JPH0445534A - Selective etching method of thin copper film - Google Patents
Selective etching method of thin copper filmInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。[Detailed description of the invention] The present invention will be described in the following order.
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ０発明の概要
Ｃ０従来技術
Ｄ１発明が解決しようとする問題点
Ｅ１問題点を解決するための手段
Ｆ０作用
Ｇ、実施例［第１図乃至第３図］
ａ、第１の実施例［第１図］
ｂ、第２の実施例［第２図］
Ｃ９第３の実施例［第３図］
ｄ、第４の実施例
Ｈ０発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明は銅薄膜の選択的エッチング方法法、特に銅薄膜
の表面を酸化することなくエツチングすることができ、
バリアメタル層を下地とした場合にそのバリアメタル層
をも銅薄膜と同じパターンに選択的エツチングすること
のできる銅薄膜の選択的エッチング方法法に関する。A. Industrial field of application B0 Summary of the invention C0 Prior art D1 Problems to be solved by the invention E1 Means for solving the problems F0 Effects G. Examples [Figures 1 to 3] a. Embodiment 1 [Figure 1] b. Second embodiment [Figure 2] C9 Third embodiment [Figure 3] d. Fourth embodiment H0 Effects of the invention (A. Industrial application) Field) The present invention relates to a method for selectively etching a copper thin film, and in particular to a method for etching a copper thin film without oxidizing its surface.
The present invention relates to a method for selectively etching a copper thin film, in which when a barrier metal layer is used as a base, the barrier metal layer can also be selectively etched into the same pattern as the copper thin film.
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、銅薄膜の選択的エッチング方法法において、
銅薄膜の選択的エツチングに用いたレジスト膜をアッシ
ャ−により除去するとき銅薄膜が酸化されるのを防止す
るため、
銅薄膜上にこれの酸化を防止する第１の無機マスク層を
形成し、該無機マスク層上に第２の無機マスク層を形成
し、該第２の無機マスク層をレジスト膜をマスクとして
選択的にエツチングし、該レジスト膜をアッシャ−によ
り除去し、第２の無機マスク層をマスクとして第１の無
機マスク層をエツチングし、第１の無機マスク層をマス
クとして銅薄膜をエッチグするものであり、
あるいは、チタン系のバリアメタル層の表面に形成され
た銅薄膜をその下地のバリアメタル層ともども選択的に
エツチングするため、
銅薄膜をＮと０を含むガスにより選択的にエツチングし
た後、エツチングガスをＦ又はＣｌを含むガスに切換え
てバリアメタル層を選択的にエツチングするものであり
、
また、表面が既に酸化されている銅薄膜に対しても安全
に選択的エツチング処理を施すことができるようにする
ため、
爆発性を有しない還元性ガスを添加したエツチングガス
により銅薄膜の選択的エツチングを行うものである。(B. Summary of the Invention) The present invention provides a method for selectively etching a copper thin film, in order to prevent the copper thin film from being oxidized when the resist film used for selectively etching the copper thin film is removed by an asher. , forming a first inorganic mask layer on the copper thin film to prevent its oxidation, forming a second inorganic mask layer on the inorganic mask layer, and using the resist film as a mask to form the second inorganic mask layer. Selective etching, removing the resist film with an asher, etching the first inorganic mask layer using the second inorganic mask layer as a mask, and etching the copper thin film using the first inorganic mask layer as a mask. Alternatively, in order to selectively etch the copper thin film formed on the surface of the titanium-based barrier metal layer together with the underlying barrier metal layer, after selectively etching the copper thin film with a gas containing N and 0. , the barrier metal layer is selectively etched by switching the etching gas to a gas containing F or Cl, and the selective etching process can also be safely applied to a copper thin film whose surface has already been oxidized. In order to achieve this, the copper thin film is selectively etched using an etching gas containing a non-explosive reducing gas.
（Ｃ，従来技術）
ＬＳＩ、ＶＬＳ Ｉの集積度は高まる一方であり、それ
に伴う素子の微細化によって配線パターンのルールも小
さくなる一方であり、現在ＤＲＡＭ等のメモリの配線幅
は０．５μｍになりつつあるが、メモリの記憶容量の増
大により将来は配線幅を０．３５μｍあるいはそれ以下
にすることが必要となる。(C, Prior Art) The degree of integration of LSI and VLSI is increasing, and the rules for wiring patterns are also becoming smaller due to the miniaturization of elements.Currently, the wiring width of memories such as DRAM is 0.5 μm. However, as the storage capacity of memory increases, in the future it will be necessary to reduce the wiring width to 0.35 μm or less.
ところで、現在配線材料として一般にアルミニウムが使
用されているが、アルミニウム配線の配線幅を０，５μ
ｍ、０．３５μｍというように狭（すると配線抵抗が無
視できない大きさになってくる。そこで、線幅を狭くし
ても配線抵抗を所望値以下にするには配線を厚（する必
要があるが、配線を厚くすると配線の断面のアスペクト
比が大きくなり、配線の加工性が悪くなる等種々の技術
的問題が生じてくる。By the way, aluminum is generally used as a wiring material at present, but the wiring width of aluminum wiring is 0.5 μm.
m, 0.35 μm, the wiring resistance becomes so large that it cannot be ignored.Therefore, even if the line width is narrowed, in order to keep the wiring resistance below the desired value, the wiring needs to be thick ( However, as the wiring becomes thicker, the aspect ratio of the cross section of the wiring becomes larger, which causes various technical problems such as poor workability of the wiring.
そこで、最近注目を浴びているのは、例えば特開平］、
−２３４５７８号公報に紹介されているように銅を配
線材料として使用することである。というのは、銅の比
抵抗は約１．４ＬＬΩ・ｃｍと低（、アルミニウムのそ
れ（約２，８μΩ・ｃｍ）の約２分の１であり、従って
、同じ線幅で形成した場合配線の厚さは銅を用いた方が
アルミニウムを用いたよりも薄くて済み、加工し易くな
るからである。Therefore, the ones that have been attracting attention recently are, for example, JP-A-H],
As introduced in Japanese Patent No. 234578, copper is used as a wiring material. This is because copper has a low specific resistance of about 1.4 LLΩ・cm (about half that of aluminum (about 2.8 μΩ・cm), so when formed with the same line width, the wiring This is because copper is thinner than aluminum and is easier to process.
また、銅を用いた場合エレクトロマイグレーションがア
ルミニウムを用いた場合よりも少なく、信頼性が高いと
いう利点も注目される所以の一つである。Another reason why copper is attracting attention is that electromigration is lower when copper is used than when aluminum is used, and reliability is higher.
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところで、銅を
配線材料として用いる場合にはいくつかの解決しなけれ
ばならない課題がある。(D. Problems to be Solved by the Invention) By the way, when copper is used as a wiring material, there are several problems that must be solved.
