JPH04500173A - 薄層の製法およびその装置 - Google Patents
薄層の製法およびその装置Info
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- JPH04500173A JPH04500173A JP1509424A JP50942489A JPH04500173A JP H04500173 A JPH04500173 A JP H04500173A JP 1509424 A JP1509424 A JP 1509424A JP 50942489 A JP50942489 A JP 50942489A JP H04500173 A JPH04500173 A JP H04500173A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
薄層の製法およびその装置
本発明は、支持体上に少なくとも1種の両親媒性化合物の薄層を製造する方法お
よび装置に関する。本発明の方法では、境界層を流体と極性液体との界面で製造
し、そしてこれらを流れによって圧縮する。圧縮された境界層は、ラングミュア
−プロジェット法によって固体支持体に移す。
分子の種類および固体支持体を貫通させるときの表面フィルムの圧縮状態によっ
て、フィルムをこの支持体上に移動することができるようにして1両親媒性分子
の液体表面上に拡がった不溶性層を、いわゆる押込め遮断壁(プッシュノくリア
ー)によって機械的に圧縮することができることは知ら九てし)る。特i=、こ
のようなことが可能な多重被覆は、いわゆるラングミュア−プロジェット法とし
て公知であり、目下、様々な用途に大きな関心が寄せられてLする。
この方法では、多くの場合、化合物を揮発性有機溶剤に溶解する。この溶液を極
性液体(たいていは水)の表面に分布させ[[拡げる」(apread)]、そ
して溶剤を蒸発させる9層の移動に必要な高圧縮状態は、不溶性分子の場合ムこ
のみ遮断壁を移動することによって得ることができる。従って、ラングミュア−
プロジェット法は、液体相に不溶性の化合物に限定されるものである。
層の移動を連続的に行なうことは、この場合、前記の拡張(spreading
)も連続的に行なわなければならないので、極めて複雑である。機械的な「ロー
ラー法」を用いた連続ラングミュア−プロジェット法につし1て1よ、1983
年にA、ノくラウド(Barraud)等によって説明されている(4い固体フ
ィルム、−9J−122」)。
液体相に可溶性の両親媒性分子の層は、脱着の結果、二次相1こ「逃れて17ま
う」ので、ラングミュア−摺における運営の機械的圧縮で移すこと6士できチ・
Iz m従って1本発明の目的は、二次相に可溶性の両親媒性分子であっても7
、−の方法によって表面上で圧縮し、移動することができ゛る方法を提供するこ
とである。
さらに本発明の目的は、可溶性および不溶性両親媒性分子を二次相の表面上で連
続的に濃縮し、そして圧縮することができ、その結果、移動が可能となる方法を
提供することである。
本発明の方法でこの目的は達成される8本発明は、少なくとも1種の両親媒性化
合物の薄層を支持体上に製造することに関し、両親媒性化合物の分子の少なくと
も部分的に配向した層を圧縮し、そして必要ならば(不溶性化合物の場合)流体
と極性液体との界面で拡げ、そして層が固体支持体に移動するように、支持体を
相に貫通させるものである。この方法は、はぼ水平に位置する溝に、溶液の形で
または表面に拡がった状態の不溶性分子として両親媒性分子を含有する極性液体
の指向性の流れを形成し6流体/極性液体界面で溝に水平に配置した遮断壁で流
れをせき止め、流速および、必要ならば、両親媒性分子の濃度を1両親媒性分子
の層が流体/極性液体相境界にある遮断壁の前で圧縮さ、れることによって連続
的に形成されるように選び、支持体をこの圧縮帯域に貫通させることよりなるも
のである。
層自体の移動は、ラングミュア−ブロジェットの不連続法に従う公知の方法を用
いた本発明の方法で行なうことができる。互いの上に何層も重なったものは、被
覆を行なう支持体の浸漬および引き抜きを繰り返すことによって製造することが
できる。たいていの場合、二重の層がここで移される(浸漬および取り出し。
)、シかしながら、連続移動も可能である。例えば、ポリエステルワイヤーまた
はポリエステルフィルムは、硬質の境界層がまだ存在しない位置の極性液体に均
一な速度で浸し、ローラーで偏向し、そし゛C硬質の境界層の位置で再び液体か
ら引き抜くことができる。このようにして、両親媒性分子の拳分子層を支持体に
連続的に塗布する1両親媒性分子は、イオン性または非イオン性、低分子または
高分子のものでもよい。
支持体に初めに施装れる’flNは単分子フィルムである。しかしながら、プロ
セスを繰り返すことによって、何層も互いの上に重ねて塗布することができる。
LB法におけるように、純粋な両親媒性化合物のフィルムまたは両親媒性化合物
