JPH0451017A - 空間光変調装置 - Google Patents
空間光変調装置Info
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- JPH0451017A JPH0451017A JP15942490A JP15942490A JPH0451017A JP H0451017 A JPH0451017 A JP H0451017A JP 15942490 A JP15942490 A JP 15942490A JP 15942490 A JP15942490 A JP 15942490A JP H0451017 A JPH0451017 A JP H0451017A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
従来の空間光変調器は、結晶の自然複屈折による常光、
異常光の位相差が、該結晶に加わる電圧によって調整さ
れる現象を利用したもので、その入出力特性を、光学像
書込み時に、結晶表面電位が負電位になる背面電極にか
ける電圧（以下背面電圧という）の設定を行い電気光学
結晶の結晶表面電位降下速度を変化させるハードクリッ
プモードと、結晶表面電圧が負電圧にならないような背
面電圧の設定で且つ、結晶表面電位降下をステップ関数
状に降下させるノーマルモードの選択により変更してた
いた。 従って、従来の空間光変調装置において入出力特性（γ
特性）は、ノーマルモードにおける線型（ｓｉｎ２特性
〉及びハードクリップモードにおける閾値の２種類のγ
値しか選択できなかった。
異常光の位相差が、該結晶に加わる電圧によって調整さ
れる現象を利用したもので、その入出力特性を、光学像
書込み時に、結晶表面電位が負電位になる背面電極にか
ける電圧（以下背面電圧という）の設定を行い電気光学
結晶の結晶表面電位降下速度を変化させるハードクリッ
プモードと、結晶表面電圧が負電圧にならないような背
面電圧の設定で且つ、結晶表面電位降下をステップ関数
状に降下させるノーマルモードの選択により変更してた
いた。 従って、従来の空間光変調装置において入出力特性（γ
特性）は、ノーマルモードにおける線型（ｓｉｎ２特性
〉及びハードクリップモードにおける閾値の２種類のγ
値しか選択できなかった。
【発明が解決しようとする課題］
このため、従来の空間光度ｍ装置では、任意のグレース
ケールで画像処理をすることができないという問題点が
あった。 この発明は上記従来の問題点に化みてなされたものであ
って、入出力特性の任意の選択が可能であり、従って任
意のグレ・−スケールで画像処理ができるようにした空
間光変調装置を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段１ この発明は、電子像発生手段と電気光学結晶板とを備え
、その間に前記電気光学結晶板への電荷像形成を妨げな
いように２次電子捕集電極がおかれた空間光変調器と、
前記電気光学結晶板に、前記２次電子捕集電極と反対側
から読み出し光を入射し、前記電気光学結晶板の光学的
変化を読み出すための光源と、この光源と前記電気光学
結晶板の間に配置されたく前述の自然複屈折による位相
差を利用できる電圧の設定範囲を広げるための）複屈折
性可変の複屈折性結晶板と、前記空間光変調器の求める
入出力特性に応じて、前記２次電子捕集電極の電圧及び
前記電気光学結晶板の背面電極にかける電圧を変え、そ
れに連動して前記複屈折性結晶板の複屈折性を制御する
制御装置と、を有して、空間光変調装置を構成すること
により上記目的を達成するものである。 又、この発明は、前記複屈折性結晶板の制御ｌ装置を、
該複屈折性結晶板への印加電圧を変えるものとすること
により上記目的を達成するものである。 又、この発明は、前記複屈折性結晶板の制御装置を、該
複屈折性結晶板に、その面内回転、又は面に平行な軸を
中心とする回転を与えるものとすることにより上記目的
を達成するものである。 更に又、この発明は、前記制ａ装置を、前記２次電子捕
集電極の電圧変化に応じて、前記電気光学結晶板の背面
電圧をランプ状に変化させるものとすることにより上記
目的を達成するものである。 【作用及び効果】 この発明は、空間光変調装置のハードクリップモードに