第１に、銅の揮発生成物としてハロゲン化物が知られて
おり、これをエツチングガスとして用いて選択的エツチ
ングを行うことが考えられるが、しかしハロゲン化物に
より銅をエツチングするには２００〜４００℃に加熱す
ることが不可欠であるが、それではレジスト膜を使用す
ることができないという問題がある。というのは、レジ
スト膜をマスクとする選択的エツチングができないから
である。First, halides are known as vaporized products of copper, and it is possible to use them as an etching gas for selective etching. However, there is a problem in that the resist film cannot be used with this method. This is because selective etching using the resist film as a mask is not possible.
尤も、これは無機材料をマスクとして用いることによっ
て解決することができる。しかし、無機材料をマスクと
して銅薄膜を選択的にエツチングする場合において、無
機材料の選択的エツチング後そのエツチングの際にマス
クとして用いたレジスト膜をアッシャ−により除去する
ときに銅薄膜が酸化されるという問題に直面するのであ
る。元来、アルミニウムが酸化されると表面に薄くアル
ミナＡｌ２Ｏ，が生じるが、このアルミナの膜が酸化の
進行を阻むので、アルミニウム全体が酸化されるという
ことは起き得ない。しかし、銅の場合、表面を酸化した
酸素はどんどん奥へ侵入する可能性を有しているので、
酸化についてはアルミニウムの場合よりも細かな配慮が
必要となるのである。However, this can be solved by using an inorganic material as a mask. However, when selectively etching a copper thin film using an inorganic material as a mask, the copper thin film is oxidized when the resist film used as a mask is removed by an asher after selectively etching the inorganic material. We are faced with this problem. Originally, when aluminum is oxidized, a thin layer of alumina (Al2O) is formed on the surface, but since this alumina film prevents the progress of oxidation, it is impossible for the entire aluminum to be oxidized. However, in the case of copper, oxygen that oxidizes the surface has the possibility of penetrating deeper and deeper.
Oxidation requires more careful consideration than in the case of aluminum.
第２に、銅を配線材料として用いる場合においてもアル
ミニウムを配線材料として用いた場合と同様にシリコン
半導体基板との間に相互シンターという問題が生じるの
で下地側にバリアメタル層を設ける必要性があるが、銅
に対するエツチングガスによってはバリアメタル層をエ
ツチングすることができないという問題があった。Secondly, even when copper is used as a wiring material, there is a problem of mutual sintering with the silicon semiconductor substrate, similar to when aluminum is used as a wiring material, so it is necessary to provide a barrier metal layer on the underlying side. However, there is a problem in that the barrier metal layer cannot be etched depending on the etching gas used for copper.
第３に、既に表面が酸化されている銅に対してエツチン
グすると良好なエツチングができないという問題があっ
た。即ち、銅は酸化され易（、エツチング前に銅の表面
が酸化されてしまっているということは充分に起り得る
ことである。そして、銅の表面が酸化されて酸化物の不
働態が生じていると銅に対するエツチングガスとして比
較的多く用いられる塩素系のガスによるエツチングが難
しくなるのである。Thirdly, there is a problem in that good etching cannot be achieved when etching copper whose surface has already been oxidized. In other words, copper is easily oxidized (it is quite possible that the surface of the copper is oxidized before etching.Then, the surface of the copper is oxidized and the oxide becomes passive. This makes etching with chlorine-based gas, which is relatively often used as an etching gas for copper, difficult.
尤も、この問題に対しては上記の特開平１−２３４５７
８号公報に記載されているようにエツチングガス中に水
素ガスを添加して酸化物を還元しながらエツチングする
という解決策もあるが、しかし、水素ガスは爆発性を有
している−のでエツチングガス中に添加することは非常
に危険である。However, regarding this problem, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-23457
As described in Publication No. 8, there is a solution to etching while reducing the oxide by adding hydrogen gas to the etching gas, but since hydrogen gas is explosive, etching is not possible. Adding it to gas is extremely dangerous.
本発明はこのような各種問題点を解決すべく為されたも
のであり、第１に、銅薄膜の選択的エツチングに用いた
レジスト膜をアッシャ−により除去するとき銅薄膜が酸
化されるのを防止することを目的とし、第２に、チタン
系のバリアメタル層の表面に形成された銅薄膜をその下
地のバリアメタル層ともども選択的にエツチングできる
ようにすることを目的とし、第３に、表面が既に酸化さ
れている銅薄膜に対しても安全に選択的エツチング処理
を施すことができるようにすることを目的とする。The present invention has been made to solve these various problems. First, it prevents the copper thin film from being oxidized when the resist film used for selective etching of the copper thin film is removed by an asher. Second, the purpose is to make it possible to selectively etch the copper thin film formed on the surface of the titanium-based barrier metal layer together with the underlying barrier metal layer. Third, the purpose is to It is an object of the present invention to enable selective etching treatment to be safely performed even on a copper thin film whose surface has already been oxidized.
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
請求項（１）の銅薄膜の選択的エッチング方法法は、銅
薄膜上にこれの酸化を防止する第１の無機マスク層を形
成し、該無機マスク層上に第２の無機マスク層を形成し
、該第２の無機マスク層をレジスト膜をマスクとして選
択的にエツチングし、該レジスト膜をアッシャ−により
除去し、゛第２の無機マスク層をマスクとして第１の無
機マスク層をエツチングし、第１の無機マスク層をマス
クとして銅薄膜をエッチグすることを特徴とする請求項
（２）の銅薄膜の選択的エッチング方法法は、銅薄膜を
Ｎと０を含むガスにより選択的にエツチングした後、エ
ツチングガスをＦ又はＣｌを含むガスに切換えてバリア
メタル層を選択的にエツチングすることを特徴とする
請求項（３）の銅薄膜の選択的エッチング方法法は、爆
発性を有しない還元性ガスを添加したエツチングガスに
より銅薄膜の選択的エツチングを行うことを特徴とする
。(E. Means for Solving the Problem) The method of selectively etching a copper thin film according to claim (1) includes forming a first inorganic mask layer on the copper thin film to prevent its oxidation; A second inorganic mask layer is formed on the mask layer, the second inorganic mask layer is selectively etched using a resist film as a mask, and the resist film is removed by an asher. The method of selectively etching a copper thin film according to claim (2), characterized in that the first inorganic mask layer is etched using the first inorganic mask layer as a mask, and the copper thin film is etched using the first inorganic mask layer as a mask. The method of claim 3, wherein the barrier metal layer is selectively etched with a gas containing N and 0, and then the etching gas is switched to a gas containing F or Cl to selectively etch the barrier metal layer. The selective etching method is characterized in that the copper thin film is selectively etched using an etching gas to which a non-explosive reducing gas is added.
