JPH04360898A - 生理活性ペンタペプチドの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、生理活性ペンタペプチ
ドの製法及び該製法中に生成する中間体に係り、さらに
詳しくは、アレルギ−反応遮断ポリペプチドの一つであ
る、

【０００２】

【化１０】

【０００３】で示されるペンタペプチド、すなわち、Ｌ
−アルパルチル−Ｌ−セリル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−
プロリル−Ｌ−アルギニンの新規製法及び該製法中に生
成する中間体に関するものである。

【０００４】

【従来の技術】上記のペンタペプチドはペンチゲタイド
とも呼ばれ、ＩｇＥ−肥胖細胞（好塩基球）反応を阻害
する、有用なアレルギ−反応遮断ポリペプチドの一つと
して知られている（特公昭６０−２３１８号公報、米国
特許第４、１６１，５２２号明細書）。このペンタペプ
チドの製法については、上記特公昭６０−２３１８号公
報及び米国特許第４，１６１，５２２号明細書に、固相
法による段階的合成法が開示されているにすぎない。こ
の固相法を工程図で示すと次のとおりである。

【０００５】

【化１１】

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この固
相法による方法は、工業的にかつ安価にこのペンタペプ
チドを大量に製造する方法としては、工程数、中間体の
単離のしやすさ、収率などの点から満足しうるものでは
なかった。

【０００７】本発明者らは、この従来の固相法にかわる
液相法により、工業的に有利に、しかも、安価にペンタ
ペプチドを製造する方法を見出さんと鋭意研究を行った
結果、安価に入手できるか、あるいは製造できる保護ア
ミノ酸を用いることができ、フラグメント縮合を効率的
に組み込んで通常使用される簡便な縮合法を適用するこ
とができ、しかも、中間体として得られる化合物の単離
、精製が容易で、かつ、収率もよい、液相法によるペン
タペプチドの製造法を確立することに成功した。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の製造法は、すな
わち、

【０００９】

【化１２】

【００１０】（但し、Ｒ１　はカルボキシル基保護基、
Ｒ４はアミノ基保護基を表す）で示される、アミノ保護
型トリペプチドのアスパラギン酸部分から、アミノ基保
護基を除去して、一般式

【００１１】

【化１３】

【００１２】（但し、Ｒ１　は前記と同一の意味を有す
る）で示されるトリペプチドを製し、この生成物（ＩＩ
）と一般式

【００１３】

【化１４】

【００１４】（但し、Ｒ２　はアミノ基保護基、Ｒ３　
はカルボキシル基保護基を表す）で示されるアミノ保護
型ジペプチドとをフラグメント縮合させて、一般式

【０
０１５】

【化１５】

【００１６】（但し、Ｒ１　、Ｒ２　及びＲ３　は前記
と同一の意味を有する）で示されるペンタペプチドを製
し、次いでこの生成物（ＩＶ）から保護基を除去するこ
とを特徴とする式

【００１７】

【化１６】

【００１８】で示されるＬ−アスパルチル−Ｌ−セリル
−Ｌーアスパルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギニンの
製法。

【００１９】本発明の製造法は、次の工程図によって示
される。なお、本明細書において、本発明を記述する便
宜上、各種アミノ酸は慣例の略号で記述した。この略号
は、本発明の技術分野においてはよく知られたものであ
るが、明確化のために、本発明に関係あるものを以下に
列記する。アミノ酸残基の旋光性は特に明示のない限り
、天然型すなわち、Ｌ−立体配置型である。ペプチド配
列は、常法によって記述したものであって、Ｎ−末端ア
ミノ酸が左側に、Ｃ−末端アミノ酸が右側にくる。