の混合物からなるフィルムを、支持体に移すことができる。
用いる流体は、ガスまたは極性液体に不溶性の非極性液体である。2種の液体相
を用いる場合、極性液体は上方の相にもあるいは下方の相にもなりうる(例えば
、両親媒性化合物としてのセファリンを含有するトルエン/水の界面)。非極性
液体も、指向性の流れに関係する。
両親媒性化合物は可溶性のものでも不溶性のものでもよい、[可溶性JAm媒性
分子とは、ヘキサデカン酸の水への溶解度よりも高い極性液体への溶解度を有す
る分子であると考えるのが好ましい、溶解度が非常に高い場合5例えば#酸の場
合、高度に圧縮された層はもはやm遣されない。しかしながら、NIIな要件も
満たす層は、それにもかかわらず製造および移動することができる0分子の溶解
度が、水へのヘキサン酸の溶解度より低ければ、すぐれた層をなお製造すること
ができる。
可溶性両親媒性分子の場合、二次層に再溶解する分子と流れによって連続的に再
供給される分子との間に、安定し、九平衡が確立されるい遮断壁は、基本的には
フィルムを遁ぶ流れの界面のみをせき止めるように配置するのが好ましい。七輪
は、この方法では、流れを特に十分に制限することが可能であるからである。非
極性液体を遮断壁の上からあふれさせてはいけない。
溝の中の流れは乱流でも層流でもよい、しかしながら、少なくとも遮断壁の直前
で層流であおば、都合がよい。このようにして、制限された流れの状態にするこ
とが可能であり、これは移動させる層を均一なものにするために重要なことであ
る。
流速の増加は、LB法における水平遮断壁による圧力の増加と同じ効果を持回溶
性両親媒性分子の場合、濃度の増加も界面圧、すなわち圧縮を増加する二両親媒
性化合物が極性液体に不溶性である場合、分子は溶剤溶液の形で加え。
次にこの溶液を極性液体表面上に分布させる(拡げる)、この溶液は遮断壁のす
ぐ後(全体流路のほぼ10%以下)に供給するのが都合がよい、その理由は、そ
うすると、たいていの場合、表面に両親媒性分子の均一な分布が得られるからで
ある。不溶性両親媒性分子物を拡げる際、揮発性有機溶剤を使用するとよい、こ
うすることによって、流速および溝の長さによって、拡げる位置から遮断壁の前
のせき止める位置までの流路で、揮発性溶剤が完全に蒸発するからである。蒸発
は、キャリヤーガスを送ることによって促進することができる。
両親媒性化合物が極性液体に可溶性である場合、この化合物を添加する位置およ
び方法は限定されない。均一な両親媒性分子の境界層は、流路で(流れの方向に
)形成される。これは、遮断壁の前端で最小どなる界面張力が着実に減少するこ
とで分かる。しかしながら、この場合、濃度の有用な範囲は、両親媒性化合物の
吸着特性によって著し、く変わる。
極性液体の流速の増加It、背圧を高めそL2て硬質で移動可能な層の形成を促
進する。同じ背圧、せき止め部の長さくせきの前の溝の線状部)および濃度の増
加を設定するには、低速である必要がある。
流入を形成する溝の断面は、限定されない0例えば、U型またはO型断面を用い
るごどができる。加工上の理由から、長方形の断面が好ま[7い。
遮断壁が線状構造物であり、流れの方向に対して垂直に配置されており、そし2
て溝の幅全体を塞いでいない楊6、硬質フィルムは比較的短い帯域に沿−っての
み形成される。遮断壁は溝の幅全体?塞ぐものがよい、しかしながら5遮断壁が
τ〕型または0型フレームの部材である場合、その開口は、流体/極性液体界面
上の流入の方向に向けてWIX置するのが特に好ましい、こうすることによって
、周囲の干渉効撃が少なくなる。○型フレームは通常7長方形の形のものが採用
される(UfAlaの13を参照)。これは水溶性の両親媒性分子の場合に用い
るのが遡している。
最も単純な場合で;太、液流?一度だけ用いることが可能である4、し、かじな
がら、遮断壁の後の極性液体を集め、こオシド・戻し7(特に連続的に)(シて
層の形成に再び用いることは、経済的に有用なことである。極性液体は溝の下方
力は溝の横に戻すのが最もよい。
R,71”レニソク(Ollenik)、1;よびW、ニック−r−(Nits
eh)はBunqenges、 PhysC石1.85 (1,g+31)、第
901百で、2種の相互不混和性液体の溝の流入は、端でせき止めることができ
、そし、てこのような条件■で、両親媒性化合物の硬質の界面層を、2種の液体
の界面で形成することができる、と述ハニでいる。上記の装置では、流れCいる
液相の1種を硬質の界面層上に戻すので、支持体は。
空間的理由で、外側から溝の流れに浸t″′とはできない。さらに、観察された
界面層な固体支持体に移動しうろことについては、記載がない。 ゛本発明の方
法では、1種の液体相だけを用いる場合、すなわち、流体がガス(特に空気)で
ある場合、特に容易に実施することができる。
しかしながら、流体が、極性液体と同じ方向で溝を流入る非極性液体である場合
も可能である。この場合、遮断壁の後で非極性液体を集め、これを溝の下または
