JPH0447510A - Thin film magnetic head - Google Patents

Thin film magnetic head

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JPH0447510A
JPH0447510A JP15954590A JP15954590A JPH0447510A JP H0447510 A JPH0447510 A JP H0447510A JP 15954590 A JP15954590 A JP 15954590A JP 15954590 A JP15954590 A JP 15954590A JP H0447510 A JPH0447510 A JP H0447510A
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JP
Japan
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magnetic
lead wire
signal detection
thin film
transformer
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Application number
JP15954590A
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Japanese (ja)
Inventor
Ryoji Namikata
量二 南方
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

PURPOSE:To attain miniaturization by providing a magneto-resistance effect element (MR element) and a transformer for signal detection which converts a current change due to the change of electrical resistance of the MR element to a voltage change integrally on a substrate. CONSTITUTION:The transformer 13 for signal detection is comprised of lead wires 4a, 4b drawn out from both terminals of the MR element 3 and formed spirally on a first insulating layer 2, a magnetic substrate 1, and a magnetic layer 6. When the electrical resistance in the MR element 3 is changed corresponding to a magnetic field from the outside, the current on the lead wire 4a as the primary coil of the transformer 13 for signal detection is changed, and the voltage is induced on the lead wire 4b as a secondary coil, and the voltage changing corresponding to the magnetic field generated between a draw-out wire 9b and the lead wire 4b is outputted. Thereby, it is not required to use a capacitor for coupling with large volume, and the unification of the magneto-resistance effect element 3, the transformer 13 for signal detection, and an IC 14 for amplification can be realized, which attains the miniaturization.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と略す)
を備えた薄膜磁気ヘッドに関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a magnetoresistive element (hereinafter abbreviated as MR element).
The present invention relates to a thin film magnetic head equipped with a thin film magnetic head.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

MR素子を備えた薄膜磁気ヘッドにより磁気記録媒体上
の記録情報を検出する場合の回路構成を第8図に示す。
FIG. 8 shows a circuit configuration when recording information on a magnetic recording medium is detected by a thin film magnetic head equipped with an MR element.

MR素子3には、定電流源19から定電流1cが供給さ
れており、この状態で磁気記録媒体より記録情報に応じ
て変化する磁界がMR素子3に印加されると、MR素子
3の電気抵抗がその磁界に応じて変化し、これに伴って
MR素子3の両端電圧が変化するようになっており、こ
れにより記録情報に応じた磁界変化が電圧変化として検
出される。そして、結合用のコンデンサー20により直
流成分が除去され、交流成分が増幅用IC(集積回路)
14に入力されて増幅され、その出力信号より情報の再
生が行われている。
A constant current 1c is supplied to the MR element 3 from a constant current source 19, and when a magnetic field that changes according to the recorded information is applied to the MR element 3 from the magnetic recording medium in this state, the electricity of the MR element 3 changes. The resistance changes according to the magnetic field, and the voltage across the MR element 3 changes accordingly, so that changes in the magnetic field depending on recorded information are detected as changes in voltage. Then, the DC component is removed by a coupling capacitor 20, and the AC component is transferred to an amplifying IC (integrated circuit).
14 and is amplified, and the information is reproduced from the output signal.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、上記従来の構成では、SN比(信号雑音比)
を改善するために、MR素子3、コンケンサ−20及び
増幅用IC14を一体化した薄膜磁気ヘッドを製造しよ
うとすると、コンデンサー20の容積が大きいので、薄
膜磁気ヘッドが太きくなり過ぎるという問題点を有して
いる。
However, in the above conventional configuration, the SN ratio (signal to noise ratio)
When trying to manufacture a thin film magnetic head that integrates the MR element 3, condenser 20, and amplification IC 14 in order to improve have.

