JP2984095B2 - Gas sensor manufacturing method - Google Patents

Gas sensor manufacturing method

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JP2984095B2 JP3175975A JP17597591A JP2984095B2 JP 2984095 B2 JP2984095 B2 JP 2984095B2 JP 3175975 A JP3175975 A JP 3175975A JP 17597591 A JP17597591 A JP 17597591A JP 2984095 B2 JP2984095 B2 JP 2984095B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はガスセンサの製造方法
に関し、特に、量産が可能となったガスセンサの製造方
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a gas sensor, and more particularly, to a method for manufacturing a gas sensor which can be mass- produced.
It is about the law .

【0002】[0002]

【従来技術および解決しようとする課題】一般に、雰囲
気ガス中に含まれる特定の可燃性ガスを検出または定量
するために用いられるガスセンサは、図13、図14に
示すようなガスセンサが知られている。すなわち、この
ガスセンサは図14に示すように、検出素子43と、温
度補償を行うための検出素子43の温度係数に近い温度
係数を持つ温度補償素子44とがブリッジ回路に組み込
まれたものである。前記検出素子43は図13に示すよ
うに、触媒42を保持する球形状のアルミナ担体41
と、このアルミナ担体41に埋設するとともに、埋設す
る部分がコイル状となった白金線40とからなってい
る。
2. Description of the Related Art Generally, gas sensors as shown in FIGS. 13 and 14 are known as gas sensors used for detecting or quantifying a specific combustible gas contained in an atmospheric gas. . That is, in this gas sensor, as shown in FIG. 14, a detection element 43 and a temperature compensation element 44 having a temperature coefficient close to the temperature coefficient of the detection element 43 for performing temperature compensation are incorporated in a bridge circuit. . As shown in FIG. 13, the detection element 43 is a spherical alumina carrier 41 holding a catalyst 42.
And the embedded platinum wire 40 buried in the alumina carrier 41 and buried.

【0003】そして、可燃性ガスがアルミナ担体41に
保持された触媒42に作用して反応すると、前記白金線
40の温度が上昇する。また、前記白金線40は温度変
化により電気抵抗が変化するため、この電気抵抗の変化
を測定することにより、可燃性ガスの検出または定量を
行うことができる。
When the combustible gas acts on and reacts with the catalyst 42 held on the alumina carrier 41, the temperature of the platinum wire 40 rises. In addition, since the electrical resistance of the platinum wire 40 changes due to a change in temperature, the detection or quantification of the flammable gas can be performed by measuring the change in the electrical resistance.

【0004】しかしながら、前記検出素子43は、白金
線40の径が約40μm、アルミナ担体41の直径が約
0.9mmと非常に小さいものであり、量産が困難であ
り、また、前記検出素子43の温度係数に近い温度係数
を持つ温度補償素子44を製造することが困難であると
いう問題点を有していた。
However, since the diameter of the platinum wire 40 is about 40 μm and the diameter of the alumina carrier 41 is about 0.9 mm, which is very small, mass production is difficult. Has a problem that it is difficult to manufacture the temperature compensating element 44 having a temperature coefficient close to the above temperature coefficient.

【0005】この発明は上記のような従来のもののもつ
問題点を解決したものであって、検出素子および温度補
償素子の量産が可能となるとともに、検出素子の温度係
数に近い温度係数を持つ温度補償素子の製造が容易とな
ったガスセンサの製造方法を提供することを目的とする
ものである。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, which enables mass production of the detecting element and the temperature compensating element, and has a temperature coefficient close to the temperature coefficient of the detecting element. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a gas sensor in which the manufacturing of a compensating element is facilitated.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めにこの発明は、1枚のセラミック基板を複数の同一領
域に区画し、各領域内に白金薄膜パターン部および配線
ターミナル部からなる白金薄膜電極を形成し、前記各白
金薄膜パターン部の上部にセラミック系部材を配設して
焼結し、前記セラミック基板の半分にマスキングを施し
て温度補償素子集合部とし、残り半分の前記各セラミッ
ク系部材の上部に白金族部材をコーティングして検出素
子集合部とし、前記セラミック基板を各領域毎に切断し
て前記温度補償素子集合部より温度補償素子を、また、
前記検出素子集合部より検出素子をそれぞれ形成し、温
度係数の近似する温度補償素子と検出素子との対を選択
してガスセンサを形成するという手段を採用したもので
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a single ceramic substrate by using a plurality of identical areas.
And a platinum thin film pattern and wiring in each area
Form a platinum thin-film electrode consisting of terminals
A ceramic member is placed above the gold thin film pattern.
Sintered and masked on half of the ceramic substrate
Temperature compensating element assemblage
Coating a platinum group member on top of
And the ceramic substrate is cut into each
The temperature compensation element from the temperature compensation element assembly,
Detecting elements are respectively formed from the detecting element assembly, and
Select a pair of temperature compensation element and detection element with similar degree coefficients
In this case, a gas sensor is formed .