横に戻す(特に連続的に)のがまた適している。非極性液体を流れる相として用
いる場合2両親媒性分子は非極性液体溶液として系に加えることもできる。
極性液体は水性相1例えば塩水溶液または水であるのが有利である1本発明の特
に有利な具体例では、極性液体は水であり、加える両親媒性化合物は水溶性化合
物、例えば炭素原子数4−14のペルフルオロアルカンカルボン酸、′または水
溶性の酵素である。拡げるのに有機溶剤を必要としないので、変性のおそれはな
い、
圧縮帯域から形成されたフィルムを取り出す速度が、この帯域にフィルムが再形
成される速度より速くならないように、ゆっくりと支持体を圧縮帯域に浸さなけ
ればならない。こハは、極性液体に可溶性の両親媒性化合物を用いた場合に特に
当てはまる。
硬質界面層の形成は、ウイルヘルミー秤で背圧を測定するかあるいはタルク粒子
を流れている液体表面上にまき散らす予備試験を行なうことによって知ることが
できる(系:ガス/極性液体)。せき止めた層および実験の間のその長さの増加
も、窯の底の光のバンドで知ることができる。上から照らずと、この?F城は溝
へ流入する部分よりも暗く見える。
界面の背圧(定義:両親媒性化合物で覆われていない界面の界面張力と覆われた
表面の界面張力との差)は流れの方向と共に増加し、せき止めた部分で最大にな
る。
可溶作画s、媒性分子の層を界面で製造し、これを支持体に移す本発明の方法は
有用である。不溶性両親媒性分子の一般的な単分子フィルムの場合、連続的に層
を形成することができる。
固体支持体に両親媒性化合物の虫分子層を被覆する本発明の装置は、下記の基本
的なm成部材からなる:
1、 液体が流i′Lろはぼ水平に配置した流路(溝)。
2、表面の流れをセ゛き止めるための、相の@界で溝の中に配置した遮断壁、
3、il体の流わ、釈形成する装置、および・1゜ 支持体の溝へのゆ−)くり
l−、た、1漬および遮断壁の近くでの味う1への1室は着面レベルと調整rる
ために勾配にイjする; こ九は用いる溝に対し5“C10°μ干であろ(ハが
好.シしい,圧縮さJまた,流れt・、ただJを傾けることによっC形1’)f
.’l;’Sことが看きる1.濤5すdこボン:r.f)’Jえば循唄ポンプか
あり1、゛冶5は集めた液流を9苫の,′(1発点本−g′il−、 ’,:!
’1g)液体相が流れる埒.1′、少右・くとも2つのボンゴが必要である。
;711最少Julシ;’!i:rへき“一つ′へa11、゛,シ1と−・、河
暁楔性1(−1′計物の表面特性、七の西度.tSよび・直球に,とつくT浚ゝ
バっる。、二の最<:) (i>優さ1i1 実験にJ、−)”C゛容易決寸(
?−る、τ,ビができる。吸11R住,真度jlよび流速が庵くなるほど、最イ
クの長さは短く,シ:◇6、溝の長さ7幅のj七け1よz1大了−あるのうス好
ま1,2く、2よミ」人rdシるのが特に好ましい。
−で・きるt=1en壁は沫体/′杼性液体界面の位とでのみ拡げ乙、′4−な
わち,こ言]、U高さをQきZ)だけ低くしなけhばノー、)らない。
!1棗1)ilの断面のものでも長方4ドの断面のもので史・よい。君市1壁は
、流れの方間に付1,て重(な春而の面に配置I、うる7IJ型またはO型の部
材である場合,水平lこ配置
【、た)L・−ムが好ましい,U型フト・−ムは可
溶性,特に不溶性両親媒性分子の場合1、゛適し,ており、0型フレーム(「窓
I)は可溶性両親.媒性分子から層を形成する楊テ21−特に適しCいる、固体
支持体の液体へのり)つくりI、また浸漬および液体からの取り出しく例えばブ
イlレムの待ちトげ)を制御す?−=装置は、■、B法からのこのような技術に
詳しい人々には公知であるヶ
ワイヤまたはリボン状の支持体は連続的に被覆することができる。このためには
、支持体を、遮!i壁の後の位置のせき止められた層に浸し,液体中の流れ方向
にさからう2つの偏向(deflection)ローラーにまず通し,遮断壁の
直前のせき止めら九でいる層領域中でほぼ垂直に上の方向に引き出す。被覆され
たリボンを巻き取る場合、移動させたフィルムが傷付くのを防止するために、円
筒形ローラーでなく.凹型の断面を有するローラー、例えば球状ローラーを使用
するのが好ましいわ
界面フィルムをl11造するための本発明のm単な装置では,llの外形は長方
形の周囲の形にほぼ相当する.遮断壁は長手方向側の角の近くに置く.この角で
、液体を溝のくぼみからくみ出す。その結果,液体レベルはこの地点では他より
低く,液体は遮断壁を岐しCそこへ流れる.くみ出された液体は幅の狭い側の角
付近で,この地点で伏し高い位置にある溝に戻す.そのため、流れは遮lIi壁
冴あふわ、て濠することになる.この場合、遮断壁のil!後に配置した回転水
車によって流、t17を作ることもできる。
支持俤(基体)を被覆するための好ましい装置では、液流をl!tl!に.戻す
2用いろ流体はガス、特に空気である.この装置は図18に透視図で示す.この
図では、フロントガラスプレートは省略しである8図1bは、図1.aのライン