（Ｆ、イ乍用）
請求項（１）の銅薄膜の選択的エッチング方法法によれ
ば、レジスト膜のアッシャ−時には第１の無機マスク層
によって銅薄膜が保護されているので銅薄膜が酸化され
る虞れはない。そして、レジスト膜をマスクとして選択
的にエツチングされた第２の無機マスク層をマスクとし
て銅薄膜を選択的にエツチングすることができる。(For F, I) According to the method for selectively etching a copper thin film according to claim (1), when the resist film is ashered, the copper thin film is protected by the first inorganic mask layer, so that the copper thin film is not oxidized. There is no risk of it happening. Then, the copper thin film can be selectively etched using the second inorganic mask layer, which was selectively etched using the resist film as a mask.
従って、レジスト膜のアッシャ−によって銅薄膜が酸化
される虞れを伴うことな（銅薄膜の選択的エツチングを
行うことができる。Therefore, the copper thin film can be selectively etched without the risk of the copper thin film being oxidized by the asher of the resist film.
請求項（２）の銅薄膜の選択的エッチング方法法によれ
ば、銅薄膜なＮとＯを含むガスによりエツチングした後
、エツチングガスをＦ又はＣＩ系のガスに切換えるので
チタン系のバリアメタル層を銅薄膜をマスクとしてエツ
チングすることができる。従って、銅薄膜とその下地の
バリアメタル層とを同じパターンに形成することができ
る。According to the method for selectively etching a copper thin film according to claim (2), after etching the copper thin film with a gas containing N and O, the etching gas is switched to F or CI gas, so that the titanium barrier metal layer is etched. can be etched using a copper thin film as a mask. Therefore, the copper thin film and the underlying barrier metal layer can be formed in the same pattern.
請求項（３）の銅薄膜の選択的エッチング方法法によれ
ば、爆発性を有しない還元性ガスが添加されたエツチン
グガスを用いてエツチングするので、銅薄膜表面の酸化
物をその還元性ガスにより還元しながら銅薄膜をエツチ
ングすることができる。従って、銅薄膜表面の酸化物に
よってエツチングが妨げられる虞れをなくすことができ
る。According to the method for selectively etching a copper thin film according to claim (3), since etching is performed using an etching gas to which a non-explosive reducing gas is added, oxides on the surface of the copper thin film are removed by the reducing gas. The copper thin film can be etched while being reduced by etching. Therefore, it is possible to eliminate the possibility that etching will be hindered by oxides on the surface of the copper thin film.
（Ｇ、実施例）［第１図乃至第３図］
以下、本発明銅薄膜の選択的エッチング方法法を図示実
施例に従って詳細に説明する。(G. Embodiment) [FIGS. 1 to 3] The method for selectively etching a copper thin film according to the present invention will be described in detail below according to the illustrated embodiment.
（ａ、第１の実施例）［第１図］
第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明銅薄膜の選択的エッチ
ング方法法の第１の実施例を工程順に示す断面図である
。(A, First Embodiment) [FIG. 1] FIGS. 1A to 1E are cross-sectional views showing the first embodiment of the selective etching method for a copper thin film according to the present invention in the order of steps.
（Ａ）下地（例えば絶縁膜あるいはバリアメタル層）ｌ
上に銅薄膜（膜厚例えば４０００〜６０００人）２を形
成し、該銅薄膜２上にこれの酸化を防止する例えばシリ
コンナイトライドＳｉＮからなる第１の無機マスクＮ（
膜厚例えば２０００人）３をプラズマＣＶＤにより形成
し、該無機マスク層３上にこれの選択エツチングの際に
マスクとなる例えば多結晶シリコンからなる第２の無機
マスク層（膜厚例えば２０００人）４をＣＶＤにより形
成し、該無機マスク層４上にレジスト膜５を塗布形成し
、その後、該レジスト膜５を露光、現像によりバターニ
ングする。第１図（Ａ）はレジスト膜５のバターニング
後の状態を示す。(A) Base (e.g. insulating film or barrier metal layer)
A first inorganic mask N (made of silicon nitride SiN, for example) is formed on the copper thin film 2 to prevent oxidation thereof.
A second inorganic mask layer (thickness: e.g. 2,000 yen) made of polycrystalline silicon, for example, is formed on the inorganic mask layer 3 to serve as a mask during selective etching. 4 is formed by CVD, a resist film 5 is applied and formed on the inorganic mask layer 4, and then the resist film 5 is patterned by exposure and development. FIG. 1(A) shows the state of the resist film 5 after patterning.
（Ｂ）次に、同図（Ｂ）に示すようにレジスト膜５をマ
スクとして多結晶シリコンからなる第２の無機マスク層
４を例えばＲＩＥによりエツチングする。このＲＩＥは
、例えばエツチングガスが０１□ （５０５ＣＣＭ）、
圧力が５０ｍＴｏｒｒ、パワーが０．２Ｗ／ｃｍ”の条
件で行う。(B) Next, as shown in FIG. 3B, the second inorganic mask layer 4 made of polycrystalline silicon is etched by, for example, RIE using the resist film 5 as a mask. In this RIE, for example, the etching gas is 01□ (505CCM),
The test was carried out under conditions of a pressure of 50 mTorr and a power of 0.2 W/cm.
（Ｃ）次に、同図（Ｃ）に示すようにレジスト膜５をア
ッシングにより除去する。このとき銅薄膜２は耐酸化性
を有するシリコンナイトライドＳｉＮからなる第１の無
機マスク層３によって表面を覆われているので酸化され
ることはない。(C) Next, as shown in FIG. 3C, the resist film 5 is removed by ashing. At this time, the surface of the copper thin film 2 is covered with the first inorganic mask layer 3 made of oxidation-resistant silicon nitride SiN, so that it is not oxidized.
（Ｄ）次に、同図（Ｄ）に示すように、バターニングさ
れた第２の無機マスク層４をマスクとして第１の無機マ
スク層３を例えばＲＩＨによりエツチングする。このＲ
ＩＥは、例えば、エツチングガスがＣＦ４ （５０ＳＣ
ＣＭ）、圧力が５０ｍＴｏｒｒ、パワーが０．２Ｗ／ｃ
ｍ２の条件で行う。(D) Next, as shown in FIG. 3D, the first inorganic mask layer 3 is etched by, for example, RIH using the patterned second inorganic mask layer 4 as a mask. This R
For example, in IE, the etching gas is CF4 (50SC
CM), pressure is 50mTorr, power is 0.2W/c
Performed under the conditions of m2.
これにより銅薄１ｉ１２上の選択的エツチング用のマス
ク（第１の無機マスク層３と第２の無機マスク層４から
なる）をｆＡ薄膜２表面を酸化することな（形成するこ
とができたことになる。As a result, it was possible to form a selective etching mask (consisting of the first inorganic mask layer 3 and the second inorganic mask layer 4) on the copper thin film 12 without oxidizing the surface of the fA thin film 2. become.