【0007】[0007]

【作用】この発明は上記の手段を採用したことにより、
検出素子および温度補償素子を量産することができ、1
枚のセラミック基板で検出素子および温度補償素子を製
造することができるとともに、温度係数の近い検出素子
および温度補償素子を容易に製造することができる。
According to the present invention, the above means are adopted.
The detection element and the temperature compensation element can be mass-produced.
The detecting element and the temperature compensating element can be manufactured using a single ceramic substrate, and the detecting element and the temperature compensating element having close temperature coefficients can be easily manufactured.

【0008】[0008]

【実施例】以下、図面に示すこの発明の実施例について
説明する。図1には、この発明によるガスセンサの製造
方法によって製造したガスセンサの実施例が示されて
いて、このガスセンサ1はケース2上面に検出素子3
と温度補償素子4とが対向して配設され、前記両素子
3、4を覆うようにして防爆メッシュ16が前記ケー
ス2の上部に設けられている。そして、前記検出素子3
および温度補償素子4は図2に示すように、ブリッジ
回路に接続している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention shown in the drawings will be described below. FIG. 1 shows the production of a gas sensor according to the present invention.
One embodiment of a gas sensor manufactured by the method is shown. This gas sensor 1 has a detection element 3
And the temperature compensating element 4 is arranged to face, so as to cover the both elements 3 and 4, explosion-proof mesh 16 is provided in an upper portion of the casing 2 and. And the detection element 3
The temperature compensating element 4 is connected to a bridge circuit as shown in FIG.

【0009】前記検出素子3は図3に示すように、セラ
ミック基板5の上部に白金薄膜パターン部6および配線
ターミナル部7からなる白金薄膜電極8をスパッタリン
グ法または蒸着法等で形成し、前記白金薄膜パターン部
6の上部にアルミナ、シリカアルミナ等からなるセラミ
ック系部材9を印刷して焼結し、このセラミック系部材
9の上部に白金族のPt、Pd、Rh等からなる白金族
部材10をスパッタリング法または蒸着法等でコーティ
ングしたものである。
As shown in FIG. 3, the detecting element 3 is formed by forming a platinum thin film electrode 8 comprising a platinum thin film pattern portion 6 and a wiring terminal portion 7 on a ceramic substrate 5 by a sputtering method or a vapor deposition method. A ceramic-based member 9 made of alumina, silica-alumina, or the like is printed and sintered on the upper portion of the thin-film pattern portion 6, and a platinum-group member 10 made of platinum-group Pt, Pd, Rh, or the like is placed on the ceramic-based member 9 It is coated by a sputtering method or a vapor deposition method.

【0010】また、前記温度補償素子4は図4に示すよ
うに、セラミック基板11の上部に白金薄膜パターン部
12および配線ターミナル部13からなる白金薄膜電極
14をスパッタリング法または蒸着法等で形成し、前記
白金薄膜パターン部12の上部にアルミナ、シリカアル
ミナ等からなるセラミック系部材15を印刷して焼結し
たものである。
As shown in FIG. 4, the temperature compensating element 4 has a platinum thin film electrode 14 comprising a platinum thin film pattern portion 12 and a wiring terminal portion 13 formed on a ceramic substrate 11 by a sputtering method or a vapor deposition method. A ceramic member 15 made of alumina, silica-alumina, or the like is printed on the platinum thin film pattern portion 12 and sintered.

【0011】上記のように構成されたガスセンサ1にお
いて、可燃性ガスは前記検出素子3の白金薄膜電極8の
上部にセラミック系部材9を介して配設された白金族部
材10と作用して反応し、白金薄膜電極8の白金薄膜パ
ターン部6の温度を上昇させる。そして、この白金薄膜
パターン部6の温度が上昇すると、白金薄膜電極8の電
気抵抗が変化し、この変化量を測定することにより、可
燃性ガスの検出または定量を行うことができる。
In the gas sensor 1 constructed as described above, the combustible gas reacts with the platinum group member 10 disposed above the platinum thin film electrode 8 of the detection element 3 via the ceramic member 9. Then, the temperature of the platinum thin film pattern portion 6 of the platinum thin film electrode 8 is increased. When the temperature of the platinum thin film pattern portion 6 rises, the electrical resistance of the platinum thin film electrode 8 changes. By measuring the amount of change, the flammable gas can be detected or quantified.

