JPH04372147A - Icハンドラの冷却装置 - Google Patents

Icハンドラの冷却装置

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JPH04372147A
JPH04372147A JP3174797A JP17479791A JPH04372147A JP H04372147 A JPH04372147 A JP H04372147A JP 3174797 A JP3174797 A JP 3174797A JP 17479791 A JP17479791 A JP 17479791A JP H04372147 A JPH04372147 A JP H04372147A
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正昭 西
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICデバイス(集積回
路素子)の電気的特性等の試験・測定を行うために用い
られるICハンドラにおいて、ICデバイスを冷却状態
にして試験するために設けられるICハンドラの冷却装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ICハンドラは、ICデバイスの電気的
特性の試験・測定を行うための装置におけるICデバイ
スの供給及び分類分けして収納するための機構部を構成
するものである。ここで、ICデバイスの試験・測定は
、常温状態だけでなく、所定の温度にまで加熱して行っ
たり、また冷却した状態でも行われる。このために、恒
温槽を設けて、この恒温槽内でICデバイスを加熱した
り、また冷却したりする。このうち、低温ハンドラとし
て構成する場合には、恒温槽内にダクトを設け、このダ
クトに強制的に循環流を形成するためのファンとして、
例えばクロスフローファンを配設すると共に、冷媒とし
ての液体窒素等を供給する冷媒供給部材を設ける。 この冷媒供給部材としては、基端側が冷媒供給源と接続
され、先端側を閉塞させたパイプ状の部材を用い、これ
をダクト内に挿通させて設け、ダクト内の部位には、フ
ァンにより形成される循環流の前方側に向けて冷媒噴出
口を等しいピッチ間隔をもって複数個穿設している。
【0003】従って、装置の立ち上げ時には、冷媒を高
圧かつ大量に供給して恒温槽内を所定の温度状態になる
まで冷却し、また恒温槽の温度が設定値にまで下がると
、それ以後は少量の冷媒を間欠的に供給することによっ
て、この温度状態を維持するようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うに先端が閉塞したパイプ状の冷媒供給部材を用いると
、たとえ冷媒噴出口を等しい間隔に設けても、全ての冷
媒噴出口から冷媒を均一に噴出させることができない。 即ち、冷媒の高圧供給時には、先端側の冷媒噴出口の方
が基端側の冷媒噴出口より多量の冷媒が噴出することに
なり、また冷媒の供給を低圧で行うと、これとは反対に
基端側の冷媒噴出口の方が先端側より多くなってしまい
、先端側からは殆ど冷媒を噴出させることができなくな
る。この結果、恒温槽内に温度の偏在が生じてしまう。 とりわけ、近年においては、多数のICデバイスを同時
に試験・測定できるようにするために、ICデバイスを
走行させるレーン数を多くすると、それだけ恒温槽の幅
も広くなって、冷媒供給部材をその軸線方向に長尺化す
る必要があり、このように冷媒供給部材を長尺にすると
、前述した温度の偏在がより顕著になり、全てのICデ
バイスを均一に加熱できないという欠点がある。
【0005】本発明は以上のような従来技術の欠点や問
題点を解消するためになされたものであって、その目的
とするところは、液体窒素等の冷媒を用いて恒温槽全体
をほぼ均一に冷却することができるようにしたICハン
ドラの冷却装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明は、冷媒供給部材を、冷媒供給源に接続
される冷媒流入室と、ICデバイスの走行レーン数に応
じて所定の長さを有する冷媒流出室との2室に区画形成
