JPH0365711B2 - - Google Patents

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JPH0365711B2
JPH0365711B2 JP59121089A JP12108984A JPH0365711B2 JP H0365711 B2 JPH0365711 B2 JP H0365711B2 JP 59121089 A JP59121089 A JP 59121089A JP 12108984 A JP12108984 A JP 12108984A JP H0365711 B2 JPH0365711 B2 JP H0365711B2
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semiconductor
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Description

【発明の詳細な説明】 (発明の分野) 本発明は複数の半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを、1本のビームに合成して走査する
半導体レーザ走査装置、特に詳細には合成された
ビームの光量を一定に保つ機能を備えた半導体レ
ーザ走査装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of the Invention) The present invention relates to a semiconductor laser scanning device that combines laser beams emitted from a plurality of semiconductor lasers into a single beam for scanning, and particularly relates to a semiconductor laser scanning device that combines laser beams emitted from a plurality of semiconductor lasers into a single beam for scanning, This invention relates to a semiconductor laser scanning device having a function of keeping the amount of light constant.

(発明の技術的背景および先行技術) 従来より、光ビームを光偏向器により偏向して
走査する光ビーム走査装置が、例えば各種走査記
録装置、走査読取装置等において広く実用に供さ
れている。このような光ビーム走査装置において
光ビームを発生する手段の1つとして、半導体レ
ーザが従来から用いられている。この半導体レー
ザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価で消費
電力も少なく、また駆動電流を変えることによつ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有して
いる。
(Technical Background and Prior Art of the Invention) Conventionally, light beam scanning devices that scan a light beam by deflecting it with an optical deflector have been widely put into practical use, for example, in various scanning recording devices, scanning reading devices, and the like. A semiconductor laser has conventionally been used as one of the means for generating a light beam in such a light beam scanning device. This semiconductor laser has many advantages, such as being smaller, cheaper, and consumes less power than gas lasers, and can be directly modulated by changing the drive current.

しかしながら、その反面この半導体レーザは、
連続発振させる場合には現状では出力がたかだか
20〜30mwと小さく、したがつて高エネルギーの
走査光を必要とする光ビーム走査装置、例えば感
度の低い記録材料(金属膜、アモルフアス膜等の
DRAW材料等)に記録する走査記録装置等に用
いるのは極めて困難である。
However, on the other hand, this semiconductor laser
Currently, the output is at most when generating continuous oscillation.
A light beam scanning device that is small (20 to 30mW) and therefore requires high-energy scanning light, such as a recording material with low sensitivity (metal film, amorphous film, etc.)
It is extremely difficult to use it in scanning recording devices that record on DRAW materials, etc.).

また、ある種の螢光体に放射線(X線、α線、
β線、γ線、電子線、紫外線等)を照射すると、
この放射線エネルギーの一部が螢光体中に蓄積さ
れ、この螢光体に可視光等の励起光を照射する
と、蓄積されたエネルギーに応じて螢光体が輝尽
発光を示すことが知らられており、このような蓄
積性螢光体を利用して、人体等の被写体の放射線
画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有する
蓄積性螢光体シートに記録し、この蓄積性螢光体
シートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発光
光を生ぜしめ、得られた輝尽発光光を光電的に読
み出して画像信号を得、この画像信号に基づき被
写体の放射線画像を写真感光材料等の記録材料、
CRT等に可視像として出力させる放射線画像情
報記録再生システムが本出願人により既に提案さ
れている(特開昭55−12429号、同55−116340号、
同55−163472号、同56−11395号、同56−104645
号など)。このシステムにおいて放射線画像情報
が蓄積記録された蓄積性螢光体シートを走査して
画像情報の読取りを行なうのに、半導体レーザを
用いた光ビーム走査装置の使用が考えられている
が、蓄積性螢光体を輝尽発光させるためには、十
分に高エネルギーの励起光を該螢光体に照射する
必要があり、したがつて前記半導体レーザを用い
た光ビーム走査装置を、この放射線画像情報記録
再生システムにおいて画像情報読取りのために使
用することも極めて難しい。
Also, some types of fluorophores are exposed to radiation (X-rays, alpha rays,
When irradiated with β rays, γ rays, electron beams, ultraviolet rays, etc.
It is known that a part of this radiation energy is accumulated in the phosphor, and when this phosphor is irradiated with excitation light such as visible light, the phosphor exhibits stimulated luminescence depending on the accumulated energy. By using such a stimulable phosphor, radiation image information of a subject such as a human body is recorded on a stimulable phosphor sheet having a layer made of a stimulable phosphor, and then the stimulable phosphor is A light sheet is scanned with excitation light such as a laser beam to generate stimulated luminescence light, the resulting stimulated luminescence light is read out photoelectrically to obtain an image signal, and a radiation image of the subject is created based on this image signal. Recording materials such as photographic materials,
The present applicant has already proposed a radiation image information recording and reproducing system that outputs a visible image on a CRT etc.
No. 55-163472, No. 56-11395, No. 56-104645
number, etc.). In this system, the use of a light beam scanning device using a semiconductor laser has been considered in order to read the image information by scanning the stimulable phosphor sheet on which radiation image information has been stored and recorded. In order to cause the phosphor to stimulate luminescence, it is necessary to irradiate the phosphor with excitation light of sufficiently high energy. It is also extremely difficult to use it for reading image information in a recording/reproducing system.