【００２０】Ａｓｐ　　　　　　　：アスパラギン酸残
基Ａｒｇ　　　　　　　：アルギニン残基Ｐｒｏ　　　
　　　　：プロリン残基 Ｓｅｒ　　　　　　　：セリン残基 Ｈ−Ａｓｐ−ＯＨ　　：アスパラギン酸Ｈ−Ｓｅｒ−Ｏ
Ｈ　　：セリン Ｈ−Ｐｒｏ−ＯＨ　　：プロリン Ｂｏｃ　　　　　　　：ｔ−ブトキシカルボニルＺ　　
　　　　　　　：ベンジルオキシカルボニルＢｚｌ　　
　　　　　：ベンジル Ｈ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＯＢｚｌ　：ＮＧ　−ニトロ−
Ｌ−アルギニンベンジルエステル ＨＯＳｕ　　　　　　：Ｎ−ヒドロキシコハク酸イミド
ＤＣＣ　　　　　　　：ジシクロヘキシルカルボジイミ
ドＭＡ　　　　　　　　：混酸無水物法

【００２１】本発明方法の工程図

【化１７】

【００２２】本発明の方法において、アミノ基保護基（
Ｒ２　，Ｒ４　）及びカルボキシル基保護基（Ｒ１　，
Ｒ３　）としては、いずれもペプチド合成化学の分野で
通常用いられている種々の保護基を含むが、このうち、
アミノ基保護基としては、例えばホルミル基；アセチル
基；ｔ−ブトキシカルボニル基；ｔ−アミルオキシカル
ボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−クロロベンジルオキ
シカルボニル基の如き置換もしくは非置換ベンジルオキ
シカルボニル基；ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基
、３，４−ジメトキシベンジル基の如き置換もしくは非
置換ベンジル基；ｐ−トルエンスルホニル基；ジー又は
トリフェニルメチル基；ジー又はトリメチルオキシカル
ボニル基；イソボルニルオキシカルボニル基；ジフェニ
ルホスフィニル基；ジフェニルホスフィノチオイル基な
どが含まれる。また、カルボキシル基の保護基としては
、例えばメチル基；エチル基；ベンジル基、ｐ−メトキ
シベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｐ−ニトロベン
ジル基の如き置換もしくは非置換ベンジル基；ジフェニ
ルメチル基；トリメチルシリル基などが含まれる。

【００２３】これらの保護基は、縮合方法の種類、保護
基の除去法などを考慮に入れて、適宜組合せて使用する
のが好ましい。本発明方式における好ましい組合せの例
としては、Ｒ１　及びＲ３　がベンジル基、ｐ−ニトロ
ベンジル基、ｐ−クロロベンジル基又はｔ−ブチル基、
Ｒ２　及びＲ４　がホルミル基、ｔ−ブトキシカルボニ
ル基、ベンジルオキシカルボニル基又はｐ−メトキシベ
ンジルオキシカルボニル基である場合があげられる。よ
り好ましい例としては、Ｒ１　及びＲ３　がベンジル基
、Ｒ２　がベンジルオキシカルボニル基、Ｒ４　がｔ−
ブトキシカルボニル基である場合があげられる。以下、
各工程につき詳細に説明する。

【００２４】第１工程 アミノ保護型トリペプチド（Ｖ）におけるアスパラギン
酸部分からのアミノ基保護基（Ｒ４　）の除去は、アミ
ノ基の種類に応じて、加水分解、加溶媒分解、酸処理、
還元等により常法に従って実施できる。例えば、アミノ
基保護基がホルミル基、アセチル基、ｔ−ブトキシカル
ボニル基、ｔ−アミルオキシカルボニル基、置換又は非
置換ベンジルオキシカルボニル基、トリフェニルメチル
基、ジー又はトリフェニルメチルオキシカルボニル基、
ジフェニルホスフィニル基、ジフェニルホスフィノチオ
イル基あるいはイソボルニルオキシカルボニル基の場合
には、酸処理で除去することができる。酸としては、ギ
酸、トリフルオロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トル
エンスルホン酸、塩酸、臭化水素酸、フッ化水素酸等の
有機酸もしくは無機酸をいずれも使用できる。反応は、
無溶媒下又は適当な溶媒（例えば、メタノール、エタノ
ール、ジオキサン、酢酸エチル、メチレンクロリド、ク
ロロホルム等）中、約０〜６０℃で容易に進行する。更
に、アミノ基保護基が置換又は非置換ベンジルオキシカ
ルボニル基、置換又は非置換ベンジル基、ジフェニルメ
チル基、ｐ−トルエンスルホニル基等の場合には接触還
元あるいは液安還元により除去してもよい。接触還元反
応は、例えば触媒（パラジウム・炭素、パラジウム黒、
水酸化パラジウム、酸化白金、ラネーニッケル、ラネー
コバルト等）の存在下、溶媒（例えば水、メタノール、
エタノール、酢酸、テトラヒドロフラン、ジオキサンあ
るいはこれらの混液等）１０〜６０℃で常圧〜加圧下で
実施することができる。