おいて、空間光変調器における電気光学結晶板の前面に
配置された２次電子捕集電極の電圧を、空間光変調装置
の求める入出力特性に応じ且つ、電気光学結晶板の厚さ
に起因する自然複屈折性によって限定されてしまう２次
電子捕集電極に印加する電圧と結晶背面電圧の設定値と
設定電位差を、位相補償板である複屈折性結晶板の実質
的複屈折性を変化させることによって、自在に選択でき
るものとし、これによりハードクリップモードにおける
入出力特性を任意に選べることができ、従って、任意の
グレースケールで画像処理をすることができるという優
れた効果を有する。 又、レーザ光のみでなく、インコヒーレントな光での読
み出しも可能となるため、インコヒーレントな出力での
特性を任意に変化させることができるという優れた効果
を有する。 【実施例１ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 第１図は本発明による空間光変調器＠１０の構成と動作
を説明するための図で、１２は入力像、１４はレンズ、
１６は空間光変調器、２０．２２．２４及び２６は空間
光変調器１６における光電陰極、マイクロチャンネルプ
レート、２次電子捕集用メツシュ電極及び電気光学結晶
板、２６Ａは電荷蓄積機能及び２次電子を放出する機能
を有する表面、２８はハーフミラ−１３０は偏光方向が
うンダムでない（偏光方向が直線、円又は楕円偏光に調
整されている）読出し光、３２は検光子、３４は電気光
学結晶板２６とハーフミラ−２８との間に配置された、
位相補償板としての複屈折性結晶平行板、１２Ａは出力
像である。 又、前記光電陰極２０、マイクロチャネルプレート２２
．２次電子捕集用メツシュ電極２４、電気光学結晶板２
６及び複屈折性結晶平行板３４には、制御装置３６から
電圧が印加されるようになっている。 図において、空間光変調装置１０の光電陰極２０にレン
ズ１４を介して投影した入力像１２は光電子像に変換さ
れる。この光電子像はマイクロチャンネルプレート２２
で増倍された後、電気光学結晶板２６の表面２６Ａに電
荷パターンを形成する。その電荷パターンに応じて電気
光学結晶板２６を横切る電界が変化し、ポッケルス効果
によって電気光学結晶板２６の屈折率が変化する。 ここで、直線偏光の読出し光３０を電気光学結晶板２６
に一様に照射すると、表面２６Ａからの反射光は、電気
光学結晶板２６の複屈折性により偏光状態が変化してい
るので、検光子３２を通過させれば、入力像１２の光強
度に対応した光強度をもつ出力像１２Ａが得られる。 次にこのような空間光変調装置［１０について、本発明
と関連する主要な機能を説明する。 空間光変調装置１０は電気光学結晶板２６の表面２６Ａ
に正又は負の電荷分布を選択的に形成することができる
。第２図は電気光学結晶板２６の２次電子放出特性を示
すグラフである。ここで、電気光学結晶板２６の表面２
６Ａと反対側の背面には電極（導電面）が形成されてい
て、−様に電圧Ｖｂを加えることができる。 図に示すように表面２６Ａへ入射する１次電子エネルギ
ーＥが第１クロスオーバー点Ｅ１よりも小さいか、又は
第２クロスオーバー点Ｅ２より大きい場合には、１次電
子数が、結晶表面２６Ａで放出される２次電子数よりも
大きいので（δ〈１）、結晶表面２６Ａは負に帯電する
。１次電子のエネルギーがＥｌとＥｌの間では、２次電
子数が１次電子数よりも多くなるので（δ〉１）、結晶
表面２６Ａは正に帯電する。 書込み、消去の方法は周知であるが、第２図及び第３図
により正電荷像を例にとって説明する。 なお、第１クロスオーバー点Ｅ１は電気光学結晶板２６
の表面２６Ａの物性で決まり、第２クロスオーバー点Ｅ
２は２次電子捕集用メツシュ電極２４に印加する電圧Ｖ
ｃで決まる。 結晶背面電圧Ｖｂを第２クロスオーバー点Ｅ２に相当す
る電位より高く設定すると、表面２６Ａにおける結晶表
面電位Ｖｓは、入射する１次電子のエネルギーがＥ２以
上あるので２次電子放出比δ〈１となり、表面電位がＥ
ｌに達するまで負電荷が蓄積される。電位がＥｌに達す
るとδ−１となって平衡状態になり、且つ表面２６Ａの
帯電は零となる。 結晶背面電圧Ｖｂを第１クロスオーバー点Ｅ。 と第２クロスオーバー点Ｅ２との間でダイナミックレン
ジが十分にとれる電圧Ｅ′に設定すると、このとき結晶
