JPH04370754A - Gas sensor and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】この発明はガスセンサおよびその
製造方法に関し、特に、量産が可能となったガスセンサ
およびその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas sensor and a method of manufacturing the same, and more particularly to a gas sensor and a method of manufacturing the same that can be mass-produced.
【0002】0002
【従来技術および解決しようとする課題】一般に、雰囲
気ガス中に含まれる特定の可燃性ガスを検出または定量
するために用いられるガスセンサは、図13、図14に
示すようなガスセンサが知られている。すなわち、この
ガスセンサは図14に示すように、検出素子43と、温
度補償を行うための検出素子43の温度係数に近い温度
係数を持つ温度補償素子44とがブリッジ回路に組み込
まれたものである。前記検出素子43は図13に示すよ
うに、触媒42を保持する球形状のアルミナ担体41と
、このアルミナ担体41に埋設するとともに、埋設する
部分がコイル状となった白金線40とからなっている。[Prior Art and Problems to be Solved] Gas sensors shown in FIGS. 13 and 14 are generally known as gas sensors used to detect or quantify specific combustible gases contained in atmospheric gas. . That is, as shown in FIG. 14, this gas sensor includes a detection element 43 and a temperature compensation element 44 having a temperature coefficient close to the temperature coefficient of the detection element 43 for temperature compensation, which are incorporated into a bridge circuit. . As shown in FIG. 13, the detection element 43 consists of a spherical alumina carrier 41 that holds the catalyst 42, and a platinum wire 40 that is buried in the alumina carrier 41 and has a coiled portion. There is.
【0003】そして、可燃性ガスがアルミナ担体41に
保持された触媒42に作用して反応すると、前記白金線
40の温度が上昇する。また、前記白金線40は温度変
化により電気抵抗が変化するため、この電気抵抗の変化
を測定することにより、可燃性ガスの検出または定量を
行うことができる。[0003] When the flammable gas acts on the catalyst 42 held on the alumina carrier 41 and reacts, the temperature of the platinum wire 40 rises. Furthermore, since the electrical resistance of the platinum wire 40 changes with temperature changes, combustible gas can be detected or quantified by measuring the change in electrical resistance.
【0004】しかしながら、前記検出素子43は、白金
線40の径が約40μm、アルミナ担体41の直径が約
0.9mmと非常に小さいものであり、量産が困難であ
り、また、前記検出素子43の温度係数に近い温度係数
を持つ温度補償素子44を製造することが困難であると
いう問題点を有していた。However, the detection element 43 is very small, with the platinum wire 40 having a diameter of about 40 μm and the alumina carrier 41 having a diameter of about 0.9 mm, making mass production difficult. The problem is that it is difficult to manufacture a temperature compensation element 44 having a temperature coefficient close to that of .
【0005】この発明は上記のような従来のもののもつ
問題点を解決したものであって、検出素子および温度補
償素子の量産が可能となるとともに、検出素子の温度係
数に近い温度係数を持つ温度補償素子の製造が容易とな
ったガスセンサおよびその製造方法を提供することを目
的とするものである。The present invention solves the problems of the conventional devices as described above, and makes it possible to mass produce detection elements and temperature compensation elements. It is an object of the present invention to provide a gas sensor in which the compensating element can be easily manufactured and a method for manufacturing the same.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は、検出素子と温度補償素子とが1対と
なったガスセンサであって、前記検出素子はセラミック
基板の上部に白金薄膜パターン部および配線ターミナル
部からなる白金薄膜電極を形成し、前記白金薄膜パター
ン部の上部にセラミック系部材を配設して焼結し、この
セラミック系部材の上部に白金族部材をコーティングし
たものであり、前記温度補償素子はセラミック基板の上
部に白金薄膜パターン部および配線ターミナル部からな
る白金薄膜電極を形成し、前記白金薄膜パターン部の上
部にセラミック系部材を配設して焼結したものであり、
前記検出素子の電気抵抗値の変化を測定して可燃性ガス
を検出するという手段を採用したものである。また、1
枚のセラミック基板を複数の同一領域に区画し、各領域
内に白金薄膜パターン部および配線ターミナル部からな
る白金薄膜電極を形成し、前記白金薄膜パターン部の上
部にセラミック系部材を配設して焼結し、前記セラミッ
ク基板の半分にマスキングを施して温度補償素子集合部
とし、残り半分の前記セラミック系部材の上部に白金族
部材をコーティングして検出素子集合部とし、前記セラ
ミック基板を各領域毎に切断して前記温度補償素子集合
部より温度補償素子を、また、前記検出素子集合部より
検出素子をそれぞれ形成し、温度係数の近似する温度補
償素子と検出素子との対を選択してガスセンサを形成す