【００２５】また、液安還元は、液体アンモニア中、金
属ナトリウムの存在下で好適に実施できる。

【００２６】かくして得られるトリペプチド（ＩＩ）は
、公知方法により単離することができるが、例えば酸処
理により脱保護を行なった場合には、該トリペプチド（
ＩＩ）は酸付加塩として単離されるため、これをアルカ
リで中和したのち有機溶媒で抽出し、遊離塩基として次
工程に用いるのが便利である。

【００２７】第２工程 トリペプチド（ＩＩ）とアミノ保護型ジペプチド　（Ｉ
ＩＩ）とのフラグメント縮合は、この技術分野で通常用
いられる方法で実施できる。例えば、アミノ保護型ジペ
プチド　（ＩＩＩ）をその反応性誘導体（活性エステル
、混酸無水物など）としたのち、トリペプチド（ＩＩ）
と縮合させることにより実施できる。活性エステルの例
としては、Ｎ−ヒドロキシコハク酸イミド、Ｎ−ヒドロ
キシフタルイミドあるいは１−ヒドロキシベンズトリア
ゾールとのエステル、ｐ−ニトロフェニルエステル、３
，４−ジニトロフェニルエステルがあげられ、これら活
性エステルは、ジペプチド　（ＩＩＩ）と対応するアル
コール類とを縮合剤（例えば、Ｎ，Ｎ´−ジシクロヘキ
シルカルボジイミド、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ´−モル
ホリノカルボジイミド、オキシ塩化リン、三塩化リン、
塩化チオニル、シュウ酸クロリドの存在下、溶媒中で−
２０〜４０℃、好ましくは−５〜２０℃で反応させて製
造することができる。溶媒としては、テトラヒドロフラ
ン、酢酸エチル、メチレンクロリド、クロロホルムなど
を使用することができる。一方、混酸無水物の例として
は、アルキル炭酸、リン酸誘導体あるいは硫酸などとの
混酸無水物があげられるが、とりわけ、アルキル炭酸混
酸無水物が好ましい。アルキル炭酸との混酸無水物は、
例えばジペプチド　（ＩＩＩ）とハロゲノ炭酸アルキル
（例えば、クロル炭酸イソブチル、クロル炭酸エチル）
とを塩基の存在下、溶媒中で−４０℃〜室温で反応させ
て製造することができる。塩基としては、トリエチルア
ミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン
などのトリアルキルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等が
あげられ、溶媒としてはテトラヒドロフラン、ジメチル
ホルムアミド、ジオキサン、トルエン、クロロホルム、
酢酸エチルなどがあげられる。

【００２８】上記の如くして得られるアミノ保護型ジペ
プチド　（ＩＩＩ）の反応性誘導体とトリペプチド（Ｉ
Ｉ）との縮合は、溶媒中塩基の存在下又は非存在下で実
施することができる。溶媒としては、水、アセトン、エ
タノール、イソプロパノール、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド、メチレ
ンクロリド、クロロホルムあるいはこれらの混合物など
をあげることができる。塩基としては前記のトリアルキ
ルアミン、ピリジン、Ｎ−アルキルモルホリン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアニリン、水酸化ナトリウムなどの水酸化ア
ルカリ金属、炭酸カリウムなどの炭酸アルカリ金属、炭
酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどの炭酸水素ア
ルカリ金属、等の有機もしくは無機塩基をあげることが
できる。反応は、−３０〜５０℃、とりわけ−３０〜３
０℃で円滑に進行する。