そこで上記の通り光出力が低い半導体レーザか
ら十分高エネルギーの走査ビームを得るために、
複数の半導体レーザを使用し、これらの半導体レ
ーザから射出されたレーザビームを1本に合成す
ることが考えられる(この場合、各レーザビーム
は走査点までの光路途中で1本に合成されていて
もよいし、また走査点上で1本に合成されてもよ
い)。しかしながら、周知の通り半導体レーザか
ら射出されるレーザビームの光量は、半導体レー
ザの経時変化や周囲温度の変化等によつて変動す
るので、多くの場合、合成されたビームの光量を
一定に保つ制御を行なう必要がある。従来よりレ
ーザビームの光量を光量検出器によつて検出し、
その光量信号をレーザ光量制御回路にフイードバ
ツクしてレーザビームの光量を一定に保つ制御が
公知となつているが、前記のように複数のレーザ
ビームを合成して走査する場合、各半導体レーザ
に対してそれぞれ上記の光量一定化制御を行なう
と、光量検出器や光量制御回路が半導体レーザの
数だけ必要となつて、走査装置が大型化し、また
そのコストも高くなる難点がある。
Therefore, as mentioned above, in order to obtain a scanning beam with sufficiently high energy from a semiconductor laser with low optical output,
It is conceivable to use multiple semiconductor lasers and combine the laser beams emitted from these semiconductor lasers into one (in this case, each laser beam is combined into one beam on the optical path to the scanning point). (or they may be combined into one line on the scanning point). However, as is well known, the light intensity of the laser beam emitted from a semiconductor laser fluctuates due to changes in the semiconductor laser over time, changes in ambient temperature, etc., so in many cases control is required to keep the light intensity of the combined beam constant. It is necessary to do this. Conventionally, the light intensity of the laser beam is detected by a light intensity detector,
It is well known that the light intensity signal is fed back to a laser light intensity control circuit to keep the laser beam light intensity constant. However, when scanning by combining multiple laser beams as described above, each semiconductor laser If the above-mentioned light amount constant control is performed respectively, the number of light amount detectors and light amount control circuits equal to the number of semiconductor lasers will be required, resulting in an increase in the size and cost of the scanning device.

(発明の目的) そこで本発明は、複数の半導体レーザから射出
されて1本に合成されたレーザビームの光量を一
定に保つことが可能で、小型、安価に形成される
半導体レーザ走査装置を提供することを目的とす
るものである。
(Objective of the Invention) Therefore, the present invention provides a semiconductor laser scanning device that can maintain a constant amount of light of a laser beam emitted from a plurality of semiconductor lasers and combined into one laser beam, and that is small and inexpensive. The purpose is to

