JPH0451988B2 - - Google Patents
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- JPH0451988B2 JPH0451988B2 JP56143152A JP14315281A JPH0451988B2 JP H0451988 B2 JPH0451988 B2 JP H0451988B2 JP 56143152 A JP56143152 A JP 56143152A JP 14315281 A JP14315281 A JP 14315281A JP H0451988 B2 JPH0451988 B2 JP H0451988B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
- H01L31/1105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors the device being a bipolar phototransistor
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信に使用されるエミツタ・ベース
間のヘテロ接合を有する型のホト・トランジスタ
に関する。
間のヘテロ接合を有する型のホト・トランジスタ
に関する。
（従来技術と解決すべき課題）
光通信に使用される光検出器はすぐれた感度を
有していなければならない。すなわち低い強度の
光信号を検出できなければならない。この目的の
ためにアバランシエ・ホトダイオードがしばしば
使用される。それらは次に低雑音前置増幅器に接
続されている。しかしながらなだれ降伏現象に特
有な感度が十分に得られないという問題がこの解
決を実現させることを困難にしている。特に光フ
アイバーの最適伝送窓に相当する波長（1.3から
1.55μm）で困難である。その他の解決方法は非
常に低い入力キヤパシタンスを有する前置増幅器
に接続された単独のPN又はPINホトダイオード
を使用することから成つている。前置増幅器の入
力構成素子は非常に高い伝送周波数（数ギガヘル
ツ）を有する。例えばGaAs電解効果トランジス
タ又はバイポーラ・トランジスタである。これら
２つの解決方法はスミス（SMITH）、ホツパー
（HOPPER）及びギヤレツト（GARRET）によ
り、雑誌Optical and Quantum
Electronics1978年10月号P.P.292−300、で比較
されている。
有していなければならない。すなわち低い強度の
光信号を検出できなければならない。この目的の
ためにアバランシエ・ホトダイオードがしばしば
使用される。それらは次に低雑音前置増幅器に接
続されている。しかしながらなだれ降伏現象に特
有な感度が十分に得られないという問題がこの解
決を実現させることを困難にしている。特に光フ
アイバーの最適伝送窓に相当する波長（1.3から
1.55μm）で困難である。その他の解決方法は非
常に低い入力キヤパシタンスを有する前置増幅器
に接続された単独のPN又はPINホトダイオード
を使用することから成つている。前置増幅器の入
力構成素子は非常に高い伝送周波数（数ギガヘル
ツ）を有する。例えばGaAs電解効果トランジス
タ又はバイポーラ・トランジスタである。これら
２つの解決方法はスミス（SMITH）、ホツパー
（HOPPER）及びギヤレツト（GARRET）によ
り、雑誌Optical and Quantum
Electronics1978年10月号P.P.292−300、で比較
されている。
ホト・ダイオードとトランジスタをモノリシツ
ク集積した結果と考えられるホト・トランジスタ
も又、ホト・ダイオードとトランジスタ素子の特
性が少なくとも個別部品の特性と同等であれば、
入力接続の必要がないので光検出器として興味の
あるものである。
ク集積した結果と考えられるホト・トランジスタ
も又、ホト・ダイオードとトランジスタ素子の特
性が少なくとも個別部品の特性と同等であれば、
入力接続の必要がないので光検出器として興味の
あるものである。
本発明は後者の型に属する光検出器に関する。
シリコンホモ接合ホト・トランジスタの外にヘテ
ロ接合ホト・トランジスタ（Npn型）が知られて
いて、これらは本質的に周期律表の及び族の
物質から得られる。それらは例えば、 GaAlAs−GaAs又はInP−GaInAsPホト・ト
ランジスタである。
シリコンホモ接合ホト・トランジスタの外にヘテ
ロ接合ホト・トランジスタ（Npn型）が知られて
いて、これらは本質的に周期律表の及び族の
物質から得られる。それらは例えば、 GaAlAs−GaAs又はInP−GaInAsPホト・ト
ランジスタである。
これらのホト・トランジスタは全ての同一の原
理に従つて動作する。入射光はベース層と、同様
に小さくされたベース−コレクタ領域、すなわち
コレクタに吸収される。その結果生じる光電流は
ホト・トランジスタのベース電流に上乗せされ
る。１次光電流にホト・トランジスタの利得を掛