【００２９】上記の如くして得られるトリペプチド（Ｉ
Ｖ）は精製することなく、そのまま次工程に供してもよ
く、また所望により、例えば酢酸エチル、酢酸エチル−
エーテル混液、エタノール等から再結晶するなどして精
製したのち、次工程に供してもよい。

【００３０】第３工程 ペンタペプチド（ＩＶ）からの保護基の除去は、アミノ
基及びカルボキシル基の各保護基の種類に応じて、酸処
理、加水分解、加溶媒分解、還元あるいはこれらの方法
を適宜組合せて実施することができる。

【００３１】例えば、アミノ基保護基は、前記第１工程
で説明した方法により除去することができ、また、カル
ボキシル基保護基の除去は、該保護基がｔ−ブチル基、
ジフェニルメチル基、トリメチルシリル基などの場合に
は、酸処理により実施することができる。更に、カルボ
キシル基の保護基が、ベンジル基、ｐ−ニトロベンジル
基、ｐ−クロロベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基な
どの置換又は非置換ベンジル基である場合には、接触還
元により除去することができ、また、メチル基、エチル
基の場合は、アルカリ加水分解により除去できる。酸処
理及び接触還元反応は、前記第１工程で説明したと同様
の条件で実施することができる。

【００３２】アルカリ加水分解は、例えば溶媒（水、メ
タノール、エタノール、これらの混液など）中、アルカ
リ（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ムなど）の存在下、冷却〜加温下で実施できる。

【００３３】なお、各保護基の種類を予め適切に選べば
、最終工程において、全ての保護基が一回の脱保護反応
によって除去でき好都合である。

【００３４】かくして得られるペンタペプチド（Ｉ）は
、公知方法により単離・精製することができる。例えば
、反応溶液を減圧濃縮して得られる目的物をＤｏｗｅｘ
　５０（アセテート型）、ＤＥＡＥ−Ｓｅｐｈａｄｅｘ
　などの樹脂処理あるいは逆相系の液体クロマトグラフ
ィーで処理するか、又はメタノール、エタノールなどの
低級アルカノール中で懸濁処理することにより精製し、
凍結乾燥することにより粉末として得ることができる。

【００３５】上記本発明の方法が従来の技術と比較して
、特に有利な点は、本工程における出発原料であるトリ
ペプチド（Ｖ）及びアミノ保護型ジペプチド　（ＩＩＩ
）が収率良く、結晶として得ることができること、また
、上記トリペプチドのアミノ基保護基を除去したトリペ
プチド（ＩＩ）と上記ジペプチド　（ＩＩＩ）のフラグ
メント縮合が、活性エステル化法や混酸無水物法によっ
てもほとんどラセミ化を伴なうことなく、好収率で進行
すること、さらには、セリン部の水酸基及びアルギニン
部のグアニジル基を無保護で縮合反応させることができ
る等をあげることができる。従って、本発明方法は、ペ
ンタペプチド（Ｉ）の経済的に有利な工業的製法となる
ものである。

【００３６】本発明における出発原料であるトリペプチ
ド（Ｖ）は、例えば、

【００３７】

【化１８】

【００３８】（但し、Ｒ４　は前記と同一の意味を有す
る）で示されるアミノ保護型アスパラギン酸とプロリン
とを縮合させて、アミノ保護型ジペプチド　（ＶＩＩ）

【００３９】

【化１９】

【００４０】（但し、Ｒ４　は前記と同一の意味を有す
る）を製造し、この生成物　（ＶＩＩ）とアルギニンと
を縮合させて製造することができる。

【００４１】一方、アミノ保護型ジペプチド　（ＩＩＩ
）は、

【化２０】

【００４２】（但し、Ｒ２　及びＲ３　は前記と同一の
意味を有する）で示されるアミノ保護型アスパラギン酸
とセリンとを縮合させて製造することができる。

【００４３】上記においては縮合反応はいずれも、第２
工程で説明した縮合方法により実施することができる。

【００４４】

【実施例】

実施例１ Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−β−ベンジル−Ｌ−アス
パルチル−Ｌ−プロリン・ジシクロヘキシルアミン塩の
調製

