JPH0455857A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH0455857A JPH0455857A JP2167188A JP16718890A JPH0455857A JP H0455857 A JPH0455857 A JP H0455857A JP 2167188 A JP2167188 A JP 2167188A JP 16718890 A JP16718890 A JP 16718890A JP H0455857 A JPH0455857 A JP H0455857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grooves
- photomask
- depth
- etching
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造工程において写真蝕刻法によ
りフォトレジストパターン形成を行う際、ステッパー等
の露光機にパターンの原版として用いられるフォトマス
ク及びその製造方法に関するものである。
りフォトレジストパターン形成を行う際、ステッパー等
の露光機にパターンの原版として用いられるフォトマス
ク及びその製造方法に関するものである。
従来の技術
フォトマスクは周知のごとく石英やソーダガラス等誘電
体基板の上にクロム等の金属被膜による半導体装置の回
路パターンが形成されている。現在一般的に用いられて
いる露光機であるステッパーにおいては、このフォトマ
スクを通過した露光光をレンズで縮小して半導体基板上
に照射する。ところで近年のパターンの微細化はサブミ
クロン領域に達しており、前述のステッパーのレンズ系
の持つ解像度の限界に一致している。たとえばラインア
ンドスペースのパターンにおいては、隣接する開口部の
通過光どうしが干渉し、その間の開口部に光がもれるた
め、限界解像度が制限される。これを改善する目的でフ
ォトマスクの隣接する開口部から通過する光の位相を１
８００ずらし開口部での光のもれを減少させる提案がさ
れている。
体基板の上にクロム等の金属被膜による半導体装置の回
路パターンが形成されている。現在一般的に用いられて
いる露光機であるステッパーにおいては、このフォトマ
スクを通過した露光光をレンズで縮小して半導体基板上
に照射する。ところで近年のパターンの微細化はサブミ
クロン領域に達しており、前述のステッパーのレンズ系
の持つ解像度の限界に一致している。たとえばラインア
ンドスペースのパターンにおいては、隣接する開口部の
通過光どうしが干渉し、その間の開口部に光がもれるた
め、限界解像度が制限される。これを改善する目的でフ
ォトマスクの隣接する開口部から通過する光の位相を１
８００ずらし開口部での光のもれを減少させる提案がさ
れている。
この方法によれば限界解像度が光学系を変更せずに向上
できる。
できる。
ところで隣接する開口部を通過する光の位相を１８０°
ずらす方法として、フォトマスクの隣接する開口部の一
方に誘電体板を形成する方法が提案されている。
ずらす方法として、フォトマスクの隣接する開口部の一
方に誘電体板を形成する方法が提案されている。
発明が解決しようとする課題
フォトマスクの隣接する開口部の一方に誘電体板を形成
する方法においては、誘電体板をフォトマスク上に選択
的に形成しなければならず、その形成方法としてはフォ
トマスクのパターン面上に誘電体膜を堆積した後、レジ
ストを用いてパターン形成後誘電体膜のエツチングを行
う複雑な工程が必要である。また通過光の位相差の調整
は誘電体膜の厚さを調整する必要があり極めてむずかし
い。
する方法においては、誘電体板をフォトマスク上に選択
的に形成しなければならず、その形成方法としてはフォ
トマスクのパターン面上に誘電体膜を堆積した後、レジ
ストを用いてパターン形成後誘電体膜のエツチングを行
う複雑な工程が必要である。また通過光の位相差の調整
は誘電体膜の厚さを調整する必要があり極めてむずかし
い。
課題を解決するための手段
本発明は隣接する開口部の一方のフォトマスク誘電体基
板の一方に露光波長λに対して式１の深さを持つ溝がエ
ツチングによって形成されていることを特徴とするフォ
トマスクを提供するものである。
板の一方に露光波長λに対して式１の深さを持つ溝がエ
ツチングによって形成されていることを特徴とするフォ
トマスクを提供するものである。
また同フォトマスクの製造方法として、誘電体基板上に
クロム等の金属被膜を形成する工程と同基板にレジスト
を塗布し、隣接する一方の開口部のみを露光開口する工
程と開口部の金属被膜をエツチングした後、同開口部の
誘電体基板を所定の深さまでエツチングする工程と、再
びレジストによって隣接するもう一方を開口し、金属被
膜をエツチングする工程を含むことを特徴とする製造方
法を提供するものである。
クロム等の金属被膜を形成する工程と同基板にレジスト
を塗布し、隣接する一方の開口部のみを露光開口する工
程と開口部の金属被膜をエツチングした後、同開口部の
誘電体基板を所定の深さまでエツチングする工程と、再
びレジストによって隣接するもう一方を開口し、金属被
膜をエツチングする工程を含むことを特徴とする製造方
法を提供するものである。
作用
