースセルを配列することが可能となる。
[Operations] In the semiconductor integrated circuit device of the present invention, a plurality of input/output interface cells are arranged on the outer periphery of the semiconductor chip. The power supply wiring is formed on the semiconductor chip and includes a straight portion that overlaps the array of input/output interface cells and a corner portion that curves along the corner of the semiconductor chip. The corner portions are formed in multiple layers with a narrower width than the straight portions. For example, if a straight section is constructed from a single metal layer,
By constructing the corner portions from multiple metal layers, the corner portions can thus be formed into multiple layers narrower than the straight portions. Therefore, the area occupied by the corner portion on the semiconductor chip can be reduced in the area near the corner of the semiconductor chip while maintaining the electrical resistance of the corner portion as low as that of the straight portion. Therefore, the straight line portion and the semiconductor chip portion in which input/output interface cells can be formed increase near this corner by this reduced area. As a result, it becomes possible to arrange more people interface cells in the area near the corner of the semiconductor chip.

次に示す本発明の実施例から、本発明のこのような作用
がより明らかにされ、更に本発明の他の作用が明らかに
されよう。
These effects of the present invention will become clearer from the following examples of the present invention, and other effects of the present invention will become clearer.

[実施例コ 本発明の実施例を図面に基づいて説明する。[Example code] Embodiments of the present invention will be described based on the drawings.

第1図に、本発明の一実施例であるマスクスライス方式
の半導体集積回路装置1!10を示す。
FIG. 1 shows a mask slicing semiconductor integrated circuit device 1!10 which is an embodiment of the present invention.

同図において、半導体集積回路装置1oは、半導体チッ
プ12と、チップ12の面13の外周部に配列された多
数の入出力インタフェースセル11と、面13の中央部
に形成された多数の基本セル17とを備えている。
In the figure, a semiconductor integrated circuit device 1o includes a semiconductor chip 12, a large number of input/output interface cells 11 arranged on the outer periphery of a surface 13 of the chip 12, and a large number of basic cells formed in the center of the surface 13. 17.

規則的に配列された多数の基本セルI7は、回路装置1
0の機能ブロックを構成しており、半導体チップI2上
の配線チャネル18において、図示しない信号線、基本
セル用電源配線等の内部配線により電気的接続が施され
ている。
A large number of regularly arranged basic cells I7 are connected to the circuit device 1.
0, and electrical connections are made in the wiring channel 18 on the semiconductor chip I2 by internal wiring such as signal lines and basic cell power supply wiring (not shown).

多数のインタフェースセル11は、入出カインタフェー
ス回路を構成している。夫々のインタフェースセル11
の所定部分は、外部電源と接続される入出力インタフェ
ース回路用電源配線I4と電気的接続されている。
A large number of interface cells 11 constitute an input/output interface circuit. each interface cell 11
A predetermined portion of is electrically connected to an input/output interface circuit power supply wiring I4 connected to an external power supply.

電源配線14は、多数のインタフェースセル11に対し
所定の電圧を供給するために、インタフェースセル11
の配列に沿って面13及びインタフェースセル12上に
形成されている。
The power supply wiring 14 is connected to the interface cells 11 in order to supply a predetermined voltage to a large number of interface cells 11.
are formed on the surface 13 and the interface cells 12 along the array.

第2図に、回路装置10の半導体チップ12の角付近に
おける構成を拡大して示す。
FIG. 2 shows an enlarged view of the structure near the corner of the semiconductor chip 12 of the circuit device 10. As shown in FIG.

同図において、電源配線は2つの電源配線14a114
bを含んでいる。電源配線14aは、例えばVddを供
給する高電位電源に接続される配線であり、電源配線1
4bは、例えばGNDを供給する低電位電源又は接地に
接続される配線である。電源配線14g、 14bは、
配線チャネル18に配置された図示しない内部配線に比
べて、より多くの電流が流れるように幅広に構成されて
いる。
In the figure, the power supply wiring includes two power supply wirings 14a114.
Contains b. The power supply wiring 14a is a wiring connected to a high potential power supply that supplies Vdd, for example, and is connected to the power supply wiring 1
4b is a wiring connected to, for example, a low potential power source that supplies GND or the ground. The power supply wiring 14g and 14b are
Compared to internal wiring (not shown) arranged in the wiring channel 18, it is configured to be wider so that more current can flow therethrough.