けた値に等しいコレクタ電流内には変動が生じ
る。
理に従つて動作する。入射光はベース層と、同様
に小さくされたベース−コレクタ領域、すなわち
コレクタに吸収される。その結果生じる光電流は
ホト・トランジスタのベース電流に上乗せされ
る。１次光電流にホト・トランジスタの利得を掛
けた値に等しいコレクタ電流内には変動が生じ
る。
ヘテロ接合素子に関して、光がベース層で吸収
される前にエミツタ層を横切るところのベース接
続のないホト・トランジスタは、特にその感度の
点で興味ある特性を有している。
される前にエミツタ層を横切るところのベース接
続のないホト・トランジスタは、特にその感度の
点で興味ある特性を有している。
そのようなホト・トランジスタがその断面図の
形で第１図に示されている。これは、コレクタと
なる、層２（例えばｎ型GaAs）、ベースとなる
層３（例えばｐ型GaAs）そしてエミツタとなる
層４（例えばＮ型GaAlAs）とで構成されてい
る。これらの層はすべて基板１２（例えばn+型
GaAs）の上に沈着されている。電気的な接続は
エミツタ端子７及びコレクタ端子９で行われる。
形で第１図に示されている。これは、コレクタと
なる、層２（例えばｎ型GaAs）、ベースとなる
層３（例えばｐ型GaAs）そしてエミツタとなる
層４（例えばＮ型GaAlAs）とで構成されてい
る。これらの層はすべて基板１２（例えばn+型
GaAs）の上に沈着されている。電気的な接続は
エミツタ端子７及びコレクタ端子９で行われる。
この型のホト・トランジスタはベネキング
（BENEKING）その他による“Electronics
Letters”1976年第12巻P.P.39516、ミラノ
（MILANO）その他による1979年12月の“IEEE
国際電子素子会議（IEEE International
Electron Devices Neeting）”、又最後にコナガ
イ（KONAGAI）その他による「応用物理学会
誌（Journal of Applied Physics）」1977年48
巻、P.P.4389−4394に記述されている。
（BENEKING）その他による“Electronics
Letters”1976年第12巻P.P.39516、ミラノ
（MILANO）その他による1979年12月の“IEEE
国際電子素子会議（IEEE International
Electron Devices Neeting）”、又最後にコナガ
イ（KONAGAI）その他による「応用物理学会
誌（Journal of Applied Physics）」1977年48
巻、P.P.4389−4394に記述されている。
その他のホト・トランジスタはベース端子を有
している。この場合にはベース上にコンタクトを
メタライズするためにエミツタ層はエツチングさ
れている。そこで光は直接ベース層の上のエツチ
ングされた領域に集束されることが可能となる。
している。この場合にはベース上にコンタクトを
メタライズするためにエミツタ層はエツチングさ
れている。そこで光は直接ベース層の上のエツチ
ングされた領域に集束されることが可能となる。
そのようなホト・トランジスタが第２図に示さ
れていて、参照番号は第１図と同じである。ベー
ス端子は参照番号８である。この型のホト・トラ
ンジスタは、ベノー（BENOIT）により、1976
年パリで開催された光通信国際会議（the
Conference Internationale sul let
Communications Optique）で発表されている。
れていて、参照番号は第１図と同じである。ベー
ス端子は参照番号８である。この型のホト・トラ
ンジスタは、ベノー（BENOIT）により、1976
年パリで開催された光通信国際会議（the
Conference Internationale sul let
Communications Optique）で発表されている。
すべての既知の素子は幾多の欠点を有してい
る。ホモ接合ホト・トランジスタは、光フアイバ
ーによる電話通信で考えられている低い波長（約
0.85μm）では光検出のためには非常に好適とは
言えない。この波長域ではシリコンの吸収係数は
比較的低く自由ベース・コレクタ領域はかなりの
厚さ（10μmに等しいかそれ以上）を必要とする
ので、これは高速のトランジスタ動作とは両立し
ない。
る。ホモ接合ホト・トランジスタは、光フアイバ
ーによる電話通信で考えられている低い波長（約
0.85μm）では光検出のためには非常に好適とは
言えない。この波長域ではシリコンの吸収係数は
比較的低く自由ベース・コレクタ領域はかなりの
厚さ（10μmに等しいかそれ以上）を必要とする
ので、これは高速のトランジスタ動作とは両立し
ない。
ヘテロ接合ホト・トランジスタに関しては当然
以下の点に注意がはらわれるべきである。
以下の点に注意がはらわれるべきである。
ａ 第１図のホト・トランジスタの場合のように
ベースが直接空気に触れない構造で、光がエミ
ツタ層を横切る場合には、エミツタ・ベース間
