JPH04363668A - Manufacture of semiconductor acceleration sensor - Google Patents
Manufacture of semiconductor acceleration sensorInfo
- Publication number
- JPH04363668A JPH04363668A JP13743991A JP13743991A JPH04363668A JP H04363668 A JPH04363668 A JP H04363668A JP 13743991 A JP13743991 A JP 13743991A JP 13743991 A JP13743991 A JP 13743991A JP H04363668 A JPH04363668 A JP H04363668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration sensor
- frame
- sensor chip
- fixed end
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】この発明は、半導体加速度センサ
の製造方法に係り、特に加速度センサチップの固定支持
部の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor acceleration sensor, and more particularly to a method of manufacturing a fixed support portion of an acceleration sensor chip.
【0002】0002
【従来の技術】図5および図6は従来の製造方法による
半導体加速度センサを示すもので、図5は全体の概略構
成を示す断面図、図6はパッケージカバーを取りはずし
た状態を示す斜視図である。図において、1は固定端1
aと自由端1bを有する加速度センサチップで、固定端
1a側にダイヤフラム領域1cが形成されている。2は
加速度センサチップ1のダイヤフラム領域1cに配設さ
れる歪ゲージ抵抗で、ブリッジ状に接続配線されている
。3は歪ゲージ抵抗2のブリッジの電極パッド、4はパ
ッケージベース、5は加速度センサチップ1の固定端1
aを支持しパッケージベース4に固定する台座、6はパ
ッケージベース4を貫通して設けられるリード、7はこ
のリード6と電極パッド3とを接続するワイヤ、8はパ
ッケージベース4上に載置され上記各構成部品を覆うパ
ッケージカバーである。5 and 6 show a semiconductor acceleration sensor produced by a conventional manufacturing method. FIG. 5 is a cross-sectional view showing the overall structure, and FIG. 6 is a perspective view showing the state with the package cover removed. be. In the figure, 1 is the fixed end 1
The acceleration sensor chip has a free end 1b and a diaphragm region 1c on the fixed end 1a side. Reference numeral 2 denotes a strain gauge resistor disposed in the diaphragm region 1c of the acceleration sensor chip 1, which is connected and wired in a bridge shape. 3 is the electrode pad of the bridge of the strain gauge resistor 2, 4 is the package base, and 5 is the fixed end 1 of the acceleration sensor chip 1.
a pedestal supporting and fixing to the package base 4; 6 a lead provided through the package base 4; 7 a wire connecting the lead 6 and the electrode pad 3; 8 a wire placed on the package base 4; This is a package cover that covers each of the above components.
【0003】上記のように構成される従来の加速度セン
サの加速度センサチップ1に加速度が印加されると、ダ
イヤフラム領域1cに応力が集中し、ダイヤフラム領域
1cに配設される歪ゲージ抵抗2の抵抗値が変化するた
め、加速度の大きさに応じてブリッジ出力は変化する。
このブリッジ出力を電極パッド3、ワイヤ7およびリー
ド6を介して外部に取り出せば加速度値が測定できる。When acceleration is applied to the acceleration sensor chip 1 of the conventional acceleration sensor configured as described above, stress concentrates on the diaphragm region 1c, and the resistance of the strain gauge resistor 2 disposed on the diaphragm region 1c increases. Since the value changes, the bridge output changes depending on the magnitude of acceleration. If this bridge output is taken out to the outside via the electrode pad 3, wire 7, and lead 6, the acceleration value can be measured.
【0004】0004
【発明が解決しようとする課題】従来の製造方法による
半導体加速度センサは以上のように構成されているので
、加速度センサチップ1と台座5との接着位置精度のば
らつきによって特性が種々に変化し性能上問題点があっ
た。[Problems to be Solved by the Invention] Since the semiconductor acceleration sensor manufactured by the conventional manufacturing method is constructed as described above, the characteristics change variously due to variations in the accuracy of the bonding position between the acceleration sensor chip 1 and the pedestal 5, resulting in poor performance. There was a problem above.
