JPH044764A - 高電圧装置用放電抑制装置 - Google Patents

高電圧装置用放電抑制装置

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JPH044764A
JPH044764A JP10286690A JP10286690A JPH044764A JP H044764 A JPH044764 A JP H044764A JP 10286690 A JP10286690 A JP 10286690A JP 10286690 A JP10286690 A JP 10286690A JP H044764 A JPH044764 A JP H044764A
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JP
Japan
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insulator
hoop
discharge
contact
potential
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Pending
Application number
JP10286690A
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English (en)
Inventor
Yoshiaki Agawa
義昭 阿川
Toyoji Uchiyama
豊司 内山
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Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
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Publication date
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Publication of JPH044764A publication Critical patent/JPH044764A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、高電圧装置用放電抑制装置に関するものであ
る。
[従来の技術] 従来、高電圧発生装置としては、ヴアンデグラーフ型の
高電圧発生装置か知られており、この装置は、添附図面
の第3図に示すように、絶縁性ベルト部材Aを接地側ベ
ルト車Bと高圧発生側ベルト車Cに掛け、これらの組立
体を容器りに収容し、六弗化硫黄等の絶縁性ガスを封入
した構造を成しており、接地側ベルト車Bから静電誘導
や針等を介しての微小放電により生じた電荷を絶縁性ベ
ルト部材Aで高圧発生側ベルト車Cへ機械的に送り込み
、高圧を発生するように構成されている。
このヴアンデグラーフ型の高電圧発生装置をより実用化
させたものとして電荷搬送部材に絶縁性ベルトに代えて
高速回転円盤を利用したものが特公昭82−8[191
8号公報及び特公平1−50189号公報に提案されて
いる。
[発明が解決しようとする課題] ところで、このような高電圧発生装置においては内部は
絶縁耐力の高い気体を散気圧にして絶縁しているため問
題がないが、装置の容器の外側はいずれも大気に晒され
ているので、容器外壁において放電が生じ、出力電圧を
一定に保持できなくなるか事故または損傷の危険がある
。そのため、装置の最大発生電圧は外部放電の生じない
値に設定する必要があり、その結果利用し得る最大発生
電圧は必然的に制限されることになる。
そこで、本発明は、このような外部放電の問題を解決し
、絶縁耐圧を高くして安定した動作を保証できる高電圧
装置用放電抑制装置を提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、本発明によれば、絶縁体
で支持され包囲された高圧発生部を備えた高電圧装置に
おいて、大気に接する絶縁体部分に複数個の導電性フー
プ組立体が間隔をおいて固着され、そして各導電性フー
プ組立体間は抵抗を介して接続される。
各導電性フープ組立体は大気に接する絶縁体部分に密接
したフープとこの密接したフープに導電性ホルダにより
大気に接する絶縁体部分から離れて保持された空間フー
プとから成る。
[作  用] このように構成した本発明による高電圧装置用放電抑制
装置においては、大気に接する絶縁体部分に間隔をおい
て固着された複数個の導電性フープ組立体間を、抵抗を
介して接続することにより、大気に接する絶縁体部分上
のチャシアツブ抑えられ、また空間の電位は等分化され
、それにより電場のひずみを解消することにより、放電
を抑制できる。
[実施例] 以下添附図面の第1図及び第2図を参照して本発明の実
施例について説明する。
第1図には本発明の実施例を示し、1は内部に高圧発生
部(図示してない)を収容する容器を成す碍子で、その
長手方向に沿って間隔をおいて碍子1の周囲凹み部に中
空で導電性の内側フープ2が固着されている。各内側フ
ープ2の外側には図示実施例では四本の導電性のホルダ
3及び緊締部材(例えばナツトや溶着) 3a、3bを
介して中空で導電性の外側フープ4か取付けられている
。隣接した外側フープ4間には抵抗5か接続され、各抵
抗5は外側フープ4間を斜めにのび、全体的には碍子1
