JPH0444751B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0444751B2
JPH0444751B2 JP60119314A JP11931485A JPH0444751B2 JP H0444751 B2 JPH0444751 B2 JP H0444751B2 JP 60119314 A JP60119314 A JP 60119314A JP 11931485 A JP11931485 A JP 11931485A JP H0444751 B2 JPH0444751 B2 JP H0444751B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
signal
circuit
laser
semiconductor laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60119314A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS61275869A (en
Inventor
Hideo Watanabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP60119314A priority Critical patent/JPS61275869A/en
Publication of JPS61275869A publication Critical patent/JPS61275869A/en
Publication of JPH0444751B2 publication Critical patent/JPH0444751B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Laser Beam Printer (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
  • Fax Reproducing Arrangements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の分野) 本発明は、複数の半導体レーザから射出された
レーザビームを1本に合成するようにした半導体
レーザ光源装置において、合成ビームの光量を一
定に制御する装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of the Invention) The present invention provides a semiconductor laser light source device that combines laser beams emitted from a plurality of semiconductor lasers into one, in which the amount of light of the combined beam is controlled to be constant. It is related to the device.

(発明の技術的背景および先行技術) 従来より、光ビームを光偏向器により偏向して
走査する光ビーム走査装置が、例えば各種走査記
録装置、走査読取装置等において広く実用に供さ
れている。このような光ビーム走査装置において
光ビームを発生する手段の1つとして、半導体レ
ーザが従来から用いられている。この半導体レー
ザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価で消費
電力も少なく、また駆動電流を変えることによつ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有して
いる。
(Technical Background and Prior Art of the Invention) Conventionally, light beam scanning devices that scan a light beam by deflecting it with an optical deflector have been widely put into practical use, for example, in various scanning recording devices, scanning reading devices, and the like. A semiconductor laser has conventionally been used as one of the means for generating a light beam in such a light beam scanning device. This semiconductor laser has many advantages, such as being smaller, cheaper, and consumes less power than gas lasers, and can be directly modulated by changing the drive current.

しかしながら、その反面この半導体レーザは、
連続発振させる場合には現状では出力がたかだか
20〜30mwと小さく、したがつて高エネルギーの
走査光を必要とする光ビーム走査装置、例えば感
度の低い記録材料(金属膜、アモルフアス膜等の
DRAW材料等)に記録する走査記録装置等に用
いるのは極めて困難である。
However, on the other hand, this semiconductor laser
Currently, the output is at most when generating continuous oscillation.
Light beam scanning devices that are small (20 to 30 mw) and therefore require high-energy scanning light, such as recording materials with low sensitivity (metal films, amorphous films, etc.)
It is extremely difficult to use it in scanning recording devices that record on DRAW materials, etc.).