特に、多トラツク型の薄膜磁気へ・ンドの場合、MR素
子3数と同数のコンデンサー20を設ける必要があり、
このために薄膜磁気ヘッドの大型化を招き、一体化する
ことは難しい。
In particular, in the case of a multi-track type thin film magnetic head, it is necessary to provide the same number of capacitors 20 as the number of 3 MR elements.
This leads to an increase in the size of the thin film magnetic head, making it difficult to integrate it.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の薄膜磁気ヘッドは、上記の課題を解決するため
に、磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子と
、この磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に伴う電流変化
を電圧変化に変換する信号検出用トランスとが一体的に
基板上に備えられると共に、前記信号検出用トランスの
1次巻線及び2次巻線は前記磁気抵抗効果素子から取り
出されたリード線により形成されていることを特徴とし
ている。
In order to solve the above problems, the thin film magnetic head of the present invention includes a magnetoresistive element whose electrical resistance changes depending on a magnetic field, and a signal that converts a current change accompanying the electrical resistance change of the magnetoresistive element into a voltage change. A detection transformer is integrally provided on the substrate, and a primary winding and a secondary winding of the signal detection transformer are formed by lead wires taken out from the magnetoresistive element. It is said that

〔作 用〕[For production]

上記の構成によれば、磁界により電気抵抗が変化する磁
気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の電気抵抗変
化に伴う電流変化を電圧変化に変換する信号検出用トラ
ンスとを一体的に基板上に備えると共に、信号検出用ト
ランスの1次巻線及び2次巻線を磁気抵抗効果素子から
取り出されたリード線により形成したので、容積の大き
い結合用のコンデンサーを使用しなくとも、小型の信号
検出用トランスを用いて磁界変化に応じた電圧変化を取
り出すことができる。これにより、磁気抵抗効果素子、
信号検出用トランス及び増幅用ICを一体化した小型の
薄膜磁気ヘッドを構成することが可能になる。
According to the above configuration, the magnetoresistive element whose electrical resistance changes depending on the magnetic field and the signal detection transformer which converts the current change accompanying the electrical resistance change of the magnetoresistive element into a voltage change are integrally mounted on the substrate. In addition, since the primary and secondary windings of the signal detection transformer are formed from lead wires taken out from the magnetoresistive element, small-sized signals can be generated without using a large-capacity coupling capacitor. A detection transformer can be used to extract voltage changes in response to changes in the magnetic field. As a result, the magnetoresistive element,
It becomes possible to construct a compact thin-film magnetic head that integrates a signal detection transformer and an amplification IC.

〔実施例1〕 本発明の一実施例を第1図乃至第4図に基づいて説明す
れば、以下のとおりである。なお、従来例の図面で示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
記する。
[Embodiment 1] An embodiment of the present invention will be described below based on FIGS. 1 to 4. Note that members having the same functions as those shown in the drawings of the conventional example are given the same reference numerals.

本実施例で使用される薄膜磁気ヘッドの回路構成は、第
4図に示すように、基本的にはMR素子3と信号検出用
トランス13からなっており、MR素子3は信号検出用
トランス13の1次巻線に直列に接続されている。一方
、信号検出用トランス13の2次巻線は外部に設けられ
た増幅用IC14に接続されている。
As shown in FIG. 4, the circuit configuration of the thin film magnetic head used in this embodiment basically consists of an MR element 3 and a signal detection transformer 13. is connected in series with the primary winding of. On the other hand, the secondary winding of the signal detection transformer 13 is connected to an externally provided amplification IC 14.

上記の構成において、定電圧Vcが信号検出用トランス
13の1次巻線を介してMR素子3に印加される。この
状態で磁気記録媒体(図示されていない)より記録情報
に応じて変化する磁界がMR素子3に印加されると、M
R素子3の電気抵抗がその磁界に応じて変化し、これに
伴って信号検出用トランス13の1次巻線を流れる電流
が変化する。そして、相互誘導により2次巻線の両端に
電圧が誘起され、これが増幅用IC14に入力されて増
幅され、その出力信号より情報の再生が行われる。
In the above configuration, a constant voltage Vc is applied to the MR element 3 via the primary winding of the signal detection transformer 13. In this state, when a magnetic field that changes according to recorded information is applied to the MR element 3 from a magnetic recording medium (not shown), the M
The electrical resistance of the R element 3 changes according to the magnetic field, and the current flowing through the primary winding of the signal detection transformer 13 changes accordingly. Then, a voltage is induced across the secondary winding due to mutual induction, which is input to the amplification IC 14 and amplified, and information is reproduced from the output signal.