(発明の構成) 本発明の半導体レーザ走査装置は、前述のよう
に複数の半導体レーザを有し、これら半導体レー
ザから射出された各レーザビームを1本のビーム
に合成して走査する半導体レーザ走査装置におい
て、一部の半導体レーザを光量制御手段により光
量制御可能に駆動するとともに、合成されたビー
ムの光量を検出する光量検出器の出力を上記光量
制御手段にフイードバツクして上記一部の半導体
レーザのみの光量を制御し、それによつて合成さ
れたビームの光量を一定に保つようにしたことを
特徴とするものである。
(Structure of the Invention) As described above, the semiconductor laser scanning device of the present invention has a plurality of semiconductor lasers, and performs semiconductor laser scanning in which laser beams emitted from these semiconductor lasers are combined into one beam for scanning. In the apparatus, some of the semiconductor lasers are driven by a light amount control means so that the light amount can be controlled, and the output of a light amount detector that detects the light amount of the combined beam is fed back to the light amount control means to drive some of the semiconductor lasers. This system is characterized by controlling the amount of light of only one beam, thereby keeping the amount of light of the combined beam constant.

(実施態様) 以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明を
詳細に説明する。
(Embodiments) Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.

第1図は本発明の第1実施態様による半導体レ
ーザ走査装置を概略的に示すものである。一例と
して4つの半導体レーザ11,12,13,14
は互いにビーム射出軸を平行に揃えて配置され、
これらの半導体レーザ11,12,13,14の
それぞれに対してコリメータレンズ21,22,
23,24と、反射ミラー31,32,33,3
4が設けられている。各半導体レーザ11,1
2,13,14から射出されたレーザビームは、
上記コリメータレンズ21,22,23,24に
よつて平行ビーム41,42,43,44とさ
れ、この平行ビーム41,42,43,44は上
記反射ミラー31,32,33,34により反射
されて、共通のカルバノメータミラー5に入射す
る。
FIG. 1 schematically shows a semiconductor laser scanning device according to a first embodiment of the present invention. As an example, four semiconductor lasers 11, 12, 13, 14
are arranged with their beam exit axes parallel to each other,
For each of these semiconductor lasers 11, 12, 13, 14, collimator lenses 21, 22,
23, 24, and reflective mirrors 31, 32, 33, 3
4 is provided. Each semiconductor laser 11,1
The laser beams emitted from 2, 13, and 14 are
The collimator lenses 21, 22, 23, 24 form parallel beams 41, 42, 43, 44, and the parallel beams 41, 42, 43, 44 are reflected by the reflecting mirrors 31, 32, 33, 34. , enters a common carbanometer mirror 5.

ガルバノメータミラー5は図中矢印A方向に往
復回動し、上記平行ビーム41,42,43,4
4を偏向する。偏向された平行ビーム41,4
2,43,44は、共通の集束レンズ6によつて
1つの合成ビームスポツトSに集中されるととも
に、それぞれがこのスポツトSにおいて集束され
る。したがつて上記スポツトSが照射される位置
に被走査面7を配置すれば、該被走査面7は、各
半導体レーザ11,12,13,14から射出さ
れた光ビームが合成されて高エネルギーとなつた
走査ビームによつて矢印B方向に走査される。な
お通常上記被走査面7は平面とされ、そのために
上記集束レンズ6としてfθレンズが用いられる。
The galvanometer mirror 5 rotates back and forth in the direction of arrow A in the figure, and the parallel beams 41, 42, 43, 4
Deflect 4. Deflected parallel beam 41,4
2, 43 and 44 are focused into one combined beam spot S by a common focusing lens 6, and each is focused at this spot S. Therefore, if the surface to be scanned 7 is placed at a position where the spot S is irradiated, the surface to be scanned 7 will be exposed to high energy light beams emitted from the respective semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14. The scanning beam is scanned in the direction of arrow B. Note that the surface to be scanned 7 is usually a flat surface, and therefore an fθ lens is used as the focusing lens 6.