のキヤパシタンスが必然的に高い素子が得られ
る。光フアイバーの端点における光検出には約
50μmの直径の表面領域ういきを有する必要が
あり、これはヘテロ接合トランジスタ内で用い
られる低いレベルのエミツタドーピング
（106／cm3）でも高いキヤパシタンス（5PF以
上）となつてしまう。さらに、その強度がエミ
ツタ・ベース接合の表面積に比例する再結合電
流は、低雑音光検出で必要な低電流域での動作
の可能性を制限する。逆にエミツタの放射線に
対して透明な部分のこれら素子の感度はエミツ
タ・ベース接合部でのキヤリアの再結合速度が
遅いために非常にすぐれたものとなる。
ベースが直接空気に触れない構造で、光がエミ
ツタ層を横切る場合には、エミツタ・ベース間
のキヤパシタンスが必然的に高い素子が得られ
る。光フアイバーの端点における光検出には約
50μmの直径の表面領域ういきを有する必要が
あり、これはヘテロ接合トランジスタ内で用い
られる低いレベルのエミツタドーピング
（106／cm3）でも高いキヤパシタンス（5PF以
上）となつてしまう。さらに、その強度がエミ
ツタ・ベース接合の表面積に比例する再結合電
流は、低雑音光検出で必要な低電流域での動作
の可能性を制限する。逆にエミツタの放射線に
対して透明な部分のこれら素子の感度はエミツ
タ・ベース接合部でのキヤリアの再結合速度が
遅いために非常にすぐれたものとなる。
ｂ もしエミツタ・ベース間のキヤパシタンス及
び再結合電流を減少させる目的のためであれ
ば、第２図に示すように、部分的にエツチング
されたエミツタを有するホト・トランジスタを
使用する解法が適当であるが、ベースが空気と
接触することになり感度が減少するという問題
がある。従つて、ベース及びエツチングされた
部分の下のコレクタ内で吸収された光はキヤリ
アを作成するが、それの決して無視できない部
分が素子の表面で再結晶される。空気と接する
GaAs表面及びGaInAsP表面は、事実上高い再
結合速度（GaAsに対して105cm／秒）が特徴で
あり、これらの表面のパツシベーシヨン試験も
まだ満足すべき結果を得ていない。
び再結合電流を減少させる目的のためであれ
ば、第２図に示すように、部分的にエツチング
されたエミツタを有するホト・トランジスタを
使用する解法が適当であるが、ベースが空気と
接触することになり感度が減少するという問題
がある。従つて、ベース及びエツチングされた
部分の下のコレクタ内で吸収された光はキヤリ
アを作成するが、それの決して無視できない部
分が素子の表面で再結晶される。空気と接する
GaAs表面及びGaInAsP表面は、事実上高い再
結合速度（GaAsに対して105cm／秒）が特徴で
あり、これらの表面のパツシベーシヨン試験も
まだ満足すべき結果を得ていない。
ｃ 最後に、エミツタ層の選択的なエツチングは
いつも容易に行えるものではなく、高い電流利
得が要求されて、ベース層が細かくなつて来る
とこの操作に増々困難さを増してくる。
いつも容易に行えるものではなく、高い電流利
得が要求されて、ベース層が細かくなつて来る
とこの操作に増々困難さを増してくる。
（課題を解決するための手段）
本発明の目的は、低いエミツタキヤパシタンス
と、高い感度とを共に有するヘテロ接合ホト・ト
ランジスタを提案することによつて以上の欠点を
除去することにある。
と、高い感度とを共に有するヘテロ接合ホト・ト
ランジスタを提案することによつて以上の欠点を
除去することにある。
この目的のために、本発明ではエミツタ層をド
ーピング型に部分的に変える方法を提案してお
り、これによつてＮ型のエミツタ（Npn構造の場
合）は非常に狭い表面領域にのみ残る一方、ほと
んどＰ型に変換された光検出領域内のエミツタ層
はその窓機能を残している。
ーピング型に部分的に変える方法を提案してお
り、これによつてＮ型のエミツタ（Npn構造の場
合）は非常に狭い表面領域にのみ残る一方、ほと
んどＰ型に変換された光検出領域内のエミツタ層
はその窓機能を残している。
ドーピング型への変換はＰ型不純物（例ではｎ
層である）（例えばGaAlAsの場合はZn）の部分
拡散によつて実施できる。シカシながら例えばイ
オン打ち込みやエピタキシヤル法のようなその他
の方法の可能である。
層である）（例えばGaAlAsの場合はZn）の部分
拡散によつて実施できる。シカシながら例えばイ
オン打ち込みやエピタキシヤル法のようなその他
の方法の可能である。
さらに詳しくは、本発明は、ホト・トランジス
タに関係し、とくにエミツタ層のドーピング型が
その広がりの一部分において反転され前記ドーピ
ングがベース層にまで達し、前記反転された型の
領域が検出されるべき光放射に対して透過的であ
ることを特徴とするエミツタ・ベースヘテロ接合
及びコレクタを形成する半導体層を有する半導体
層を有するホト・トランジスタに関係する。
タに関係し、とくにエミツタ層のドーピング型が
その広がりの一部分において反転され前記ドーピ
ングがベース層にまで達し、前記反転された型の
領域が検出されるべき光放射に対して透過的であ