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、加速度センサチップの支持部の
位置精度を均一にし、特性の精度向上が可能な半導体加
速度センサの製造方法を提供することを目的とするもの
である。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor that can uniformize the positional accuracy of the support part of the acceleration sensor chip and improve the accuracy of the characteristics. The purpose is to
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体加
速度センサの製造方法は、長手方向を横切るように所定
の間隔を介して第1、第2および第3のフレームが形成
された台枠の、第1のフレーム上にはリードを、第2の
フレーム上にはそれぞれの端部を合せて加速度センサチ
ップの固定端を、第3のフレーム上にはそれぞれの端部
を合せて加速度センサチップの自由端をそれぞれ載置す
る工程と、リードの第1のフレームを含まず且つ加速度
センサチップの固定端側の一部と加速度センサチップの
固定端とを第2のフレームとともに樹脂で封止し支持ブ
ロックを形成する工程と、台枠を支持ブロック封止部分
を残して切除する工程とを少なくとも有したものである
。[Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor according to the present invention includes a base frame in which first, second, and third frames are formed at predetermined intervals across the longitudinal direction. , the fixed end of the acceleration sensor chip is placed on the first frame, the fixed end of the acceleration sensor chip is placed on the second frame, and the fixed end of the acceleration sensor chip is placed on the third frame, with each end placed together. a part of the fixed end side of the acceleration sensor chip not including the first frame of the lead and the fixed end of the acceleration sensor chip are sealed with resin together with the second frame; The method includes at least a step of forming a support block and a step of cutting off the underframe leaving a portion where the support block is sealed.
【0007】[0007]
【作用】この発明における半導体加速度センサの製造方
法の台枠は、支持ブロック形成時の位置決め枠となり、
支持ブロック形成後、不要部分は切除される。[Operation] The underframe in the method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor in this invention serves as a positioning frame when forming a support block,
After forming the support block, unnecessary parts are cut away.
【0008】[0008]
実施例1.以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図1および図2はこの発明の実施例1における半導
体加速度センサの製造方法の製造工程の一部を示す正面
図および斜視図、図3は図1および図2の工程を経て製
造された半導体加速度センサを示す斜視図である。図に
おいて、9は長手方向を横切るように第1、第2および
第3のフレーム9a、9b、9cが所定の間隔を介して
形成された台枠で、まず、固定端1a、自由端1bおよ
びダイヤフラム領域1cを有し、表面に歪ゲージ抵抗2
および電極パッド3が配設された加速度センサチップ1
と、リード6とをワイヤ7で接続する。Example 1. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 are a front view and a perspective view showing a part of the manufacturing process of a method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor in Example 1 of the present invention, and FIG. 3 is a semiconductor acceleration sensor manufactured through the steps shown in FIGS. 1 and 2. It is a perspective view showing a sensor. In the figure, reference numeral 9 denotes an underframe in which first, second and third frames 9a, 9b, 9c are formed at predetermined intervals across the longitudinal direction. First, the fixed end 1a, the free end 1b and It has a diaphragm region 1c and a strain gauge resistor 2 on its surface.
and an acceleration sensor chip 1 with electrode pads 3 arranged thereon.
and the lead 6 are connected by a wire 7.
【0009】次に、台枠9の第1のフレーム9a上には
リード6を、第2のフレーム9b上にはそれぞれの端部
を合せて加速度センサチップ1の固定端1aを、第3の
フレーム9c上にはそれぞれの端部を合せて加速度セン
サチップ1の自由端1bをそれぞれ載置する。この状態
で、加速度センサチップ1と台枠9との位置関係は、い
ずれの組合せにおいても均一にセットされている。Next, the lead 6 is placed on the first frame 9a of the underframe 9, the fixed end 1a of the acceleration sensor chip 1 is placed on the second frame 9b, and the fixed end 1a of the acceleration sensor chip 1 is placed on the third frame 9b. The free ends 1b of the acceleration sensor chips 1 are placed on the frame 9c with their ends aligned. In this state, the positional relationship between the acceleration sensor chip 1 and the underframe 9 is set uniformly in any combination.
