JPH0448008Y2 - - Google Patents

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JPH0448008Y2
JPH0448008Y2 JP12951084U JP12951084U JPH0448008Y2 JP H0448008 Y2 JPH0448008 Y2 JP H0448008Y2 JP 12951084 U JP12951084 U JP 12951084U JP 12951084 U JP12951084 U JP 12951084U JP H0448008 Y2 JPH0448008 Y2 JP H0448008Y2
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coplanar
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Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案はマイクロ波の信号周波数にくらべ十分
に低いくり返し周波数をもつパルス波によつて、
マイクロ波信号をサンプリングして位相検波ある
いは、逓倍周波数混合動作をする等の機能を有す
るマイクロ波半導体装置に関するものである。
[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The invention uses a pulse wave with a repetition frequency sufficiently lower than the microwave signal frequency.
The present invention relates to a microwave semiconductor device having functions such as sampling a microwave signal and performing phase detection or frequency multiplication mixing operation.

[従来の技術] 例えば、特開昭58−138108号公報のマイクロ波
スロツト線路の構造を第3図に示し、その等価回
路を第4図に示す。
[Prior Art] For example, the structure of a microwave slot line disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-138108 is shown in FIG. 3, and its equivalent circuit is shown in FIG.

第3図に示すように、従来、コンデンサはスリ
ツトで囲まれた内側金属パターンの上に半田又は
接着剤で固定されるため、コンデンサとダイオー
ドの中点から取出す出力線は必ずスリツトを横切
り、スリツトを伝わるサンプリングパルス及びマ
イクロ波信号に結合する。
As shown in Figure 3, conventionally, a capacitor is fixed with solder or adhesive onto an inner metal pattern surrounded by a slit, so the output line taken out from the midpoint between the capacitor and the diode always crosses the slit and is connected to the slit. coupled to a sampling pulse and a microwave signal that travels through the microwave.

[考案が解決しようとする課題] この従来装置では上記のように出力線がスリツ
トを横切り、スリツトを伝わるサンプリングプル
ス及びマイクロ波信号に結合するから、スリツト
を横切る出力線がそれぞれZA,ZBのマイクロ波
帯でのインピーダンスを持つとすると、出力線を
含めた等価回路は第7図のようになる。
[Problem to be solved by the invention] In this conventional device, as described above, the output line crosses the slit and is coupled to the sampling pulse and microwave signal transmitted through the slit, so the output lines that cross the slit are Z A and Z B respectively. Assuming that it has an impedance in the microwave band of , the equivalent circuit including the output line is as shown in FIG.

従つて、ダイオードDAとDBには、それぞれZA
ZBなるインピーダンスを持つものが並列に接続さ
れる。出力線は、一般にはマイクロ波的に考慮さ
れて設けていないため、ZAとZBは同一の値をと
ることが難しく、すなわち、サンプリングパルス
がDA,DBのダイオードでそれぞれ時間差あるい
は振幅差を生じることになる。
Therefore, diodes D A and D B have Z A and Z A , respectively.
Objects with impedance Z B are connected in parallel. Output lines are generally not provided with microwave considerations in mind, so it is difficult for Z A and Z B to take the same value. In other words, the sampling pulses are different in time or amplitude due to the diodes D A and D B , respectively. This will make a difference.

特に高い周波数で動作させる場合には、この時
間差がパルス幅に比較して大きくなるために、両
ダイオードで検波した出力が位相差を持つことに
なり、効率良く合成されなくなるので、検波効率
が減少する欠点があつた。
Especially when operating at high frequencies, this time difference becomes large compared to the pulse width, so the outputs detected by both diodes have a phase difference, which prevents them from being combined efficiently, reducing detection efficiency. There was a drawback.

この考案は、かかる問題点を解決するためにな
されたもので、高い周波数でサンプリング位相検
波器として動作させても両ダイオードで検波した
出力が位相差を持つことがなく検波効率の向上を
図り、また逓倍周波数混合器として動作させた場
合においても高次逓倍の周波数混合を高能率に達
成することを目的とする。
This invention was made to solve this problem, and even when operated as a sampling phase detector at high frequencies, the outputs detected by both diodes do not have a phase difference, improving detection efficiency. Another object of the present invention is to achieve high-order multiplication frequency mixing with high efficiency even when operated as a multiplication frequency mixer.