（Ｅ）その後、同図（Ｅ）に示すように、第１の無機マ
スク層３及び第２の無機マスク層４をマスクとして銅薄
膜２をエツチングすることにより銅薄膜２のバターニン
グを行う。(E) Thereafter, as shown in FIG. 3E, patterning of the copper thin film 2 is performed by etching the copper thin film 2 using the first inorganic mask layer 3 and the second inorganic mask layer 4 as masks.
本銅；ｉｉｌ膜の選択的エッチング方法法によれば、レ
ジスト膜のアッシャ−時には第１の無機マスク層によっ
て銅薄膜が保護されているので銅薄膜が酸化される虞れ
はない。そして、レジスト膜をマスクとして選択的にエ
ツチングされた第２の無機マスク層をマスクとして銅薄
膜を選択的にエッチングすることができる。According to the present selective etching method for a copper/III film, there is no risk of the copper thin film being oxidized since the copper thin film is protected by the first inorganic mask layer when the resist film is ashered. Then, the copper thin film can be selectively etched using the second inorganic mask layer, which has been selectively etched using the resist film as a mask.
従って、レジスト膜のアッシャ−によって銅薄膜が酸化
される虞れを伴うことなく銅薄膜の選択的にエツチング
を行うことができる。Therefore, the copper thin film can be selectively etched without the risk of the copper thin film being oxidized by the asher of the resist film.
尚、本実施例においては第１の無機マスク層３の材料と
してプラズマシリコンナイトライドＳｉＮを用いていた
が、必ずしもそれに限定されるものではなく、レジスト
膜５のアッシングの際に銅薄膜２の酸化を防止すること
ができるものであれば他の材料、例えばＴｉ、ＴｉＮで
も良い。In this embodiment, plasma silicon nitride SiN was used as the material for the first inorganic mask layer 3, but the material is not necessarily limited to this. Other materials such as Ti and TiN may be used as long as they can prevent this.
但し、第２の無機マスク層４とエツチングの選択比を大
きくとれることが条件となることはいうまでもない。However, it goes without saying that the condition is that a high etching selectivity with respect to the second inorganic mask layer 4 can be achieved.
また、本実施例においては、第２の無機マスク層４の材
料として多結晶シリコンを用いてきたが、他の材料、例
えばアモルファスシリコン、二酸化シリコンＳ ｉ Ｏ
ｔを用いることができる。第１の無機マスク層としてＴ
ｉ、ＴｉＮを用いない場合には、第２の無機マスク層と
してＴｉ、ＴｉＮを用いることもできる。Further, in this example, polycrystalline silicon has been used as the material for the second inorganic mask layer 4, but other materials such as amorphous silicon, silicon dioxide S i O
t can be used. T as the first inorganic mask layer
i. When TiN is not used, Ti or TiN can also be used as the second inorganic mask layer.
（ｂ、第２の実施例）［第２図］
第２図（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明銅薄膜の選択的エッチ
ング方法法の第２の実施例を工程順に示す断面図である
。(b, Second Embodiment) [FIG. 2] FIGS. 2(A) to 2(C) are cross-sectional views showing the second embodiment of the selective etching method for a copper thin film according to the present invention in the order of steps.
（Ａ）下地１上にコンタクトメタルとしてのチタンＴｉ
膜（膜厚３００人）６を形成し、該チタン膜６上にバリ
アメタルとしてのチタンオキシナイトライドＴｉ０Ｎ膜
（膜厚５ｏＯ〜１５ｏｏ人）７を形成し、該チタンオキ
シナイトライド膜７上に銅薄膜２が該チタンオキシナイ
トライド膜７の中の酸素によって酸化されるのを防止す
るためのチタンＴｉ膜（膜厚１００〜５００人）８を形
成する。これにより銅薄膜２とシリコン半導体基板（図
示せず）との相互シンターを防止する三層構造のバリア
メタル層６．７．８が形成される。(A) Titanium as contact metal on base 1
A film (thickness: 300 mm) 6 is formed, and a titanium oxynitride Ti0N film (thickness: 5 to 15 mm) 7 is formed as a barrier metal on the titanium film 6. A titanium film (thickness: 100 to 500) 8 is formed to prevent the copper thin film 2 from being oxidized by oxygen in the titanium oxynitride film 7. This forms a three-layer barrier metal layer 6.7.8 that prevents mutual sintering between the copper thin film 2 and the silicon semiconductor substrate (not shown).
次に、バリアメタル層６．７．８上に銅薄膜（膜厚５０
０〜１５００人）２を形成し、該銅薄膜２上に例えばプ
ラズマナイトライド５ｉＮ（ＩＩＩ厚２０００人）から
なるＳ機マスク層３を形成し、該無機マスク層３をパタ
ーニングする。第１図（Ａ）は無機マスク層３のバター
ニング後の状態を示す。Next, on the barrier metal layer 6.7.8, a copper thin film (film thickness 50
An inorganic mask layer 3 made of, for example, plasma nitride 5iN (III thickness 2000 layers) is formed on the copper thin film 2, and the inorganic mask layer 3 is patterned. FIG. 1(A) shows the state of the inorganic mask layer 3 after patterning.
尚、第１の実施例を駆使して二層構造のマスクを選択的
に形成することによりレジスト膜の一アッシングにより
銅薄膜２の表面が酸化されないようにしても良いことは
いうまでもない。It goes without saying that the surface of the copper thin film 2 may be prevented from being oxidized by one ashing of the resist film by making full use of the first embodiment and selectively forming a mask with a two-layer structure.
（Ｂ）次に、同図（Ｂ）に示すように、銅薄膜２を、銅
薄膜３をマスクとして選択的にエツチングする。この選
択的エツチングは例えばＥＣＲタイプのエツチング装置
を用いて行う。エツチング条件は例えばエツチングガス
がＮｏ、（５０５ＣＣＭ）１０．（ＩＯ３ｃｃＭ）、圧
力が１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波が３００ｍＡ、ＲＦバ
イアスのパワーが５０Ｗである。(B) Next, as shown in the same figure (B), the copper thin film 2 is selectively etched using the copper thin film 3 as a mask. This selective etching is performed using, for example, an ECR type etching device. Etching conditions are, for example, etching gas No. (505 CCM) 10. (IO3ccM), pressure is 10mTorr, microwave is 300mA, and RF bias power is 50W.