るという手段を採用したものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a gas sensor including a detection element and a temperature compensation element as a pair, wherein the detection element is formed of a platinum metal plate on the top of a ceramic substrate. A platinum thin film electrode consisting of a thin film pattern part and a wiring terminal part is formed, a ceramic member is placed and sintered on the top of the platinum thin film pattern part, and the top of the ceramic member is coated with a platinum group member. The temperature compensating element is obtained by forming a platinum thin film electrode consisting of a platinum thin film pattern part and a wiring terminal part on the upper part of a ceramic substrate, and sintering the ceramic member arranged on the upper part of the platinum thin film pattern part. and
This method employs a method of detecting combustible gas by measuring changes in the electrical resistance value of the detection element. Also, 1
A sheet of ceramic substrate is divided into a plurality of identical regions, a platinum thin film electrode consisting of a platinum thin film pattern portion and a wiring terminal portion is formed in each region, and a ceramic member is disposed above the platinum thin film pattern portion. The ceramic substrate is sintered, and half of the ceramic substrate is masked to form a temperature compensation element assembly part, and the remaining half of the ceramic member is coated with a platinum group member to form a detection element assembly part, and the ceramic substrate is used for each region. A temperature compensating element is formed from the temperature compensating element gathering part, and a detecting element is formed from the detecting element gathering part, respectively, and a pair of a temperature compensating element and a detecting element having approximate temperature coefficients is selected. This method adopts the method of forming a gas sensor.
【0007】[0007]
【作用】この発明は上記の手段を採用したことにより、
検出素子および温度補償素子を量産することができ、1
枚のセラミック基板で検出素子および温度補償素子を製
造することができるとともに、温度係数の近い検出素子
および温度補償素子を容易に製造することができる。[Operation] By adopting the above-mentioned means, this invention
Detection elements and temperature compensation elements can be mass-produced, and 1
The detection element and the temperature compensation element can be manufactured using a single ceramic substrate, and the detection element and the temperature compensation element having similar temperature coefficients can be easily manufactured.
【0008】[0008]
【実施例】以下、図面に示すこの発明の実施例について
説明する。図1にはこの発明によるガスセンサの実施例
が示されていて、このガスセンサ1はケース2上面に検
出素子3と温度補償素子4とが対向して配設され、前記
両素子3、4を覆うようにして防爆メッシュ16が前記
ケース2の上部に設けられている。そして、前記検出素
子3および温度補償素子4は図2に示すように、ブリッ
ジ回路に接続している。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Examples of the present invention shown in the drawings will be described below. FIG. 1 shows an embodiment of a gas sensor according to the present invention, in which a detection element 3 and a temperature compensation element 4 are disposed facing each other on the upper surface of a case 2, and both of the elements 3 and 4 are covered. In this way, an explosion-proof mesh 16 is provided on the upper part of the case 2. The detection element 3 and temperature compensation element 4 are connected to a bridge circuit as shown in FIG.
【0009】前記検出素子3は図3に示すように、セラ
ミック基板5の上部に白金薄膜パターン部6および配線
ターミナル部7からなる白金薄膜電極8をスパッタリン
グ法または蒸着法等で形成し、前記白金薄膜パターン部
6の上部にアルミナ、シリカアルミナ等からなるセラミ
ック系部材9を印刷して焼結し、このセラミック系部材
9の上部に白金族のPt、Pd、Rh等からなる白金族
部材10をスパッタリング法または蒸着法等でコーティ
ングしたものである。As shown in FIG. 3, the detection element 3 is formed by forming a platinum thin film electrode 8 consisting of a platinum thin film pattern part 6 and a wiring terminal part 7 on the upper part of a ceramic substrate 5 by sputtering or vapor deposition. A ceramic member 9 made of alumina, silica alumina, etc. is printed on the thin film pattern portion 6 and sintered, and a platinum group member 10 made of platinum group members Pt, Pd, Rh, etc. is printed on the ceramic member 9. It is coated by sputtering method, vapor deposition method, etc.