また、ある種の蛍光体に放射線(X線、α線、
β線、γ線、電子線、紫外線等)を照射すると、
この放射線エネルギーの一部が蛍光体中に蓄積さ
れ、この蛍光体に可視光等の励起光を照射する
と、蓄積されたエネルギーに応じて蛍光体が輝尽
発光を示すことが知られており、このような蓄積
性蛍光体を利用して、人体等の複写体の放射線画
像情報を一旦蓄積性蛍光体からなる層を有する蓄
積性蛍光体シートに記録し、この蓄積性蛍光体シ
ートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発光光
を生ぜしめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み
出して画像信号を得、この画像信号に基づき被写
体の放射線画像を写真感光材料等の記録材料、
CRT等に可視像として出力させる放射線画像情
報記録再生システムが本出願人により既に提案さ
れている(特開昭55−12429号、同55−116340号、
同55−163472号、同56−11395号、同56−104645
号など)。このシステムにおいて放射線画像情報
が蓄積記録された蓄積性蛍光体シートを走査して
画像情報の読取りを行なうのに、半導体レーザを
用いた光ビーム走査装置の使用が考えられている
が、蓄積性蛍光体を輝尽発光させるためには、十
分に高エネルギーの励起光を該蛍光体に照射する
必要があり、したがつて前記半導体レーザを用い
た光ビーム走査装置を、この放射線画像情報記録
再生システムにおいて画像情報読取りのために使
用することも極めて難しい。
Also, some types of phosphors are exposed to radiation (X-rays, α-rays,
When irradiated with β rays, γ rays, electron beams, ultraviolet rays, etc.
It is known that a part of this radiation energy is accumulated in the phosphor, and when this phosphor is irradiated with excitation light such as visible light, the phosphor exhibits stimulated luminescence depending on the accumulated energy. Using such a stimulable phosphor, radiation image information of a copy of a human body or the like is recorded on a stimulable phosphor sheet having a layer of stimulable phosphor, and then this stimulable phosphor sheet is exposed to a laser beam. The stimulated luminescence light is generated by scanning with an excitation light such as, and the resulting stimulated luminescence light is read out photoelectrically to obtain an image signal, and based on this image signal, a radiation image of the subject is recorded on a photographic light-sensitive material, etc. material,
The present applicant has already proposed a radiation image information recording and reproducing system that outputs a visible image on a CRT etc.
No. 55-163472, No. 56-11395, No. 56-104645
number, etc.). In this system, the use of a light beam scanning device using a semiconductor laser has been considered in order to read the image information by scanning the stimulable phosphor sheet on which radiation image information has been stored and recorded. In order to cause the body to stimulate luminescence, it is necessary to irradiate the phosphor with excitation light of sufficiently high energy. It is also extremely difficult to use it for reading image information.

そこで上記の通り光出力が低い半導体レーザか
ら十分高エネルギーの走査ビームを得るために、
複数の半導体レーザ使用し、これらの半導体レー
ザから射出されたレーザビームを1本に合成する
ことが考えられる(この場合、各レーザビームは
走査点までの光路途中で1本に合成されていても
よいし、また走査点上で1本に合成されてもよ
い)。しかしながら、周知の通り半導体レーザか
ら射出されるレーザビームの光量は、半導体レー
ザの経時変化や周囲温度の変化等によつて変動す
るので、多くの場合、合成されたビームの光量を
一定に保つ制御を行なう必要がある。従来よりレ
ーザビームの光量を光量検出器によつて検出し、
その光量信号をレーザ光量制御回路にフイードバ
ツクしてレーザビームの光量を一定に保つ制御が
公知となつているが、前記のように複数のレーザ
ビームを合成して走査する場合、各半導体レーザ
に対してそれぞれ上記の光量−定化制御を行なう
と、光量検出器や光量制御回路が半導体レーザの
数だけ必要となつて、走査装置が大型化し、また
そのコストも高くなる難点がある。
Therefore, as mentioned above, in order to obtain a scanning beam with sufficiently high energy from a semiconductor laser with low optical output,
It is conceivable to use multiple semiconductor lasers and combine the laser beams emitted from these semiconductor lasers into one beam (in this case, even if each laser beam is combined into one beam on the optical path to the scanning point) (or they may be combined into one line on the scanning point). However, as is well known, the light intensity of the laser beam emitted from a semiconductor laser fluctuates due to changes in the semiconductor laser over time, changes in ambient temperature, etc., so in many cases control is required to keep the light intensity of the combined beam constant. It is necessary to do this. Conventionally, the light intensity of the laser beam is detected by a light intensity detector,
It is well known that the light intensity signal is fed back to a laser light intensity control circuit to keep the laser beam light intensity constant. However, when scanning by combining multiple laser beams as described above, each semiconductor laser If the above-mentioned light quantity constant control is performed respectively, the number of light quantity detectors and light quantity control circuits equal to the number of semiconductor lasers will be required, resulting in an increase in the size and cost of the scanning device.

(発明の目的) そこで本発明は、複数の半導体レーザから射出
されたレーザビームを1本に合成する半導体レー
ザ光源装置において、合成ビームの光量を一定に
保つことが可能で、小型、安価に形成されうる光
量制御装置を提供することを目的とするものであ
る。
(Objective of the Invention) Therefore, the present invention provides a semiconductor laser light source device that combines laser beams emitted from multiple semiconductor lasers into a single beam, which can maintain a constant light intensity of the combined beam and can be formed compactly and inexpensively. The object of the present invention is to provide a light amount control device that can control the amount of light.