このエツチングは、銅薄膜２の表面に
Ｃｕ（Ｎｏ ） が形成されその
Ｃｕ （Ｎｏｔ ）２が昇華することの繰返しにより進
行する。しかし、エツチングガスは、バリアメタル層８
．７．６に対しては反応しないので、このままではバリ
アメタル層のエツチングは進行しない。This etching progresses by repeatedly forming Cu(No) on the surface of the copper thin film 2 and sublimating the Cu(Not)2. However, the etching gas
．． Since it does not react with 7.6, etching of the barrier metal layer does not proceed as it is.
（Ｃ）そこで、バリアメタル層８．７．６の表面（チタ
ン膜８）が露出すると、エツチングガスなＮｏ茸 （５
０ＳＣＣＭ）１０ｘ （１０ＳＣＣＭ）からＢＣｌ、
（６０ＳＣＣＭ）／Ｃｌ゜（９０ＳＣＣＭ）に切換える
。すると、同図（Ｃ）に示すようにチタン系のバリアメ
タル層８．７．６をエツチングすることができる。尚、
エツチングガスだけでなくチェンバ内部圧力も１０ｍＴ
ｏｒｒから１６ｍＴｏｒｒに切換えた方が良い。他の条
件、例えばマイクロ波、ＲＦバイアスのパワーはそのま
まで良い。(C) Then, when the surface of the barrier metal layer 8.7.6 (titanium film 8) is exposed, etching gas (No.
0SCCM) 10x (10SCCM) to BCl,
(60SCCM)/Cl° (90SCCM). Then, the titanium-based barrier metal layer 8.7.6 can be etched as shown in FIG. still,
Not only the etching gas but also the chamber internal pressure is 10mT.
It is better to switch from orr to 16mTorr. Other conditions, such as microwave power and RF bias power, may be left as they are.
本銅薄膜の選択的エッチング方法法によれば、Ｎ及びＯ
を含むガス系のエツチングガスにより銅薄膜２をエツチ
ングし、銅薄膜２の選択的エツチングをし終えた段階で
エツチングガスをチタン系材料に対してエツチングが可
能なＣＩを含んだガスに切換えるので、バリアメタル層
８．７．６も銅薄膜３と共に選択的にエツチングするこ
とができるのである。According to the present copper thin film selective etching method, N and O
The copper thin film 2 is etched with a gas-based etching gas containing . The barrier metal layer 8.7.6 can also be selectively etched together with the copper thin film 3.
尚、銅薄膜２に対するエツチングガスとしてＮｏ、１１
０１Ｇ代えてＮＯあルイはＮｏ、とＯ！あるいはＮヨの
混合ガスを用いることができる。Note that No. 11 was used as the etching gas for the copper thin film 2.
01G said NO, Rui said NO, and O! Alternatively, a mixed gas of N and Y can be used.
また、バリアメタル層８．７．６に対するエツチングガ
スとしてＢＣＩＩ／Ｃｌ□に代えて無機マスク層１４あ
るいはＳ ｉ Ｃｌ４を含んだガスを用いることができ
るのみならず、フッ素Ｆ系のガスを用いることもできる
。フッ素Ｆを含んだガスとしてはＣＦ４．ＳＦ、あるい
はＮＦ、にＯ３を添加したものがバリアメタル層選択的
エツチング用として用いることができる。Furthermore, as an etching gas for the barrier metal layer 8.7.6, not only the inorganic mask layer 14 or a gas containing SiCl4 can be used instead of BCII/Cl□, but also a fluorine F-based gas can be used. You can also do it. The gas containing fluorine F is CF4. SF or NF added with O3 can be used for selectively etching the barrier metal layer.
面、本実施例においては銅薄膜選択的エツチング用無機
マスク層３としてプラズマシリコンナイトライドを材料
に用いたが、必ずしもそのようにする必要はなく、チタ
ンＴｉあるいはチタンナイトライドＴｊＮを用いるよう
にしても良い。但し、この場合、銅薄膜２表面上にその
チタンＴ１あるいはチタンナイトライドＴｉＮ膜が残ら
な（なるが、残らな（でも済む場合にはチタン系の材料
を無機マスク層３として用いることができるのである。On the other hand, in this example, plasma silicon nitride was used as the material for the inorganic mask layer 3 for selectively etching a copper thin film, but it is not necessarily necessary to do so, and titanium Ti or titanium nitride TjN may be used. Also good. However, in this case, the titanium T1 or the titanium nitride TiN film will not remain on the surface of the copper thin film 2 (although if it does, a titanium-based material can be used as the inorganic mask layer 3). be.
また、本実施例においてはバリアメタル層としてチタン
オキシナイトライドＴｉ０Ｎ膜７の上下両面にチタンＴ
ｉ膜８．６を形成したサンドイッチ構造のものを形成し
たが必ずしもそれに限定されるものではなく、それに代
えてチタンＴｉ膜６の表面にチタンオキシナイトライド
Ｔｉ０Ｎ膜７を形成した二層構造のものを用いるように
しても良い。但し、この場合は酸素Ｏを含有したチタン
オキシナイトライドＴｉ０Ｎ膜７が直接銅薄膜２に接し
膜７中の酸素が銅薄膜２を酸化する可能性があるので、
本実施例の方が銅薄膜２の酸化を確実に防止するうえで
好ましいといえる。また、バリアメタル層としてチタン
タングステンＴｉＷ膜を形成することも考えられる。こ
のようにした場合にはバリアメタル層が単相構造なので
形成がし易いという利点がある。In addition, in this embodiment, titanium T is used as a barrier metal layer on both the upper and lower surfaces of the titanium oxynitride Ti0N film 7.
Although a sandwich structure was formed in which an i film 8.6 was formed, the present invention is not necessarily limited to this, and instead, a two-layer structure in which a titanium oxynitride Ti0N film 7 was formed on the surface of a titanium Ti film 6 was formed. You may also use However, in this case, the titanium oxynitride TiON film 7 containing oxygen O is in direct contact with the copper thin film 2 and the oxygen in the film 7 may oxidize the copper thin film 2.
This embodiment can be said to be more preferable in terms of reliably preventing oxidation of the copper thin film 2. It is also conceivable to form a titanium tungsten TiW film as the barrier metal layer. In this case, there is an advantage that the barrier metal layer has a single-phase structure and is easy to form.
（ｃ、第３の実施例）［第３図］
第３図（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明銅薄膜の選択的エッチ
ング方法法の第３の実施例を工程順に示す断面図である
。(c, Third Embodiment) [FIG. 3] FIGS. 3(A) to 3(C) are cross-sectional views showing the third embodiment of the selective etching method for a copper thin film according to the present invention in the order of steps.