表面電位ＶｓもほぼＥ′となるから、入射する１次電子
のエネルギーはＥｌとＥｌの間である。従って２次電子
放出比δ〉１となるから正電荷像が形成される。電位が
Ｅｌに達するとδ−１となって平衡状態になり、且つ表
面２６Ａの一帯電は零となる。放出された２次電子はＶ
ｓよりも高い電位ＶＣにある２次電子捕東電極に捕集さ
れる。 次に、実時間閾値動作機能（ハードクリップ動作）につ
いて説明する。 空間光変調装置１０は、第２図に示すＶｃ及び結晶背面
電圧の設定条件により、実時間閾値動作を実行させるこ
とができる。メツシュ電極２４は結晶表面の近傍に設け
られており、これを所定の電位に設定すると、結晶表面
に十分な電子が供給されている場合には結晶表面電位Ｖ
ｓはメツシュ電極２４の電位ＶＣとなり、この電位が第
２クロスオーバー点Ｅ２となる。 即ち、結晶表面電位Ｖｓがメツシュ電極２４よりも高い
（第２図ＶｂＨの場合：消去）と結晶表面から放出され
る２次電子が入射電子より少ないため結晶表面の電位は
下降し、逆に結晶表面電位Ｖｓがメツシュ電極電位Ｖｃ
よりも低い（第２図ｖｂｗの場合ニー込）と２次電子が
入射電子よりも多くなって結晶表面電位Ｖｓが上がり、
結局、結晶表面電位Ｖｓがメツシュ電極電位ＶＣに等し
くなったところで電位は一定となる。つまり、入射光量
が十分ある場合には、メツシュ電位Ｖｃと、結晶表面電
位Ｖｂは常に同電位となる。 例えばＶｃ＝１．１ （ＫＶ）、Ｖｂ−１，０〜２．７
（ＫＶ）（：閾値モード）とすると、第３図のように電
気光学結晶２６の表面２６Ａは負電位（−０，６ＫＶ）
となり電子が到達しなくなる（ロックアウト状態）。 しかし、制ｍ装置３６により、Ｖｂをゆっくりと下げて
いくと、入射する光の強度が大きくて多量の電子が供給
される部分では電子が結晶表面に供給され、２次電子放
出が大きくなって負電位とならず、入射する光の強度が
小さくて、供給される電子の量が少ない部分では電位降
下に電子の供給が追いつかず、そのため結晶表面が負電
位となって電子が結晶表面に到達しなくなる。 従って、光電陰極２０に入射する光の強度に対応して結
晶表面が負電位となって書込みが行われない部分と、結
晶表面に電子が到達し、表面が負電位とならずに書込み
が行われる部分とができ、その結果、入射する光の強度
により閾値操作が実行されることになる。 このハードクリップモードにおいてＶの値を変化させ、
且つ、ＶｂをＶｃに対応して変化させることによって可
変γモードが得られる。しかしＶＣとＶｂの電位差はそ
の電位差と電気光学結晶板２６の厚さに起因する自然複
屈折性によって制限される。即ち、Ｖｂｗ〜ＶｂＥの電
圧とＶｃの電圧の相対関係が電気光学結晶の厚さによっ
てしまう。 他方、前記結晶の厚さを本装置で用いる読み出し用レー
ザ光の波長のオーダーで揃えるということは困難である
ため、個々の空間光変調装置ｆ（ＳＬＭ）によって、Ｖ
Ｃ％ Ｖ ｂの設定電圧が変わってしまうことになる
。 例えば単位をｋＶとしてＶｃ＝１．９、Ｖ、−０，４〜
２．２でノーマルモードで動作するＳＬＭにおいては、
ＶｃはＶｂの低い方の電圧（正電荷像書き込みにおいて
は書き込み電圧〉がＯになるまでしか下げられない。即
ち、Ｖ ｃ −１、５、Ｖｂ＝Ｏ〜１．８というのがＶ
Ｃの最小電圧になってしまう。この条件ではγはほとん
どノーマルモードの２に近い値しかとれない。 この実施例では、位相補償用の平行板としてＬｉＮｔｌ
ｏｓのような複屈折性結晶平行板３４を用い、制御装置
３６によりその両面に電圧を供給することによって、そ
の結晶の複屈折率Δｎを変えることによりＳＬＭの複屈
性を補償し、Ｖｃ−１゜１、Ｖｂ＝１．０〜２．８のよ
うに設定する。主に、結晶の自然複屈折性より決定され
ていたＶｃとＶｂの電位差の関係が、複屈折性結晶平行
板３４に両面にかかる電圧制御によって変化するのでこ
のような設定が可能となる。この設定によれば、Ｖｃ＝
０．１の時、Ｖｂ＝Ｏ〜１．８となるノテ、Ｖｃは０．
１ｋＶまで下げ得ることになる。 又、第４図に示されるように、前記のように位相補償用
結晶の両面に電圧を加える代わりに結晶を回転させるこ
とによって実効的に読み出した光に対して結晶の厚さを
変え、ｄΔｎ （ｄ ：実効的結晶厚）に相当する位