Ib−I b l;′h沿って切った、上部構造を有する流路の新面を示すもの
である8図ICは、WlbのラインIc−1cに沿って切った断面を示す。
密封系で循環する極性液体相を,6枚羽根ステンレス飼プロペラー攪拌子(2)
で攪拌しまた.攪拌軸の軸受(3)は、千た、自体が水で滑らかになる目盛りの
付いたvI密ガラスであった.溝部分(1)は、ガラスはんだによって取り付け
た光学等級のガラスプレ・−トからなっていた.その木端で、溝部分(1)はス
テンレス銅フラフ,゛ジ(]1)によって、ステンレス鋼からなる偏向部(4)
および送出部(4A)のハウジングに連結させた.密封はPTFEテープで行な
った.偏向部(4)で、液体相(12)は上方に送り、そして同時に反対方向t
こ偏向させた9間仕切リブレート(5)はVAステンレス錆レシートできたもの
であった。
相の接触面(PTFEフレーム13の長方形の溝の窓6)上の水平に変位するこ
とができるステージ(18)上で、CAHN型27型置7微量天秤(マイクロメ
ーター駆動装置を有するつり上げベンチ(j.9)上に取り付けた)を、ウイル
ヘルミープレート(15)によって表面張力を測定するために取り付けた6表面
張力は他の方法で測定することもできる.フィルムリフト(7)は、直接,溝部
の上端の望ましいどの位置にも置くことが可能であった。これは支持体(14)
を浸し、取り出すために働き、特に遮断壁(13)の@(16)の前に置いた。
ここで液流(12)の表面(17)はせき止められた。CAHN微量天秤(8)
はX−YE録計(9)につないだ、この天秤は水平に変位することができた。?
1f構造物は長手方向に、フランジの付いた2枚のステンレス鋼プレート(10
)によって制限されていた。
用いた溝構造物は上記のオレニツクおよびニッシュの構造物をさらに開発したも
のである1図示の溝は、接触面で同じ方向に流れる2種の液体相を取り上げるよ
うに変更することもできる。支持体は上方から浸すので、下方の液体相のみを垂
直に戻すことができる。
本発明の別の有用な具体例では、液流を、支持体被覆装置に水平に戻す。この装
置は図2a、2bおよび2cに図示する1図28は装置の透視図である。、図2
bは図28の矢印nbから見た平面図であり、図20は2bのラインl1c−1
1cに沿って切った断面を示す。
装置は基本的には、好ましくは長方形の外側のフレーム(20)および、2つの
横のIt(22)と、実際の流路である中央の溝(23)に細別する2つの内部
間仕切り(21)からなる、流れは、液体界面(17)のレベルに水平に配置さ
れたフレーム(13)の遮断壁の端(16)でせき止められる。
軟質のリボン状物品は、遮断壁(図28の16)の左に至る比較的浅い溝(23
)に浸すことができる。しかしながら、遮断壁は変位しうるようにするのが好ま
しい、右に少し変位させると(図28)、より大きな物品を、せき止めた層を通
して室(34)に浸し入れることもできる。
中央の溝(23)の断面は、水平に!2置されたフレーム(13)の後と少なく
とも】3の率にし、この溝を緩和室(34)に導くのが有利である。この室は流
れの方向に0間仕切り(30)によってt!ll1J!されている。液体相を排
出するための少なくとも1つの管(26)が、室(34)に接続している。排出
は多数の管を通して行なわれるのが好ましい。幅の広いガラスフリフトによって
、渦を形成することなく単位面積当たりの排出を均一に行なうことができる。
排出管(26)は少なくとも1・つのポンプ(24)および、必要ならば流量計
に接続している。ロタメーター(27)は流量計として使用することができる。
制御バルブ(28)は、排出速度を制御するために備える。
ポンプ(24)および少なくとも1つの管(25)を経て、液体相は1つまたは
2つの側IF(22)に進み、そこから中央のIt(23)の横に戻り、この前
部に流れていくことができる。
流入管(25)は室(34)内で終わらず、壁(3o)の前で終わる0図示され
ている装置では、液体は壁(30)の後に突き当たる。同様に、管を2つの部分
に分けて2これらの部分を出発点(図28の右端)の側溝(22)に導くことも
可能である。
装置が働くには、単一の側W(22)のみでよい。2つの側溝があれば好ましい
。
2つの側It(22)を中央の溝(23)に対して対称的に配置すると、有利で
ある。
中央溝の液体が流れる断面が、側溝のそれより著しく小さいと有利である。これ
に伴って流速が速くなると、圧縮と、遮断壁の領域におけるせき止められた層の
形成とに好ましい影響を及ぼす、中央溝の断面は、水平に配置されたフレーム(
13)の出発点付近の帯域に沿って次第に狭くなっていくと5有利である。f[
単に言うと、これは、すなわち流動学的に改良された、くさび型の先細物体(2
9)によってまたはSg!に丸くなったくさび形のものによって得られ、こ九は
長くともフレーム(13)の端まで延ばす。このくさびの狭い側は緩和室(34
)に面する。