ここで前述した半導体レーザ11,12,1
3,14のうち3つの半導体レーザ11,12,
13は、レーザ駆動回路50によつて電流固定で
(すなわち光量無制御で)駆動される。そしても
う1つの半導体レーザ14は、レーザ駆動制御回
路51によつて出力可変で(すなわち光量制御可
能に)駆動される。また被走査面7上の有効走査
幅から外れた位置には、前記合成ビームスポツト
Sの光量を検出する例えばフオトダイオード等か
らなる光量検出器52が配され、該光量検出器5
2の出力は増幅器53によつて増幅され、光量信
号Pとして上記レーザ駆動制御回路51に入力さ
れる。
Here, the semiconductor lasers 11, 12, 1 mentioned above
Three semiconductor lasers 11, 12 among 3, 14,
13 is driven by the laser drive circuit 50 with a fixed current (that is, without controlling the amount of light). The other semiconductor laser 14 is driven by a laser drive control circuit 51 with variable output (ie, light amount controllable). Further, a light amount detector 52 made of, for example, a photodiode, for detecting the light amount of the composite beam spot S is disposed at a position on the surface to be scanned 7 that is out of the effective scanning width.
The output of No. 2 is amplified by an amplifier 53 and input as a light amount signal P to the laser drive control circuit 51.

既述の通り半導体レーザ11,12,13,1
4の経時変化や、周囲温度の変化等により、これ
ら半導体レーザ11,12,13,14から射出
されるレーザビームの光量が変動し、したがつて
平行ビーム41,42,43,44が合成された
ビームスポツトSの光量も変動する。このスポツ
トSの光量は、走査1回ごとに前記光量検出器5
2によつて検出され、その光量を示す光量信号P
が上記の通りレーザ駆動制御回路51に入力され
る。このレーザ駆動制御回路51は光量信号P
と、基準光量を担持する基準光量信号とを比較
し、検出光量が上記基準光量よりも低ければ半導
体レーザ14の出力を増大し、検出光量が基準光
量よりも高ければ半導体レーザ14の出力を低下
するように該半導体レーザ14を駆動する。半導
体レーザ14がこのように駆動制御されることに
より、合成ビームスポツトSの光量変動が打ち消
され、該スポツトSの光量が一定に維持されるよ
うになる。勿論、この場合半導体レーザ14の出
力の制御量(増大量、低下量)は、検出光量と基
準光量との差の量に応じて変えてもよいし、ある
いは微小な一定量に設定しておいてもよい。
As mentioned above, semiconductor lasers 11, 12, 13, 1
The amount of light emitted from these semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 changes due to changes in the laser beams 41, 12, 13, and 14 over time, changes in ambient temperature, etc., and therefore the parallel beams 41, 42, 43, and 44 are combined. The amount of light at the beam spot S also varies. The light intensity of this spot S is determined by the light intensity detector 5 for each scan.
A light amount signal P detected by 2 and indicating the light amount
is input to the laser drive control circuit 51 as described above. This laser drive control circuit 51 has a light amount signal P
and a reference light amount signal carrying a reference light amount, and if the detected light amount is lower than the reference light amount, the output of the semiconductor laser 14 is increased, and if the detected light amount is higher than the reference light amount, the output of the semiconductor laser 14 is decreased. The semiconductor laser 14 is driven so as to. By driving and controlling the semiconductor laser 14 in this manner, fluctuations in the light amount of the combined beam spot S are canceled out, and the light amount of the spot S is maintained constant. Of course, in this case, the amount of control (amount of increase, amount of decrease) of the output of the semiconductor laser 14 may be changed depending on the amount of difference between the detected light amount and the reference light amount, or it may be set to a small constant amount. You can stay there.

なお前述したような理由による半導体レーザ1
1,12,13,14の光量変動のサイクルは、
合成ビームスポツトSによる走査の周期に比べれ
ば極度に長いものであるから、1走査の間に合成
ビームスポツトSの光量が変動することはなく、
したがつて上記のように1回の走査毎にスポツト
Sの光量に応じて半導体レーザ14の出力を制御
するだけで、スポツトSの光量は一定に保たれ
る。また上記実施態様装置は、平行ビーム41,
42,43,44を集束レンズ6によつて1点に
集束させるものであるが、複数の集れんビーム
を、それぞれの集れん点が共通のスポツトにおい
て重なるように合成する半導体レーザ走査装置に
おいても、本発明は同様に適用可能である。
Note that the semiconductor laser 1 due to the reasons mentioned above
The cycle of light intensity fluctuations of 1, 12, 13, and 14 is
Since it is extremely long compared to the period of scanning by the composite beam spot S, the light amount of the composite beam spot S does not vary during one scan.
Therefore, the light intensity of the spot S can be kept constant by simply controlling the output of the semiconductor laser 14 according to the light intensity of the spot S for each scan as described above. Further, the above-described embodiment device has parallel beams 41,
42, 43, and 44 are focused on one point by the focusing lens 6, but it is also possible to use a semiconductor laser scanning device that combines a plurality of focused beams so that their respective focused points overlap at a common spot. , the invention is equally applicable.