【0010】また、前記温度補償素子4は図4に示すよ
うに、セラミック基板11の上部に白金薄膜パターン部
12および配線ターミナル部13からなる白金薄膜電極
14をスパッタリング法または蒸着法等で形成し、前記
白金薄膜パターン部12の上部にアルミナ、シリカアル
ミナ等からなるセラミック系部材15を印刷して焼結し
たものである。Further, as shown in FIG. 4, the temperature compensating element 4 is formed by forming a platinum thin film electrode 14 consisting of a platinum thin film pattern part 12 and a wiring terminal part 13 on the top of a ceramic substrate 11 by sputtering or vapor deposition. A ceramic member 15 made of alumina, silica alumina, etc. is printed on the platinum thin film pattern portion 12 and sintered.
【0011】上記のように構成されたガスセンサ1にお
いて、可燃性ガスは前記検出素子3の白金薄膜電極8の
上部にセラミック系部材9を介して配設された白金族部
材10と作用して反応し、白金薄膜電極8の白金薄膜パ
ターン部6の温度を上昇させる。そして、この白金薄膜
パターン部6の温度が上昇すると、白金薄膜電極8の電
気抵抗が変化し、この変化量を測定することにより、可
燃性ガスの検出または定量を行うことができる。In the gas sensor 1 constructed as described above, the combustible gas acts and reacts with the platinum group member 10 disposed on the platinum thin film electrode 8 of the detection element 3 via the ceramic member 9. Then, the temperature of the platinum thin film pattern portion 6 of the platinum thin film electrode 8 is increased. When the temperature of the platinum thin film pattern section 6 rises, the electrical resistance of the platinum thin film electrode 8 changes, and by measuring the amount of change, the combustible gas can be detected or quantified.
【0012】また、前記検出素子3および温度補償素子
4が上記のように構成されることによって、検出素子3
および温度補償素子4の量産が容易となり、1枚のセラ
ミック基板から検出素子3および温度補償素子4を製造
することによって、温度係数を揃えることが容易になる
。Furthermore, by configuring the detection element 3 and the temperature compensation element 4 as described above, the detection element 3
And mass production of the temperature compensation element 4 becomes easy, and by manufacturing the detection element 3 and the temperature compensation element 4 from one ceramic substrate, it becomes easy to make the temperature coefficients the same.
【0013】図5〜図10にはこの発明によるガスセン
サの製造方法の実施例が示され、また、図11、図12
にはこの発明によるガスセンサの製造方法によって製造
された検出素子および温度補償素子が示されている。5 to 10 show an embodiment of the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention, and FIGS.
1 shows a detection element and a temperature compensation element manufactured by the gas sensor manufacturing method according to the present invention.
【0014】このガスセンサの製造方法は、まず、1枚
のセラミック基板21を図5に示すように、複数の同一
領域に区画し、このセラミック基板21の各領域に図6
に示すように、白金薄膜パターン部22および配線ター
ミナル部23からなる白金薄膜電極24をスパッタリン
グ法または蒸着法等によって形成する。The manufacturing method of this gas sensor is as follows: First, one ceramic substrate 21 is divided into a plurality of identical regions as shown in FIG.
As shown in FIG. 2, a platinum thin film electrode 24 consisting of a platinum thin film pattern portion 22 and a wiring terminal portion 23 is formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like.
【0015】つぎに、前記白金薄膜電極24が形成され
たセラミック基板21の各白金薄膜電極24の配線ター
ミナル部23にマスキングを施し、図7に示すように、
前記各白金薄膜電極24の白金薄膜パターン部22の上
部にアルミナ、シリカアルミナ等から形成されるセラミ
ック系部材25を印刷して焼結する。Next, the wiring terminal portion 23 of each platinum thin film electrode 24 of the ceramic substrate 21 on which the platinum thin film electrode 24 is formed is masked, and as shown in FIG.
A ceramic member 25 made of alumina, silica alumina, etc. is printed on the platinum thin film pattern portion 22 of each of the platinum thin film electrodes 24 and sintered.