[課題を解決するための手段] この考案は上記目的を達成するために、マイク
ロ波集積回路用の誘電体基板上にサンプリングパ
ルス信号を印加する第1のマイクロストリツプ線
路と、高周波信号を印加する第2のマイクロスト
リツプ線路と、スロツト線路と、コプレナ線路と
を備えてなるマイクロ波半導体装置であつて、上
記第1のマイクロストリツプ線路に誘電体基板の
裏表でほぼ直角に交差結合されると共に上記コプ
レナ線路に接合されるスロツト線路と、該スロツ
ト線路及びコプレナ線路の接合部にダイオードと
コンデンサからなる2対の直列体が配置され、上
記2対の直列体はそれぞれ上記コプレナ線路の真
中の導体部分に1端が接続され他端が他導体に接
続され、該ダイオードとコンデンサとの中間接続
部に出力端子が接続されてなる直列回路とを備え
るマイクロ波半導体装置において、上記一方の対
の直列体のダイオードのカソードと他方の対の直
列体のダイオードのアノードが直接接続され、且
つその接続点がコプレナ線路の真中の導体部分に
接続され、上記出力端子に接続される1対の出力
線が上記コプレナ線路のスリツトと交差しないよ
うに上記ダイオードとコンデンサを接続すること
を特徴とするマイクロ波半導体装置を提供しよう
とするものである。
[Means for Solving the Problem] In order to achieve the above object, this invention provides a first microstrip line for applying a sampling pulse signal on a dielectric substrate for a microwave integrated circuit, and a high frequency signal for applying a sampling pulse signal to the dielectric substrate for a microwave integrated circuit. A microwave semiconductor device comprising a second microstrip line for applying an electric current, a slot line, and a coplanar line, the first microstrip line being substantially perpendicular to the front and back sides of a dielectric substrate. A slot line is cross-coupled and connected to the coplanar line, and two pairs of series bodies each consisting of a diode and a capacitor are arranged at the junction of the slot line and the coplanar line. A microwave semiconductor device comprising a series circuit in which one end is connected to a conductor portion in the middle of a line, the other end is connected to another conductor, and an output terminal is connected to an intermediate connection between the diode and the capacitor. 1 in which the cathodes of the diodes of one pair of series bodies and the anodes of diodes of the other pair of series bodies are directly connected, and the connection point thereof is connected to the middle conductor portion of the coplanar line, and is connected to the above output terminal. It is an object of the present invention to provide a microwave semiconductor device characterized in that the diode and capacitor are connected so that the pair of output lines does not intersect with the slit of the coplanar line.

[実施例] 以下本考案の一実施例を第1図および第2図に
基づいて説明する。第1図に本実施例の全体回路
図、第2図にコプレナ線路とスロツト線路との接
続要部拡大図を示し、上記各図において本実施例
に係るマイクロ波半導体装置は、誘電体基板1裏
表に設けられ端子5,6に加えられるサンプリン
グパルス及びマイクロ波信号を伝搬させる第1及
び第2のマイクロストリツプ線路2,4と、上記
誘電体基板1の表面に設けられ、上記第2のマイ
クロストリツプ線路4に結合されたコプレナ線路
3と、上記誘電体基板1の表面に設けられ、上記
第1のマイクロストリツプ線路2に裏表で交差結
合されると共に上記コプレナ線路3に接合された
スロツト線路15と、該スロツト線路15及びコ
プレナ線路3の接合部に設けられ、ダイオード8
a,8b及びコンデンサ11a,11bにて形成
される一対の直列回路8,8と、上記ダイオード
8a,8bとコンデンサ11a,11bとの各接
続点を抵抗13を介して出力線12a,12bで
接続され、該抵抗13の中点から引出し接続され
た出力端子14とを備えて構成される。
[Example] An example of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 shows the overall circuit diagram of this embodiment, and FIG. 2 shows an enlarged view of the main parts of the connection between the coplanar line and the slot line. First and second microstrip lines 2 and 4 are provided on the front and back sides and propagate sampling pulses and microwave signals applied to the terminals 5 and 6, and the second microstrip lines are provided on the surface of the dielectric substrate 1 and A coplanar line 3 coupled to the first microstrip line 4 is provided on the surface of the dielectric substrate 1, cross-coupled to the first microstrip line 2 on the front and back sides, and a coplanar line 3 is connected to the coplanar line 3. A diode 8 is provided at the junction of the joined slot line 15 and the slot line 15 and the coplanar line 3.
A pair of series circuits 8, 8 formed by capacitors 11a, 11b and diodes 8a, 8b and capacitors 11a, 11b are connected via a resistor 13 to output lines 12a, 12b. and an output terminal 14 connected to the middle point of the resistor 13.

上記スロツト線路15は、第1のマイクロスト
リツプ線路2の交差結合点を中心として有効スロ
ツト線路15aと無効スロツト線路15bとを有
してなり、この無効スロツト線路15bに終端抵
抗7が接続されている。
The slot line 15 has an effective slot line 15a and an invalid slot line 15b centered around the cross-coupling point of the first microstrip line 2, and a terminating resistor 7 is connected to the invalid slot line 15b. ing.