本発明のフォトマスクにおいては溝の深さで通過光の位
相が調整できるのでマスク材料として特別なものが不要
であり、極めて製作が容易である。またその製造方法は
、クロムのエツチングと同一レシストマスクによって誘
電体基板をエツチングできるため極めて工程が簡単であ
る。
相が調整できるのでマスク材料として特別なものが不要
であり、極めて製作が容易である。またその製造方法は
、クロムのエツチングと同一レシストマスクによって誘
電体基板をエツチングできるため極めて工程が簡単であ
る。
実施例
本発明の詳細を図を参照しながら説明する。
第１図は、本発明のフォトマスクの断面図を示したもの
である。１ 、５ ｍｍ厚の石英ガラス基板１上に１１
００ｎ厚のクロム２のラインアンドスペースパターンが
形成されている。隣接した開口部の１つおきの開口部３
の石英ガラス基板１表面に溝４が形成されている。溝４
の深さは４３６ｎｍの露光光に合せて４４０ｎｍに設定
しである。
である。１ 、５ ｍｍ厚の石英ガラス基板１上に１１
００ｎ厚のクロム２のラインアンドスペースパターンが
形成されている。隣接した開口部の１つおきの開口部３
の石英ガラス基板１表面に溝４が形成されている。溝４
の深さは４３６ｎｍの露光光に合せて４４０ｎｍに設定
しである。
第２図は、本発明のフォトマスクの製造方法を工程順に
示したものである。第２図ｆａｔに示すように１．５ｎ
ｕａ厚の石英ガラス基板１上に１１００ｎ厚のクロム２
を真空蒸着法によって堆積した後、ＰＭＭＡ （ポリメ
チルメタクリレート）レジスト５を用い電子ビーム描写
法によってラインアンドスペースの一本おきの開口部３
を持つスペースパターンを形成する。次に同図（ｂｌに
示すように硝酸第二セリウムアンモニウム溶液によるエ
ツチングを行いクロムを除去した後、ＣＨＦ３ガスによ
るドライエツチングを行い、石英ガラス基板１を４４０
ｎｍエツチングして溝４を形成する。次に０２ガスによ
るアッシングを行ってレジスト５を除去しり後、第２図
（Ｃ）に示すようにラインアンドスペースのうち、前述
の溝５を形成していない方の開口部６をＰＭＭＡレジス
ト７を塗布して開口する。
示したものである。第２図ｆａｔに示すように１．５ｎ
ｕａ厚の石英ガラス基板１上に１１００ｎ厚のクロム２
を真空蒸着法によって堆積した後、ＰＭＭＡ （ポリメ
チルメタクリレート）レジスト５を用い電子ビーム描写
法によってラインアンドスペースの一本おきの開口部３
を持つスペースパターンを形成する。次に同図（ｂｌに
示すように硝酸第二セリウムアンモニウム溶液によるエ
ツチングを行いクロムを除去した後、ＣＨＦ３ガスによ
るドライエツチングを行い、石英ガラス基板１を４４０
ｎｍエツチングして溝４を形成する。次に０２ガスによ
るアッシングを行ってレジスト５を除去しり後、第２図
（Ｃ）に示すようにラインアンドスペースのうち、前述
の溝５を形成していない方の開口部６をＰＭＭＡレジス
ト７を塗布して開口する。
その後クロム２のみを再びエツチングし、０２アツシン
グを行うと第１図に示す本発明のフォトマスクが形成さ
れる。
グを行うと第１図に示す本発明のフォトマスクが形成さ
れる。
発明の効果
本発明によれば、極めて簡単に位相シフト用フォトマス
クが形成できる。このフォトマスクは表面にデポ酸化膜
等が存在しないため耐久性が高い。
クが形成できる。このフォトマスクは表面にデポ酸化膜
等が存在しないため耐久性が高い。
第１図は本発明の構造を持つフォトマスクの断面図、第
２図は本発明のフォトマスクの製造方法を示す工程図で
ある。 １・・・・・・石英ガラス基板、２・・・・・・クロム
、３・・・・・・開口部、４・・・・・・溝、５．７・
・・・・・レジスト、６・・・・・・開口部。
２図は本発明のフォトマスクの製造方法を示す工程図で
ある。 １・・・・・・石英ガラス基板、２・・・・・・クロム
、３・・・・・・開口部、４・・・・・・溝、５．７・
・・・・・レジスト、６・・・・・・開口部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明誘電体基板と、前記透明誘電体基板表面に形成さ
れた金属被膜パターンと、前記金属被膜パターンの一側
端の線に隣接する前記透明誘電体基板に、露光波長をλ
、ｎを透明誘電体基板の屈折率、Ｎを自然数として、 Ｄ＝（２Ｎ−１）λ／２（ｎ−１） で決まるＤの深さを持つ溝が形成されていることを特徴
とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167188A JPH0455857A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167188A JPH0455857A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0455857A true JPH0455857A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15845062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167188A Pending