【0016】さらに、前記白金薄膜電極24の上部にセ
ラミック系部材25が焼結されたセラミック基板21の
半分にマスキングを施し、このマスキングを施した部分
を温度補償素子集合部28とし、マスキングを施してい
ない残り半分のセラミック系部材25の上部に、白金族
のPt、Pd、Rh等からなる白金族部材26をスパッ
タリング法または蒸着法等でコーティングして、検出素
子集合部27とし、図8、図9に示すように、半分が温
度補償素子集合部28であるとともに、残り半分が検出
素子集合部27であるセラミック基板21を形成する。Furthermore, half of the ceramic substrate 21 on which the ceramic member 25 is sintered on top of the platinum thin film electrode 24 is masked, and the masked part is used as the temperature compensating element gathering part 28, and the masking is performed. A platinum group member 26 made of a platinum group member such as Pt, Pd, Rh, etc. is coated on the top of the remaining half of the ceramic member 25 by sputtering or vapor deposition to form a detection element gathering portion 27, as shown in FIG. As shown in FIG. 9, a ceramic substrate 21 is formed, one half of which is a temperature compensation element assembly section 28 and the other half of which is a detection element assembly section 27.
【0017】上記のように構成された、半分が温度補償
素子集合部28であるとともに、残り半分が検出素子集
合部27であるセラミック基板21を、図10に示すよ
うに、ヒーター部31の上部に前記白金薄膜電極24が
上方を向いた状態で配設し、前記セラミック基板21の
上方から前記各領域の各白金薄膜電極24の配線ターミ
ナル部23に計測端子29を接触させ、各計測端子29
の配線はコネクタ30でまとめられ、マルチメータに接
続して、前記白金薄膜電極24の電気抵抗値を測定でき
るようにする。そして、ヒーター部31の温度を変化さ
せて、各領域の各白金薄膜電極24の温度係数を測定す
る。As shown in FIG. 10, the ceramic substrate 21 having half the temperature compensation element assembly section 28 and the other half the detection element assembly section 27 configured as described above is attached to the upper part of the heater section 31. The platinum thin film electrodes 24 are arranged with the platinum thin film electrodes 24 facing upward, and the measurement terminals 29 are brought into contact with the wiring terminal portions 23 of the platinum thin film electrodes 24 in each region from above the ceramic substrate 21.
The wirings are gathered together with a connector 30 and connected to a multimeter so that the electrical resistance value of the platinum thin film electrode 24 can be measured. Then, the temperature of the heater section 31 is changed and the temperature coefficient of each platinum thin film electrode 24 in each region is measured.
【0018】つぎに、半分が温度補償素子集合部28で
あるとともに、残り半分が検出素子集合部27であるセ
ラミック基板21を各領域毎に切断して、温度補償素子
集合部28から図12に示す温度補償素子34を形成し
、検出素子集合部27から図11に示す検出素子33を
形成する。Next, the ceramic substrate 21, half of which is the temperature compensating element gathering part 28 and the other half being the detecting element gathering part 27, is cut into each region, and from the temperature compensating element gathering part 28, as shown in FIG. The temperature compensating element 34 shown in FIG. 11 is formed, and the sensing element 33 shown in FIG.
【0019】そして、温度係数の近い検出素子33と温
度補償素子34とを組合せて、ブリッジ回路に組み込ん
でガスセンサを製造する。Then, the detection element 33 and the temperature compensation element 34 having similar temperature coefficients are combined and assembled into a bridge circuit to manufacture a gas sensor.
【0020】上記のように構成されたガスセンサの製造
方法においては、検出素子33および温度補償素子34
を量産することができる。また、1枚のセラミック基板
から同時に検出素子33および温度補償素子34を製造
することができるとともに、温度係数の近い検出素子3
3および温度補償素子34を容易に製造することができ
る。In the method for manufacturing the gas sensor configured as described above, the detection element 33 and the temperature compensation element 34 are
can be mass-produced. In addition, the detection element 33 and the temperature compensation element 34 can be manufactured simultaneously from one ceramic substrate, and the detection element 33 and the temperature compensation element 34 have similar temperature coefficients.
3 and temperature compensation element 34 can be easily manufactured.