本実施例の薄膜磁気ヘッドは、第1図(a)及び(b)
に示すように、磁性体基板1と、磁性体基板1上に形成
された第1絶縁層2と、第1絶縁層2上に形成された1
軸磁気異方性を有する磁性体薄膜からなるMR素子3と
、MR素子3の両端から取り出されて第1絶縁層2上に
渦巻き状に形成されたリード線4a・4bと、同じく第
1絶縁層2上に形成された引出し線9a・9bと、MR
素子3とリード線4a・4bと引出し線9a・9bとを
覆うように形成された第2絶縁層5と、MR素子3を覆
うように第2絶縁層5上に形成された磁性体層8と、リ
ード線4aの端部と引出し線9aの端部とを電気的に接
続する導電体7aと、リード線4bの端部と引出し線9
bの端部とを電気的に接続する導電体7bと、磁性体基
板1からリード線4aの渦巻きの中央部を通ってリード
線4bの渦巻きの中央部を経て磁性体基板1に戻るよう
に設けられた磁性体層6とから構成されている。
The thin film magnetic head of this example is shown in FIGS. 1(a) and (b).
As shown in FIG.
An MR element 3 made of a magnetic thin film having axial magnetic anisotropy, lead wires 4a and 4b taken out from both ends of the MR element 3 and formed in a spiral shape on the first insulating layer 2, and also a first insulating layer 2. Leading lines 9a and 9b formed on layer 2 and MR
A second insulating layer 5 formed to cover the element 3, lead wires 4a and 4b, and lead wires 9a and 9b, and a magnetic layer 8 formed on the second insulating layer 5 to cover the MR element 3. , a conductor 7a that electrically connects the end of the lead wire 4a and the end of the lead wire 9a, and the end of the lead wire 4b and the lead wire 9.
The conductor 7b electrically connects the end of the lead wire 4b from the magnetic substrate 1 through the center of the spiral of the lead wire 4a and returns to the magnetic substrate 1 through the center of the spiral of the lead wire 4b. A magnetic layer 6 is provided.

ここで、MR素子3の上下面を挟むように設けられてい
る磁性体基板1と磁性体層8は、MR素子3の磁気シー
ルドを構成しており、外部からの不要磁界がMR素子3
に悪影響を及ぼさないようにしている。また、磁性体基
板1と磁性体層6は磁気回路を構成しており、リード線
4a・4bの渦巻きは、それぞれこの磁気回路の回りに
巻かれた1次巻線と2次巻線に対応している。つまり、
磁性体基板1、磁性体層6及びリード線4a・4bは信
号検出用トランス13を構成している。
Here, the magnetic substrate 1 and the magnetic layer 8, which are provided to sandwich the upper and lower surfaces of the MR element 3, constitute a magnetic shield for the MR element 3, and unnecessary magnetic fields from the outside are transmitted to the MR element 3.
I try not to have any negative impact on the. Further, the magnetic substrate 1 and the magnetic layer 6 constitute a magnetic circuit, and the spirals of the lead wires 4a and 4b correspond to the primary winding and secondary winding wound around this magnetic circuit, respectively. are doing. In other words,
The magnetic substrate 1, the magnetic layer 6, and the lead wires 4a and 4b constitute a signal detection transformer 13.

上記の構成において、引出し線9aとリード線4b間に
定電圧Vcが印加される。そして、MR素子3の電気抵
抗が外部からの磁界に応じて変化すると、これに伴って
信号検出用トランス13の1次巻線としてのリード線4
aを流れる電流が変化して、相互誘導により2次巻線と
してのリード線4bに電圧が誘起され、引出し線9bと
リード線4bの間に磁界に応じて変化する電圧が出力さ
れる。
In the above configuration, a constant voltage Vc is applied between the lead wire 9a and the lead wire 4b. When the electrical resistance of the MR element 3 changes in accordance with the external magnetic field, the lead wire 4 as the primary winding of the signal detection transformer 13 changes accordingly.
As the current flowing through a changes, a voltage is induced in the lead wire 4b as a secondary winding due to mutual induction, and a voltage that changes depending on the magnetic field is output between the lead wire 9b and the lead wire 4b.