第2図は本発明の第2実施態様装置を概略的に
示すものである。本実施態様においては、6つの
半導体レーザ61,62,63,64,65,6
6から射出されたレーザビームがコリメータレン
ズ71,72,73,74,75,76を通して
平行ビーム81,82,83,84,85,86
とされ、これら平行ビーム81,82,83,8
4,85,86がホログラム素子90によつて1
本の高エネルギーのビーム87に合成されてい
る。この合成ビーム87は一例として回転多面鏡
91によつて偏向され、図示しない被走査面上を
走査する。
FIG. 2 schematically shows a second embodiment of the invention. In this embodiment, six semiconductor lasers 61, 62, 63, 64, 65, 6 are used.
The laser beam emitted from 6 passes through collimator lenses 71, 72, 73, 74, 75, 76 into parallel beams 81, 82, 83, 84, 85, 86.
These parallel beams 81, 82, 83, 8
4, 85, 86 are 1 by the hologram element 90
It is combined into a high-energy beam 87 of the book. For example, this combined beam 87 is deflected by a rotating polygon mirror 91 and scans a surface to be scanned (not shown).

上記6つの半導体レーザ61,62,63,6
4,65,66のうち5つの半導体レーザ61〜
65は、前記第1実施態様におけるのと同様のレ
ーザ駆動回路50によつて電流固定で駆動され、
もう1つの半導体レーザ66は同じく前記第1実
施態様におけるのと同様のレーザ駆動制御回路5
1によつて出力可変で駆動される。そして合成ビ
ーム87の光路途中にはハーフミラー92が配設
され、該ハーフミラー92によつて分岐された合
成ビーム87の一部(ビーム87a)の光量が、
光量検出器52によつて検出される。上記ビーム
87aと、走査される合成ビーム87bの光量は
対応しているので、ビーム87aの光量を検出す
ることにより、走査される合成ビーム87bの光
量を検出できる。増幅器53によつて増幅された
光量信号Pはレーザ駆動制御回路51に入力さ
れ、該レーザ駆動制御回路51がこの光量信号P
に応じて前記第1実施態様におけるのと同様に作
動し、走査される合成ビーム87bの光量が一定
に保たれる。
The above six semiconductor lasers 61, 62, 63, 6
Five semiconductor lasers 61 to 4, 65, and 66
65 is driven with a fixed current by the same laser drive circuit 50 as in the first embodiment,
Another semiconductor laser 66 is a laser drive control circuit 5 similar to that in the first embodiment.
1 with variable output. A half mirror 92 is disposed in the optical path of the composite beam 87, and the light intensity of a part of the composite beam 87 (beam 87a) split by the half mirror 92 is as follows:
It is detected by the light amount detector 52. Since the light intensity of the beam 87a and the scanned combined beam 87b correspond, the light intensity of the scanned combined beam 87b can be detected by detecting the light intensity of the beam 87a. The light amount signal P amplified by the amplifier 53 is input to the laser drive control circuit 51, and the laser drive control circuit 51 receives the light amount signal P.
Accordingly, it operates in the same manner as in the first embodiment, and the amount of light of the scanned composite beam 87b is kept constant.

なお上記第2実施態様におけるように、複数の
半導体レーザから射出されたレーザビームを、走
査点よりも前において1本のビームに合成するた
めには、前記ホログラム素子90の他、2軸性結
晶素子等公知のビーム合成手段が用いられてもよ
い。またレーザビームを走査するための光偏向器
としては、以上述べたガルバノメータミラー5や
回転多面鏡91の他、ホログラムスキヤナ等が用
いられてもよい。
As in the second embodiment, in order to combine the laser beams emitted from a plurality of semiconductor lasers into one beam before the scanning point, in addition to the hologram element 90, a biaxial crystal is required. A known beam combining means such as an element may be used. In addition to the galvanometer mirror 5 and rotating polygon mirror 91 described above, a hologram scanner or the like may be used as an optical deflector for scanning the laser beam.