電源配線14a、 14bは、第2図に示したように、
インタフェースセル11の配列上に重ねて形成された直
線部分151.15bと、インタフェースセル11が配
置されていない面13上に形成された半導体チップI2
の角に沿って曲がった角部分16g、 16bとを含ん
でいる。図中において、直線部分15aS15bはシン
グルハツチングで、角部分16aS16bはダブルハツ
チングで夫々示されている。直線部分15a、 15b
は夫々、単一の導電性金属層から構成されている。一方
、角部分16!、16bは夫々、複数の導電性金属層に
より多層に形成されており、直線部分15a、 15b
より厚く且つ幅が狭く形成されている。特に、角部分1
6aS16bの厚み及び幅は、その電気抵抗が、直線部
分15a、15bの電気抵抗と夫々同じになるように選
択されている。従って例えば、角部分16a、 16b
の幅をより狭くするためには、その厚みをより厚くすれ
ば良い。
The power supply wiring 14a, 14b is as shown in FIG.
A straight line portion 151.15b formed overlapping the array of interface cells 11 and a semiconductor chip I2 formed on the surface 13 where no interface cells 11 are arranged.
It includes corner portions 16g and 16b bent along the corners of. In the figure, the straight portions 15aS15b are shown with single hatching, and the corner portions 16aS16b are shown with double hatching. Straight line portions 15a, 15b
are each constructed from a single conductive metal layer. On the other hand, corner part 16! , 16b are each formed in a multilayered manner by a plurality of conductive metal layers, and the straight portions 15a, 15b
It is thicker and narrower. Especially corner part 1
The thickness and width of 6aS16b are selected such that its electrical resistance is the same as that of the straight portions 15a and 15b, respectively. Therefore, for example, the corner portions 16a, 16b
In order to make the width narrower, the thickness should be made thicker.

角部分16i、 16bの幅が狭いため、第2図から明
らかなように、第4図に示した従来例の如く直線部分と
角部分とを同じ幅で形成した場合と比較すると、その狭
めた幅に応じて直線部分15!、15bの長さが長くな
っていると共に該角部分16as16bの面13に占め
る面積が減少している。このため、この減少した面積に
応じてインタフェースセルを形成可能な領域が面I3の
角付近において増加しており、この増加した領域に破線
で示したインタフェースセルllaがインタフェースセ
ル11の配列に隣接して配置されている。このように、
従来例と比べて、本実施例では、面13の角付近の領域
において、インタフェースセルllaの分だけインタフ
ェースセルが多く配列されている。
Since the width of the corner portions 16i and 16b is narrow, as is clear from FIG. 2, compared to the conventional example shown in FIG. Straight section 15 depending on width! , 15b are longer, and the area occupied by the corner portions 16as 16b on the surface 13 is smaller. Therefore, in accordance with this reduced area, the area where interface cells can be formed increases near the corners of surface I3, and in this increased area, interface cells lla shown by broken lines are adjacent to the array of interface cells 11. It is arranged as follows. in this way,
Compared to the conventional example, in this example, in the area near the corner of the surface 13, the number of interface cells is increased by the number of interface cells lla.

第3図に、本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の半導体チップの角付近における構成を拡大して示す
FIG. 3 shows an enlarged view of the structure near the corner of a semiconductor chip of a semiconductor integrated circuit device according to another embodiment of the present invention.

同図において、半導体チップ22の面23上に設けられ
た入出力インタフェース回路用電源配線は、2つの電源
配線24!、24bを含んでいる。電源配線241.2
4bは、入出力インタフェースセル21の配列上に重ね
て形成された直線部分25a、 25bと、インタフェ
ースセル21が配置されていない面23上に形成された
半導体チップ22の角に沿って曲がった角部分26i、
26bとを含んでいる。図中において、直線部分25g
、25bはシングルハツチングで、角部分28a、 2
6bはダブルハツチングで夫々示されている。角部分2
61.26bは夫々、複数の導電性金属層により多層に
形成されており、単一の導電性金属層から構成された直
線部分25a、 25bより、厚く且つ幅が狭く形成さ
れている。角部分26a、 26bの厚み及び幅は、そ
の電気抵抗が直線部分25!、 25bの電気抵抗と夫
々同じになるように選択されている。
In the figure, the input/output interface circuit power supply wiring provided on the surface 23 of the semiconductor chip 22 includes two power supply wirings 24! , 24b. Power wiring 241.2
4b is a straight line portion 25a, 25b formed overlappingly on the array of input/output interface cells 21, and a corner curved along the corner of the semiconductor chip 22 formed on the surface 23 where the interface cell 21 is not arranged. part 26i,
26b. In the figure, the straight part 25g
, 25b are single hatched, and the corner portions 28a, 2
6b are each indicated by double hatching. corner part 2
61.26b are each formed in multiple layers using a plurality of conductive metal layers, and are thicker and narrower than the straight portions 25a and 25b made of a single conductive metal layer. The thickness and width of the corner portions 26a and 26b are such that the electrical resistance is equal to that of the straight portion 25! , 25b, respectively.

角部分26a、 26bの幅が狭いため、第3図から明
らかなように、第4図に示した従来例の如く直線部分と
角部分とを同じ幅で形成した場合と比較すると、その狭
めた幅に応じて直線部分25bの長さが長くなっている
と共に該角部分26a、 26bの面23に占める面積
が減少している。このため、この減少した面積に応じて
インタフェースセルを形成可能な領域が面23の角付近
において増加しており、この増加した領域に破線で示し
たインタフェースセル21!が配置されている。このよ
うに本実施例では、特に電源配線24a及び電源配線2
4bの間に設けられた電源配線のない面23の領域を利
用して、インタフェースセル21aが配置されている。
Since the width of the corner portions 26a and 26b is narrow, as is clear from FIG. 3, compared to the case where the straight line portion and the corner portion are formed with the same width as in the conventional example shown in FIG. The length of the straight portion 25b increases in accordance with the width, and the area occupied by the corner portions 26a, 26b on the surface 23 decreases. Therefore, in accordance with this reduced area, the area where an interface cell can be formed increases near the corners of the surface 23, and the interface cell 21! shown by a broken line is formed in this increased area. is located. In this way, in this embodiment, especially the power supply wiring 24a and the power supply wiring 24a,
The interface cell 21a is arranged by using the area of the surface 23 provided between the power supply wirings 4b and 4b.