（Ａ）基板１上に銅薄膜２を選択的にエツチングすると
その後同図（Ａ）に示すように銅薄＃２の表面に１００
〜２００人程度の酸化銅膜９ができてしまう、これは選
択的にエツチング後半導体ウェハを装置から出して次の
絶縁膜形成工程に供する間に空気中の酸素が銅薄膜と反
応するからである。(A) After selectively etching the copper thin film 2 on the substrate 1, the surface of the copper thin film #2 is etched with 100%
A copper oxide film 9 of approximately 200 layers is formed. This is because oxygen in the air reacts with the copper thin film while the semiconductor wafer is taken out of the device after selective etching and subjected to the next insulating film formation process. be.
（Ｂ）次に、眉間絶縁膜として例えばプラズマシリコン
ナイトライド膜を形成することになり、その形成をすべ
くプラズマＣＶＤ装置に半導体ウェハを入れるが、その
後プラズマＣＶＤを行う前に装置内を水素あるいは還元
性雰囲気にし、半導体ウェハを例えば４００℃程度の温
度で加熱する。(B) Next, a plasma silicon nitride film, for example, will be formed as an insulating film between the eyebrows, and the semiconductor wafer will be placed in a plasma CVD apparatus to form the film. A reducing atmosphere is created and the semiconductor wafer is heated, for example, at a temperature of about 400°C.
すると、酸化銅が還元されて同図（Ｂ）に示すように酸
化銅膜９が除去される。Then, the copper oxide is reduced and the copper oxide film 9 is removed as shown in FIG.
（Ｃ）その後、プラズマＣＶＤ条件をつくり第３図（］
に示すようにシリコンナイトライドＳｉＮからなる絶縁
膜１０を形成する。このときのプラズマＣＶＤ条件は、
供給ガスがＳ Ｉ Ｈ＜（１５０ＳＣＣＭ）／ＮＨ，（
６０３ＣＣＭ）／Ｎ、（１５００３ＣＣＭ）、内部圧力
が５Ｔｏｒｒ、ＲＦバイアスのパワーが４５０Ｗ、温度
が３９０℃である。(C) After that, plasma CVD conditions were created and Figure 3 (]
As shown in FIG. 2, an insulating film 10 made of silicon nitride SiN is formed. The plasma CVD conditions at this time are:
Supply gas is S I H<(150SCCM)/NH, (
603 CCM)/N, (15003 CCM), internal pressure is 5 Torr, RF bias power is 450 W, and temperature is 390°C.
本銅薄膜の選択的エッチング方法法によれば、絶縁膜１
０の形成前に銅薄膜２表面の酸化銅膜９を除去してお（
ので、酸化銅膜９中の酸素が銅薄膜２中に徐々に進入し
て銅薄膜２の抵抗値が徐々に上昇する虞れを完全になく
すことができる。According to the present copper thin film selective etching method, the insulating film 1
0, the copper oxide film 9 on the surface of the copper thin film 2 is removed (
Therefore, the possibility that oxygen in the copper oxide film 9 gradually enters the copper thin film 2 and the resistance value of the copper thin film 2 gradually increases can be completely eliminated.
尚、酸化銅膜９の還元の際にプラズマを発生するように
しても良い。この場合には加熱温度は低くて済み、１０
０℃以上の温度で加熱すれば良い。Note that plasma may be generated when the copper oxide film 9 is reduced. In this case, the heating temperature can be low, 10
It may be heated at a temperature of 0°C or higher.
（ｄ、第４の実施例）
本発明銅薄膜の選択的エッチング方法法の第４の実施例
は銅薄膜を選択的にエツチングする場合においてエツチ
ングガスとして数％の還元性ガス、例えばＨＣＩを含有
したものを用いる。このようにすると、エツチング前に
銅薄膜の表面が酸化されていても還元性ガスによって銅
酸化物を除去するので銅酸化物に妨げられることなく銅
薄膜に対する選択的エツチングを進行させることができ
る。(d, Fourth Example) A fourth example of the selective etching method for a copper thin film of the present invention contains several percent of a reducing gas, such as HCI, as an etching gas when selectively etching a copper thin film. Use the one you made. In this way, even if the surface of the copper thin film is oxidized before etching, the copper oxide is removed by the reducing gas, so selective etching of the copper thin film can proceed without being hindered by the copper oxide.
エツチング条件の一つの例は、エツチングガスがＣｌ２
（１００ＳＣＣＵ）／ＨＣＩ （５ＳＣＣＭ）、ガス圧
が５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦバイアスのパワーが３００Ｗ、
半導体ウェハに対する加熱温度が４００℃である。この
例によれば、プラズマ中で解離した水素イオンＨが効果
的に酸化銅を還元し、エツチングがスムーズに進行する
のである。そして、還元性ガスとして添加したＨＣＩは
堆積性が全くなく、銅薄膜に対する選択的エツチングに
対して悪影響を及ぼす虞れはない。また、ＨＣＩは水素
ガスＨ２と異なり爆発性がないので安全性が高い。One example of etching conditions is that the etching gas is Cl2
(100SCCU)/HCI (5SCCM), gas pressure is 50mTorr, RF bias power is 300W,
The heating temperature for the semiconductor wafer is 400°C. According to this example, the hydrogen ions H dissociated in the plasma effectively reduce the copper oxide, and etching proceeds smoothly. Furthermore, HCI added as a reducing gas has no deposition properties and has no adverse effect on the selective etching of the copper thin film. Furthermore, unlike hydrogen gas H2, HCI is non-explosive and therefore highly safe.
エツチング条件の他の例は、エツチングガスがＣｌ２（
１００ＳＣＣＭ）／ＢＣｌ，（２０３ＣＣＭ）、ＲＦバ
イアスが３００Ｗ、半導体ウェハに対する加熱温度が４
００℃である。即ち、本例では還元性ガスとしてＢＣＩ
ｍを用いるのである。ＢＣｌ、はアルミニウムに対する
エツチングで公知なように還元性を有するので銅薄膜表
面の酸化銅膜を還元する。従って、エツチングがスムー
ズに進行する。そして、Ｂ Ｃｌｓは沸点が低く、室温
での蒸気圧が０１６ｋｇ／ｃｍ２程度で水素より取り扱
い易い。Another example of etching conditions is that the etching gas is Cl2 (
100SCCM)/BCl, (203CCM), RF bias is 300W, heating temperature for semiconductor wafer is 4
It is 00℃. That is, in this example, BCI is used as the reducing gas.
m is used. BCl has a reducing property as is well known in etching aluminum, so it reduces the copper oxide film on the surface of the copper thin film. Therefore, etching progresses smoothly. BCls has a low boiling point, a vapor pressure of about 0.16 kg/cm2 at room temperature, and is easier to handle than hydrogen.