ることを特徴とするエミツタ・ベースヘテロ接合
及びコレクタを形成する半導体層を有する半導体
層を有するホト・トランジスタに関係する。
（実施例）
本発明の２つの実施例が第１図及び第２図に続
く図面を参照して以下詳細に、しかし、これに限
定されることなく記述されている。
く図面を参照して以下詳細に、しかし、これに限
定されることなく記述されている。
第３図に示すようにホト・トランジスタは高濃
度ドーピングされたn+基板１２、それに続くn+
−GaAsの緩衝層１、n-−GaAs（又はGaAlAsも
可能）のコレクタ層２、ｐ−GaAs（又はエミツ
タのそれより低いアルミニウム濃度のGaAlAsも
可能）のベース層３、Ｎ−GaAlAsのエミツタ層
４及びn+−GaAs又はGaAlAsの端子層５とで構
成されている。
度ドーピングされたn+基板１２、それに続くn+
−GaAsの緩衝層１、n-−GaAs（又はGaAlAsも
可能）のコレクタ層２、ｐ−GaAs（又はエミツ
タのそれより低いアルミニウム濃度のGaAlAsも
可能）のベース層３、Ｎ−GaAlAsのエミツタ層
４及びn+−GaAs又はGaAlAsの端子層５とで構
成されている。
エミツタ・ベース接合は、もし可能であれば、
再結合電流を最少にする条件下で実現される。又
その他の端子と同様に同一表面上にコレクタ端子
を抱持するため、又は集積の目的のために、基板
１２として半絶縁基板を使用することも可能であ
る。つまり、基板１２は、第４図に示されている
ように半絶縁基板とすることが出来る。この場
合、コレクタ端子９はバツフア層１のの上に設け
られなければならない。もし、コレクタ端子９が
基板の下側に設けられる場合は、この例は第３図
に示されているが、基板１２は導体でなければな
らない。
再結合電流を最少にする条件下で実現される。又
その他の端子と同様に同一表面上にコレクタ端子
を抱持するため、又は集積の目的のために、基板
１２として半絶縁基板を使用することも可能であ
る。つまり、基板１２は、第４図に示されている
ように半絶縁基板とすることが出来る。この場
合、コレクタ端子９はバツフア層１のの上に設け
られなければならない。もし、コレクタ端子９が
基板の下側に設けられる場合は、この例は第３図
に示されているが、基板１２は導体でなければな
らない。
局所拡散がエミツタ層内で実施され、ｎ型拡散
の井戸６がベース層の上部まで拡がつている。拡
散の局所化は拡散窓を有する絶縁マスクを使用し
て実施される。
の井戸６がベース層の上部まで拡がつている。拡
散の局所化は拡散窓を有する絶縁マスクを使用し
て実施される。
次に端子層が加工部分１１内で除去され、エミ
ツタ端子７と必要があればベース端子８を形成す
るためにのみ部分的に残される。この端子層のエ
ツチングは拡散工程の前に実施される。これは一
方では透明性のためにそして又エミツタ・ベース
接合のラテラルダイオードによる注入理由のため
に必要である。本発明による素子には実際には２
つの接合が有り、その１つはエミツタ（Ｎ）とベ
ース３（ｐ）との間にある「水平」接合であり、
他の１つは層４の残留部分（Ｎ）（第３図の左側）
とドーピングされた主たる部分６（ｐ）（第３図
の右側）との間にある「垂直」接合である。第１
の接合は本明細書で言及されている真のヘテロ接
合である。というのは、層４と層３は例えば
GaAlAsとGaAsのように一般に異なるからであ
る。一方、他の接合は同一層内、例えばGaAlAs
内で形成されるので、ホモ接合である。この第２
の接合の導通閾値はヘテロ接合のそれより高く、
それゆえこの第２の接合は素子の電気的作用を妨
害することはない。
ツタ端子７と必要があればベース端子８を形成す
るためにのみ部分的に残される。この端子層のエ
ツチングは拡散工程の前に実施される。これは一
方では透明性のためにそして又エミツタ・ベース
接合のラテラルダイオードによる注入理由のため
に必要である。本発明による素子には実際には２
つの接合が有り、その１つはエミツタ（Ｎ）とベ
ース３（ｐ）との間にある「水平」接合であり、
他の１つは層４の残留部分（Ｎ）（第３図の左側）
とドーピングされた主たる部分６（ｐ）（第３図
の右側）との間にある「垂直」接合である。第１
の接合は本明細書で言及されている真のヘテロ接
合である。というのは、層４と層３は例えば
GaAlAsとGaAsのように一般に異なるからであ
る。一方、他の接合は同一層内、例えばGaAlAs
内で形成されるので、ホモ接合である。この第２
の接合の導通閾値はヘテロ接合のそれより高く、
それゆえこの第２の接合は素子の電気的作用を妨
害することはない。
続いて、絶縁領域１０を例えばプロントボンバ
ードメントにより作り構成素子の電気的絶縁を行
う前に、エミツタ端子７、ベース端子８、そして
コレクタ端子９の金属コーテイングの沈着が行わ
れる。
ードメントにより作り構成素子の電気的絶縁を行
う前に、エミツタ端子７、ベース端子８、そして
コレクタ端子９の金属コーテイングの沈着が行わ
れる。
第４図は、同一のホト・トランジスタを示して