上記の薄膜磁気ヘッドを製造するには、第2図に示すよ
うに、磁性体基板1上に例えばStowからなる第1絶
縁層2を形成した後、Ni−Fe合金薄膜等の磁性体薄
膜からなるMR素子3を形成する0次に、MR素子30
両端に電気的に接続されるように例えばAffiからな
るリード線4a・4bを渦巻き状に形成すると同時に、
引出し線9a・9bも形成する。
In order to manufacture the above-mentioned thin film magnetic head, as shown in FIG. The MR element 30 of the 0th order forms the MR element 3
At the same time, lead wires 4a and 4b made of, for example, Affi are formed in a spiral shape so as to be electrically connected to both ends.
Lead lines 9a and 9b are also formed.

その後、第3図に示すように、MR素子3とリード、1
i4a・4bと引出し線9a・9bとを覆うように、例
えばSin、からなる第2絶縁層5を全面に形成する0
次に、リード線4aと引出し線9aとを電気的に接続す
るために、リード線4aの端部上の第2絶縁層5及び引
出し線9aの端部上の第2絶縁層5をRIE(リアクテ
ィブイオンエツチング)法等により除去して、コンタク
トホール10a・llaを形成する。同様にして、リー
ド線4bと引出し線9bとを電気的に接続するために、
コンタクトホール10b・llbを形成する。また、こ
のとき同時に、信号検出用トランス13(第1図(b)
)の磁気回路を設けるために、リード線4a・4bの渦
巻きの中央部上の第1絶縁層2及び第2絶縁層5を除去
して、コンタクトホール12・12を形成する。
After that, as shown in FIG.
A second insulating layer 5 made of, for example, Sin is formed on the entire surface so as to cover the i4a and 4b and the lead wires 9a and 9b.
Next, in order to electrically connect the lead wire 4a and the lead wire 9a, the second insulating layer 5 on the end of the lead wire 4a and the second insulating layer 5 on the end of the lead wire 9a are subjected to RIE ( The contact holes 10a and 10a are formed by removing the contact holes 10a and 10a by a reactive ion etching method or the like. Similarly, in order to electrically connect the lead wire 4b and the extraction wire 9b,
Contact holes 10b/llb are formed. At the same time, the signal detection transformer 13 (FIG. 1(b)
), the first insulating layer 2 and the second insulating layer 5 on the center portions of the spirals of the lead wires 4a, 4b are removed to form contact holes 12, 12.

次に、MR素子3の磁気シールド用の磁性体層8(第1
図(a)(b))と、リード線4aの端部と引出し線9
aの端部とを電気的に接続する導電体7aと、リード線
4bの端部と引出し線9bの端部とを電気的に接続する
導電体7bと、信号検出用トランス13の磁気回路を閉
じるための磁性体Ji6とをNi−Fe合金薄膜等の金
属軟磁性体膜により同時に形成する。
Next, a magnetic layer 8 (first
Figures (a) and (b)), the end of the lead wire 4a and the lead wire 9
A conductor 7a that electrically connects the end of the lead wire 4b and the end of the lead wire 9b, and a magnetic circuit of the signal detection transformer 13. A magnetic material Ji6 for closing is simultaneously formed using a metal soft magnetic material film such as a Ni--Fe alloy thin film.

〔実施例2〕 本発明の他の実施例を第5図乃至第7図に基づいて説明
すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前
記の実施例の図面で示した部材と同一の機能を有する部
材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Embodiment 2] Another embodiment of the present invention will be described below based on FIGS. 5 to 7. For convenience of explanation, members having the same functions as those shown in the drawings of the above-mentioned embodiments are denoted by the same reference numerals, and their explanations will be omitted.