相差を与えるようにしてもよい。 第４図の符号３８は複屈折性結晶平行板３４のホルダー
４０はこのホルダー３８を、複屈折性結晶平行板３４
の面と平行な軸を中心として、該ホルダー３８を回転さ
せるためのステッピングモーター、４２はホルダー３８
に対して、複屈折性結晶平行板３４をその面内で回転さ
せるためのステッピングモーター、をそれぞれ示す。
ケールで画像処理をすることができないという問題点が
あった。 この発明は上記従来の問題点に化みてなされたものであ
って、入出力特性の任意の選択が可能であり、従って任
意のグレ・−スケールで画像処理ができるようにした空
間光変調装置を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段１ この発明は、電子像発生手段と電気光学結晶板とを備え
、その間に前記電気光学結晶板への電荷像形成を妨げな
いように２次電子捕集電極がおかれた空間光変調器と、
前記電気光学結晶板に、前記２次電子捕集電極と反対側
から読み出し光を入射し、前記電気光学結晶板の光学的
変化を読み出すための光源と、この光源と前記電気光学
結晶板の間に配置されたく前述の自然複屈折による位相
差を利用できる電圧の設定範囲を広げるための）複屈折
性可変の複屈折性結晶板と、前記空間光変調器の求める
入出力特性に応じて、前記２次電子捕集電極の電圧及び
前記電気光学結晶板の背面電極にかける電圧を変え、そ
れに連動して前記複屈折性結晶板の複屈折性を制御する
制御装置と、を有して、空間光変調装置を構成すること
により上記目的を達成するものである。 又、この発明は、前記複屈折性結晶板の制御ｌ装置を、
該複屈折性結晶板への印加電圧を変えるものとすること
により上記目的を達成するものである。 又、この発明は、前記複屈折性結晶板の制御装置を、該
複屈折性結晶板に、その面内回転、又は面に平行な軸を
中心とする回転を与えるものとすることにより上記目的
を達成するものである。 更に又、この発明は、前記制ａ装置を、前記２次電子捕
集電極の電圧変化に応じて、前記電気光学結晶板の背面
電圧をランプ状に変化させるものとすることにより上記
目的を達成するものである。 【作用及び効果】 この発明は、空間光変調装置のハードクリップモードに
おいて、空間光変調器における電気光学結晶板の前面に
配置された２次電子捕集電極の電圧を、空間光変調装置
の求める入出力特性に応じ且つ、電気光学結晶板の厚さ
に起因する自然複屈折性によって限定されてしまう２次
電子捕集電極に印加する電圧と結晶背面電圧の設定値と
設定電位差を、位相補償板である複屈折性結晶板の実質
的複屈折性を変化させることによって、自在に選択でき
るものとし、これによりハードクリップモードにおける
入出力特性を任意に選べることができ、従って、任意の
グレースケールで画像処理をすることができるという優
れた効果を有する。 又、レーザ光のみでなく、インコヒーレントな光での読
み出しも可能となるため、インコヒーレントな出力での
特性を任意に変化させることができるという優れた効果
を有する。 【実施例１ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 第１図は本発明による空間光変調器＠１０の構成と動作
を説明するための図で、１２は入力像、１４はレンズ、
１６は空間光変調器、２０．２２．２４及び２６は空間
光変調器１６における光電陰極、マイクロチャンネルプ
レート、２次電子捕集用メツシュ電極及び電気光学結晶
板、２６Ａは電荷蓄積機能及び２次電子を放出する機能
を有する表面、２８はハーフミラ−１３０は偏光方向が
うンダムでない（偏光方向が直線、円又は楕円偏光に調
整されている）読出し光、３２は検光子、３４は電気光
学結晶板２６とハーフミラ−２８との間に配置された、
位相補償板としての複屈折性結晶平行板、１２Ａは出力
像である。 又、前記光電陰極２０、マイクロチャネルプレート２２
．２次電子捕集用メツシュ電極２４、電気光学結晶板２
６及び複屈折性結晶平行板３４には、制御装置３６から
電圧が印加されるようになっている。 図において、空間光変調装置１０の光電陰極２０にレン
ズ１４を介して投影した入力像１２は光電子像に変換さ
れる。この光電子像はマイクロチャンネルプレート２２
で増倍された後、電気光学結晶板２６の表面２６Ａに電