【００４５】

【化２１】

【００４６】Ｎ−ブトキシカルボニル−β−ベンジル−
Ｌ−アスパラギン酸９７ｇ（０．３ｍｏｌ）とＮ−ヒド
ロキシコハク酸イミド３５．２ｇ（０．３０６ｍｏｌ）
をテトラヒドロフラン６００ｍｌに溶かし、５℃に冷却
後、これにジシクロヘキシルカルボジイミド６３．１ｇ
（０．３０６ｍｏｌ）を添加し、室温で５時撹拌した。 不溶物をろ別し、ろ液を減圧濃縮すると、活性エステル
が得られた。

【００４７】別に、Ｌ−プロリン３４．５ｇ（０．３ｍ
ｏｌ）とトリエチルアミン３０．４ｇ（０．３ｍｏｌ）
をエタノール４５０ｍｌとクロロホルム４５０ｍｌの混
液に加熱溶解し、室温に冷却した。この溶液に上記活性
エステルのクロロホルム３００ｍｌ溶液を滴下し、室温
で４０分間撹拌した。反応液を減圧濃縮後、残渣に酢酸
エチルを加え、０．５Ｍクエン酸で酸性とし、有機層を
分取し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を減圧留去し、得られた油状残渣をジイ
ソプロピルエーテル７００ｍｌに溶かし、氷水で冷却後
、ジシクロヘキシルアミン（ＤＣＨＡ）５４．４ｇ（０
．３ｍｏｌ）を加え、放置した。析出晶をろ取し、無色
結晶としてＮ−ｔ−ブトキシカルボニル−β−ベンジル
−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリン・ジシクロヘキシル
アミン塩を得た。 収量１４４．０４ｇ（７９．８％） ｍｐ１２２〜１２３℃、　［α］Ｄ２５−２９．５°（
ｃ＝１、ＤＭＦ）

【００４８】実施例２ Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−β−ベンジル−Ｌ−アス
パルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギニンの調製

【００
４９】

【化２２】

【００５０】Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−β−ベンジ
ル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリン２９．４ｇ（７０
ｍｍｏｌ）とＮ−ヒドロキシコハク酸イミド８．１ｇ（
７０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１４０ｍｌに溶か
し、５℃に冷却した。これに、ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド１４．４ｇ（７０ｍｍｏｌ）を添加し、同温度
で１時間、２０〜２５℃で１５時間撹拌した。不溶物を
ろ別し、減圧下、溶媒を留去すると、粗製の活性エステ
ルが無色油状物として得られた。

【００５１】別に、Ｌ−アルギニン・塩酸塩１４．７ｇ
（７０ｍｍｏｌ）を炭酸水素ナトリウム１１．８ｇ（１
４０ｍｍｏｌ）の水１４０ｍｌ溶液に溶かし、上記活性
エステルのテトラヒドロフラン７０ｍｌ溶液を５〜１０
℃で滴下する。滴下後、室温で４時間撹拌した。反応液
に水２００ｍｌ、０．５Ｍクエン酸１４０ｍｌ、酢酸エ
チル３００ｍｌを加え、撹拌した。

【００５２】析出した結晶をろ取、水、酢酸エチルで洗
浄後、乾燥するとＮ−ｔ−ブトキシカルボニル−β−ベ
ンジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギ
ニンが無色結晶として得られた。 収量２９．６ｇ（７３．３％） ｍｐ１２９〜１３２℃（分解） ［α］Ｄ２８−３８．３°（ｃ＝１、ＤＭＦ）