本実施例で使用される薄膜磁気ヘッドの回路構成は、前
記実施例(第4図)と同一である。
The circuit configuration of the thin film magnetic head used in this embodiment is the same as that of the previous embodiment (FIG. 4).

本実施例の薄膜磁気ヘッドは、第5図(a)及び(b)
に示すように、磁性体基板1と、磁性体基板1の左上部
に形成された第3絶縁層15と、磁性体基板1と第3絶
縁層15とを覆うように形成された第1絶縁層2と、第
1絶縁層2上に形成された1軸磁気異方性を有する磁性
体薄膜からなるMR素子3と、MR素子3の両端から取
り出されて第1絶縁層2上に渦巻き状に形成されたリー
ド線4a・4bと、同じく第1絶縁層2上に形成された
引出し線9a・9bと、MR素子3とリード線4a・4
bと引出し線9a・9bとを覆うように形成された第2
絶縁層5と、MR素子jを左右から囲むように第2絶縁
層5上に形成された磁性体層16・16と、リード線4
aの端部と引出し線9aの端部とを電気的に接続する導
電体7aと、リード線4bの端部と引出し線9bの端部
とを電気的に接続する導電体7bと、磁性体基板1から
リード!4aの中央部を通ってリード線4bの中央部を
経て磁性体基板1に戻るように設けられた磁性体層6と
から構成されている。
The thin film magnetic head of this example is shown in FIGS. 5(a) and (b).
As shown in FIG. layer 2, an MR element 3 made of a magnetic thin film having uniaxial magnetic anisotropy formed on the first insulating layer 2; The lead wires 4a and 4b formed on the first insulating layer 2, the lead wires 9a and 9b formed on the first insulating layer 2, and the MR element 3 and the lead wires 4a and 4.
b and the second line formed to cover the lead lines 9a and 9b.
An insulating layer 5, magnetic layers 16 formed on the second insulating layer 5 so as to surround the MR element j from left and right, and lead wires 4.
A conductor 7a that electrically connects the end of lead wire 9a and the end of lead wire 9a, a conductor 7b that electrically connects the end of lead wire 4b and the end of lead wire 9b, and a magnetic material. Read from board 1! 4a, and a magnetic layer 6 provided so as to return to the magnetic substrate 1 via the center portion of the lead wire 4b.

ここで、MR素子3の上下面を挟むように設けられてい
る磁性体基板1と磁性体層16・16は、それぞれMR
素子3の下部ヨーク及び上部ヨークを構成しており、磁
性体基板1と磁性体層16の間に設けられた第3絶縁層
15はギャップ層を構成している。すなわち、記録情報
に応じた磁界は、磁性体基板1と磁性体層16・16か
らなる上下部ヨークに導かれてMR素子3に到達するよ
うになっている。また、磁性体基板1と磁性体層6は磁
気回路を構成しており、リード線4a・4bの渦巻きは
、それぞれこの磁気回路の回りに巻かれた1次巻線と2
次巻線に対応している。つまり、磁性体基板1、磁性体
層6及びリード線4a・4bは信号検出用トランス13
を構成している。
Here, the magnetic substrate 1 and the magnetic layers 16, 16, which are provided so as to sandwich the upper and lower surfaces of the MR element 3, each have an MR element.
The third insulating layer 15, which constitutes the lower yoke and the upper yoke of the element 3, and which is provided between the magnetic substrate 1 and the magnetic layer 16, constitutes a gap layer. That is, the magnetic field corresponding to the recorded information is guided by the upper and lower yokes made up of the magnetic substrate 1 and the magnetic layers 16 and 16, and reaches the MR element 3. Further, the magnetic substrate 1 and the magnetic layer 6 constitute a magnetic circuit, and the spirals of the lead wires 4a and 4b are the primary winding and the secondary winding wound around this magnetic circuit, respectively.
Compatible with the next winding. That is, the magnetic substrate 1, the magnetic layer 6, and the lead wires 4a and 4b are connected to the signal detection transformer 13.
It consists of