荷パターンを形成する。その電荷パターンに応じて電気
光学結晶板２６を横切る電界が変化し、ポッケルス効果
によって電気光学結晶板２６の屈折率が変化する。 ここで、直線偏光の読出し光３０を電気光学結晶板２６
に一様に照射すると、表面２６Ａからの反射光は、電気
光学結晶板２６の複屈折性により偏光状態が変化してい
るので、検光子３２を通過させれば、入力像１２の光強
度に対応した光強度をもつ出力像１２Ａが得られる。 次にこのような空間光変調装置［１０について、本発明
と関連する主要な機能を説明する。 空間光変調装置１０は電気光学結晶板２６の表面２６Ａ
に正又は負の電荷分布を選択的に形成することができる
。第２図は電気光学結晶板２６の２次電子放出特性を示
すグラフである。ここで、電気光学結晶板２６の表面２
６Ａと反対側の背面には電極（導電面）が形成されてい
て、−様に電圧Ｖｂを加えることができる。 図に示すように表面２６Ａへ入射する１次電子エネルギ
ーＥが第１クロスオーバー点Ｅ１よりも小さいか、又は
第２クロスオーバー点Ｅ２より大きい場合には、１次電
子数が、結晶表面２６Ａで放出される２次電子数よりも
大きいので（δ〈１）、結晶表面２６Ａは負に帯電する
。１次電子のエネルギーがＥｌとＥｌの間では、２次電
子数が１次電子数よりも多くなるので（δ〉１）、結晶
表面２６Ａは正に帯電する。 書込み、消去の方法は周知であるが、第２図及び第３図
により正電荷像を例にとって説明する。 なお、第１クロスオーバー点Ｅ１は電気光学結晶板２６
の表面２６Ａの物性で決まり、第２クロスオーバー点Ｅ
２は２次電子捕集用メツシュ電極２４に印加する電圧Ｖ
ｃで決まる。 結晶背面電圧Ｖｂを第２クロスオーバー点Ｅ２に相当す
る電位より高く設定すると、表面２６Ａにおける結晶表
面電位Ｖｓは、入射する１次電子のエネルギーがＥ２以
上あるので２次電子放出比δ〈１となり、表面電位がＥ
ｌに達するまで負電荷が蓄積される。電位がＥｌに達す
るとδ−１となって平衡状態になり、且つ表面２６Ａの
帯電は零となる。 結晶背面電圧Ｖｂを第１クロスオーバー点Ｅ。 と第２クロスオーバー点Ｅ２との間でダイナミックレン
ジが十分にとれる電圧Ｅ′に設定すると、このとき結晶
表面電位ＶｓもほぼＥ′となるから、入射する１次電子
のエネルギーはＥｌとＥｌの間である。従って２次電子
放出比δ〉１となるから正電荷像が形成される。電位が
Ｅｌに達するとδ−１となって平衡状態になり、且つ表
面２６Ａの一帯電は零となる。放出された２次電子はＶ
ｓよりも高い電位ＶＣにある２次電子捕東電極に捕集さ
れる。 次に、実時間閾値動作機能（ハードクリップ動作）につ
いて説明する。 空間光変調装置１０は、第２図に示すＶｃ及び結晶背面
電圧の設定条件により、実時間閾値動作を実行させるこ
とができる。メツシュ電極２４は結晶表面の近傍に設け
られており、これを所定の電位に設定すると、結晶表面
に十分な電子が供給されている場合には結晶表面電位Ｖ
ｓはメツシュ電極２４の電位ＶＣとなり、この電位が第
２クロスオーバー点Ｅ２となる。 即ち、結晶表面電位Ｖｓがメツシュ電極２４よりも高い
（第２図ＶｂＨの場合：消去）と結晶表面から放出され
る２次電子が入射電子より少ないため結晶表面の電位は
下降し、逆に結晶表面電位Ｖｓがメツシュ電極電位Ｖｃ
よりも低い（第２図ｖｂｗの場合ニー込）と２次電子が
入射電子よりも多くなって結晶表面電位Ｖｓが上がり、
結局、結晶表面電位Ｖｓがメツシュ電極電位ＶＣに等し
くなったところで電位は一定となる。つまり、入射光量
が十分ある場合には、メツシュ電位Ｖｃと、結晶表面電
位Ｖｂは常に同電位となる。 例えばＶｃ＝１．１ （ＫＶ）、Ｖｂ−１，０〜２．７
（ＫＶ）（：閾値モード）とすると、第３図のように電
気光学結晶２６の表面２６Ａは負電位（−０，６ＫＶ）
となり電子が到達しなくなる（ロックアウト状態）。 しかし、制ｍ装置３６により、Ｖｂをゆっくりと下げて
いくと、入射する光の強度が大きくて多量の電子が供給
される部分では電子が結晶表面に供給され、２次電子放
出が大きくなって負電位とならず、入射する光の強度が
小さくて、供給される電子の量が少ない部分では電位降
下に電子の供給が追いつかず、そのため結晶表面が負電
位となって電子が結晶表面に到達しなくなる。 従って、光電陰極２０に入射する光の強度に対応して結