すると共に、冷媒流入室と冷媒流出室との間には、この
冷媒流出室の長さ方向のほぼ中間位置に1または複数の
冷媒流路を穿設し、かつ冷媒流出室の少なくともその長
さ方向の両端近傍位置に冷媒噴出口を設ける構成とした
ことをその特徴とするものである。
【0007】
【作用】このように構成することによって、冷媒供給源
から冷媒流入室内に供給された冷媒は、冷媒流出室の全
長におけるほぼ中間位置に設けた冷媒流路から冷媒流出
室に流れ込んで、この中間位置から左右両側に向けて均
等に流れることになり、冷媒流出室内の圧力がほぼ均一
な状態となるので、その両端部において極端な圧力差が
生じることがなくなる。従って、装置の立ち上げの際の
冷媒の高圧供給時にも、また恒温槽内の温度維持を図る
ために冷媒を低圧で供給する際においても、全体にわた
ってほぼ均一に冷媒を噴出させることができる。特に、
恒温槽内を冷却するための冷媒として液体窒素等のよう
に液状の冷媒を用いる場合には、冷媒流出室に供給され
た冷媒は冷媒流路から冷媒流出室に流れ出す際にミスト
状となって、冷媒流出室内ではほぼ気体と同じ圧縮性流
体となる。従って、冷媒流出室の内部が一定の圧力状態
になった後は、冷媒流路から冷媒が補給されるときに、
この補給圧力が高圧状態であっても、また低圧状態であ
っても、冷媒流出室内は常にほぼ均一な圧力状態に保持
される。
【0008】ここで、冷媒流出室における冷媒噴出口は
少なくともその両端近傍位置に2個所設ける必要はある
が、これらだけでなく、中間位置にも1または複数の冷
媒噴出口を設けるようにしてもよい。また、各冷媒噴出
口の口径は全て同じであってもよく、両端部の口径を最
も広くして、中間部に向かうに従って狭い口径にするよ
うにしても良い。流体噴出口を冷媒流出室の両端部分に
2個所設けるようにすると、恒温槽内においては、その
槽壁に沿った流れが形成されるので、槽内の循環流が安
定する。このように循環流の流れが安定することは、槽
内全体の温度を均一化する上で有利となる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。まず、図1にICハンドラの恒温槽の断面
を示す。同図から明らかなように、恒温槽1はその全体
が断熱壁によって区切られた空間からなり、その前面部
にはICテスタ2のテストヘッド2aが臨んでいる。ま
た、この恒温槽1には、その上部位置にデバイス入口1
aが設けられ、また下部位置にはデバイス出口1bが設
けられており、これらデバイス入口1a,デバイス出口
1bにはそれぞれシャッタ3,4が配設されている。従
って、ICデバイスDがローダ側のシュート5から供給
されると、シャッタ3を開放してこの恒温槽1内に受け
入れられることになり、またICデバイスDがICテス
タ2のテストヘッド2aに接続することによって、その
電気的特性の試験・測定が行われると、シャッタ4が開
放されて、アンローダ側のシュート6に向けて送り出さ
れることになる。ここで、ローダ側のシュート5から恒
温槽1内に送り込まれ、この恒温槽1内においてテスト
ヘッド2aに接続されて、試験・測定が行われた後、ア
ンローダ側のシュート6に至るICデバイスDの搬送経
路において、ICデバイスDは自重で滑走するようにな
っている。
【0010】恒温槽1内には、デバイス冷却用レーン1
0と、テスタ挿脱機構部11とが設けられている。デバ
イス冷却用レーン10はローダ側シュート5に連なる傾
斜状態のシュートからなり、またテスタ挿脱機構部11
においては、ICデバイスDは垂直方向に滑走させる垂
直シュート12を備えている。従って、デバイス冷却用
レーン10とテスタ挿脱機構部11の垂直シュート12
との間には、オリエンタと呼ばれるデバイス方向転換部
13が設けられている。
【0011】テスタ挿脱機構部11は、ICデバイスD
を所定の位置に位置決めした状態でクランプしてテスト
ヘッド2aに接離させるためのものであって、このため
に垂直シュート12にはストッパロッド14がICデバ
イスDの滑走路に挿脱可能に設けられると共に、クラン
プ板15がこの垂直シュート12の滑走面に対面するよ
うに設けられている。従って、クランプ板15を垂直シ
ュート12から離間させた状態で、その間にICデバイ