上記の構成において、引出し線9aとリード線4b間に
定電圧Vcが印加される。そして、MR素子3の電気抵
抗が外部からの磁界に応じて変化すると、これに伴って
信号検出用トランス13の1次巻線としてのリード線4
aを流れる電流が変化して、相互誘導により2次巻線と
してのリード線4bに電圧が誘起され、引出し線9bと
リード線4bの間に磁界に応じて変化する電圧が出力さ
れる。
In the above configuration, a constant voltage Vc is applied between the lead wire 9a and the lead wire 4b. When the electrical resistance of the MR element 3 changes in accordance with the external magnetic field, the lead wire 4 as the primary winding of the signal detection transformer 13 changes accordingly.
As the current flowing through a changes, a voltage is induced in the lead wire 4b as a secondary winding due to mutual induction, and a voltage that changes depending on the magnetic field is output between the lead wire 9b and the lead wire 4b.

上記の薄膜磁気ヘッドを製造するには、第6図に示すよ
うに、磁性体基板1の左上部に例えばAit Osから
なる第3絶縁層15を形成し、続いて磁性体基板1と第
3絶縁層15とを覆うように例えばStowからなる第
1絶縁層2を形成した後、Ni−Fe合金薄膜等の磁性
体薄膜からなるMR素子3を形成する0次に、MR素子
3の両端に電気的に接続されるように例えばA!からな
るリード線4a・4bを渦巻き状に形成すると同時に、
引出し線9a・9bも形成する。
In order to manufacture the above-mentioned thin film magnetic head, as shown in FIG. After forming the first insulating layer 2 made of, for example, Stow so as to cover the insulating layer 15, an MR element 3 made of a magnetic thin film such as a Ni-Fe alloy thin film is formed. For example, A! While forming the lead wires 4a and 4b in a spiral shape,
Lead lines 9a and 9b are also formed.

その後、第7図に示すように、MR素子3とリード線4
a・4bと引出し線9a・9bとを覆うように、例えば
5iChからなる第2絶縁1ii5を全面に形成する0
次に、リード線4aと引出し線9aとを電気的に接続す
るために、リード線4aの端部上の第2絶縁層5及び引
出し線9aの端部上の第2絶縁層5をRIE (リアク
ティブイオンエツチング)法等を用いて除去して、コン
タクトホール10a・llaを形成する。同様にして、
リード線4bと引出し線9bとを電気的に接続するため
に、コンタクトホール10b・llbを形成する。また
、このとき同時に、信号検出用トランス13(第1図(
b))の磁気回路を設けるために、リード線4a・4b
の渦巻きの中央部上の第1絶縁層2及び第2絶縁層5を
除去して、コンタクトホール12・12を形成すると共
に、上部ヨークとしての磁性体層16・16を設けるた
めに、MR素子3の左右両側の第1絶縁層2及び第2絶
縁層5を除去して、コンタクトホールI7・18を形成
する。
After that, as shown in FIG. 7, the MR element 3 and the lead wire 4 are
A second insulation 1ii5 made of, for example, 5iCh is formed on the entire surface so as to cover the lead wires 9a and 9b and the lead wires 9a and 9b.
Next, in order to electrically connect the lead wire 4a and the lead wire 9a, the second insulating layer 5 on the end of the lead wire 4a and the second insulating layer 5 on the end of the lead wire 9a are subjected to RIE ( The contact holes 10a and 10a are formed by removing the contact holes 10a and 10a by using a reactive ion etching method or the like. Similarly,
Contact holes 10b and llb are formed to electrically connect the lead wire 4b and the extraction wire 9b. At the same time, the signal detection transformer 13 (Fig. 1 (
In order to provide the magnetic circuit of b)), lead wires 4a and 4b are
The first insulating layer 2 and the second insulating layer 5 on the central part of the spiral are removed to form contact holes 12, 12, and to provide magnetic layers 16, 16 as an upper yoke of the MR element. The first insulating layer 2 and the second insulating layer 5 on both the left and right sides of 3 are removed to form contact holes I7 and 18.