(発明の構成) 本発明の半導体レーザ光源光量制御装置は、前
述のように複数の半導体レーザを有し、これらの
半導体レーザから射出された各レーザビームを1
本のビームに合成するようにした半導体レーザ光
源装置において、 半導体レーザの各々を個々に駆動する定電流回
路または定出力回路と、 半導体レーザの各々のケース内に内蔵されてい
る光検出器の出力信号を受け、これらの信号を加
算する加算回路と、 この加算回路が出力する加算信号と、合成され
たレーザビームの所定光量を示す基準信号とを比
較し、これら加算信号と基準信号との偏差を示す
偏差信号を出力する比較回路と、 上記複数の定電流回路または定出力回路のうち
の一部の回路に接続され、上記偏差信号を受け
て、上記偏差が解消されるように該一部の回路の
レーザ駆動電流を変化させる制御回路とが設けら
れてなるものである。
(Structure of the Invention) As described above, the semiconductor laser light source light amount control device of the present invention has a plurality of semiconductor lasers, and each laser beam emitted from these semiconductor lasers is
In a semiconductor laser light source device designed to combine into a main beam, a constant current circuit or a constant output circuit drives each semiconductor laser individually, and the output of a photodetector built into the case of each semiconductor laser. An adder circuit receives the signals and adds these signals. The adder circuit outputs an adder signal and compares it with a reference signal indicating a predetermined amount of light of the combined laser beam, and calculates the deviation between these adder signals and the reference signal. a comparator circuit that outputs a deviation signal indicative of A control circuit for changing the laser drive current of the circuit is provided.

(実施態様) 以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明を
詳細に説明する。
(Embodiments) Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.

第1図は本発明の光量制御装置により光量制御
がなされる半導体レーザ光源装置を概略的に示す
ものである。一例として4つの半導体レーザ1
1,12,13,14は互いにビーム射出軸を平
行に揃えて配置され、これらの半導体レーザ1
1,12,13,14のそれぞれに対してコリメ
ータレンズ21,22,23,24と、反射ミラ
ー31,32,33,34が設けられている。各
半導体レーザ11,12,13,14から射出さ
れたレーザビームは、上記コリメータレンズ2
1,22,23,24によつて平行ビーム41,
42,43,44とされ、この平行ビーム41,
42,43,44は上記反射ミラー31,32,
33,34により反射されて、共通のガルバノメ
ータミラー5に入射する。
FIG. 1 schematically shows a semiconductor laser light source device whose light amount is controlled by the light amount control device of the present invention. As an example, four semiconductor lasers 1
1, 12, 13, and 14 are arranged with their beam emission axes parallel to each other, and these semiconductor lasers 1
Collimator lenses 21, 22, 23, 24 and reflecting mirrors 31, 32, 33, 34 are provided for each of lenses 1, 12, 13, and 14, respectively. The laser beam emitted from each semiconductor laser 11, 12, 13, 14 is directed to the collimator lens 2.
Parallel beam 41 by 1, 22, 23, 24,
42, 43, 44, and these parallel beams 41,
42, 43, 44 are the reflecting mirrors 31, 32,
It is reflected by 33 and 34 and enters a common galvanometer mirror 5.