次に本実施例に係るマイクロ波半導体装置をサ
ンプリング位相検波器として動作させる場合につ
いて説明する。サンプリングパルスのダイオード
への伝搬態様について述べる。まず端子5に加え
られたサンプリングパルスは、マイクロストリツ
プ線路2から、マイクロストリツプ・スロツト線
路変換器16により、有効及び無効の各スロツト
線路15a,15bに分配されて伝搬される。上
記無効スロツト線路15bを伝搬するパルスは、
終端抵抗7に加わり入射パルスの反射を少なくし
ている。サンプリングパルスの残りの電力は、有
効スロツト線路15aを伝搬してこの有効スロツ
ト線路15aとコプレナ線3との接合部に設けた
ダイオード8a,8bに加わり、このダイオード
8a,8bをスイツチイングする。
Next, a case will be described in which the microwave semiconductor device according to this embodiment is operated as a sampling phase detector. The propagation mode of the sampling pulse to the diode will be described. First, a sampling pulse applied to the terminal 5 is distributed from the microstrip line 2 to the valid and invalid slot lines 15a and 15b by the microstrip/slot line converter 16 and propagated. The pulse propagating through the invalid slot line 15b is
It is added to the terminating resistor 7 to reduce reflection of the incident pulse. The remaining power of the sampling pulse propagates through the effective slot line 15a and is applied to the diodes 8a, 8b provided at the junction between the effective slot line 15a and the coplanar line 3, thereby switching the diodes 8a, 8b.

一方、サンプリングパルスのくり返し周波数の
整数倍の周波数をもつ信号波は、端子6に加えら
れると、マイクロストリツプ線路4を伝搬し、マ
イクロストリツプ・コプレナ線路変換器9によ
り、コプレナ線路3の奇モードに変換され、コプ
レナ線路3を奇モードで伝搬する。
On the other hand, a signal wave having a frequency that is an integral multiple of the repetition frequency of the sampling pulse is applied to the terminal 6, propagates through the microstrip line 4, and is transferred to the coplanar line 3 by the microstrip/coplanar line converter 9. is converted into an odd mode, and propagates through the coplanar line 3 in an odd mode.

上記有効スロツト線路15aとコプレナ線路3
との接合部は、第2図に示すようにT分岐であ
る。サンプリングパルスの電界は、図中の矢印で
示すように分配されて両ダイオード8a,8bに
加わるため、T分岐が対称であれば、両ダイオー
ド8a,8bに加わる電界の位相は同じである。
このため、両ダイオード8a,8bに加わるサン
プリングパルスに時間差が生じないこととなり、
検波効率が従来のように減少することがなく検波
効率を向上させることができる。
The effective slot line 15a and the coplanar line 3
The junction with this is a T-branch as shown in FIG. Since the electric field of the sampling pulse is distributed as shown by the arrows in the figure and applied to both diodes 8a and 8b, if the T-branch is symmetrical, the phases of the electric fields applied to both diodes 8a and 8b are the same.
Therefore, there is no time difference between the sampling pulses applied to both diodes 8a and 8b.
The detection efficiency can be improved without decreasing as in the conventional case.

また、T分岐が対称にできていればサンプリン
グパルスは、コプレナ線路3を偶モードでのみ励
振し、奇モードを発生しないこととなる。よつ
て、このサンプリングパルスは、信号波の伝搬す
る外部回路にサンプリングパルスの漏れ込む量が
従来に比べて非常に少なくなる。
Furthermore, if the T-branches are made symmetrically, the sampling pulse will excite the coplanar line 3 only in even modes, and will not generate odd modes. Therefore, the amount of the sampling pulse leaking into the external circuit through which the signal wave propagates is much smaller than in the past.

なお、上記実施例においては、このマイクロ波
半導体装置をサンプリング位相検波器として、動
作させた場合について説明したが、この考案は、
これに限らず、逓倍周波数混合器として動作させ
てもよく、上記実施例と同様に高能率の高次逓倍
の周波数混合を行なうことができる。
In the above embodiment, the case where this microwave semiconductor device was operated as a sampling phase detector was explained, but this invention
The present invention is not limited thereto, and may be operated as a multiplication frequency mixer, and high-efficiency high-order multiplication frequency mixing can be performed similarly to the above embodiment.