【００５
３】実施例３ β−ベンジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−
アルギニンの調製

【００５４】

【化２３】

【００５５】Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−β−ベンジ
ル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギニン
２６ｇ（４５ｍｍｏｌ）をメチレンクロリド６５ｍｌに
懸濁し、水冷下、トリフルオロ酢酸５２ｍｌを滴下した
後、室温で２時間撹拌する。反応液を減圧濃縮後、残渣
にエーテルを加え、固化し、粉末化し、この粉末をろ取
した。 得られた粉末をエーテルで充分に洗浄したのち、減圧乾
燥すると、β−ベンジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロ
リル−Ｌ−アルギニン・２トリフルオロ酢酸塩が無色粉
末として得られた。 収量３０．２ｇ（９５．３％）

【００５６】実施例４ Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−β−ベンジル−Ｌ−ア
スパルチル−Ｌ−セリンの調製

【００５７】

【化２４】

【００５８】Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−β−ベン
ジル−Ｌ−アスパラギン酸８９．３ｇ（０．２５ｍｏｌ
）とＮ−ヒドロキシコハク酸イミド２９．３ｇ（０．２
５５ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５００ｍｌに溶かし
、５℃に冷却後、ジシクロヘキシルカルボジイミド５２
．６ｇ（０．２５５ｍｏｌ）を添加し、室温で１４時間
撹拌した。 不溶物をろ別後、ろ液を減圧濃縮し、油状の活性エステ
ルを得た。

【００５９】別に、Ｌ−セリンを炭酸水素ナトリウム２
４．２ｇの水１８３ｍｌ溶液に溶かし、５℃に冷却した
後、これに上記活性エステルのテトラヒドロフラン２７
５ｍｌ溶液を５〜１０℃で滴下した。滴下後、室温で１
．５時間撹拌した。反応液を減圧濃縮後、テトラヒドロ
フランを留去し、得られた水溶液に水１００ｍｌを加え
、希釈し、酢酸エチルで洗浄した。水層を５℃に冷却し
、１０％塩酸を加えｐＨ３に調整し、撹拌した。析出晶
をろ取、水、ジイソプロピルエーテルで洗浄後、乾燥す
ることにより、Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−β−ベ
ンジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−セリンを無色結晶とし
て得た。 収量７３．１ｇ（６５．８％） ｍｐ１５６〜１５９℃（分解） ［α］Ｄ２５＋４．７°（ｃ＝１、ＤＭＦ）

【００６０
】実施例５ Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−β−ベンジル−Ｌ−ア
スパルチル−Ｌ−セリル−β−ベンジル−Ｌ−アスパル
チル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギニンの調製

【００６１
】

【化２５】

【００６２】Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−β−ベン
ジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−セリン８．８９ｇ（２０
ｍｍｏｌ）とＮ−ヒドロキシコハク酸イミド２．３５ｇ
（２０．４ｍｍｏｌ）　をテトラヒドロフラン８０ｍｌ
に溶かし、これに、５℃に冷却後、ジシクロカルボジイ
ミド４．２１ｇ（２０．４ｍｍｏｌ）　を添加し、室温
で２時間撹拌した。 不溶物をろ別し活性エステルの溶液を得た。

【００６３】別に、β−ベンジル−Ｌ−アスパルチル−
Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギニン・２トリフルオロ酢酸塩
１３．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）　を、エタノール４０ｍｌ
とテトラヒドロフラン８０ｍｌの混液に溶かし、氷水で
冷却後、トリエチルアミン３．４４ｇを加えた。次いで
、上記活性エステルのテトラヒドロフラン溶液を５〜８
℃で滴下した後、室温で１．５時間撹拌した。反応液を
飽和食塩水２００ｍｌで３回洗浄した。溶媒を留去し、
残渣にエタノール１００ｍｌを加え再濃縮し、次いで酢
酸エチル１００ｍｌを加え再濃縮した。残渣に酢酸エチ
ル２００ｍｌを加え撹拌すると固型物が晶出した。これ
をろ取し、ジイソプロピルエーテルで懸濁処理し、ろ取
後、乾燥すると、Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−β−
ベンジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−セリル−β−ベンジ
ル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギニン
が無色粉末として得られた。 収量１４ｇ（７７．５％） ［α］Ｄ２８−３１．１°（ｃ＝１、ＤＭＦ）