次に、MR素子3の上部ヨークとしての磁性体層16−
16(第5図(a)(b))と、リード線4aの端部と
引出し線9aの端部とを電気的に接続する導電体7aと
、リード線4bの端部と引出し線9bの端部とを電気的
に接続する導電体7bと、信号検出用トランス13の磁
気回路を閉じるための磁性体層6とをNi−Fe合金薄
膜等の金属軟磁性体膜により同時に形成する。
Next, the magnetic layer 16- as the upper yoke of the MR element 3
16 (FIGS. 5(a) and 5(b)), a conductor 7a that electrically connects the end of the lead wire 4a and the end of the lead wire 9a, and a conductor 7a that electrically connects the end of the lead wire 4b and the end of the lead wire 9b. A conductor 7b for electrically connecting the end portions and a magnetic layer 6 for closing the magnetic circuit of the signal detection transformer 13 are simultaneously formed using a metal soft magnetic film such as a Ni-Fe alloy thin film.

以上の実施例では、生産効率を向上させるため、磁性体
層6・8(第1図)あるいは磁性体層8・16と導電体
7a・7bとを同一の金属軟磁性体膜により同時に形成
したが、異なる材料で形成してもかまわない。こうする
ことにより、磁性体層6・8・16は必ずしも金属を使
用する必要がなくなり、導電体7a・7bも軟磁性体で
ある必要がなくなるので、それぞれに最適材料を選択で
きる。また、磁性体基板1の代わりに、Sin。
In the above embodiments, in order to improve production efficiency, the magnetic layers 6 and 8 (Fig. 1) or the magnetic layers 8 and 16 and the conductors 7a and 7b were simultaneously formed using the same metal soft magnetic film. However, it may be formed of a different material. By doing so, the magnetic layers 6, 8, and 16 do not necessarily need to be made of metal, and the conductors 7a and 7b also do not need to be soft magnetic materials, so that optimal materials can be selected for each. Moreover, instead of the magnetic substrate 1, a Sin.

基板等の非磁性体基板上に磁性体層を形成した基板を用
いてもかまわない。こうすることにより、基板の選択範
囲が広がる。また、信号検出用トランス13において、
リード’IA4a・4bからなる1次巻線と2次巻線の
巻き数は1回であるが、さらに多く巻くことにより相互
誘導が強くなり、誘導損失が小さくなる。また、1次巻
線の巻き数に対して2次巻線の巻き数を増やすことによ
り、電圧増幅もできる。
A substrate in which a magnetic layer is formed on a non-magnetic substrate such as a substrate may also be used. By doing so, the selection range of substrates is expanded. Moreover, in the signal detection transformer 13,
The number of turns of the primary winding and the secondary winding consisting of the leads IA4a and IA4b is one, but by making more turns, the mutual induction becomes stronger and the induction loss becomes smaller. Furthermore, by increasing the number of turns of the secondary winding relative to the number of turns of the primary winding, voltage amplification can also be achieved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の薄膜磁気ヘッドは、以上のように、磁界により
電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗
効果素子の電気抵抗変化に伴う電流変化を電圧変化に変
換する信号検出用トランスとを一体的に基板上に備える
と共に、信号検出用トランスの1次巻線及び2次巻線を
磁気抵抗効果素子から取り出されたリード線により形成
したので、容積の大きい結合用のコンデンサーを使用し
なくとも、小型の信号検出用トランスから磁界変化に応
じた電圧変化を取り出すことができる。これにより、磁
気抵抗効果素子、信号検出用トラニス及び増幅用tCを
一体化した小型の薄wi!磁気−ッドを構成することが
可能になり、磁気抵抗効果素子から増幅用ICまでの配
線が短(なるので、雑音を拾いにくくなり、SN比が著
しく改善さt。
As described above, the thin film magnetic head of the present invention includes a magnetoresistive element whose electrical resistance changes depending on a magnetic field, and a signal detection transformer which converts a current change caused by the change in electrical resistance of the magnetoresistive element into a voltage change. are integrally provided on the substrate, and the primary and secondary windings of the signal detection transformer are formed from lead wires taken out from the magnetoresistive element, so a large-capacity coupling capacitor can be used. At least, it is possible to extract voltage changes according to magnetic field changes from a small signal detection transformer. As a result, a small and thin Wi! It is now possible to configure a magnetic head, and the wiring from the magnetoresistive element to the amplification IC is short, making it difficult to pick up noise and significantly improving the S/N ratio.