いるが、半絶縁基板１２はコレクタ端子９をその
他の端子と同一表面上に配置することができるよ
うにしており、これによつて部品の集積回路化が
可能となる。
いるが、半絶縁基板１２はコレクタ端子９をその
他の端子と同一表面上に配置することができるよ
うにしており、これによつて部品の集積回路化が
可能となる。
同様の素子が他の材料から作れる事は明白であ
る。特に1.2〜1.6μmの間の波長に対しては、基板
物質として、InPを、また、その他の層には２元
素化合物InP、３元素化合物GaInAs又は４元素
化合物GaInAsP材料を使うことが可能である。
しかしながら、エミツタ層の反転型領域は考慮さ
れている波長の放射に対して透明であり、ベース
そして／又はコレクタ層は吸収的な性質であるよ
うにそれらは選定されなければならない。
る。特に1.2〜1.6μmの間の波長に対しては、基板
物質として、InPを、また、その他の層には２元
素化合物InP、３元素化合物GaInAs又は４元素
化合物GaInAsP材料を使うことが可能である。
しかしながら、エミツタ層の反転型領域は考慮さ
れている波長の放射に対して透明であり、ベース
そして／又はコレクタ層は吸収的な性質であるよ
うにそれらは選定されなければならない。
本発明によるホト・トランジスタは、基板１２
上に、コレクタとして動作する第１のドーピング
型による第１のはいどうたいである第１の層２
と、ベースとして動作する第１の半導体または第
２のドーピング型による第２の半導体である第２
の層３と、エミツタとして動作する第１のドーピ
ング型による第３の半導体である第３の層４と、
エミツタ端子としての第１の金属端子７と、ベー
ス端子としての第２の金属端子８と、コレクタ端
子としての第３の金属端子９とを有し、第１、第
２、第３の半導体は周期律表の第３列と第５列に
属する要素の２成分または３成分又は４成分から
成るグループに入るよう選択されているホト・ト
ランジスタであつて、エミツタとして動作する第
３の層４は、第２のドーピング型による井戸６を
有し、その井戸は第３の層の主たる部分１１か
ら、その下にあつてベースとして動作する第２の
層３に達していること、また、第３の層４の主た
る部分１１は検出されるべき放射線にたいして透
明であること、更に、第１の金属端子７は第１の
ドーピング型を有する第３の層４の残りの小部分
に設けられていること等を特徴としている。
上に、コレクタとして動作する第１のドーピング
型による第１のはいどうたいである第１の層２
と、ベースとして動作する第１の半導体または第
２のドーピング型による第２の半導体である第２
の層３と、エミツタとして動作する第１のドーピ
ング型による第３の半導体である第３の層４と、
エミツタ端子としての第１の金属端子７と、ベー
ス端子としての第２の金属端子８と、コレクタ端
子としての第３の金属端子９とを有し、第１、第
２、第３の半導体は周期律表の第３列と第５列に
属する要素の２成分または３成分又は４成分から
成るグループに入るよう選択されているホト・ト
ランジスタであつて、エミツタとして動作する第
３の層４は、第２のドーピング型による井戸６を
有し、その井戸は第３の層の主たる部分１１か
ら、その下にあつてベースとして動作する第２の
層３に達していること、また、第３の層４の主た
る部分１１は検出されるべき放射線にたいして透
明であること、更に、第１の金属端子７は第１の
ドーピング型を有する第３の層４の残りの小部分
に設けられていること等を特徴としている。
このような構成とすることにより、前述した従
来技術に於いて考慮すべきａ）、ｂ）、ｃ）は次の
ように解決される。
来技術に於いて考慮すべきａ）、ｂ）、ｃ）は次の
ように解決される。
ａ）に関しては、層４は、その主たる部分１１
に於いて、領域６に於ける拡散のためベース３に
ｐドーピングが施されているのと同様にドーピン
グが施されている。従つて、エミツタとベース間
のキヤバシタンスは層４のＮタイプの残つている
小部分によるものだけとなり、その値は第１図に
示された従来の場合より非常に小さくなる。
に於いて、領域６に於ける拡散のためベース３に
ｐドーピングが施されているのと同様にドーピン
グが施されている。従つて、エミツタとベース間
のキヤバシタンスは層４のＮタイプの残つている
小部分によるものだけとなり、その値は第１図に
示された従来の場合より非常に小さくなる。
ｂ）に関しては、本発明の素子では光を吸収
し、電荷の発生するベースは直接空気に触れてい
ない。従つて、従来例に見られた再結合電流の発
生は防止されている。
し、電荷の発生するベースは直接空気に触れてい
ない。従つて、従来例に見られた再結合電流の発
生は防止されている。
ｃ）に関しては、これらの２つの特徴、即ちキ
ヤバシタンスが小さくなつたこと、空気との接触
がなくなつたこととは層４をエツチングしなくて
もドーピングだけで得られるようになつた。
ヤバシタンスが小さくなつたこと、空気との接触
がなくなつたこととは層４をエツチングしなくて
