JPH0436686A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JPH0436686A JPH0436686A JP14139190A JP14139190A JPH0436686A JP H0436686 A JPH0436686 A JP H0436686A JP 14139190 A JP14139190 A JP 14139190A JP 14139190 A JP14139190 A JP 14139190A JP H0436686 A JPH0436686 A JP H0436686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- photodiode
- shielding material
- photoelectric conversion
- conversion element
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高エネルギ放射線を利用したコンビューティ
ラドトモグラフィ装置（以下単にＣＴ装置という）のシ
ンチレーション検出器に係り、特に、クロストーク防止
に好適なシンチレーション検出器に関する。
ラドトモグラフィ装置（以下単にＣＴ装置という）のシ
ンチレーション検出器に係り、特に、クロストーク防止
に好適なシンチレーション検出器に関する。
従来の装置は、特開昭６３−３０９８８６号公報に記載
のように、シンチレータ側面に光電変換素子を取り付け
ていた。また、シンチレータ相互間には、クロストーク
を減少させるため遮蔽材が挿入されている。しかし、上
記の様に、光電変換素子を側面に取り付けると、遮蔽材
の厚さが光電変換素子の厚みのぶんだけ薄くなってしま
う。そのため、クロストークを十分に減少させることが
困難となる。
のように、シンチレータ側面に光電変換素子を取り付け
ていた。また、シンチレータ相互間には、クロストーク
を減少させるため遮蔽材が挿入されている。しかし、上
記の様に、光電変換素子を側面に取り付けると、遮蔽材
の厚さが光電変換素子の厚みのぶんだけ薄くなってしま
う。そのため、クロストークを十分に減少させることが
困難となる。
また、Ｓ／Ｎ比を向上させるには、光電変換素子への螢
光収光性を増す必要がある。
光収光性を増す必要がある。
上記従来技術はシンチレータ間のクロストーク現象につ
いて考慮がされておらず、クロストークが原因となるＣ
Ｔ両画像画質劣化の問題があった。
いて考慮がされておらず、クロストークが原因となるＣ
Ｔ両画像画質劣化の問題があった。
また、シンチレータ内で発光した螢光を効率よく光電変
換素子に入れる考慮がなされていなかった。
換素子に入れる考慮がなされていなかった。
本発明の目的は、クロストークを減少させ、画質を向上
させ、さらに、螢光収光性を上げＳ／Ｎ比を改善するこ
とにある。
させ、さらに、螢光収光性を上げＳ／Ｎ比を改善するこ
とにある。
上記目的を達成するために、本発明は光電変換素子とし
てのフォトダイオードを、遮蔽材のないシンチレータ面
に取り付けた。
てのフォトダイオードを、遮蔽材のないシンチレータ面
に取り付けた。
上記他の目的を達成するために、本発明はシンチレータ
の形状を三角柱に近い形のものとし、光電変換素子を螢
光収光性が高まるように三角形の底辺部に取り付けた。
の形状を三角柱に近い形のものとし、光電変換素子を螢
光収光性が高まるように三角形の底辺部に取り付けた。
光電変換素子であるフォトダイオードを、放射線遮蔽材
のないシンチレータ面に取り付けることにより、放射線
遮蔽材の厚みをフォトダイオードの分だけ厚くできる。
のないシンチレータ面に取り付けることにより、放射線
遮蔽材の厚みをフォトダイオードの分だけ厚くできる。
それによって、クロストークの原因となる二次放射線は
、数％だが、厚くなった分の放射線遮蔽材により遮蔽さ
れる。
、数％だが、厚くなった分の放射線遮蔽材により遮蔽さ
れる。
また、シンチレータの形状を三角柱に近いものとしたこ
とにより、検出器間隔を変えることなく、フォトダイオ
ードの接触面積、及び、シンチレータの体積を増すこと
ができる。これにより、入射Ｘ線の光変換効率、及び、
光電変換効率を上げることができ、Ｓ／Ｎ比の改善につ
ながる。
とにより、検出器間隔を変えることなく、フォトダイオ
ードの接触面積、及び、シンチレータの体積を増すこと
ができる。これにより、入射Ｘ線の光変換効率、及び、
光電変換効率を上げることができ、Ｓ／Ｎ比の改善につ
ながる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。Ｘ線
源１から出たＸ線は、ターンテーブル２上にある被検体
３を透過し、コリメータ４を通って検出器５に入る。入
射したＸ線６は螢光発光材であるところのシンチレータ
７との相互作用の結果、螢光に変換される。発生した螢
光は、反射材のぬられた反射面で何回か反射した後、光
電変換素子であるところのフォトダイオード８に入射す
る。フォトダイオードに入射した光信号は、電気信号と
なり、ケーブル９から取り出される。しかし、入射Ｘ線
がシンチレータと相互作用をして螢光を発する効率は、
１００％ではない。多くの入射Ｘ線は、コンプトン散乱
等により、外部に逃げていく、この外部に逃げ出す二次
放射線が、別のシンチレータに入射することがクロスト
ーク現象である。このクロストーク現象を減らすために
は、各シンチレータの間に、放射線遮蔽材１０を挿入す
る必要がある。また、この放射線遮蔽材１０の厚みは、
厚ければ厚いほど良い。
源１から出たＸ線は、ターンテーブル２上にある被検体
３を透過し、コリメータ４を通って検出器５に入る。入
射したＸ線６は螢光発光材であるところのシンチレータ
７との相互作用の結果、螢光に変換される。発生した螢
光は、反射材のぬられた反射面で何回か反射した後、光
電変換素子であるところのフォトダイオード８に入射す
る。フォトダイオードに入射した光信号は、電気信号と
なり、ケーブル９から取り出される。しかし、入射Ｘ線
がシンチレータと相互作用をして螢光を発する効率は、
１００％ではない。多くの入射Ｘ線は、コンプトン散乱
等により、外部に逃げていく、この外部に逃げ出す二次
放射線が、別のシンチレータに入射することがクロスト
ーク現象である。このクロストーク現象を減らすために