スDを滑走させて、ストッパロッド14を突出させて、
このICデバイスDを所定の位置に位置決めし、次いで
クランプ板15を垂直シュート12側に変位させること
によって、まずICデバイスDをクランプして、それを
テストヘッド2aに接続することによって、その電気的
特性の試験・測定を行うことができる。また、前述とは
反対の動作を行わせると、ICデバイスDをテストヘッ
ド2aから脱着させて、アンローダ側のシュート6に向
けて送り出すことができるようになる。
【0012】ところで、このICハンドラは低温ハンド
ラであって、このために恒温槽1の内部を所定の温度状
態となるように冷却する冷却装置が設けられている。こ
の冷却装置は、デバイス冷却用レーン10の下部におい
て、このレーン10に沿うように設けたダクト20を有
し、このダクト20内には恒温槽1内に循環流を形成す
るためのクロスフローファン21が吸い込み口20aに
近傍位置に設けられており、またこのクロスフローファ
ン21より吹き出し口20b側の位置に冷媒供給部材2
2が配設されている。ここで、図2に示したように、I
CデバイスDのレーン数、即ちデバイス冷却用レーン1
0及び垂直シュート12は8列設けられており、恒温槽
1はこれら8列のレーンをカバーすることができる幅を
有するものであるために、ダクト20はかなり長尺とな
っている。そして、冷媒供給部材22もこのダクト20
の全長にわたる長さを有する長尺の部材からなる。
【0013】次に、この冷媒供給部材22の断面を図3
に示す。この図から明らかなように、冷媒供給部材22
は内管23と外管24との2重管から構成されており、
外管24はダクト20の幅より僅かに短いパイプからな
り、その両端は閉塞されている。そして、内管23はこ
の外管24を貫通する状態に挿嵌されており、その基端
部には液体窒素からなる冷媒供給源としてのボンベ25
に接続した配管26が接続され、先端部分は閉塞されて
いる。なお、この配管26の途中には圧力調整弁27が
設けられており、この圧力調整弁27によって冷媒の供
給圧力を制御することができるように構成されている。
【0014】前述したように2重管で構成される冷媒供
給部材22は、その機能上2つの室に区画形成されてい
る。まず、内管23の内部はボンベ25からの冷媒が流
れ込む冷媒流入室28となっており、また内管23と外
管24との間の部分は恒温槽1内に冷媒を供給するため
の冷媒流出室29となっている。そして、内管23には
、冷媒流入室28を冷媒流出室29に連通させるための
冷媒流路30が穿設されている。この冷媒流路30は外
管24の軸線方向における中間位置において、内管23
の全周にわたって複数個所(例えば8個所程度)設けら
れている。また、外管24には冷媒噴出口31が穿設さ
れている。この冷媒噴出口31は、クロスフローファン
21により形成される循環流の下流側を向くようにして
、この外管24の全長にわたって所定のピッチ間隔をも
って複数個所(例えば8個所)設けられており、その両
端の冷媒噴出口はダクト20の内壁面に近い位置に設け
られ、また中央部分における冷媒噴出口は内管23に設
けた冷媒流路30を避けた位置に配設されている。
【0015】本実施例は前述のように構成されるもので
あって、ICハンドラの立ち上げ時には、恒温槽1内を
所定の温度状態、例えば−5℃になるように急冷する。 このために、圧力調整弁27を操作して、ボンベ25か
ら配管26を介して冷媒供給部材22を構成する内管2
3の内部における冷媒流入室28に液体窒素からなる冷
媒を供給する。ここで、内管23に供給された時点では
、冷媒は液体の状態となっている。そして、冷媒流入室
28内における冷媒は冷媒流路30を介して内管23と
外管24との間の冷媒流出室29に流れ込むが、このと
きに冷媒はミスト状となって、冷媒流出室29内ではほ
ぼ気体の状態になる。そして、この冷媒流出室29内の
冷媒は冷媒噴出口31から噴出されて、クロスフローフ
ァン21により形成される恒温槽1内の循環流(図1に
矢印で示す)に搬送されて、冷気を恒温槽1内全体に供
給して冷却することができる。
【0016】ここで、冷媒供給部材22は内管23と外
管24とによって冷媒流入室28と冷媒流出室29との