ガルバノメータミラー5は図中矢印A方向に往
復揺動し、上記平行ビーム41,42,43,4
4を偏向する。偏向された平行ビーム41,4
2,43,44は、共通の集束レンズ6によつて
1つの合成ビームスポツトSに集束される。した
がつて上記スポツトSが照射される位置に被走査
面7を配置すれば、該被走査面7は、各半導体レ
ーザ11,12,13,14から射出されたレー
ザビームが合成されて高エネルギーとなつた合成
ビーム45によつて矢印B方向に走査される。な
お通常上記被走査面7は平面とされ、そのために
集束レンズ6としてfθレンズが用いられる。
The galvanometer mirror 5 swings back and forth in the direction of arrow A in the figure, and the parallel beams 41, 42, 43, 4
Deflect 4. Deflected parallel beam 41,4
2, 43, and 44 are focused into one combined beam spot S by a common focusing lens 6. Therefore, if the surface to be scanned 7 is placed at a position where the spot S is irradiated, the surface to be scanned 7 will be exposed to a high-energy laser beam emitted from each of the semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14. The combined beam 45 scans in the direction of arrow B. Note that the surface to be scanned 7 is usually a flat surface, and therefore an fθ lens is used as the focusing lens 6.

第2図は以上述べた半導体レーザ光源装置にお
いて合成ビーム45の光量を一定に制御する、本
発明の第1実施態様による光量制御装置を示すも
のである。前述した半導体レーザ11,12,1
3,14はそれぞれ、公知の定電流回路C1,C
2,C3,C4により、駆動電流を一定に設定し
て駆動されるようになつている。こうすれば、各
半導体レーザ11〜14が発するレーザビーム
(平行ビーム)41〜44の光量変動はある程度
抑えられるが、それでも先に述べたような理由で
光量変動が生じる。レーザビーム41〜44の光
量が変動すれば当然、合成ビーム45の光量が変
動することになる。そこで上記定電流回路C1〜
C4の一部、本例では2つの定電流回路C3,C
4には、該定電流回路C3,C4の設定電流を変
化させる制御回路D3,D4が接続されている。
FIG. 2 shows a light amount control device according to a first embodiment of the present invention, which controls the light amount of the combined beam 45 to be constant in the semiconductor laser light source device described above. The aforementioned semiconductor lasers 11, 12, 1
3 and 14 are known constant current circuits C1 and C, respectively.
2, C3, and C4, the drive current is set constant and driven. In this way, variations in the amount of light of the laser beams (parallel beams) 41 to 44 emitted by the semiconductor lasers 11 to 14 can be suppressed to some extent, but variations in the amount of light still occur for the reasons described above. If the light intensity of the laser beams 41 to 44 changes, naturally the light intensity of the combined beam 45 will change. Therefore, the constant current circuit C1~
A part of C4, in this example two constant current circuits C3 and C
4 are connected to control circuits D3 and D4 that change the set currents of the constant current circuits C3 and C4.

一方、周知の通り一般に半導体レーザ11,1
2,13,14においては、そのケース内に、例
えばフオトダイオード等の光検出器11a,12
a,13a,14aが内蔵されており、これらの
光検出器11a,12a,13a,14aの出力
信号はそれぞれ、増幅器11b,12b,13
b,14bによつて増幅されるようになつてい
る。半導体レーザ素子11d,12d,13d,
14dから発せられたレーザビームの一部は各々
光検出器11a,12a,13a,14aによつ
て検出され、増幅器11b,12b,13b,1
4bからは各レーザビーム41,42,43,4
4の光量を示す光量信号S1,S2,S3,S4
が出力される。これらの光量信号S1〜S4は加
算回路50に入力され、互いに加算される。した
がつて、この加算回路50が出力する加算信号
Saは、レーザビーム41〜44の光量の総和、
すなわち合成ビーム45の光量を示すものとな
る。
On the other hand, as is well known, semiconductor lasers 11, 1
2, 13, and 14, the photodetectors 11a and 12, such as photodiodes, are installed in the case.
The output signals of these photodetectors 11a, 12a, 13a, 14a are sent to amplifiers 11b, 12b, 13a, respectively.
b, 14b. Semiconductor laser elements 11d, 12d, 13d,
A portion of the laser beam emitted from 14d is detected by photodetectors 11a, 12a, 13a, 14a, respectively, and amplifiers 11b, 12b, 13b, 1
From 4b, each laser beam 41, 42, 43, 4
Light amount signals S1, S2, S3, S4 indicating the light amount of 4
is output. These light amount signals S1 to S4 are input to an adding circuit 50 and are added together. Therefore, the addition signal output by this addition circuit 50
Sa is the total amount of light of laser beams 41 to 44,
In other words, it indicates the amount of light of the combined beam 45.