【0012】また、前記検出素子3および温度補償素子
4が上記のように構成されることによって、検出素子3
および温度補償素子4の量産が容易となり、1枚のセラ
ミック基板から検出素子3および温度補償素子4を製造
することによって、温度係数を揃えることが容易にな
る。
Further, since the detecting element 3 and the temperature compensating element 4 are configured as described above, the detecting element 3
In addition, mass production of the temperature compensating element 4 becomes easy, and by manufacturing the detecting element 3 and the temperature compensating element 4 from one ceramic substrate, it becomes easy to make the temperature coefficients uniform.

【0013】図5〜図10にはこの発明によるガスセン
サの製造方法の実施例が示され、また、図11、図12
にはこの発明によるガスセンサの製造方法によって製造
された検出素子および温度補償素子が示されている。
FIGS. 5 to 10 show an embodiment of a method of manufacturing a gas sensor according to the present invention, and FIGS.
1 shows a detecting element and a temperature compensating element manufactured by the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.

【0014】このガスセンサの製造方法は、まず、1枚
のセラミック基板21を図5に示すように、複数の同一
領域に区画し、このセラミック基板21の各領域に図6
に示すように、白金薄膜パターン部22および配線ター
ミナル部23からなる白金薄膜電極24をスパッタリン
グ法または蒸着法等によって形成する。
In this method of manufacturing a gas sensor, first, as shown in FIG. 5, one ceramic substrate 21 is divided into a plurality of identical regions, and each region of the ceramic substrate 21 is divided into a plurality of regions as shown in FIG.
As shown in FIG. 5, a platinum thin film electrode 24 composed of a platinum thin film pattern portion 22 and a wiring terminal portion 23 is formed by a sputtering method or a vapor deposition method.

【0015】つぎに、前記白金薄膜電極24が形成され
たセラミック基板21の各白金薄膜電極24の配線ター
ミナル部23にマスキングを施し、図7に示すように、
前記各白金薄膜電極24の白金薄膜パターン部22の上
部にアルミナ、シリカアルミナ等から形成されるセラミ
ック系部材25を印刷して焼結する。
Next, masking is applied to the wiring terminal portions 23 of the platinum thin film electrodes 24 on the ceramic substrate 21 on which the platinum thin film electrodes 24 are formed, as shown in FIG.
A ceramic member 25 made of alumina, silica-alumina or the like is printed and sintered on the platinum thin film pattern portion 22 of each platinum thin film electrode 24.

【0016】さらに、前記白金薄膜電極24の上部にセ
ラミック系部材25が焼結されたセラミック基板21の
半分にマスキングを施し、このマスキングを施した部分
を温度補償素子集合部28とし、マスキングを施してい
ない残り半分のセラミック系部材25の上部に、白金族
のPt、Pd、Rh等からなる白金族部材26をスパッ
タリング法または蒸着法等でコーティングして、検出素
子集合部27とし、図8、図9に示すように、半分が温
度補償素子集合部28であるとともに、残り半分が検出
素子集合部27であるセラミック基板21を形成する。
Further, half of the ceramic substrate 21 on which the ceramic-based member 25 is sintered is masked on the platinum thin-film electrode 24, and the masked portion is used as a temperature compensation element assembly 28 to perform masking. A platinum group member 26 made of platinum group Pt, Pd, Rh, or the like is coated on the other half of the ceramic-based member 25 by a sputtering method or a vapor deposition method to form a detection element assembly 27, as shown in FIG. As shown in FIG. 9, a ceramic substrate 21 is formed in which half is the temperature compensation element assembly 28 and the other half is the detection element assembly 27.