もドーピングだけで得られるようになつた。
第１図は光がベース層で吸収される前にエミツ
タ層を横切るところのベース端子が無いホト・ト
ランジスタの断面図、第２図はエミツタ層が部分
的に食刻で取り除かれたベース端子を有するホ
ト・トランジスタの断面図、第３図はGaAlAs−
GaAs型のNpn構造を示す断面図、第４図はコレ
クタ端子が上面に有する第３図と同じ構造を示す
断面図である。 ２……コレクタ、３……ベース、４……エミツ
タ、７，８，９……接続端子、１２……基板。
タ層を横切るところのベース端子が無いホト・ト
ランジスタの断面図、第２図はエミツタ層が部分
的に食刻で取り除かれたベース端子を有するホ
ト・トランジスタの断面図、第３図はGaAlAs−
GaAs型のNpn構造を示す断面図、第４図はコレ
クタ端子が上面に有する第３図と同じ構造を示す
断面図である。 ２……コレクタ、３……ベース、４……エミツ
タ、７，８，９……接続端子、１２……基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、コレクタとして動作する第１のド
ーピング型による第１の半導体である第１の層
と、ベースとして動作する前記第１の半導体また
は第２のドーピング型による第２の半導体である
第２の層と、エミツタとして動作する前記第１の
ドーピング型による第３の半導体である第３の層
と、エミツタ端子としての第１の金属端子と、ベ
ース端子としての第２の金属端子と、コレクタ端
子としての第３の金属端子とを有し、前記第１、
第２、第３の半導体は周期律表の第３列と第５列
に属する要素の２成分または３成分または４成分
から成るグループに入るよう選択されているホ
ト・トランジスタに於いて、エミツタとして動作
する前記第３の層は、前記第３の層の主たる部分
から、下にあつてベースとして動作する前記第２
の層に達する前記第２のドーピング型による井戸
を有し、前記第３の層の主たる部分は検出される
べき放射線に対して透明であり、前記第１の金属
端子は前記第１のドーピング型を有する前記第３
の層の残りの小部分に設けられていることを特徴
としたホト・トランジスタ。 ２ 請求項１のホト・トランジスタに於いて、前
記第１の半導体はGaAsから成り、前記第２と第
３の半導体は異なるAl濃度を有する GaAlAsから成るホト・トランジスタ。 ３ 請求項１または２のホト・トランジスタに於
いて、前記第１のドーピング型はｎタイプであ
り、前記第２のドーピング型はｐタイプであるホ
ト・トランジスタ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8019621A FR2490014A1 (fr) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Phototransistor a heterojonction emetteur-base a couche d'emetteur localement de type inverse |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5779677A JPS5779677A (en) | 1982-05-18 |
| JPH0451988B2 true JPH0451988B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=9245843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56143152A Granted JPS5779677A (en) | 1980-09-11 | 1981-09-10 | Phototransistor of type having hetero junction between emitter and base |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4620210A (ja) |
| JP (1) | JPS5779677A (ja) |
| DE (1) | DE3135945A1 (ja) |
| FR (1) | FR2490014A1 (ja) |
| GB (1) | GB2083699B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3436927A1 (de) * | 1984-10-09 | 1986-04-10 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Bipolarer fototransistor |
| US5164797A (en) * | 1988-06-17 | 1992-11-17 | Xerox Corporation | Lateral heterojunction bipolar transistor (LHBT) and suitability thereof as a hetero transverse junction (HTJ) laser |