[考案の効果] 以上説明したように、この考案に係るマイクロ
波半導体装置は、ダイオードとコンデンサを直列
に接続してなる一対の直列回路のダイオードのコ
ンデンサとの中間接続部に接続される一対の出力
線がスロツト線路と交差しない構成を採つたこと
から、上記直列回路の各ダイオードに加わるサン
プリングパルスの位相を等しくすることができる
こととなり、位相検波器として使用した場合には
検波効率を向上させると共に、逓倍周波数混合器
として使用した場合には高次逓倍を高能率に達成
出できるという効果を奏する。また、サンプリン
グパルスの信号線路への漏れ込み量を最小限に止
めることができるという効果も併有する。
[Effects of the invention] As explained above, the microwave semiconductor device according to the invention includes a pair of series circuits in which a diode and a capacitor are connected in series, each of which is connected to an intermediate connection between the diode and the capacitor. Since the output line does not intersect with the slot line, it is possible to equalize the phase of the sampling pulses applied to each diode in the series circuit, which improves detection efficiency and improves detection efficiency when used as a phase detector. When used as a frequency multiplication mixer, it has the effect of achieving high-order multiplication with high efficiency. It also has the effect of minimizing the amount of sampling pulses leaking into the signal line.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの考案に係るマイクロ波半導体装置
の一実施例の全体回路図、第2図はコプレナ線路
とスロツト線路との接続要部拡大図、第3図は従
来のマイクロ波半導体装置の構造、第4図は第3
図の装置の等価回路、第5図は本考案の構造、第
6図は第5図の装置の等価回路、第7図は従来の
ものの等価回路を示す。 1……誘電体基板、2,4……マイクロストリ
ツプ線路、3……コプレナ線路、5,6,14…
…端子、7,10……終端抵抗、8a,8b……
ダイオード、9……マイクロストリツプ・コプレ
ナ線路変換器、11a,11b……コンデンサ、
15……スロツト線路、16……マイクロストリ
ツプ・スロツト線路変換器。
Fig. 1 is an overall circuit diagram of an embodiment of the microwave semiconductor device according to this invention, Fig. 2 is an enlarged view of the main part of the connection between the coplanar line and the slot line, and Fig. 3 is the structure of a conventional microwave semiconductor device. , Figure 4 is the third
5 shows the structure of the present invention, FIG. 6 shows an equivalent circuit of the device shown in FIG. 5, and FIG. 7 shows an equivalent circuit of the conventional device. 1... Dielectric substrate, 2, 4... Microstrip line, 3... Coplanar line, 5, 6, 14...
...Terminal, 7, 10...Terminal resistor, 8a, 8b...
Diode, 9... Microstrip coplanar line converter, 11a, 11b... Capacitor,
15...Slot line, 16...Microstrip/slot line converter.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] マイクロ波集積回路用の誘電体基板上にサンプ
リングパルス信号を印加する第1のマイクロスト
リツプ線路と、高周波信号を印加する第2のマイ
クロストリツプ線路と、スロツト線路と、コプレ
ナ線路とを備えてなるマイクロ波半導体装置であ
つて、上記第1のマイクロストリツプ線路に誘電
体基板の裏表でほぼ直角に交差結合されると共に
上記コプレナ線路に接合されるスロツト線路と、
該スロツト線路及びコプレナ線路の接合部にダイ
オードとコンデンサからなる2対の直列体が配置
され、上記2対の直列体はそれぞれ上記コプレナ
線路の真中の導体部分に1端が接続され他端が地
導体に接続され、該ダイオードとコンデンサとの
中間接続部に出力端子が接続されてなる直列回路
とを備えるマイクロ波半導体装置において、上記
一方の対の直列体のダイオードのカソードと他方
の対の直列体のダイオードのアノードが直接接続
され、且つその接続点がコプレナ線路の真中の導
体部分に接続され、上記出力端子に接続される1
対の出力線が上記コプレナ線路のスリツトと交差
しないように上記ダイオードとコンデンサを接続
することを特徴とするマイクロ波半導体装置。
A first microstrip line for applying a sampling pulse signal, a second microstrip line for applying a high frequency signal, a slot line, and a coplanar line are provided on a dielectric substrate for a microwave integrated circuit. A microwave semiconductor device comprising: a slot line cross-coupled to the first microstrip line on the front and back sides of a dielectric substrate at a substantially right angle and joined to the coplanar line;
Two pairs of series bodies consisting of a diode and a capacitor are arranged at the junction of the slot line and the coplanar line, and each of the two pairs of series bodies has one end connected to the middle conductor part of the coplanar line and the other end connected to ground. In a microwave semiconductor device comprising a series circuit connected to a conductor and having an output terminal connected to an intermediate connection between the diode and a capacitor, the cathode of the series diode of one pair and the series circuit of the other pair are provided. The anode of the body diode is directly connected, and the connection point is connected to the middle conductor part of the coplanar line, and the output terminal is connected to the above output terminal.
A microwave semiconductor device characterized in that the diode and capacitor are connected so that the pair of output lines does not intersect with the slit of the coplanar line.
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