【００６
４】実施例６ Ｌ−アスパルチル−Ｌ−セリル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ
−プロリル−Ｌ−アルギニンの調製

【００６５】

【化２６】

【００６６】Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−β−ベン
ジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−セリル−β−ベンジル−
Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギニン９ｇ
（１０ｍｍｏｌ）　を、メタノール１４４ｍｌと酢酸１
８ｍｌと水１８ｍｌとの混液に溶かし、１０％パラジウ
ム−炭素１．８ｇの存在下、１時間接触還元した。触媒
をろ別後、溶媒を減圧留去し、残渣に水を加えて、全量
を２５ｍｌに調整した。この溶液をエタノール２５０ｍ
ｌ中に注加しながら撹拌し、析出する沈殿をろ取し、エ
タノールで洗浄後、減圧乾燥するとＬ−アスパルチル−
Ｌ−セリル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−ア
ルギニンが無色粉末として得られた。収量４．５８ｇ（
７７．９％）

【００６７】

【発明の効果】本発明の方法が、従来の技術と比較して
特に優れた点は次のとおりである。 １）フラグメント縮合を効率良く組み込み、工程数が少
ない。即ち、原料化合物（Ｖ）の製造工程でラセミ化の
起こらないＣ末端プロリンを有するジペプジド、Ｎ−ｔ
−ブトキシカルボニル−β−ベンジル−Ｌ−アスパルチ
ル−Ｌ−プロリンとＬ−アルギニンを縮合した。

【００６８】更に、第２工程でＮ−ベンジルオキシカル
ボニル−β−ベンジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−セリル
とβ−ベンジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ
−アルギニンとのフラグメント縮合を実施した。通常、
本反応は、ラセミ化を伴なうため、光学純度の高いペプ
チドを必要とする場合、用いないが、種々検討の結果、
Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−β−アスパルチル−Ｌ
−セリンをＮ−ヒドロキシコハク酸イミドエステルに導
き、縮合することにより、予想外にラセミ化割合が少な
く、最終目的物の純度は問題とならないことを見い出し
た。

【００６９】２）化合物（Ｖ）の製造工程および第２工
程において、アルギニンあるいはアルギニンを含むペプ
チドのグアニジンを保護することなく縮合する新規方法
を用いた。

【００７０】一般にアルギニンを含むペプチドの合成に
おいては、そのグアニジン部はニトロ基、トシル基等で
保護して行われる。無保護での反応例も少しはあるが本
ペンタペプチドに応用した例はない。

【００７１】３）化合物　（ＩＩＩ）の製造工程および
第２工程において、セリンあるいはセリンを含むペプチ
ドの水酸基を保護することなく縮合させる方法を用いる
。

【００７２】一般にセリンの水酸基はベンジル基、ｔ−
ブチル基等で保護して縮合させるが、本発明の方法では
Ｌ−ベンジルオキシカルボニル−β−ベンジル−Ｌ−ア
スパラギン酸をＮ−ヒドロキシコハク酸イミドエステル
に導くことにより、副反応を生じさせることなく縮合を
可能にしたものである。

【００７３】４）第３工程において、セリンの水酸基お
よびアルギニンのグアニジンが無保護であるために、脱
保護が容易で高純度のペンタペプチドＨ−Ａｓｐ−Ｓｅ
ｒ−Ｐｒｏ−Ａｒｇ−ＯＨを得ることが可能である。