【0010】そして、この台枠9に対して注型用の金型
(図示せず)を位置決めし、この金型で加速度センサチ
ップ1の固定端1a、電極パッド3、リード6の一部、
ワイヤ7、第1および第2のフレーム9a、9bを覆い
、モールド樹脂を注入して封止する。次に、台枠9のモ
ールド樹脂封止部分以外、すなわち外部に露出している
部分を全て切除すると、第3に示すような半導体加速度
センサの主要部が完成する。そして、支持ブロック10
と加速度センサチップ1とは一体に注型成形されている
ので、図5に示す従来装置の加速度センサチップ1と台
座5との接着のように、位置精度が組合せによってばら
つくというようなこともなく均一に形成されている。Then, a casting mold (not shown) is positioned with respect to this frame 9, and the fixed end 1a of the acceleration sensor chip 1, the electrode pad 3, a part of the lead 6,
The wire 7 and the first and second frames 9a and 9b are covered and molded resin is injected for sealing. Next, all parts of the underframe 9 other than the part sealed with the mold resin, that is, the parts exposed to the outside, are removed to complete the main part of the semiconductor acceleration sensor as shown in the third figure. And the support block 10
Since the acceleration sensor chip 1 and the acceleration sensor chip 1 are integrally cast, there is no possibility that the positional accuracy will vary depending on the combination, as is the case with the adhesion between the acceleration sensor chip 1 and the pedestal 5 in the conventional device shown in FIG. uniformly formed.
【0011】実施例2.上記実施例1においては、リー
ド6に棒状のものを使用して第1のフレーム9a上に載
置し、その後モールド樹脂で封止するようにしているが
、図4に示すように、予め台枠9の形成時にリード11
を第1のフレーム9aに形成しておけば、組立時に、第
1のフレーム9a上に不安定な棒状のリード6を載置す
るといった面倒な作業の手間が省け、作業性は一段と向
上する。Example 2. In the first embodiment, the leads 6 are rod-shaped and placed on the first frame 9a, and then sealed with molded resin. However, as shown in FIG. Lead 11 when forming frame 9
If this is formed on the first frame 9a, the troublesome work of placing the unstable rod-shaped lead 6 on the first frame 9a during assembly can be omitted, and the workability is further improved.
【0012】0012
【発明の効果】以上のように、この発明によれば長手方
向を横切るように所定の間隔を介して第1、第2および
第3のフレームが形成された台枠の、第1のフレーム上
にはリードを、第2のフレーム上にはそれぞれの端部を
合せて加速度センサチップの固定端を、第3のフレーム
上にはそれぞれの端部を合せて加速度センサチップの自
由端をそれぞれ載置する工程と、リードの第1のフレー
ムを含まず且つ加速度センサチップの固定端側の一部と
加速度センサチップの固定端とを第2のフレームととも
に樹脂で封止し支持ブロックを形成する工程と、台枠を
支持ブロック封止部分を残して切除する工程とを少なく
とも有し、又、リードを予め第1のフレームと一体に形
成するようにしたので、加速度センサチップの支持部の
位置精度を均一にし、特性の精度ならびに作業性の向上
が可能な半導体加速度センサの製造方法を提供すること
ができる。As described above, according to the present invention, on the first frame of the underframe in which the first, second and third frames are formed at predetermined intervals across the longitudinal direction, , the fixed end of the acceleration sensor chip is placed on the second frame with their respective ends aligned, and the free end of the acceleration sensor chip is placed on the third frame with their respective ends aligned. and a step of sealing a part of the fixed end side of the acceleration sensor chip and the fixed end of the acceleration sensor chip, which does not include the first frame of the lead, with a resin together with the second frame to form a support block. and a step of cutting out the underframe leaving behind the support block sealing portion, and since the leads are formed integrally with the first frame in advance, the positional accuracy of the support portion of the acceleration sensor chip is improved. It is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor that can make the characteristics uniform and improve the accuracy of characteristics and workability.
【図1】この発明の実施例1における半導体加速度セン
サの製造方法の製造の工程の一部を示す正面図である。FIG. 1 is a front view showing a part of the manufacturing process of a method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor in Example 1 of the present invention.
【図2】図1における製造工程を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the manufacturing process in FIG. 1.
【図3】この発明の実施例1における半導体加速度セン
サの製造方法によって製造された半導体加速度センサを
示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a semiconductor acceleration sensor manufactured by the method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor in Example 1 of the present invention.
【図4】この発明の実施例2における半導体加速度セン
サの製造方法の製造の工程の一部を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a part of the manufacturing process of a method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor in Example 2 of the present invention.