g!i溝から中央If(23)に流する液体のかたよりがbずかな渦と共1こ生
じるときが、有利である。このために、内部間仕切り(21)の端を丸くしたり
または尖らせてもよい、流九が止まる角度を形成する。長方形の内部の角のガセ
ットは、ふさがなければならない(36)、また、溝の出発煮近くの長方形フレ
ーム(20)の短い側の真中で、はぼくさび型の偏向物体(35)が確実に、2
つの側溝の流tをわずかな渦と共に合流させると、好都合である。
長方形の外側のフレーム(20)の内寸の長さ/@の比は、少なくとも2:1で
あるのが好ましい。
装置は主にPTFEで作ることができる。
間仕切り(38)によって流れの部分(中央溝と側溝)から分離した溝ベイスフ
の別の部分(37)は、液体レベルを調整するために働かせると都合がよい。
ベイスフのこの部分には、液体相の対流はない、これは、小さなオリフィス(3
1)によって側溝に接続している。液体レベルは、実験が長時間の場合であって
も、液体貯蔵槽(32)に接続している調整可能な光電池によフて、一定に保つ
ことができる。
上述のように、可溶性両親媒性化合物を二次相に用いることもできる。またここ
で興味深いことは、従来のLB法では移動することができない両親媒性化合物5
例えばペルフルオロデカン酸のような、炭素原子数4−14=特jm、 6−1
4のペルフルオロアルカンカルボン酸、を使用することができることである。
従って2本発明はまた、両親媒性化合物が従来のラングミュアーブロジェッ1−
法によって移すことができないものである。支持体上の両親媒性化合物の少なく
とも1つの配向相からなる層成分に関する。
この場合、水への溶解度が18℃で0.001−100g/lの両親媒性化合物
が好ましい、溶解度がこれより高いと、必要な背圧にすることがやっとであり、
溶解度がこれより低いと、おそら<LB法がまた適したものとなるであろう。
水溶性両親媒性化合物を空気/水相境界で濃縮すると、表面張力が減少する。
適したものにするには、著しく減少するのが都合がよい。従って、これらの両親
媒性化合物で好ましいのは、どのような割合でも水に混和しない、そしてその飽
国、特に好ましくは高くて40ダイン/工の表面張力を有する化合物である。
従来のLB法では、水溶性両親媒性化合物は圧縮下で二次相に逃れる(脱着する
)傾向があり、その結果、移動に必要な表面圧にすることが不可能であった。
このことは、遮断壁をさらに前方に押さないと圧縮で得られる最大表面圧が急速
に減少することを明らかにしている。従って、表面圧が5分以内に10%以上低
下した場合1両親媒性化合物はLB法によって移すことができない。しかしなが
ら、このような制限は本発明には適用されない。
多数の単分子層を有する層システムをつくるのは1両親媒性化合物が移動温度で
固体のもの、特に融点が50℃より上のものが好都合である。
ドイツ特許第3.!321474号には、ペルフルオロアルキル基を有する脂肪
族化合物、例えばフルオロカルボン酸を水の上に拡げ、モして3価の陽イオンを
存在させるだけでLE法によって移しうろことが記載されている。このようにし
て移した層は3価の陽イオンを含有する。
こ九に対して、本発明の方法では、安定化する2価および3価陽イオンを含まな
いペルフルオロカルボン酸の層システムを製造することが可能である。しかしな
がら、ペルフルオロカルボン酸のCd”またはMg”のような2価陽イオンとの
塩の層も製造し、移すことができる6本発明の方法で製造した層は、多くの目的
に使用することができる3例えば、移動成分は酵素(カタラーゼ)でもよく、こ
の酵素の層はバイオセンサーまたはバイオ触媒の活性層の製造に用いることがで
きる。
さらに、不飽和基を有する両親媒性化合物を支持体に施し1次いでこれを支持体
上で重合する(例えば光の作用によって)ことができる。
本発明の方法によって、半導体の被覆、フィルムまたは布の仕上げおよび被覆用
基板の製造が可能である。
本発明を以下の実施例によってさらに詳しく説明する。
実施例1
垂直流肛システムに対して上記の装置を用いた。攪拌速度は約1607分であり
、溝断面の平均流速は約6.5C11/秒であった。溝の長さは800闘、幅は
80−1水相の容積は2.5リツター、相接触表面(6)の長さは35cm、こ
の溝の窓の幅は4cmであった。
アラキドン酸の層を、極性液体としての水の上に拡げた。アラキドン酸を循環流
によって、15mN/a+の表面圧(水の表面張力−測定した表面張力)に圧縮
したとき、この層は、脱水性にしてあったかつ界面を通って水相から引き出され
たガラスプレートに移すことができるものであった。Nのプレートへの移動は、
@潤角度を測定することによって分かった。
しかしながら、プレートを、せき止められた層以外のところで界面を通して引き
出す場合、ガラスプレートの湿潤角度は変化しないやすなわち、層の移動は生じ
なかった。
せき止められた層の領域では、特に遮断壁に近い界面圧が最高の地点では、ブレ