の周囲に螺旋状に配置されている。また、最上方の外側
フープ4は抵抗6を介して碍子1自体に接続され、一方
、最下方の外側フープ4は抵抗7を介して接地されてい
る。
碍子1の周囲凹み部に密着された内側フープ2は碍子1
上の電位を設定しかつ碍子l上にチャージアップした電
荷を抵抗5〜7を介して接地させる働きをしている。ま
た外側フープ4は第2図に拡大して示すように碍子1の
周囲から離れて位置決めされており、碍子1の周囲の空
間の電場勾配を均一にして空間電位を等分化する働きを
している。
ところで、図示実施例では高圧発生部を収容した碍子の
周囲にフープ組立体を設ける例について説明してきたが
、当然、高電圧装置の高圧ターミナルを支持している支
持部材や高圧ターミナルに電力を供給するモータージェ
ネレータ部の絶縁体にも同様にフープ組立体を設けるこ
とができる。
また各フープ組立体は一つの密着フープとその外側に空
間的に位置された一つのフープとて構成されているが、
内側端を碍子の周囲に密着させ外側端を空間的に位置さ
せた一つの偏平環状体として構成することもできる。
さらに、外側フープ間を接続する抵抗は、螺旋状に配置
されているか、ジグザグ状に設けることもてきる。
[発明の効果コ 以上説明してきたように、本発明によれば、絶縁体で支
持され包囲された高圧発生部を備えた高電圧装置におい
て、大気に接する絶縁体部分に複数個の導電性フープ組
立体を間隔をおいて固着し、各導電性フープ組立体間を
抵抗を介して接続しているので、大気に接する絶縁体部
分を取り巻く空間電位を等分化でき、電場のひずみをな
くして絶縁体部分上の電位勾配を最小にしてチャージア
ップを防止し、放電の原因となるコロナの発生を抑制す
ることができ、放電を抑制することができる。
その結果、高電圧装置の絶縁耐圧を大幅に向上させるこ
とができる。
例えば、図示実施例のように構成した装置において各フ
ープ組立体間に各々抵抗値2GΩの7本の抵抗を斜めに
接続して8分割した本発明による放電抑制装置を備えた
ものと備えないものとを同じ条件の下で試験した結果、
最大発生電圧(KV)に関しては従来構造のものでは4
60〜470KVてあったのに対して、本発明によるも
のでは、480〜490KVが得られた。また、放電回
数に関しては、420KVで4時間の動作条件の下で従
来構造のものでは10回放電か生じたか、本発明による
ものでは、1回の放電が生じたたけてあった。このこと
からも本発明の放電抑制装置は放電を実質的に抑制する
ことができと同時に、最大発生電圧を増大させることが
できることか認められる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す概略線図、第2図は第
1図の装置の要部の拡大断面図、第3図は従来の高電圧
発生装置の一例を示す概略図である。 図 中 1:碍子 2:導電性の内側フープ 3:導電性のホルダ 4:導電性の外側フープ 5、抵抗 6:抵抗 7:抵抗 第1図 第3図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、絶縁体で支持され包囲された高圧発生部を備えた高
    電圧装置において、大気に接する絶縁体部分に複数個の
    導電性フープ組立体を間隔をおいて固着し、各導電性フ
    ープ組立体間を抵抗を介して接続したことを特徴とする
    高電圧装置用放電抑制装置。 2、各導電性フープ組立体は大気に接する絶縁体部分に
    密接したフープとこの密接したフープに導電性ホルダに
    より大気に接する絶縁体部分から離れて保持された空間
    フープとから成っている請求項1に記載の高電圧装置用
    放電抑制装置。
JP10286690A 1990-04-20 1990-04-20 高電圧装置用放電抑制装置 Pending JPH044764A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7332757B2 (en) 1999-01-28 2008-02-19 Renesas Technology Corp. MOSFET package

Cited By (8)

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US7332757B2 (en) 1999-01-28 2008-02-19 Renesas Technology Corp. MOSFET package
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US7394146B2 (en) 1999-01-28 2008-07-01 Renesas Tehcnology Corp. MOSFET package
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US8455986B2 (en) 1999-01-28 2013-06-04 Renesas Electronics Corporation Mosfet package
US8816411B2 (en) 1999-01-28 2014-08-26 Renesas Electronics Corporation Mosfet package

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