【図5】従来の製造方法によって製造された半導体加速
度センサを示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a semiconductor acceleration sensor manufactured by a conventional manufacturing method.
【図6】図5における半導体加速度センサのパッケージ
カバーを取りはずした状態を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing the semiconductor acceleration sensor in FIG. 5 with a package cover removed.
1 加速度センサチップ 1a 固定端 1b 自由端 6 リード 9 台枠 9a 第1のフレーム 9b 第2のフレーム 9c 第3のフレーム 10 支持ブロック 11 リード 1 Acceleration sensor chip 1a Fixed end 1b Free end 6. Lead 9 Underframe 9a First frame 9b Second frame 9c 3rd frame 10 Support block 11 Lead
Claims (2)
介して第1、第2および第3のフレームが形成された台
枠の、上記第1のフレーム上にはリードを、第2のフレ
ーム上にはそれぞれの端部を合せて加速度センサチップ
の固定端を、上記第3のフレーム上にはそれぞれの端部
を合せて上記加速度センサチップの自由端をそれぞれ載
置する工程と、上記リードの上記第1のフレームを含ま
ず且つ上記加速度センサチップの固定端側の一部と上記
加速度センサチップの固定端とを上記第2のフレームと
ともに樹脂で封止し支持ブロックを形成する工程と、上
記台枠を上記支持ブロック封止部分を残して切除する工
程とを少なくとも有した半導体加速度センサの製造方法
。1. An underframe in which first, second and third frames are formed at predetermined intervals across the longitudinal direction, a lead is placed on the first frame, and a lead is placed on the second frame. placing the fixed end of the acceleration sensor chip on the third frame with their respective ends aligned; and placing the free end of the acceleration sensor chip on the third frame with their respective ends aligned; forming a support block that does not include the first frame and seals a part of the fixed end side of the acceleration sensor chip and the fixed end of the acceleration sensor chip with resin together with the second frame; A method for manufacturing a semiconductor acceleration sensor, comprising at least the step of cutting off the underframe leaving behind the support block sealing portion.
に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導
体加速度センサの製造方法。2. The method of manufacturing a semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein the lead is integrally formed with the first frame of the underframe.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13743991A JPH04363668A (en) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | Manufacture of semiconductor acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13743991A JPH04363668A (en) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | Manufacture of semiconductor acceleration sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04363668A true JPH04363668A (en) | 1992-12-16 |
Family
ID=15198654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13743991A Pending JPH04363668A (en) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | Manufacture of semiconductor acceleration sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04363668A (en) |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP13743991A patent/JPH04363668A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05206354A (en) | Semiconductor pressure sensor and its manufacture | |
US5708294A (en) | Lead frame having oblique slits on a die pad | |
US11037866B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2558840B2 (en) | Molded diode and manufacturing method thereof | |
JPH04363668A (en) | Manufacture of semiconductor acceleration sensor | |
JPH038113B2 (en) | ||
JPH06104364A (en) | Lead frame and method and metallic mold for molding semiconductor chip using it | |
JPH05107264A (en) | Semiconductor acceleration sensor and method for manufacturing it | |
JP3185354B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device and resin sealing device for semiconductor device | |
JPH08279575A (en) | Semiconductor package | |
JPH06213733A (en) | Manufacture of force/moment detector | |
JPH02303056A (en) | Manufacture of semiconductor integrated circuit | |
JPH0750384A (en) | Multichip semiconductor device and manufacture thereof | |
JPH02222569A (en) | Lead frame, semiconductor device and manufacture thereof | |
JPH04102359A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
JPH0587829A (en) | Manufacture of semiconductor acceleration sensor | |
JPH02246143A (en) | Lead frame | |
JPH0851177A (en) | Lead frame | |
JPH0296357A (en) | Semiconductor device | |
JPH07283343A (en) | Sealed type semiconductor device | |
JPH08193898A (en) | Package assembling structure for semiconductor pressure sensor | |
JPH05326799A (en) | Semiconductor device lead frame and resin sealing method of semiconductor chip provided therewith | |
JPH05145001A (en) | Manufacture of lead frame and semiconductor device using the same | |
JPH09129803A (en) | Hall element and its manufacture | |
JPH06334100A (en) | Semiconductor device and lead frame thereof |