ートの取り出しおよび浸漬を繰り返すたびに、新L7い層の移動力1行なわ九た
。
実施例2
実施例1と同じ装置を使用I、また。水溶性オクタンカルボ二ノ酸の水溶液(1
1度:1.5X10”’モル/1)およびデカンカルボン!!!(濃度:3X1
0−’モル/1)&用いた。CAHN微量天秤を用いて測定することによって、
界面張力が、流れの窓に沿ってilI線勾配となっていることが分かった。遮断
壁の前の背圧が最、% (すなわち、界面張力が最低)の地点では、せき止めら
九た層を、水相から引き出すガラスブl/−1・に移すことが可能であった。[
7、かじながら、圧縮し7セき止め九層以外で、すなA〕ち遮T@壁の前から大
きく離九た所で、浸漬試験を行なブCも2層の移動は生じなかった。二二でも、
ガラスプレート」−の湿潤角度を測定することによって、層の移動を調べること
ができた。
実施11113
液流を水平に戻すうシステムに対し7てL記の装置を用いた。表面張力は、CA
IIN微量天秤によって、実施例〕と同様に測定L5たわ1゛つのチー:11−
1ン斜根ボ、ノブの送出量はそ才bt’tti 6’Jツノ4−7分、遮断壁の
有効幅は38閏、フ1.・−ムの長さく工、”(0011、チして堰き−この有
効流ハ断面i、l:4゜2の2であった。
濃度・1x1i)−’モルメ′lのベル771、・すロ〒′カン瑚の水溶液を実
験にft1いた、移動角りでの寿百圧は110諦□/mであ−)フ三3遮断壁の
前の背・]が恐嶌の地点r if、−7つの、゛いっけ続神覆(両スi・ロー=
−り右F′]jでのフィル、・\梓−先Yタイプ2ノ、′ルム)を5ガー゛・・
スジ験スライド(親水性)、酸イヒI)ロム菌朽よ?<う・リコンワエノグーの
んば会仁゛−)いて移()1ζ・せ、へ、ゴイノ1ムの移しちは、湿山消j8の
叫1.二L;m、u、−5こ二逗1\f−1
゛光÷N4
実藷1B’l :N 、−同し装置5・jt用17ノ′−1・1′メ・ヴ〜 1
リニiセンはを’、、、7 Fl lコ゛t、ル・ム猪許とし−,・−1,−法
相、!−シで4.4 N ’19”、N Eリボ−f−(+m111.1por
e)訳j、JD、:’F、:’:、人定m、たぜき−
止めら九たIW(背圧30mN/m)を遮冑壁の前に形成した後、クロム酸およ
び硫酸で洗浄し、NH,F緩衡剤を加えたHF水溶液(商標名5electip
ur ;メルク社製造)で噴水性11T、 L、た、3枚のシリコン小板(4×
]−(1))を数回連続的り一被覆した。
フィルムを吊り上げる上下ストローク運動は、6am/分で行なった。20.3
0および40の層を移した、楕円偏光測定器での測定で、全体の層の厚さは以下
の厚さであることが分かった:
2071: 622.5X10−’(7)3a層: 917.lXl0−’ac
40層:1223.0XIO−’■
屈折率はそれぞれ約1.51であった。
各測定は5被覆表面の[囲む含めノミ1.0カ所の具なる地点で繰り返した、層
の厚さの偏りはどの場合も05%未満であることが分かったにすぎない。
実施例5
のポリ−・アミド:を、9部のパンI)110メタンと】部のN−メチルピロリ
ドン、二のI容付!混合物に熔解し、ボ117ミI・Sを水のト;−拡げノー、
−ぜリアミドの重均分子胤は約95.000でbった4
実k ’ty?14 ノ)1らの疏水性に1.、.2E−、v、、zウニrすY
−に、20の贋を約25 d/m−(F 朴i、。
た。−フィルムを吊り上げる上トスト[j−り運C)は、2■/勺で行なつア′
−7、檀日鍼1光測定器での測定で、屈折率li1□E5 i J シL7て層
の1aさは454.3 X 3.0””口であること、が分か−)′r、
実施@6
実施例、3と同1’、 iA置を:使用した、一般式:のJ!・+11料こジ”
′りDOメタ゛2・に溶解し、この染料溶はを水の上1J拡げた。
30〜N10+TFガ2ンス試験スライドに移した4、−フィルムを吊り上げる
ストri−り運動は、2c++/分で行なフた。]0および20の麿を移したと
ころ、外観が均一な衾料層プμそ九(九の場合に得らtた、実施例′7
実施和゛13を壜り人した、しか1.なから、ベルフルミロデカ゛2・腰の濃度
は3x]−05−Tル/1.1−ylター・・↓−藏した。ボ〆ブの送出量はそ
狙、デれ1、!卸ツノ々−2・′分で1・、〕/′−5、朴動イ◇b′(二の夜
面圧は40 ニーIN、/l:hであ一1!9.実施例4からの疎水性に1.た
、!、;)ウェ゛ニア 7−11.’l1g 、 、:’、、 O*−たは・今
、覧)のj費に連続的L;イ多り、7三(V・1人!・11@′)方向て
のマイ11./ム(J)Ha、 ’1(’々イゴフ、;)b、+1.aA I−
(3−’、、、7 速度は3.cs/分)。
1奮IT47旬)ンt #] i、ftでいえ・1定から)ス−1・てノ2)、
二、)・が〈)・乃)っ1jAji5.frM’イーオLぞ゛第11;31賛I
7’l 1.’;Aさ、 200F−の場合 ン勺25 (’l x 1 (y
−t、+げ・40の層の場隘約j+ 00X 、L O−”rvコ、1−1.