晶表面が負電位となって書込みが行われない部分と、結
晶表面に電子が到達し、表面が負電位とならずに書込み
が行われる部分とができ、その結果、入射する光の強度
により閾値操作が実行されることになる。 このハードクリップモードにおいてＶの値を変化させ、
且つ、ＶｂをＶｃに対応して変化させることによって可
変γモードが得られる。しかしＶＣとＶｂの電位差はそ
の電位差と電気光学結晶板２６の厚さに起因する自然複
屈折性によって制限される。即ち、Ｖｂｗ〜ＶｂＥの電
圧とＶｃの電圧の相対関係が電気光学結晶の厚さによっ
てしまう。 他方、前記結晶の厚さを本装置で用いる読み出し用レー
ザ光の波長のオーダーで揃えるということは困難である
ため、個々の空間光変調装置ｆ（ＳＬＭ）によって、Ｖ
Ｃ％ Ｖ ｂの設定電圧が変わってしまうことになる
。 例えば単位をｋＶとしてＶｃ＝１．９、Ｖ、−０，４〜
２．２でノーマルモードで動作するＳＬＭにおいては、
ＶｃはＶｂの低い方の電圧（正電荷像書き込みにおいて
は書き込み電圧〉がＯになるまでしか下げられない。即
ち、Ｖ ｃ −１、５、Ｖｂ＝Ｏ〜１．８というのがＶ
Ｃの最小電圧になってしまう。この条件ではγはほとん
どノーマルモードの２に近い値しかとれない。 この実施例では、位相補償用の平行板としてＬｉＮｔｌ
ｏｓのような複屈折性結晶平行板３４を用い、制御装置
３６によりその両面に電圧を供給することによって、そ
の結晶の複屈折率Δｎを変えることによりＳＬＭの複屈
性を補償し、Ｖｃ−１゜１、Ｖｂ＝１．０〜２．８のよ
うに設定する。主に、結晶の自然複屈折性より決定され
ていたＶｃとＶｂの電位差の関係が、複屈折性結晶平行
板３４に両面にかかる電圧制御によって変化するのでこ
のような設定が可能となる。この設定によれば、Ｖｃ＝
０．１の時、Ｖｂ＝Ｏ〜１．８となるノテ、Ｖｃは０．
１ｋＶまで下げ得ることになる。 又、第４図に示されるように、前記のように位相補償用
結晶の両面に電圧を加える代わりに結晶を回転させるこ
とによって実効的に読み出した光に対して結晶の厚さを
変え、ｄΔｎ （ｄ ：実効的結晶厚）に相当する位
相差を与えるようにしてもよい。 第４図の符号３８は複屈折性結晶平行板３４のホルダー
４０はこのホルダー３８を、複屈折性結晶平行板３４
の面と平行な軸を中心として、該ホルダー３８を回転さ
せるためのステッピングモーター、４２はホルダー３８
に対して、複屈折性結晶平行板３４をその面内で回転さ
せるためのステッピングモーター、をそれぞれ示す。
第１図は、本発明に係る空間光変調装置の基本的構成及
び作用を示すための略示断面図、第２図は、空間光変調
装置におけるＮ気光学結晶板の電荷蓄積面へ入射する１
次電子エネルギーＥと、２次電子放出比との関係を示す
線図、第３図は、空間光変調装置における消去及び書込
みの関係を示すブロック図、第４図は、同空間光変調装
置の複屈折性結晶板を回転させるための制ｍ装置を示す
正面図である。 １０・・・空間光変ｖＡ装置、 １６・・・空間光変調器、 ２０・・・光電陰極、 ２２・・・マイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）２４
・・・メツシュ電極（２次電子捕集電極）、２６・・・
電気光学結晶板、 ２６Ａ・・・表面、 ３４・・・複屈折性結晶平行板、 ３６・・・制御装置、 ３８・・・ホルダー
び作用を示すための略示断面図、第２図は、空間光変調
装置におけるＮ気光学結晶板の電荷蓄積面へ入射する１
次電子エネルギーＥと、２次電子放出比との関係を示す
線図、第３図は、空間光変調装置における消去及び書込
みの関係を示すブロック図、第４図は、同空間光変調装
置の複屈折性結晶板を回転させるための制ｍ装置を示す
正面図である。 １０・・・空間光変ｖＡ装置、 １６・・・空間光変調器、 ２０・・・光電陰極、 ２２・・・マイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）２４
・・・メツシュ電極（２次電子捕集電極）、２６・・・
電気光学結晶板、 ２６Ａ・・・表面、 ３４・・・複屈折性結晶平行板、 ３６・・・制御装置、 ３８・・・ホルダー
Claims (4)
- （１）電子像発生手段と電気光学結晶板とを備え、その