上記加算信号Saは比較回路51に入力され、
それとともにこの比較回路51には、合成ビーム
45の所定光量を示す基準信号Srが入力される。
該比較回路51はこの基準信号Srと上記加算信
号Saとを比較し、加算信号Saが基準号Srを上回
ると(すなわち合成ビーム45の光量が上記所定
光量を上回ると)ハイレベルのH信号を出力す
る。反対に加算信号Saが基準信号Sr以下の場合
(合成ビーム45の光量が上記所定光量以下の場
合)、比較回路51はローレベルのL信号を出力
する。
The addition signal Sa is input to the comparison circuit 51,
At the same time, a reference signal Sr indicating a predetermined amount of light of the combined beam 45 is input to the comparison circuit 51.
The comparison circuit 51 compares this reference signal Sr with the above-mentioned addition signal Sa, and when the addition signal Sa exceeds the reference signal Sr (that is, when the light quantity of the composite beam 45 exceeds the above-mentioned predetermined light quantity), it outputs a high-level H signal. Output. On the other hand, when the addition signal Sa is less than the reference signal Sr (when the light amount of the combined beam 45 is less than the above-mentioned predetermined light amount), the comparison circuit 51 outputs a low-level L signal.

このL信号あるいはH信号は、前記制御回路D
3,D4に入力される。これらの制御回路D3,
D4は、H信号を受けている間は定電流回路C
3,C4の設定電流を低下させる。それにより半
導体レーザ13,14の光出力が低下し、合成ビ
ーム45の光量が低下して上記所定光量に近づ
く。反対にL信号が入力されているとき制御回路
D3,D4は、定電流回路C3,C4の設定電流
を増大させる。それにより半導体レーザ13,1
4の光出力が増大し、合成ビーム45の光量が上
記所定光量に近づく。以上のような制御が行なわ
れることにより、合成ビーム45は所定光量に維
持されるようになる。なおこの場合、制御回路D
3,D4による定電流回路C3,C4の設定電流
制御量(増大量、低下量)は、微小な一定量とさ
れるが、比較回路51として加算信号Saと基準
信号Srとの偏差に対応したレベルの信号を出力
する回路を用い、この偏差の大きさに応じて上記
制御量を変えるようにしてもよい。
This L signal or H signal is the control circuit D.
3, input to D4. These control circuits D3,
D4 is a constant current circuit C while receiving an H signal.
3. Lower the set current of C4. As a result, the optical output of the semiconductor lasers 13 and 14 decreases, and the light intensity of the combined beam 45 decreases and approaches the predetermined light intensity. On the other hand, when the L signal is input, the control circuits D3 and D4 increase the set currents of the constant current circuits C3 and C4. As a result, the semiconductor laser 13,1
4 increases, and the light amount of the combined beam 45 approaches the predetermined light amount. By performing the above control, the combined beam 45 is maintained at a predetermined light intensity. In this case, the control circuit D
3. The set current control amount (increase amount, decrease amount) of the constant current circuits C3 and C4 by D4 is a small constant amount, but the comparison circuit 51 corresponds to the deviation between the addition signal Sa and the reference signal Sr. A circuit that outputs a level signal may be used to change the control amount according to the magnitude of this deviation.

また上記の半導体レーザ光源装置は、平行ビー
ム41,42,43,44を集束レンズ6によつ
て1点に集束させるものであるが、複数の集れん
ビームを、それぞれの集れん点が共通のスポツト
において重なるように合成する半導体レーザ光源
装置においても、本発明は同様に適用可能であ
る。
Further, the above semiconductor laser light source device focuses the parallel beams 41, 42, 43, and 44 to one point using the focusing lens 6, but the plurality of focused beams are converged at a common point. The present invention is similarly applicable to a semiconductor laser light source device that combines the lights so that they overlap at a spot.