= t、、1個々’ (f’r 、P% (7)平均σj厄3p 6(+ 2.
5 X 3−0 ”” Cm ’IF d’)@6 ’−とに相当−4”る、、
′r施例Jλ
、’2 X 、p O−”M1ノ:A g C,12(j)fR+ F−ご、ま
ミに;イ列、゛をty’i返Iた。= +1f Pi ’AM、割引=ジ(・(
ハ蘭1定ぢ3果よ、1.実施例5ン+71 u+’訳λ −牧1.八1、実施例
1)
’5y: 、viイ”18 & Faすi!<L、 ’t’:。尾の支1.子イ
番・\のtaii、I)Od/y+のii?mffで?”r@)): −v
/’<、 20.40tiよび(5f)のIぐ0′タイf層)を、Fめ291月
1ジメヲールシラ:・7−14?:水性Lニジでおいたシリコンウェファ−に移
し、プτ。
槽円偏)!(fり定器”eの測定7Mつ以−トJ)ことが分かった200層“
326X10−Il(コ
40(DN: 655XlO−”av
600)層:9)70×」08国
こ力5け7個々の層の平均の厚さが約(6,、lX10−−ぼあることに和光す
る、屈折帯はそ才tぞtbl、、35でi%−1だ。
補正帯・2)翻訳文提出1
(特許法中1−8ji条d′ 適)
平成 3年 2弓25F(
′+−S+−S官庁長官植 松 敏 歎1、特許出願の表示
PCT・・EP89/””00978
2、発明の名称
住 惰 ドイツ連邦共印国デー−−6230フラン1フルト・アム・71”/
80. ポストファッハ 811 03 ニジ0名 称 へ子スト・アクチュン
ゲ”ゼ”ルシャー71−141代啄(
住 p、ti 東京都十代FD区大手町二丁N2番1号新大手町ビII、:2o
6区
ηす ごJl 3:こ、7)〕 −(ミロ、11〜(う(116氏 シ、 ・、
2昌・真)) 井理−艶 、・μ シ、恭 二−−ミン1、っ8 補正)と・)
キL’、l:’ 1llll+;30. 選ばれた両親媒性分子が、従来のラン
グミュア−プロジェット法によつ〔移ずことができないものでありそ【、・て二
次相に可溶性のものである。支持体上の両親媒性化合物の少なくとも1つの単分
子配向層からなる層成弁。
国 際 調 青 呻 り。
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1 ′
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■
1 :
・ 1
i +
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.親媒性化合物の分子の少なくとも部分的に配向した層を、圧縮しそして必要 ならば流体と極性液体との界面で拡げることによって製造し、固体支持体を、上 記の層が固体支持体に移動するように層に貫通させて、支持体上に少なくとも1 種の両親媒性化合物の薄層を製造する方法であって、ほぼ水平に置いた溝に、溶 液の形でまたは表面に拡がった状態の不溶性分子として両親媒性分子を含有する 極性液体の指向の流れを形成し、流体/極性液体界面で溝に水平に配置した遮断 壁で流れをせき止め、流速および、必要ならば、両親媒性分子の濃度を、両親媒 性分子の層が、流体/極性液体相境界の遮断壁の前で圧縮されることによって連 続的に形成されるように選び、支持体をこの圧縮帯域に貫通させることよりなる 、上記の薄層の製法。 2.流れを、断面が長方形の床に形成する、請求項1に記載の方法。 3.用いる両親媒性化合物の水への溶解度が、18℃で0.001−100g/ 1である、請求項1に記載の方法。 4.遮断壁がU型フレームの部材であり、その開口が流体/極性液体界面上の流 れの方同に向くように配置されている、請求項1に記載の方法。 5.極性液体を遮断壁の後で築め、連続的または非連続的に戻し、そして層の形 成に再び用いる、請求項1または2に記載の方法。 6.極性液体を遮断壁の下または横に戻す、請求項5に記載の方法。 7.二次層(極性液体)に不溶性の両親媒性化合物の溶液を、流体/極性液体界 面上に計り入れ、そして拡げる、請求項5に記載の方法。 8.溶液を遮断壁のすぐ後に計り入れる、請求項7に記載の方法。 9.