【0021】[0021]
【発明の効果】この発明は前記のように構成したことに
より、検出素子および温度補償素子を量産することがで
きる。また、1枚のセラミック基板から同時に検出素子
および温度補償素子を製造することができるとともに、
温度係数の近い検出素子および温度補償素子を容易に製
造することができるというすぐれた効果を有するもので
ある。According to the present invention configured as described above, detection elements and temperature compensation elements can be mass-produced. In addition, it is possible to simultaneously manufacture a detection element and a temperature compensation element from one ceramic substrate, and
This has the excellent effect that detecting elements and temperature compensating elements with similar temperature coefficients can be easily manufactured.
【図1】この発明によるガスセンサの実施例を示す概略
図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of a gas sensor according to the present invention.
【図2】この発明によるガスセンサの実施例におけるブ
リッジ回路を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a bridge circuit in an embodiment of the gas sensor according to the invention.
【図3】この発明によるガスセンサの実施例における検
出素子を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a detection element in an embodiment of the gas sensor according to the present invention.
【図4】この発明によるガスセンサの実施例における温
度補償素子を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a temperature compensation element in an embodiment of the gas sensor according to the invention.
【図5】この発明によるガスセンサの製造方法の実施例
において、セラミック基板の各領域に白金薄膜電極を設
けた状態を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a state in which platinum thin film electrodes are provided in each region of a ceramic substrate in an embodiment of the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.
【図6】図5の部分拡大概略図である。FIG. 6 is a partially enlarged schematic diagram of FIG. 5;
【図7】この発明によるガスセンサの製造方法の実施例
において、セラミック基板の各領域に設けられた白金薄
膜電極の上部にセラミック系部材を設けた状態を示す部
分拡大概略図である。FIG. 7 is a partially enlarged schematic diagram showing a state in which a ceramic member is provided on top of a platinum thin film electrode provided in each region of a ceramic substrate in an embodiment of the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.
【図8】この発明によるガスセンサの製造方法の実施例
において、セラミック基板の検出素子集合部と温度補償
素子集合部とを示す概略図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a detection element assembly section and a temperature compensation element assembly section of a ceramic substrate in an embodiment of the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.
【図9】この発明によるガスセンサの製造方法の実施例
において、セラミック基板の検出素子集合部と温度補償
素子集合部との境界部分を示す部分拡大概略図である。FIG. 9 is a partially enlarged schematic diagram showing a boundary portion between a detection element gathering portion and a temperature compensation element gathering portion of a ceramic substrate in an embodiment of the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.
【図10】この発明によるガスセンサの製造方法の実施
例において、セラミック基板の検出素子集合部と温度補
償素子集合部との温度係数を計測する装置を示す概略図
である。FIG. 10 is a schematic diagram showing an apparatus for measuring the temperature coefficients of a detection element assembly portion and a temperature compensation element assembly portion of a ceramic substrate in an embodiment of the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.
【図11】この発明によるガスセンサの製造方法の実施
例において製造された検出素子を示す概略図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing a detection element manufactured in an embodiment of the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.
【図12】この発明によるガスセンサの製造方法の実施
例において製造された温度補償素子を示す概略図である
。FIG. 12 is a schematic diagram showing a temperature compensation element manufactured in an embodiment of the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.
【図13】従来のガスセンサにおける検出素子を示す概
略図である。FIG. 13 is a schematic diagram showing a detection element in a conventional gas sensor.