第3図は本発明の第2実施態様による光量制御
装置を示すものである。なおこの第3図におい
て、前記第2図中の要素と同等の要素には同番号
を付し、それらについての説明は省略する(以
下、同様)。この第3図の光量制御装置において
は、前記第2図の装置で用いられた定電流回路C
1〜C4に代えて、定出力回路E1〜E4が設け
られている。これらの定出力回路E1,E2,E
3,E4は、それぞれ前記増幅器11b,12
b,13b,14bから光量信号S1,S2,S
3,S4を受け、該光量信号S1〜S4がそれぞ
れ所定値となるように(すなわちレーザビーム4
1〜44の光量がそれぞれ所定値となるように)
レーザ駆動電流を制御する。しかしこのようにし
ても、前述した理由により合成ビーム45の光量
変動が生じることがある。そこで一例として2つ
の定出力回路E3,E4には前記制御回路D3,
D4が接続され、第2図の装置におけるのと同様
にして、定出力回路E3,E4のレーザ駆動電流
が制御される。このような制御が行なわれること
により、この場合も合成ビーム45は所定光量に
保たれるようになる。
FIG. 3 shows a light amount control device according to a second embodiment of the present invention. Note that in FIG. 3, elements that are equivalent to those in FIG. In the light amount control device shown in FIG. 3, the constant current circuit C used in the device shown in FIG.
Constant output circuits E1 to E4 are provided in place of circuits E1 to C4. These constant output circuits E1, E2, E
3 and E4 are the amplifiers 11b and 12, respectively.
Light amount signals S1, S2, S from b, 13b, 14b
3 and S4, so that the light amount signals S1 to S4 each have a predetermined value (that is, the laser beam 4
(so that the light intensity of 1 to 44 becomes a predetermined value)
Controls laser drive current. However, even with this arrangement, variations in the light amount of the combined beam 45 may occur due to the reasons described above. Therefore, as an example, the two constant output circuits E3 and E4 include the control circuit D3,
D4 is connected, and the laser drive currents of constant output circuits E3 and E4 are controlled in the same manner as in the device of FIG. By performing such control, the combined beam 45 can be maintained at a predetermined light intensity in this case as well.

次に第4図は、本発明の第3実施態様装置を概
略的に示すものである。この第4図の半導体レー
ザ光源装置においては、6つの半導体レーザ6
1,62,63,64,65,66から射出され
たレーザビームがコリメータレンズ71,72,
73,74,75,76を通して平行ビーム8
1,82,83,84,85,86とされ、これ
ら平行ビーム81,82,83,84,85,8
6がホログラム素子90によつて1本の高エネル
ギーのビーム87に合成されている。この合成ビ
ーム87は一例として回転多面鏡91によつて偏
向され、図示しない被走査面上を走査する。なお
上記のように複数のレーザビームを1本に合成す
るためには、ホログラム素子90の他、例えば2
軸性結晶素子など公知のビーム合成手段が用いら
れてもよい。
Next, FIG. 4 schematically shows a third embodiment of the present invention. In the semiconductor laser light source device of FIG. 4, six semiconductor lasers 6
The laser beams emitted from the collimator lenses 71, 72,
Parallel beam 8 through 73, 74, 75, 76
1, 82, 83, 84, 85, 86, and these parallel beams 81, 82, 83, 84, 85, 8
6 are combined into one high-energy beam 87 by a hologram element 90. For example, this combined beam 87 is deflected by a rotating polygon mirror 91 and scans a surface to be scanned (not shown). In addition to the hologram element 90, for example, two laser beams are required to combine multiple laser beams into one as described above.
Known beam combining means such as an axial crystal element may be used.