| US4987468A (en) * | 1988-06-17 | 1991-01-22 | Xerox Corporation | Lateral heterojunction bipolar transistor (LHBT) and suitability thereof as a hetero transverse junction (HTJ) laser |
| US5140400A (en) * | 1989-03-29 | 1992-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and photoelectric converting apparatus using the same |
| US5245204A (en) * | 1989-03-29 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device for use in an improved image pickup apparatus |
| US6629646B1 (en) * | 1991-04-24 | 2003-10-07 | Aerogen, Inc. | Droplet ejector with oscillating tapered aperture |
| US5343054A (en) * | 1992-09-14 | 1994-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-detection device with recombination rates |
| JP2773730B2 (ja) * | 1996-03-07 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 光伝導型赤外線検出素子 |
| US6703647B1 (en) * | 2002-04-22 | 2004-03-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Triple base bipolar phototransistor |
| US10453984B2 (en) * | 2017-03-23 | 2019-10-22 | Wavefront Holdings, Llc | Conductive isolation between phototransistors |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3881113A (en) * | 1973-12-26 | 1975-04-29 | Ibm | Integrated optically coupled light emitter and sensor |
| FR2352404A1 (fr) * | 1976-05-20 | 1977-12-16 | Comp Generale Electricite | Transistor a heterojonction |
| JPS5373990A (en) | 1976-12-14 | 1978-06-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device |
-
1980
- 1980-09-11 FR FR8019621A patent/FR2490014A1/fr active Granted
-
1981
- 1981-08-25 GB GB8125935A patent/GB2083699B/en not_active Expired
- 1981-09-10 DE DE19813135945 patent/DE3135945A1/de active Granted
- 1981-09-10 JP JP56143152A patent/JPS5779677A/ja active Granted
-
1984
- 1984-08-17 US US06/642,135 patent/US4620210A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3135945C2 (ja) | 1991-03-07 |
| JPS5779677A (en) | 1982-05-18 |
| DE3135945A1 (de) | 1982-04-22 |
| GB2083699A (en) | 1982-03-24 |
| FR2490014B1 (ja) | 1984-01-06 |
| FR2490014A1 (fr) | 1982-03-12 |
| US4620210A (en) | 1986-10-28 |
| GB2083699B (en) | 1984-05-10 |
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