るという効果を奏する。また、多トランク型の春膜磁気
ヘッドに応用する場合、並列処理を時系ll処理に変換
するためのマルチプレクサ一部を一得化することにより
、複数の薄膜磁気ヘッドからC出力を少数の出力線にて
引き出すことができるため、引出し用FPC(フレキシ
ブルプリント回婬)と薄膜磁気ヘッドとの電気的接続点
が少なくなり、接続作業が簡素化されると同時に接触不
良も起こりにくくなるという効果を奏する。
It has the effect of In addition, when applied to a multi-trunk type spring-film magnetic head, by integrating part of the multiplexer for converting parallel processing into time-based processing, C output from multiple thin-film magnetic heads can be reduced to a small number of outputs. Since it can be pulled out with a wire, there are fewer electrical connection points between the pull-out FPC (flexible printed circuit board) and the thin film magnetic head, which simplifies the connection work and reduces the possibility of contact failure. play.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図乃至第4図は本発明の一実施例を示すものである
。 第1図(a)は、薄膜磁気ヘッドの平面図である。 第1図(b)は、同図(a)のA−A矢視断面図である
。 第2図は、磁気抵抗効果素子及びリード線を形成した段
階を示す平面図である。 第3図は、コンタクトホールを形成した段階を示す平面
図である。 第4図は、薄膜磁気ヘッドの回路図である。 第5図乃至第7図は本発明の他の実施例を示すものであ
る。 第5図(a)は、薄膜磁気ヘッドの平面図である。 第5図(b)は、同図(a)のB−B矢視断面図である
。 第6図は、磁気抵抗効果素子及びリード1JIAを形成
した段階を示す平面図である。 第7図は、コンタクトホールを形成した段階を示す平面
図である。 第8図は従来例を示すものであり、薄膜磁気ヘッドの回
路図である。 1は磁性体基板、3はMR素子、4a・4bはリード線
、6・8・16は磁性体層、13は信号検出用トランス
、15は第3絶縁層である。
1 to 4 show one embodiment of the present invention. FIG. 1(a) is a plan view of the thin film magnetic head. FIG. 1(b) is a sectional view taken along the line AA in FIG. 1(a). FIG. 2 is a plan view showing a stage in which a magnetoresistive element and lead wires are formed. FIG. 3 is a plan view showing a stage in which contact holes are formed. FIG. 4 is a circuit diagram of the thin film magnetic head. 5 to 7 show other embodiments of the present invention. FIG. 5(a) is a plan view of the thin film magnetic head. FIG. 5(b) is a sectional view taken along the line BB in FIG. 5(a). FIG. 6 is a plan view showing a stage in which the magnetoresistive element and lead 1JIA are formed. FIG. 7 is a plan view showing a stage in which contact holes are formed. FIG. 8 shows a conventional example, and is a circuit diagram of a thin film magnetic head. 1 is a magnetic substrate, 3 is an MR element, 4a and 4b are lead wires, 6, 8, and 16 are magnetic layers, 13 is a signal detection transformer, and 15 is a third insulating layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子と
、この磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に伴う電流変化
を電圧変化に変換する信号検出用トランスとが同一基板
上に備えられると共に、前記信号検出用トランスの1次
巻線及び2次巻線は前記磁気抵抗効果素子から取り出さ
れたリード線により形成されていることを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。
1. A magnetoresistive element whose electrical resistance changes depending on a magnetic field and a signal detection transformer which converts a current change caused by the change in electrical resistance of the magnetoresistive element into a voltage change are provided on the same substrate, and the signal detection transformer is provided on the same substrate. A thin film magnetic head, wherein the primary winding and the secondary winding of the detection transformer are formed by lead wires taken out from the magnetoresistive element.
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