上記6つの半導体レーザ61,62,63,6
4,65,66は、前記第1図の装置におけるの
と同様に、定電流回路C1〜C6によつて電流一
定で駆動される。そして一例として1つの半導体
レーザ66を駆動する定電流回路C6は、制御回
路D6の制御信号を受けて、設定電流量を変えう
るようになつている。この装置においても、各半
導体レーザ61〜66の光検出器(図示せず)か
ら出力され増幅器11b〜16bによつて増幅さ
れた光量信号S1〜S6を加算回路50に入力
し、この加算回路50から出力される加算信号
Saと基準信号Srとを比較して、前記第2図の装
置におけるのと同様に定電流回路C6の設定電流
を制御すれば、合成ビーム87が所定光量に保た
れる。
The above six semiconductor lasers 61, 62, 63, 6
4, 65, and 66 are driven at a constant current by constant current circuits C1 to C6, as in the device shown in FIG. As an example, a constant current circuit C6 that drives one semiconductor laser 66 is configured to be able to change a set current amount in response to a control signal from a control circuit D6. In this device as well, the light amount signals S1 to S6 output from the photodetectors (not shown) of the respective semiconductor lasers 61 to 66 and amplified by the amplifiers 11b to 16b are input to the adding circuit 50. Addition signal output from
By comparing Sa and the reference signal Sr and controlling the set current of the constant current circuit C6 in the same way as in the apparatus shown in FIG. 2, the combined beam 87 can be maintained at a predetermined light intensity.

なお本発明において合成するレーザビームの本
数は、以上説明の実施態様における4本、6本に
限られるものではない。また光量制御駆動される
半導体レーザも1台あるいは2台に限られるもの
ではなく、合成するレーザビームの数が増大して
合成ビームの光量変動幅が大きくなる場合には、
光量制御駆動する半導体レーザの数を適宜増やし
て、合成ビームの光量変動幅以上の光量制御範囲
を確保すればよい。
Note that the number of laser beams to be combined in the present invention is not limited to four or six in the embodiments described above. Furthermore, the number of semiconductor lasers driven by light intensity control is not limited to one or two, and when the number of laser beams to be combined increases and the light intensity fluctuation range of the combined beam becomes large,
The number of semiconductor lasers to be driven for light intensity control may be increased appropriately to ensure a light intensity control range that is greater than the light intensity fluctuation range of the combined beam.