間に前記電気光学結晶板への電荷像形成を妨げないよう
に２次電子捕集電極がおかれた空間光変調器と、前記電
気光学結晶板に、前記２次電子捕集電極と反対側から読
み出し光を入射し、前記電気光学結晶板の光学的変化を
読み出すための光源と、この光源と前記電気光学結晶板
の間に配置された複屈折性可変の複屈折性結晶板と、前
記空間光変調器の求める入出力特性に応じて、前記２次
電子捕集電極の電圧及び前記電気光学結晶板の背面電極
にかける電圧を変え、それに連動して前記複屈折性結晶
板の複屈折性を制御する制御装置と、を有してなる空間
光変調装置。 - （２）請求項１において、前記複屈折性結晶板の制御装
置は、該複屈折性結晶板への印加電圧を変えるものであ
ることを特徴とする空間光変調装置。 - （３）請求項２において、前記複屈折性結晶板の制御装
置は、該複屈折性結晶板に、その面内回転、又は、面に
平行な軸を中心とする回転を与えるものであることを特
徴とする空間光変調装置。 - （４）請求項１、２又は３において、前記制御装置は、
前記２次電子捕集電極の電圧変化に応じて、前記電気光
学結晶板の背面電圧をランプ状に変化させるものである
ことを特徴とする空間光変調装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15942490A JPH0451017A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 空間光変調装置 |
| US07/682,260 US5170281A (en) | 1990-04-09 | 1991-04-08 | Spatial light modulation device capable of arbitrarily selecting an input/output characteristic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15942490A JPH0451017A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 空間光変調装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451017A true JPH0451017A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15693444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15942490A Pending JPH0451017A (ja) | 1990-04-09 | 1990-06-18 | 空間光変調装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451017A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258110A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Yazaki Corp | プロテクタ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61249018A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調装置 |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP15942490A patent/JPH0451017A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61249018A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258110A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Yazaki Corp | プロテクタ |
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