従来例と比べて、本実施例では、面23の角付近の領域
において、インタフェースセル21aの分だけインタフ
ェースセルが多く配列されている。
Compared to the conventional example, in this example, in the region near the corner of the surface 23, the number of interface cells is increased by the number of interface cells 21a.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明の半導体集積回路装置によ
れば、電源配線は半導体チップ上において入出力インタ
フェースセルの配列に重なる直線部分と半導体チップの
角に沿って曲がった角部分とを含んでおり、角部分は直
線部分よりも幅の狭い多層に形成されているので、角部
分の電気抵抗を直線部分と同じように低く維持したまま
、該角部分の半導体チップ上に占める面積を半導体チッ
プの角付近の領域において減少させ得る。このため、こ
の減少した面積の分だけ直線部分及び入出力インタフェ
ースセルを形成可能な半導体チップ部分がこの角付近に
おいて増加する。この結果、半導体チップの角付近の領
域に、より多くの入出力インタフェースセルを配列する
ことが可能となる。従って、半導体チップ上により多く
の入出力インタフェースセルを配列し得る半導体集積回
路装置を提供することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the semiconductor integrated circuit device of the present invention, the power supply wiring has a straight portion on the semiconductor chip that overlaps with the array of input/output interface cells, and a corner curved along the corner of the semiconductor chip. Since the corner part is formed in a multi-layer structure with a width narrower than the straight part, the electrical resistance of the corner part can be maintained as low as that of the straight part, and the electrical resistance of the corner part can be maintained as low as that of the straight part. The area occupied can be reduced in regions near the corners of the semiconductor chip. Therefore, the straight line portion and the semiconductor chip portion in which input/output interface cells can be formed increase near this corner by this reduced area. As a result, more input/output interface cells can be arranged in areas near the corners of the semiconductor chip. Therefore, it is possible to provide a semiconductor integrated circuit device in which more input/output interface cells can be arranged on a semiconductor chip.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例である半導体集積回路の要部
構成平面図、第2図は第1図の部分拡大平面図、第3図
は本発明の他の実施例の部分拡大平面図、第4図は従来
の半導体集積回路装置の部分拡大平面図である。 lO・・・・・・半導体集積回路装置、Il、 Ila
、 21.21a・・・・・・入出力インタフェースセ
ル、12.22・・・・・・半導体チップ、13.23
 ・−・−面、14.14a 14b 24a 24b
−・・・電源配線、15a、 15b、 25a、 2
5b、−・−直線部分、16a1.6b、 26a、 
26b・・・・・・角部分、17・・・・・・基本セル
、18・・・・・・配線チャネル。 第1図 第3図 第2図 5b 4b 第4図
FIG. 1 is a plan view of the main part configuration of a semiconductor integrated circuit which is an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partially enlarged plan view of FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged plan view of another embodiment of the present invention. 4 are partially enlarged plan views of a conventional semiconductor integrated circuit device. lO...Semiconductor integrated circuit device, Il, Ila
, 21.21a... Input/output interface cell, 12.22... Semiconductor chip, 13.23
・・・plane, 14.14a 14b 24a 24b
---Power supply wiring, 15a, 15b, 25a, 2
5b, --- straight line part, 16a1.6b, 26a,
26b...corner part, 17...basic cell, 18...wiring channel. Figure 1 Figure 3 Figure 2 Figure 5b 4b Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  半導体チップと、該半導体チップ上の外周部に配列さ
れた複数の入出力インタフェースセルと、該入出力イン
タフェースセルに所定の電圧を供給するために前記半導
体チップ上に形成されており前記入出力インタフェース
セルの配列に重なる直線部分と前記半導体チップの角に
沿って曲がった角部分とを含む電源配線とを備えており
、前記角部分は前記直線部分よりも幅の狭い多層に形成
されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
a semiconductor chip; a plurality of input/output interface cells arranged on the outer periphery of the semiconductor chip; and a plurality of input/output interface cells formed on the semiconductor chip for supplying a predetermined voltage to the input/output interface cells. A power supply wiring including a straight line portion overlapping the cell arrangement and a corner portion curved along the corner of the semiconductor chip, and the corner portion is formed in a multi-layer structure having a width narrower than the straight line portion. A semiconductor integrated circuit device characterized by:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5641978A (en) * 1995-07-07 1997-06-24 Intel Corporation Input/output buffer layout having overlapping buffers for reducing die area of pad-limited integrated circuit
US7123084B2 (en) 2004-06-24 2006-10-17 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit and designing method for same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5641978A (en) * 1995-07-07 1997-06-24 Intel Corporation Input/output buffer layout having overlapping buffers for reducing die area of pad-limited integrated circuit
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