【図14】従来のガスセンサにおけるブリッジ回路を示
す概略図である。
1……ガスセンサ
2……ケース
3、33、43……検出素子
4、34、44……温度補償素子
5、11、21……セラミック基板
6、12、22……白金薄膜パターン部7、13、23
……配線ターミナル部
8、14、24……白金薄膜電極
9、15、25……セラミック系部材
10、26……白金族部材
16……防爆メッシュ
27……検出素子集合部
28……温度補償素子集合部
29……計測端子
30……コネクタ
31……ヒーター部
40……白金線
41……アルミナ担体
42……触媒FIG. 14 is a schematic diagram showing a bridge circuit in a conventional gas sensor. 1... Gas sensor 2... Case 3, 33, 43... Detection element 4, 34, 44... Temperature compensation element 5, 11, 21... Ceramic substrate 6, 12, 22... Platinum thin film pattern portion 7, 13 , 23
... Wiring terminal parts 8, 14, 24 ... Platinum thin film electrodes 9, 15, 25 ... Ceramic members 10, 26 ... Platinum group members 16 ... Explosion-proof mesh 27 ... Detection element assembly section 28 ... Temperature compensation Element gathering section 29...Measuring terminal 30...Connector 31...Heater section 40...Platinum wire 41...Alumina carrier 42...Catalyst
Claims (2)
とが1対となったガスセンサであって、前記検出素子(
3)はセラミック基板(5)の上部に白金薄膜パターン
部(6)および配線ターミナル部(7)からなる白金薄
膜電極(8)を形成し、前記白金薄膜パターン部(6)
の上部にセラミック系部材(9)を配設して焼結し、該
セラミック系部材(9)の上部に白金族部材(10)を
コーティングしたものであり、前記温度補償素子(4)
はセラミック基板(11)の上部に白金薄膜パターン部
(12)および配線ターミナル部(13)からなる白金
薄膜電極(14)を形成し、前記白金薄膜パターン部(
12)の上部にセラミック系部材(15)を配設して焼
結したものであり、前記検出素子(3)の電気抵抗値の
変化を測定して可燃性ガスを検出することを特徴とする
ガスセンサ。[Claim 1] Detection element (3) and temperature compensation element (4)
is a pair of gas sensors, wherein the detection element (
3) forms a platinum thin film electrode (8) consisting of a platinum thin film pattern part (6) and a wiring terminal part (7) on the top of the ceramic substrate (5);
A ceramic member (9) is disposed and sintered on the upper part of the temperature compensating element (4), and the upper part of the ceramic member (9) is coated with a platinum group member (10).
A platinum thin film electrode (14) consisting of a platinum thin film pattern part (12) and a wiring terminal part (13) is formed on the top of a ceramic substrate (11), and the platinum thin film pattern part (
A ceramic member (15) is arranged and sintered on the upper part of the sensor 12), and the combustible gas is detected by measuring the change in the electrical resistance value of the detection element (3). gas sensor.
の同一領域に区画し、各領域内に白金薄膜パターン部(
22)および配線ターミナル部(23)からなる白金薄
膜電極(24)を形成し、前記各白金薄膜パターン部(
22)の上部にセラミック系部材(25)を配設して焼
結し、前記セラミック基板(21)の半分にマスキング
を施して温度補償素子集合部(28)とし、残り半分の
前記各セラミック系部材(25)の上部に白金族部材(
26)をコーティングして検出素子集合部(27)とし
、前記セラミック基板(21)を各領域毎に切断して前
記温度補償素子集合部(28)より温度補償素子(34
)を、また、前記検出素子集合部(27)より検出素子
(33)をそれぞれ形成し、温度係数の近似する温度補
償素子(34)と検出素子(33)との対を選択してガ
スセンサを形成することを特徴とするガスセンサの製造
方法。2. One ceramic substrate (21) is divided into a plurality of identical regions, and a platinum thin film pattern portion (
A platinum thin film electrode (24) consisting of a wiring terminal part (22) and a wiring terminal part (23) is formed, and each of the platinum thin film pattern parts (22) and a wiring terminal part (23) are formed.
22), a ceramic member (25) is disposed on top of the ceramic substrate (22) and sintered, half of the ceramic substrate (21) is masked to form a temperature compensation element assembly part (28), and the remaining half of each of the ceramic members A platinum group member (
26) to form a detection element assembly part (27), and cut the ceramic substrate (21) into each region to form a temperature compensation element (34) from the temperature compensation element assembly part (28).
), and detecting elements (33) are respectively formed from the detecting element assembly part (27), and a pair of temperature compensating element (34) and detecting element (33) with approximate temperature coefficients is selected to form a gas sensor. A method of manufacturing a gas sensor, characterized by forming a gas sensor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3175975A JP2984095B2 (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Gas sensor manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3175975A JP2984095B2 (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Gas sensor manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04370754A true JPH04370754A (en) | 1992-12-24 |
JP2984095B2 JP2984095B2 (en) | 1999-11-29 |
Family
ID=16005522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3175975A Expired - Lifetime JP2984095B2 (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Gas sensor manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2984095B2 (en) |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP3175975A patent/JP2984095B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2984095B2 (en) | 1999-11-29 |
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