2室に区画形成され、しかも冷媒流入室28から冷媒流
出室29に冷媒を流す通路は冷媒流出室29の軸線方向
の中間位置に開口しているので、図4に示したように、
外管24に複数設けた冷媒流出口31のうち、両端に位
置する冷媒流出口からの冷媒噴出量は中央部分の冷媒流
出口より多くなるが、その差はそれ程極端に大きくなる
ようなことはない。しかも、この噴出量は中心部から左
右に向けて徐々に多くなり、恒温槽1の壁面に近い側の
噴出量が最も大きくなるので、冷気の流れが安定し、極
めて効率的に冷却することができる。
【0017】このようにして恒温槽1内が所定の温度状
態になると、ICデバイスDを恒温槽1内に供給して、
デバイス冷却用レーン10に所定時間滞留させることに
よりこのICデバイスDを冷却し、次いでテスタ挿脱機
構部11に送り込んで、このテスタ挿脱機構部11を作
動させることによりICテスタ2のテストヘッド2aに
接続して、その電気的特性の試験・測定を行う。
【0018】ところで、恒温槽1内の温度状態を一定に
保つために、冷媒供給部材22から連続的または間欠的
に冷媒を供給する。このときの冷媒の供給は低圧状態で
行うが、この低圧状態での冷媒供給時には、高圧供給時
とは反対に、図5に示したように、両端部に比較して中
央部分の冷媒流出口の方が噴出量が多くなる。しかしな
がら、その差はあまり極端ではなく、しかもその変化の
勾配は左右対称となり、また冷媒供給量自体も少なく、
さらには冷媒流出室29内では冷媒は液状ではなく、ミ
スト状の気体状態となっているので、恒温槽1内におい
て部分的な温度差を生じさせるおそれはない。従って、
恒温槽1内に多数のレーンを設けて、これら各レーンに
ICデバイスDを同時に、しかも連続的に流しても、全
てのICデバイスDをほぼ均一な温度状態にすることが
できる。
【0019】次に、図6に本発明の第2の実施例を示す
。この実施例では、冷媒供給部材40を構成する外管4
1には、その両端近傍位置に一対の冷媒噴出口42を設
け、また内管43には、その中央部に1個所の冷媒流路
44を設けるようにしている。このように構成すれば、
冷媒の高圧供給時においても、また低圧供給時において
も、恒温槽1の両端部の壁面に沿った冷気の流れが形成
されることになり、この冷気流の安定化を図ることがで
きると共に、低圧供給時においては、恒温槽1内のうち
、最も温度上昇が大きくなる部位に冷気を供給できるの
で、槽内温度の維持をさらに精度良く行うことができる
。また、この冷媒供給部材40の外管41には、図6に
点線で示したように、冷媒噴出口42より中央寄りの位
置にそれより狭い口径の補助噴出口45を設けるように
しても良い。
【0020】また、図7に本発明の第3の実施例を示す
。この実施例では、冷媒供給部材50として、2重管を
用いず、1本の管状の部材または中空角柱状の部材で形
成して、その内部に形成される室にその長手方向に区画
壁51を設けることにより2室に区画形成して、一方の
室を冷媒供給源に接続した冷媒流入室52となし、他方
の室を冷媒流出室53となしている。そして、区画壁5
1の長手方向の中間位置に冷媒流路54を穿設すると共
に、循環流の上流側に向けて冷媒噴出口55を設けるよ
うに構成されている。このような構成を採用することに
よっても、前述した第1,第2の実施例と同様、恒温槽
内を所定の温度にまで冷却し、かつこの温度状態を維持
することができるようになる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、冷媒供
給部材を、冷媒供給源に接続される冷媒流入室と、IC
デバイスの走行レーン数に応じて所定の長さを有する冷
媒流出室との2室に区画形成して、冷媒流入室と冷媒流
出室との間に冷媒流出室の長さ方向のほぼ中間位置に1
または複数の冷媒流路を穿設し、かつ冷媒流出室の少な
くとも長さ方向の両端近傍位置に冷媒噴出口を設ける構
成としたので、装置の立ち上げ時において、高圧状態に
して大量の冷媒を供給する際においても、また低圧で少
量の冷媒を供給することによって、所定の温度状態を維
持する際においても、恒温槽内全体の温度管理を極めて
正確に行うことができ、部分的な温度偏在を確実に防止