【0017】上記のように構成された、半分が温度補償
素子集合部28であるとともに、残り半分が検出素子集
合部27であるセラミック基板21を、図10に示すよ
うに、ヒーター部31の上部に前記白金薄膜電極24が
上方を向いた状態で配設し、前記セラミック基板21の
上方から前記各領域の各白金薄膜電極24の配線ターミ
ナル部23に計測端子29を接触させ、各計測端子29
の配線はコネクタ30でまとめられ、マルチメータに接
続して、前記白金薄膜電極24の電気抵抗値を測定でき
るようにする。そして、ヒーター部31の温度を変化さ
せて、各領域の各白金薄膜電極24の温度係数を測定す
る。
The ceramic substrate 21 having the temperature compensating element assemblage half and the other half as the detecting element assemblage 27 is placed on the upper part of the heater 31 as shown in FIG. The measuring terminals 29 are brought into contact with the wiring terminals 23 of the platinum thin film electrodes 24 in the respective regions from above the ceramic substrate 21 so that the platinum thin film electrodes 24 face upward.
Are connected together by a connector 30 and connected to a multimeter so that the electric resistance value of the platinum thin film electrode 24 can be measured. Then, the temperature coefficient of each platinum thin-film electrode 24 in each region is measured by changing the temperature of the heater section 31.

【0018】つぎに、半分が温度補償素子集合部28で
あるとともに、残り半分が検出素子集合部27であるセ
ラミック基板21を各領域毎に切断して、温度補償素子
集合部28から図12に示す温度補償素子34を形成
し、検出素子集合部27から図11に示す検出素子33
を形成する。
Next, the ceramic substrate 21 in which one half is the temperature compensation element assembly part 28 and the other half is the detection element assembly part 27 is cut into each region. A temperature compensating element 34 shown in FIG. 11 is formed, and the detecting element 33 shown in FIG.
To form

【0019】そして、温度係数の近い検出素子33と温
度補償素子34とを組合せて、ブリッジ回路に組み込
ことにより、前記したような構成のガスセンサ1が製造
される。
[0019] Then, a combination of the detecting element 33 and the temperature compensating element 34 close temperature coefficient, write set to the bridge circuit no
As a result, the gas sensor 1 having the above-described configuration is manufactured.
Is done.

【0020】上記のように構成されたガスセンサの製造
方法においては、検出素子33および温度補償素子34
を量産することができる。また、1枚のセラミック基板
から同時に検出素子33および温度補償素子34を製造
することができるとともに、温度係数の近い検出素子3
3および温度補償素子34を容易に製造することができ
る。
In the manufacturing method of the gas sensor configured as described above, the detecting element 33 and the temperature compensating element 34
Can be mass-produced. In addition, the detecting element 33 and the temperature compensating element 34 can be manufactured simultaneously from one ceramic substrate, and the detecting elements 3 having similar temperature coefficients can be manufactured.
3 and the temperature compensation element 34 can be easily manufactured.

【0021】[0021]

【発明の効果】この発明は前記のように構成したことに
より、検出素子および温度補償素子を量産することがで
きる。また、1枚のセラミック基板から同時に検出素子
および温度補償素子を製造することができるとともに、
温度係数の近い検出素子および温度補償素子を容易に製
造することができるというすぐれた効果を有するもので
ある。
According to the present invention, as described above, the detecting element and the temperature compensating element can be mass-produced. In addition, the detection element and the temperature compensation element can be manufactured simultaneously from one ceramic substrate,
This has an excellent effect that the detecting element and the temperature compensating element having close temperature coefficients can be easily manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明によるガスセンサの製造方法によって
製造したガスセンサの実施例を示す概略図である。
FIG. 1 shows a method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.
It is the schematic which shows the Example of the manufactured gas sensor.

【図2】図1に示すもののブリッジ回路を示す概略図で
ある。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a bridge circuit of the one shown in FIG.

【図3】図1に示すものの検出素子を示す概略図であ
る。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a detection element of the one shown in FIG.

【図4】図1に示すものの温度補償素子を示す概略図で
ある。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a temperature compensating element of FIG.

【図5】この発明によるガスセンサの製造方法の実施例
において、セラミック基板の各領域に白金薄膜電極を設
けた状態を示す概略図である。
FIG. 5 is a schematic view showing a state in which a platinum thin-film electrode is provided in each region of a ceramic substrate in the embodiment of the gas sensor manufacturing method according to the present invention.

【図6】図5の部分拡大概略図である。FIG. 6 is a partially enlarged schematic view of FIG. 5;

【図7】この発明によるガスセンサの製造方法の実施例
において、セラミック基板の各領域に設けられた白金薄
膜電極の上部にセラミック系部材を設けた状態を示す部
分拡大概略図である。
FIG. 7 is a partially enlarged schematic view showing a state in which a ceramic-based member is provided on a platinum thin-film electrode provided in each region of a ceramic substrate in the embodiment of the gas sensor manufacturing method according to the present invention.