は、各シンチレータの間に、放射線遮蔽材１０を挿入す
る必要がある。また、この放射線遮蔽材１０の厚みは、
厚ければ厚いほど良い。
本実施例では、光電変換素子であるフォトダイオード８
と、放射線遮蔽材１０とは、従来例と異なり、同じ位置
関係にはない。従って、放射線遮蔽材１０の厚さをフォ
トダイオード８の厚みの分だけ増すことができる。これ
により、クロストークを数％だが減じることができる。
と、放射線遮蔽材１０とは、従来例と異なり、同じ位置
関係にはない。従って、放射線遮蔽材１０の厚さをフォ
トダイオード８の厚みの分だけ増すことができる。これ
により、クロストークを数％だが減じることができる。
第２図は、本発明の応用一実施例である。入射Ｘ線を高
い効率で螢光に変換するには、シンチレータの体積が大
きい方が良い。また、フォトダイオードで光信号を電気
信号に高い効率で変換するには、フォトダイオードの面
積が大きい方が良い。
い効率で螢光に変換するには、シンチレータの体積が大
きい方が良い。また、フォトダイオードで光信号を電気
信号に高い効率で変換するには、フォトダイオードの面
積が大きい方が良い。
この応用実施例では、断面の三角形状の高さＨを大きく
することにより、検出器間の間隔を変えることなく、上
の二点を改善することができる。
することにより、検出器間の間隔を変えることなく、上
の二点を改善することができる。
第３図は、本発明の応用例である１本発明の目的とする
ような効果は、シンチレータの形状が三角でなくても得
られる。第３図（ａ）では、三角の頂点部分をけずりと
った台形型であり、また（ｂ）では、三角形の頂点部分
をまるめたものである。収光性を上げるためには、（ｂ
）の変形として、放物線型にするものも考えられる。
ような効果は、シンチレータの形状が三角でなくても得
られる。第３図（ａ）では、三角の頂点部分をけずりと
った台形型であり、また（ｂ）では、三角形の頂点部分
をまるめたものである。収光性を上げるためには、（ｂ
）の変形として、放物線型にするものも考えられる。
本発明によれば、放射線遮蔽材の厚みが、従来よりフォ
トダイオードの厚み分だけ厚くできるので、シンチレー
タ間のストロークを数％だが、減じることができる。さ
らに、シンチレータの形状を三角柱に近いものとしたた
め、フォトダイオードの接触面積、及び、シンチレータ
の体積を検出器間の間隔を変えることなく大きくするこ
とができる。これにより、検出器のＳ／Ｎ比の改善が可
能である。
トダイオードの厚み分だけ厚くできるので、シンチレー
タ間のストロークを数％だが、減じることができる。さ
らに、シンチレータの形状を三角柱に近いものとしたた
め、フォトダイオードの接触面積、及び、シンチレータ
の体積を検出器間の間隔を変えることなく大きくするこ
とができる。これにより、検出器のＳ／Ｎ比の改善が可
能である。
第１図は、本発明の一実施例を示す説明図である。第２
図及び第３図は、本発明の他の実施例のＸ線入射方向か
ら見たときの断面図である・。 第 図 （α）
図及び第３図は、本発明の他の実施例のＸ線入射方向か
ら見たときの断面図である・。 第 図 （α）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シンチレータと光電変換素子、および遮蔽材とを組
み合わせた高エネルギ放射線多チャンネル検出器におい
て、 前記光電変換素子を、前記シンチレータの前記遮蔽材を
挿入する面とは異なる面に取り付けたことを特徴とする
放射線検出器。 ２、請求項１において、前記シンチレータとして、その
形状が三角柱または、その変形となつている放射線検出
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14139190A JPH0436686A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14139190A JPH0436686A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0436686A true JPH0436686A (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=15290904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14139190A Pending JPH0436686A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436686A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130306876A1 (en) * | 2011-01-04 | 2013-11-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
| WO2020198933A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | Radiation detectors with scintillators |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP14139190A patent/JPH0436686A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130306876A1 (en) * | 2011-01-04 | 2013-11-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
| US9535169B2 (en) * | 2011-01-04 | 2017-01-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
| WO2020198933A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | Radiation detectors with scintillators |
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