本発明において合成するレーザビームの本数
は、以上説明の実施態様における4本、6本に限
られるものではない。また光量制御駆動される半
導体レーザは1台に限られるものではなく、合成
するレーザビームの数が増大して合成ビームの光
量変動幅が大きくなる場合には、光量制御駆動す
る半導体レーザの数を2台以上に適宜増やして、
合成ビームの光量変動幅以上の光量制御範囲を確
保すればよい。
The number of laser beams to be combined in the present invention is not limited to four or six in the embodiments described above. In addition, the number of semiconductor lasers driven by light intensity control is not limited to one; if the number of laser beams to be combined increases and the light intensity fluctuation range of the combined beam becomes large, the number of semiconductor lasers driven by light intensity control may be increased. Increase the number to 2 or more as appropriate,
It is sufficient to ensure a light amount control range that is greater than the light amount fluctuation width of the combined beam.

(発明の効果) 以上詳細に説明した通り本発明の半導体レーザ
走査装置によれば、走査される合成ビームの光量
を一定に保つことが可能であり、そして上記光量
の一定化は、一部の半導体レーザの光量を制御す
ることによつて達成されるので、光量制御回路が
簡素化され、本装置は極めて小型、安価に形成さ
れるものとなる。
(Effects of the Invention) As explained above in detail, according to the semiconductor laser scanning device of the present invention, it is possible to keep the light intensity of the scanned composite beam constant, and the constant light intensity is achieved by Since this is achieved by controlling the light amount of the semiconductor laser, the light amount control circuit is simplified, and the present device can be made extremely small and inexpensive.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の半導体レーザ走査装置の第1
実施態様を示す概略斜視図、第2図は本発明の半
導体レーザ走査装置の第2実施態様を示す概略図
である。 5…ガルバノメータミラー、11,12,1
3,14,61,62,63,64,65,66
…半導体レーザ、41,42,43,44,8
1,82,83,84,85,86…平行ビーム
(レーザビーム)、50…レーザ駆動回路、51…
レーザ駆動制御回路、52…光量検出器、53…
増幅器、87,87a,87b…合成ビーム、9
0…ホログラム素子、91…回転多面鏡、S…合
成ビームスポツト。
FIG. 1 shows a first diagram of a semiconductor laser scanning device according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic perspective view showing a second embodiment of the semiconductor laser scanning device of the present invention. 5... Galvanometer mirror, 11, 12, 1
3, 14, 61, 62, 63, 64, 65, 66
...Semiconductor laser, 41, 42, 43, 44, 8
1, 82, 83, 84, 85, 86...Parallel beam (laser beam), 50...Laser drive circuit, 51...
Laser drive control circuit, 52...light amount detector, 53...
Amplifier, 87, 87a, 87b... Combined beam, 9
0... Hologram element, 91... Rotating polygon mirror, S... Combined beam spot.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 複数の半導体レーザから射出された各レーザ
ビームを1本に合成して走査する半導体レーザ走
査装置において、前記複数の半導体レーザのうち
の一部の半導体レーザが光量制御手段により光量
制御可能に駆動され、前記光量制御手段が、合成
されたビームの光量を検出する光量検出器の出力
を受けて、前記合成されたビームの光量を一定に
するように前記一部の半導体レーザの光量を制御
することを特徴とする半導体レーザ走査装置。
1. In a semiconductor laser scanning device that combines laser beams emitted from a plurality of semiconductor lasers into one beam for scanning, some of the semiconductor lasers among the plurality of semiconductor lasers are driven by a light amount control means so that the amount of light can be controlled. and the light amount control means receives an output from a light amount detector that detects the amount of light of the combined beam, and controls the amount of light of the some of the semiconductor lasers so as to keep the amount of light of the combined beam constant. A semiconductor laser scanning device characterized by:
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