【図8】この発明によるガスセンサの製造方法の実施例
において、セラミック基板の検出素子集合部と温度補償
素子集合部とを示す概略図である。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a detection element assembly and a temperature compensation element assembly of a ceramic substrate in an embodiment of the gas sensor manufacturing method according to the present invention.

【図9】この発明によるガスセンサの製造方法の実施例
において、セラミック基板の検出素子集合部と温度補償
素子集合部との境界部分を示す部分拡大概略図である。
FIG. 9 is a partially enlarged schematic view showing a boundary portion between a detection element assembly and a temperature compensation element assembly of a ceramic substrate in the embodiment of the gas sensor manufacturing method according to the present invention.

【図10】この発明によるガスセンサの製造方法の実施
例において、セラミック基板の検出素子集合部と温度補
償素子集合部との温度係数を計測する装置を示す概略図
である。
FIG. 10 is a schematic diagram showing an apparatus for measuring a temperature coefficient between a detection element assembly and a temperature compensation element assembly of a ceramic substrate in an embodiment of the gas sensor manufacturing method according to the present invention.

【図11】この発明によるガスセンサの製造方法の実施
例において製造された検出素子を示す概略図である。
FIG. 11 is a schematic view showing a detection element manufactured in an embodiment of the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.

【図12】この発明によるガスセンサの製造方法の実施
例において製造された温度補償素子を示す概略図であ
る。
FIG. 12 is a schematic view showing a temperature compensation element manufactured in an embodiment of the method for manufacturing a gas sensor according to the present invention.

【図13】従来のガスセンサにおける検出素子を示す概
略図である。
FIG. 13 is a schematic diagram showing a detection element in a conventional gas sensor.

【図14】従来のガスセンサにおけるブリッジ回路を示
す概略図である。 1……ガスセンサ 2……ケース 3、33、43……検出素子 4、34、44……温度補償素子 5、11、21……セラミック基板 6、12、22……白金薄膜パターン部 7、13、23……配線ターミナル部 8、14、24……白金薄膜電極 9、15、25……セラミック系部材 10、26……白金族部材 16……防爆メッシュ 27……検出素子集合部 28……温度補償素子集合部 29……計測端子 30……コネクタ 31……ヒーター部 40……白金線 41……アルミナ担体 42……触媒
FIG. 14 is a schematic diagram showing a bridge circuit in a conventional gas sensor. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Gas sensor 2 ... Case 3, 33, 43 ... Detection element 4, 34, 44 ... Temperature compensation element 5, 11, 21 ... Ceramic substrate 6, 12, 22 ... Platinum thin film pattern part 7, 13 , 23 wiring terminal part 8, 14, 24 ... platinum thin film electrode 9, 15, 25 ... ceramic member 10, 26 ... platinum group member 16 ... explosion-proof mesh 27 ... detection element collecting part 28 ... Temperature compensating element assembly part 29 Measurement terminal 30 Connector 31 Heater part 40 Platinum wire 41 Alumina carrier 42 Catalyst

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 1枚のセラミック基板を複数の同一領域
に区画し、各領域内に白金薄膜パターン部および配線タ
ーミナル部からなる白金薄膜電極を形成し、前記各白金
薄膜パターン部の上部にセラミック系部材を配設して焼
結し、前記セラミック基板の半分にマスキングを施して
温度補償素子集合部とし、残り半分の前記各セラミック
系部材の上部に白金族部材をコーティングして検出素子
集合部とし、前記セラミック基板を各領域毎に切断して
前記温度補償素子集合部より温度補償素子を、また、前
記検出素子集合部より検出素子をそれぞれ形成し、温度
係数の近似する温度補償素子と検出素子との対を選択し
てガスセンサを形成することを特徴とするガスセンサの
製造方法。
1. A single ceramic substrate is divided into a plurality of same regions.
And the platinum thin film pattern and wiring
Forming a platinum thin film electrode comprising a
A ceramic member is placed on top of the thin film pattern and fired.
And masking half of the ceramic substrate
Temperature compensating element assembly, and the other half of each ceramic
Detector with platinum group member coated on top of system member
As an assembly, cut the ceramic substrate for each region
The temperature compensating element is arranged at a position
Detecting elements are formed from the detecting element assembly,
Select a pair of temperature compensation element and detection element whose coefficients are similar.
A gas sensor characterized by forming
Production method.
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