本銅薄膜の選択的エッチング方法法によれば、爆発性の
ない還元性ガスを添加した塩素ガスをエツチングガスと
して用いることにより銅薄膜を選択的にエツチングする
ので、銅薄膜表面の銅酸化物を還元性ガスにより除去し
ながら銅薄膜を塩素ガスにより安全にエツチングするこ
とができる。According to the present method for selectively etching copper thin films, the copper thin film is selectively etched by using chlorine gas to which a non-explosive reducing gas is added as an etching gas, so copper oxides on the surface of the copper thin film are etched. A thin copper film can be safely etched with chlorine gas while being removed with a reducing gas.
従って、銅薄膜の表面に銅酸化物が形成されていたとし
ても支障なく選択的エツチングを行うことができる。Therefore, even if copper oxide is formed on the surface of the copper thin film, selective etching can be performed without any problem.
尚、還元性があり爆発の危険性のないガスとしてエツチ
ングガス中に添加できるものには、ＨＣＩ、ＢＣｌ、の
ほかに、ＣＣＩ。In addition to HCI and BCl, CCI is a gas that can be added to the etching gas as it has reducing properties and does not pose a risk of explosion.
Ｓ ｉ Ｃｌ４等がある。There are SiCl4, etc.
（Ｈ，発明の効果）
以上に述べたように、請求項（１）の本発明銅薄膜の選
択的エッチング方法法は、銅薄膜上に該銅薄膜の酸化を
防止する第１の無機マスク層を形成し、該第１の無機マ
スク層上に第２の無機マスク層を形成し、該第２の無機
マスク層上にレジスト膜を選択的に形成し、該レジスト
膜をマスクとして第２の無機マスク層をエツチングし、
該レジスト膜をアッシングにより除去し、第２の無機マ
スク層をマスクとして第１の無機マスク層をエツチング
し、第２の無機マスク層をマスクとして銅薄膜をエツチ
ングすることを特徴とするものである。(H, Effect of the Invention) As described above, the method of selectively etching a copper thin film of the present invention according to claim (1) provides a first inorganic mask layer on a copper thin film for preventing oxidation of the copper thin film. a second inorganic mask layer is formed on the first inorganic mask layer, a resist film is selectively formed on the second inorganic mask layer, and a second inorganic mask layer is formed using the resist film as a mask. Etching the inorganic mask layer,
The resist film is removed by ashing, the first inorganic mask layer is etched using the second inorganic mask layer as a mask, and the copper thin film is etched using the second inorganic mask layer as a mask. .
従って、請求項（１）の銅薄膜の選択的エッチング方法
法によれば、レジスト膜のアッシャ−時には第１の無機
マスク層によって銅薄膜が保護されているので銅薄膜が
酸化される虞れはない。そして、レジスト膜をマスクと
して選択的にエツチングされた第２の無機マスク層をマ
スクとして銅薄膜を選択的にエツチングすることができ
る。Therefore, according to the method for selectively etching a copper thin film according to claim (1), since the copper thin film is protected by the first inorganic mask layer when the resist film is ashered, there is no possibility that the copper thin film will be oxidized. do not have. Then, the copper thin film can be selectively etched using the second inorganic mask layer, which was selectively etched using the resist film as a mask.
従って、レジスト膜のアッシャ−によって銅薄膜が酸化
される虞れを伴うことなく銅薄膜の選択的エツチングを
行うことができる。Therefore, the copper thin film can be selectively etched without the risk of the copper thin film being oxidized by the asher of the resist film.
請求項（２）の銅薄膜の選択的エッチング方法法は、チ
タン系バリアメタル層の表面に形成された銅薄膜を窒素
Ｎと酵素Ｏを含むガスにより選択的にエツチングし、そ
の後、上記バリアメタル層をフッ素Ｆ又は塩素Ｃｌを含
むガスによりバリアメタル層をエツチングすることを特
徴とするものである。The method of selectively etching a copper thin film according to claim (2) selectively etches the copper thin film formed on the surface of the titanium-based barrier metal layer with a gas containing nitrogen N and enzyme O, and then etches the copper thin film formed on the surface of the titanium-based barrier metal layer. This method is characterized in that the barrier metal layer is etched with a gas containing fluorine F or chlorine Cl.
従って、請求項（２）の銅薄膜の選択的エッチング方法
法によれば、銅薄膜をＮとＯを含むガスによりエツチン
グした後、エツチングガスをＦ又はＣｌ系のガスに切換
えるのでチタン系のバリアメタル層を銅薄膜をマスクと
してエツチングすることができる。従って、銅薄膜とそ
の下地のバリアメタル層とを同じパターンに形成するこ
とができる。依って、バリアメタルを有する銅配線の形
成が可能になり、シリコン半導体基板との相互シンター
のない銅配線の形成が可能になる。Therefore, according to the method for selectively etching a copper thin film according to claim (2), after etching the copper thin film with a gas containing N and O, the etching gas is switched to an F or Cl gas, so that the titanium barrier is removed. The metal layer can be etched using the copper thin film as a mask. Therefore, the copper thin film and the underlying barrier metal layer can be formed in the same pattern. Therefore, it becomes possible to form a copper wiring having a barrier metal, and it becomes possible to form a copper wiring without mutual sintering with a silicon semiconductor substrate.
請求項（３）の銅薄膜の選択的エッチング方法法は、爆
発性を有しない還元性ガスを添加したエツチングガスに
より銅薄膜を選択的にエツチングすることを特徴とする
ものである。The method for selectively etching a copper thin film according to claim (3) is characterized in that the copper thin film is selectively etched using an etching gas to which a non-explosive reducing gas is added.
従って、請求項（３）の銅薄膜の選択的エッチング方法
法によれば、爆発性を有しない還元性ガスが添加された
エツチングガスを用いてエツチングするので、銅薄膜表
面の酸化物をその還元性ガスにより還元しながら銅薄膜
をエツチングすることができる。従って、銅薄膜表面の
酸化物によってエツチングが妨げられる虞れをなくすこ
とができる。Therefore, according to the method for selectively etching a copper thin film according to claim (3), since etching is performed using an etching gas to which a non-explosive reducing gas is added, oxides on the surface of the copper thin film are reduced. A copper thin film can be etched while being reduced by a reactive gas. Therefore, it is possible to eliminate the possibility that etching will be hindered by oxides on the surface of the copper thin film.