(発明の効果) 以上詳細に説明した通り本発明の半導体レーザ
光源光量制御装置によれば、合成ビームの光量を
正確に一定に保つことが可能であり、そして該光
量の一定化は、一部の半導体レーザの光量を制御
することによつて達成されるようになつているの
で回路が簡素化され、本装置は極めて小型、安価
に形成されるものとなる。
(Effects of the Invention) As explained in detail above, according to the semiconductor laser light source light intensity control device of the present invention, it is possible to accurately maintain the light intensity of the combined beam constant, and the constant light intensity can be partially achieved. This is achieved by controlling the amount of light from a semiconductor laser, which simplifies the circuitry and makes the device extremely compact and inexpensive.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の装置が適用される半導体レー
ザ光源装置の一例を示す概略斜視図、第2図およ
び第3図はそれぞれ、本発明の第1および第2実
施態様装置を示すブロツク図、第4図は本発明の
第3実施態様装置を示す概略図である。 11,12,13,14,61,62,63,
64,65,66…半導体レーザ、11a,12
a,13a,14a…光検出器、41,42,4
3,44,81,82,83,84,85,86
…平行ビーム(レーザビーム)、45,87…合
成ビーム、50…加算回路、51…比較回路、9
0…ホログラム素子、C1〜C6…定電流回路、
D3,D4,D6…制御回路、E1〜E4…定出
力回路、S1〜S6…光量信号、Sa…加算信号、
Sr…基準信号。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of a semiconductor laser light source device to which the device of the present invention is applied, and FIGS. 2 and 3 are block diagrams showing first and second embodiment devices of the present invention, respectively. FIG. 4 is a schematic diagram showing a third embodiment of the device of the present invention. 11, 12, 13, 14, 61, 62, 63,
64, 65, 66... semiconductor laser, 11a, 12
a, 13a, 14a...photodetector, 41, 42, 4
3, 44, 81, 82, 83, 84, 85, 86
... Parallel beam (laser beam), 45, 87 ... Combined beam, 50 ... Addition circuit, 51 ... Comparison circuit, 9
0... Hologram element, C1 to C6... Constant current circuit,
D3, D4, D6...control circuit, E1-E4...constant output circuit, S1-S6...light amount signal, Sa...addition signal,
Sr...Reference signal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 複数の半導体レーザから射出された各レーザ
ビームを1本に合成するようにした半導体レーザ
光源装置において、 前記半導体レーザをそれぞれ駆動する複数の定
電流回路または定出力回路と、 前記半導体レーザの各々のケース内に内蔵され
ている光検出器の出力信号を受け、これらの信号
を加算する加算回路と、 この加算回路の加算信号と、合成されたレーザ
ビームの所定光量を示す基準信号とを比較し、こ
れら加算信号と基準信号との偏差を示す偏差信号
を出力する比較回路と、 前記複数の定電流回路または定出力回路のうち
の一部の回路に接続され、前記偏差信号を受け
て、前記偏差が解消されるように該一部の回路の
レーザ駆動電流を変化させる制御回路とが設けら
れてなる半導体レーザ光源光量制御装置。
[Scope of Claims] 1. A semiconductor laser light source device configured to combine laser beams emitted from a plurality of semiconductor lasers into one, comprising: a plurality of constant current circuits or constant output circuits that respectively drive the semiconductor lasers; , an adder circuit that receives output signals from a photodetector built in the case of each of the semiconductor lasers and adds these signals; a comparison circuit that compares the added signal with a reference signal and outputs a deviation signal indicating a deviation between the added signal and the reference signal; A semiconductor laser light source light amount control device comprising: a control circuit that receives a deviation signal and changes a laser drive current of the part of the circuit so that the deviation is eliminated.
JP60119314A 1985-05-31 1985-05-31 Controller for quantity of light of semiconductor laser light source Granted JPS61275869A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60119314A JPS61275869A (en) 1985-05-31 1985-05-31 Controller for quantity of light of semiconductor laser light source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60119314A JPS61275869A (en) 1985-05-31 1985-05-31 Controller for quantity of light of semiconductor laser light source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61275869A JPS61275869A (en) 1986-12-05
JPH0444751B2 true JPH0444751B2 (en) 1992-07-22

Family

ID=14758374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60119314A Granted JPS61275869A (en) 1985-05-31 1985-05-31 Controller for quantity of light of semiconductor laser light source

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61275869A (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6448016A (en) * 1987-08-18 1989-02-22 Fuji Photo Film Co Ltd Laser recording device
JP4877169B2 (en) * 2007-09-19 2012-02-15 コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 Laser scanning optical device
JP6665835B2 (en) * 2017-07-18 2020-03-13 株式会社島津製作所 Semiconductor laser device
JP2022055725A (en) 2020-09-29 2022-04-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light source device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61275869A (en) 1986-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0165060B1 (en) Semiconductor laser beam scanning device
JPH0260179A (en) Laser ray source device for wave multiplexing
US4681394A (en) Light beam scanning system
JPH0426095B2 (en)
US4958893A (en) Semiconductor laser beam source apparatus
JPS60220308A (en) Optical beam scanner
JPH0444751B2 (en)
JPS6184958A (en) Radiant ray picture information reading device
JPH0477910B2 (en)
JPH0477911B2 (en)
JPH0365711B2 (en)
JPH0260163B2 (en)
JPH0685361A (en) Semiconductor laser light source device
JPH0260162B2 (en)
JPH01101511A (en) Laser light source for multiplexing
JPS61156219A (en) Synthesizing method of semiconductor laser beam
JPH01125887A (en) Multi-laser beam source device
JP3455885B2 (en) Light intensity detector
JP2903269B2 (en) Optical scanning device and photoreceptor
JPH0548461B2 (en)
JPH0547084B2 (en)
JPS61186914A (en) Multi-light source device
JPH05160497A (en) Light beam stabilizing device for semiconductor laser
JPH0820686B2 (en) Radiation image information reader
JP2927355B2 (en) Radiation image information reader

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term