極性液体に不溶性の両親媒性化合物の溶液を、揮発性有機溶剤中の溶液の形 で計り入れる、請求項7に記載の方法。 10.流速および溝の長さを、揮発性溶剤が遮断壁の前では完全に蒸発している ように調整する、請求項9に記載の方法。 11.極性液体の流速を、流れが遮断壁の領域内で層状となるように設定する、 請求項1に記載の方法。 12.流体がガス、特に空気である、請求項1に記載の方法。 13.流体が、極性液体と同じ方向に溝の中を流れる非極性液体であり、そして 非極性液体を遮断壁の後で集め、遮断壁の下またはその横に連続的にまたは非連 続的に戻す、請求項1に記載の方法。 14.極性液体が水性層である、請求項1に記載の方法。 15.両親媒性化合物が水溶性酵素である、請求項3に記載の方法。 16.支持体を圧縮帯域に浸すことによって得たフィルムの圧縮帯域からの取出 しが、この帯域でのフィルムの再形成より速く進まないようにゆっくりと、支持 体を圧縮帯域に浸す、請求項1に記載の方法。 17.両親媒性分子を非極性液体の溶液の状態で非極性液体中に計り入れる、請 求項13に記載の方法。 18.遮断壁が流体/極性液体界面に配置したO型フレームの部材であり、極性 液体は溶液の形で両親媒性分子を含有し、そしてこれを被覆するために、固体支 持体をO−型フレームの内部に浸漬する、請求項1に記載の方法。 19.固体支持体に両親媒性化合物の単分子層を被覆する装置であって、1.液 体を取り込むための水平に配置した流路(溝)、2.溝の中の表面の流れをせき 止めるための、溝の中に水平に配置した遮断壁、 3.液体の流れを形成する装置、および4.固体支持体の溝へのゆっくりした浸 漬および遮断壁の付近での溝からの取り出しな制御する装置、 よりなる、上記の装置。 20.遮断壁が相の境界で水平に配置されている、請求項19に記載の装置。 21.溝が長方形の断面を有している、請求項19に記載の装置。 22.遮断壁がU型またはO型の水平に配置したフレームの部材である、請求項 20に記載の装置。 23.流れの方向の遮断壁の下流に、断面が遮断壁の領域における溝の断面より 少なくとも3倍大きく、かつ液体相を排出するための少なくとも1つの管を含む 緩和室がある、請求項19に記載の装置。 24.排出管がポンプに接続されている、請求項23に記載の装置。 25.ポンプがパイプを経て少なくとも1つの側溝に接続されており、これを通 して液体が遮断壁を有する流路(溝)の横でその出発点に戻ることができる、請 求項24に記載の装置。 26.流路の断面が、相の境界に位置するフレームの出発点付近の帯域に沿って 連続的に小さくなっていく、請求項22に記載の装置。 27.流路(溝)および側溝が長方形のフレーム内に配置されている、請求項2 5に記載の装置。 28.断面がしだいに小さくなっていく帯域の下流(流れの方向)に、狭くなっ た一定の断面を有する帯域が続く、請求項26に記載の装置。 29.狭くなった一定の断面を有する帯域の下流(流れの方向)に、室が配置さ れており、その断面は狭くなった一定の断面を有する帯域の断面より少なくとも 3倍大きく、そして遮断壁はこの室の領域に配置されている、請求項28に記載 の装置。 30.選ばれた両親媒性分子が、従来のラングミュアーブロジェット法によって 移すことができないものである、支持体上の両親媒性化合物の少なくとも1つの 単分子配向層からなる層成分。 31.両親媒性化合物の水への溶解度が18℃で0.001−100g/1であ る、請求項30に記載の層成分。 32.両親媒性化合物が、炭素原子数4−14、特に6−14のペルフルオロア ルカンカルボン酸である、請求項30に記載の層成分。 33.両親媒性化合物がペルフルオロデカン酸である、請求項32に記載の層成 分。 34.両親媒性化合物の飽和水溶液が、18℃で、65ダイン/cm以下、好ま しくは50ダイン/cm以下の表面張力を有する、請求項30に記載の層成分。 35.選ばれた両親媒性化合物が、二価の陽イオンを有する、炭素原手数4−1 4のペルフルオロカルボン酸の塩である、請求項30に記載の層成分。
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