【００７４】５）本製法における各中間体はいずれも特
殊な手段を用いることなく単離取得できるが、特に重要
な中間体であるＮ−ｔ−ブトキシカルボニル−β−ベン
ジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギニ
ンおよびＮ−ベンジルオキシカルボニル−β−ベンジル
−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−セリンを結晶として単離、精
製することが可能である。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　一般式 【化１】 （但し、Ｒ１　はカルボキシル基保護基を表す）で示さ
   れるトリペプチドと、一般式 【化２】 （但し、Ｒ２　はアミノ基保護基を表し、Ｒ３　はカル
   ボキシル基保護基を表す）で示されるアミノ保護型ジペ
   プチドとをフラグメント縮合させて、一般式【化３】 （但し、Ｒ１　、Ｒ２　及びＲ３　は前記と同一の意味
   を有する）で示されるペンタペプチドを生成せしめ、次
   いで該生成物（ＩＶ）から保護基を除去することを特徴
   とする式【化４】 で示されるＬ−アスパルチル−Ｌ−セリル−Ｌ−アスパ
   ルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギニンの製法。
2. 【請求項２】　　一般式 【化５】 （但し、Ｒ１　はカルボキシル基保護基を表し、Ｒ４　
   はアミノ基保護基を表す）で示される、アミノ保護型ト
   リペプチドのアスパラギン酸部分から、アミノ基保護基
   を除去して、一般式 【化６】 （但し、Ｒ１　は前記と同一の意味を有する）で示され
   るトリペプチドを生成せしめ、該生成物（ＩＩ）と一般
   式【化７】 （但し、Ｒ２　はアミノ基保護基を表し、Ｒ３　はカル
   ボキシル基の保護基を表す）で示されるアミノ保護型ジ
   ペプチドとをフラグメント縮合させて、一般式【化８】 （但し、Ｒ１　、Ｒ２　及びＲ３　は前記と同一の意味
   を有する）で示されるペンタペプチドを生成せしめ、次
   いで該生成物（ＩＶ）から保護基を除去することを特徴
   とする、式 【化９】 で示されるＬ−アスパルチル−Ｌ−セリル−Ｌーアスパ
   ルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギニンの製法。
3. 【請求項３】　　Ｌ−セリン及びＬ−アルギニンの反応
   性側鎖を保護することなくフラグメント縮合させること
   を特徴とする請求項１又は２記載の製法。
4. 【請求項４】　　Ｒ１　及びＲ３　が、同一又は異なっ
   て、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、ジフェニルメ
   チル基、トリメチルシリル基及び置換又は非置換のベン
   ジル基から選ばれるカルボキシル基の保護基を表し、Ｒ
   ２　及びＲ４　が、同一又は異なって、ホルミル基、ア
   セチル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｔ−アミルオキ
   シカルボニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、置換又は
   非置換のベンジルオキシカルボニル基、ジー又はトリフ
   ェニルメチルオキシカルボニル基、置換又は非置換のベ
   ンジル基、ジー又はトリフェニルメチル基、イソボルニ
   ルオキシカルボニル基、ジフェニルホスフィニル基及び
   ジフェニルホスフィノチオイル基から選ばれるアミノ基
   の保護基である請求項３記載の製法。
5. 【請求項５】　　Ｒ１　及びＲ３　が、同一又は異なっ
   て、ベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｐ−クロロベ
   ンジル基又はｔ−ブチル基を表し、Ｒ２　及びＲ４　が
   、同一又は異なって、ホルミル基、ｔ−ブトキシカルボ
   ニル基、ベンジルオキシカルボニル基又はｐ−メトキシ
   ベンジルカルボニル基である請求項４記載の製法。
6. 【請求項６】　　Ｒ１　及びＲ３　がベンジル基、Ｒ２
   　がベンジルオキシカルボニル基、Ｒ４　がｔ−ブトキ
   シカルボニル基である請求項５記載の製法。
7. 【請求項７】　　Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−β−ベ
   ンジル−Ｌ−アスパルチル−Ｌ−プロリル−Ｌ−アルギ
   ニン