JPH0455857A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0455857A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100763222B1 (ko) * | 2005-04-15 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 향상된 포토리소그래피 공정 윈도우를 제공하는 포토마스크구조 및 그 제조 방법 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2167188A patent/JPH0455857A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100763222B1 (ko) * | 2005-04-15 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 향상된 포토리소그래피 공정 윈도우를 제공하는 포토마스크구조 및 그 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940002733B1 (ko) | 노광용 마스크와 그 노광용 마스크의 제조방법 | |
| US5718829A (en) | Phase shift structure and method of fabrication | |
| JPH07209851A (ja) | リソグラフィ露光マスクおよびその製造方法 | |
| US6007324A (en) | Double layer method for fabricating a rim type attenuating phase shifting mask | |
| JPH05265186A (ja) | 自己整合された位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| US6150058A (en) | Method of making attenuating phase-shifting mask using different exposure doses | |
| US5789117A (en) | Transfer method for non-critical photoresist patterns | |
| JPH0690507B2 (ja) | ホトマスク，及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法 | |
| US5300378A (en) | Method of producing a phase shifting mask | |
| US5593799A (en) | Exposure mask | |
| US6162568A (en) | Process for forming features on a semiconductor wafer using a phase shifting mask that can be used with two different wavelengths of light | |
| GB2302962A (en) | Phase shift mask | |
| US5591549A (en) | Self aligning fabrication method for sub-resolution phase shift mask | |
| KR100219570B1 (ko) | 하프톤 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| JPH03125150A (ja) | マスク及びマスク作製方法 | |
| JPH0455857A (ja) | フォトマスク | |
| US5814424A (en) | Half tone phase shift masks with staircase regions and methods of fabricating the same | |
| US5976732A (en) | Photomask for reconfiguring a circuit by exposure at two different wavelengths | |
| JPH0345951A (ja) | 露光用マスク、露光用マスクの製造方法およびこれを用いた露光方法 | |
| JPH03242648A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPH08339958A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0659432A (ja) | 露光用マスク及びこれを使用した露光方法 | |
| KR100524630B1 (ko) | 선택적 감쇄형 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| JP3225673B2 (ja) | 位相シフト・マスクの製造方法 | |
| JPH03172847A (ja) | ホトマスクの製造方法 |