第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明銅薄膜の選択的エッチ
ング方法法の第１の実施例を工程順に示す断面図、第２
図（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明銅薄膜の選択的エッチング
方法法の第２の実施例を工程順に示す断面図、第３図（
Ａ）乃至（Ｃ）は本発明銅薄膜の選択的エッチング方法
法の第３の実施例を工程順に示す断面図である。
符号の説明
２・・・銅薄膜、
３・・・第１の無機マスク層、
４・・・第２の無機マスク層。
５・・・レジスト膜、
６〜８・・・バリアメタル層。
（’ＪＮ’）
（ｊ
手続補正書
（自発）
平成
２年
９月
４日
平成
２年特許願第１５４８４３号
２゜
発明の名称
銅薄膜の選択的エッチング方法法
住所
東京部品用区北品ｊ
６丁目７番３５号
名称
ン
二一株式会社
４゜
代
理
人
住所
東京都荒川区西日暮里２丁目５３番５号ニューハウス西
日暮里７０３号室
明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面６、補正の内容
（１）明細書第１頁下行目、「るが、」を「す、」に訂
正する。
（２）明細書第１頁下行目、「をマスクとする選的エツ
チングができないから」を「で４００℃卯熱に耐えられ
る材料が無いため」に訂正する。
（３）明細書第１６頁下から３行目、ｒ５００〜１５０
０Ｊを「４０ｏＯ〜６０００」に訂正する。
４）明細書筒１９頁６行目から７行目にかけて「無機マ
スク層１４あるいは」を削除する。
（５）明細書第２１頁下から３行目、「酸化銅膜９が除
去される。」を「銅となる。」に訂正する。
（６）明細書筒２２頁９行目、「除去」を「還元」に訂
正する。
ｒ７）明細書第２４頁下から７行目、「除去」を還元」
に訂正する。
８）図面第２図（Ａ）乃至（Ｃ）を別添訂正図面第２図
（Ａ）乃至（Ｃ）の通りに訂正する。
７゜
添付書類の目録
（１）訂正図面
［第２図
（Ａ）
乃至
（Ｃ）
］
・・・・・・１通
訂正図面
第
図1A to 1E are cross-sectional views showing the first embodiment of the selective etching method for a copper thin film according to the present invention in order of steps;
Figures (A) to (C) are cross-sectional views showing the second embodiment of the selective etching method for a copper thin film according to the present invention in the order of steps, and Figure 3 (
A) to (C) are cross-sectional views showing the third embodiment of the method for selectively etching a copper thin film according to the present invention in the order of steps. Explanation of symbols 2... Copper thin film, 3... First inorganic mask layer, 4... Second inorganic mask layer. 5... Resist film, 6-8... Barrier metal layer. ('JN') (j Procedural amendment (spontaneous) September 4, 1990 1990 Patent Application No. 154843 2゜ Title of invention Method for selectively etching copper thin film Address Tokyo Parts Co., Ltd. Kitashina j 6 Chome 7-35 Name N-21 Co., Ltd. 4゜Agent address 2-53-5 Nishi-Nippori, Arakawa-ku, Tokyo Room 703, New House Nishi-Nippori Contents (1) In the bottom line of the first page of the specification, "ruga" is corrected to "su". (2) In the bottom line of the first page of the specification, "selective etching cannot be performed using as a mask." Corrected to "Because there is no material that can withstand 400℃ heat." (3) Page 16 of the specification, 3rd line from the bottom, r500-150
Correct 0J to "40oO~6000". 4) Delete "Inorganic mask layer 14 or" from line 6 to line 7 on page 19 of the specification tube. (5) In the third line from the bottom of page 21 of the specification, "copper oxide film 9 is removed." is corrected to "copper becomes." (6) On page 22, line 9 of the specification cylinder, "removal" is corrected to "reduction." r7) Page 24 of the specification, line 7 from the bottom, “removal” is reduced.”
Correct. 8) Correct the drawings (A) to (C) as shown in the attached corrected drawings (A) to (C). 7゜Inventory of attached documents (1) Corrected drawings [Fig. 2 (A) to (C)] ...1 copy of corrected drawings
Claims (3)
マスク層を形成し、上記第１の無機マスク層上に第２の
無機マスク層を形成し、上記第２の無機マスク層上にレ
ジスト膜を選択的に形成し、上記レジスト膜をマスクと
して第２の無機マスク層をエッチングし、上記レジスト
膜をアッシングにより除去し、第２の無機マスク層をマ
スクとして第１の無機マスク層をエッチングし、第１の
無機マスク層をマスクとして銅薄膜をエッチングするこ
とを特徴とする銅薄膜の選択的エッチング方法(1) Forming a first inorganic mask layer on the copper thin film to prevent oxidation of the copper thin film, forming a second inorganic mask layer on the first inorganic mask layer, and forming the second inorganic mask on the copper thin film. A resist film is selectively formed on the layer, a second inorganic mask layer is etched using the resist film as a mask, the resist film is removed by ashing, and the first inorganic mask layer is etched using the second inorganic mask layer as a mask. A method for selectively etching a copper thin film, comprising etching a mask layer and etching the copper thin film using a first inorganic mask layer as a mask.
膜を窒素Ｎと酸素Ｏを含むガス系のエッチングガスによ
り選択的にエッチングし、その後、上記バリアメタル層
をフッ素Ｆ又は塩素Ｃｌを含むガス系のエッチングガス
によりバリアメタル層をエッチングすることを特徴とす
る銅薄膜の選択的エッチング方法(2) Selectively etching the copper thin film formed on the surface of the titanium-based barrier metal layer with an etching gas containing nitrogen N and oxygen O, and then etching the barrier metal layer containing fluorine F or chlorine Cl. A method for selectively etching a copper thin film, characterized by etching a barrier metal layer with a gas-based etching gas.
グガスにより銅薄膜を選択的にエッチングすることを特
徴とする銅薄膜の選択的エッチング方法(3) A method for selectively etching a copper thin film, which comprises selectively etching the copper thin film using an etching gas to which a non-explosive reducing gas is added.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15484390A JPH0445534A (en) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | Selective etching method of thin copper film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15484390A JPH0445534A (en) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | Selective etching method of thin copper film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445534A true JPH0445534A (en) | 1992-02-14 |
Family
ID=15593111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15484390A Pending JPH0445534A (en) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | Selective etching method of thin copper film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445534A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002530845A (en) * | 1998-11-17 | 2002-09-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Removal of oxides or other reducible contaminants from substrates by plasma treatment |
| JP2003533880A (en) * | 2000-05-15 | 2003-11-11 | エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ | Manufacturing method of integrated circuit |
| JP2011023760A (en) * | 2010-11-02 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of forming wiring, and method of manufacturing semiconductor device |
| US8183150B2 (en) | 1998-11-17 | 2012-05-22 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device having silicon carbide and conductive pathway interface |
| JP2014192322A (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Nippon Zeon Co Ltd | Etching method |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP15484390A patent/JPH0445534A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002530845A (en) * | 1998-11-17 | 2002-09-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Removal of oxides or other reducible contaminants from substrates by plasma treatment |
| JP4901004B2 (en) * | 1998-11-17 | 2012-03-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Method for removing copper oxide on a substrate surface |
| US8183150B2 (en) | 1998-11-17 | 2012-05-22 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device having silicon carbide and conductive pathway interface |
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| JP2014192322A (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Nippon Zeon Co Ltd | Etching method |
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