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す恒温槽の断面図である
【図2】恒温槽内におけるダクトの吹き出し部分の構成
を示す外観図である。
【図3】本発明の第1の実施例を示すICハンドラの冷
却装置の構成説明図である。
【図4】冷媒の高圧供給時における作用説明図である。
【図5】冷媒の低圧供給時における作用説明図である。
【図6】本発明の第2の実施例を示す冷媒供給部材の断
面図である。
【図7】本発明の第3の実施例を示す冷媒供給部材の断
面図である。
【符号の説明】
1  恒温槽 10  デバイス冷却用レーン 11  デバイス挿脱機構部 20  ダクト 21  クロスフローファン 22,40,50  冷媒供給部材 23,43  内管 24,41  外管 25  ボンベ 26  配管 28,52  冷媒流入室 29,53  冷媒流出室 30,44,54  冷媒流路 31,42,55  冷媒噴出口 45  補助噴出口 51  区画壁

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ICハンドラにおける恒温槽内に、冷
    媒噴出口を穿設し、かつ冷媒供給源に接続した管状の冷
    媒供給部材を配設して、この冷媒供給部材から冷媒を噴
    出させることによって、恒温槽内を所定温度状態に冷却
    するものにおいて、前記冷媒供給部材を、冷媒供給源に
    接続される冷媒流入室と、ICデバイスの走行レーン数
    に応じて所定の長さを有する冷媒流出室との2室に区画
    形成すると共に、冷媒流入室と冷媒流出室との間には、
    冷媒流出室の長さ方向のほぼ中間位置に1または複数の
    冷媒流路を穿設し、かつ冷媒流出室の少なくとも長さ方
    向の両端近傍位置に冷媒噴出口を設ける構成としたこと
    を特徴とするICハンドラの冷却装置。
  2. 【請求項2】  前記冷媒供給部材を外管と、この外管
    の内部に挿入した内管との2重管で形成し、内管を前記
    冷媒供給源に接続することにより、この内管の内部を冷
    媒流入室となし、また外管には、少なくともその長さ方
    向における両端近傍位置に冷媒噴出口を設けて、この外
    管と内管との間を冷媒流出室となしたことを特徴とする
    ICハンドラの冷却装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08304242A (ja) * 1995-05-15 1996-11-22 Rigaku Corp 試料冷却ノズル
KR100420445B1 (ko) * 2001-03-31 2004-03-03 (주)케이.씨.텍 유체를 분사하는 장치
KR100835261B1 (ko) 2004-07-30 2008-06-05 에스펙 가부시키가이샤 냉각 장치
KR100838695B1 (ko) 2004-07-30 2008-06-16 에스펙 가부시키가이샤 번 인 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61132738U (ja) * 1985-02-07 1986-08-19

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61132738U (ja) * 1985-02-07 1986-08-19

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08304242A (ja) * 1995-05-15 1996-11-22 Rigaku Corp 試料冷却ノズル
KR100420445B1 (ko) * 2001-03-31 2004-03-03 (주)케이.씨.텍 유체를 분사하는 장치
KR100835261B1 (ko) 2004-07-30 2008-06-05 에스펙 가부시키가이샤 냉각 장치
KR100838695B1 (ko) 2004-07-30 2008-06-16 에스펙 가부시키가이샤 번 인 장치

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