JPH04357848A - Prober for semiconductor wafer - Google Patents
Prober for semiconductor waferInfo
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- JPH04357848A JPH04357848A JP13246991A JP13246991A JPH04357848A JP H04357848 A JPH04357848 A JP H04357848A JP 13246991 A JP13246991 A JP 13246991A JP 13246991 A JP13246991 A JP 13246991A JP H04357848 A JPH04357848 A JP H04357848A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 89
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、低温状態で半導体ウエ
ハの電気的特性を測定したりテストしたりする際に使用
する半導体ウエハ用プローバに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a prober for semiconductor wafers used for measuring or testing the electrical characteristics of semiconductor wafers at low temperatures.
【0002】0002
【従来の技術】従来、半導体ウエハの電気的特性を測定
する半導体ウエハ用プローバとしては、半導体ウエハ(
以下、単にウエハという)を冷却してウエハの測定面に
探針を押し付ける構造のものがある。この種の半導体ウ
エハ用プローバを図3によって説明する。[Prior Art] Conventionally, semiconductor wafer probers for measuring the electrical characteristics of semiconductor wafers have been used to measure the electrical characteristics of semiconductor wafers.
There is a structure in which the wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) is cooled and a probe is pressed against the measurement surface of the wafer. This type of prober for semiconductor wafers will be explained with reference to FIG.
【0003】図3は従来の低温用ウエハプローバの断面
図である。同図において1は真空チェンバ、2はこの真
空チェンバ1内にX−Y移動機構3を介して装着された
ウエハステージである。前記真空チェンバ1の上部には
透明材によって窓4が設けられ、内部を見ることができ
るように構成されている。前記X−Y移動機構3は、ウ
エハステージ2をX方向およびY方向へ平行移動させる
ことができるように構成されている。FIG. 3 is a sectional view of a conventional wafer prober for low temperature use. In the figure, 1 is a vacuum chamber, and 2 is a wafer stage mounted in the vacuum chamber 1 via an XY moving mechanism 3. A window 4 made of a transparent material is provided at the top of the vacuum chamber 1 so that the inside can be viewed. The XY moving mechanism 3 is configured to be able to move the wafer stage 2 in parallel in the X direction and the Y direction.
【0004】5はウエハで、このウエハ5は前記ウエハ
ステージ2上に載置され、ウエハステージ2に取付けら
れたウエハ固定用治具6によってウエハステージ2に固
定されている。7は前記ウエハ5の上面(測定面)に接
触して電気的導通を得るための探針としてのプローブ針
で、このプローブ針7はプローブカード8に複数本支持
固定され、それぞれプローブカード8から下方へ向けて
突出している。また、このプローブカード8は、前記真
空チェンバ1内に固定されたプローブカード固定台9に
支持されている。10は前記ウエハ5を冷却するための
冷凍機で、この冷凍機10は伝導によってウエハステー
ジ2およびウエハ5を冷却するように構成されている。A wafer 5 is placed on the wafer stage 2 and fixed to the wafer stage 2 by a wafer fixing jig 6 attached to the wafer stage 2. Reference numeral 7 denotes a probe needle as a probe for contacting the upper surface (measurement surface) of the wafer 5 to obtain electrical continuity. It protrudes downward. Further, this probe card 8 is supported by a probe card fixing base 9 fixed within the vacuum chamber 1. Reference numeral 10 denotes a refrigerator for cooling the wafer 5, and the refrigerator 10 is configured to cool the wafer stage 2 and the wafer 5 by conduction.
【0005】次に、上述したように構成された従来の半
導体ウエハ用プローバの動作について説明する。ウエハ
5の電気的特性を測定するには、先ず、ウエハ5を、ウ
エハステージ2上に載置させ、ウエハ固定用治具6によ
ってX−Y方向へ移動しないように固定する。次に、真
空チェンバ1内を真空にし、引き続いて冷凍機10によ
りウエハステージ2およびウエハ5を冷却する。そして
、X−Y移動機構3によりウエハステージ2およびウエ
ハ5を移動させ、プローブ針7の真下に測定する部分を
位置づける。その後、ウエハステージ2およびウエハ5
を上へ移動させ、ウエハ5をプローブ針7に押し付ける
ようにして接触させる。このようにして電気的導通をと
って測定を行う。Next, the operation of the conventional semiconductor wafer prober constructed as described above will be explained. To measure the electrical characteristics of the wafer 5, the wafer 5 is first placed on the wafer stage 2 and fixed using a wafer fixing jig 6 so as not to move in the X-Y direction. Next, the inside of the vacuum chamber 1 is evacuated, and then the wafer stage 2 and wafer 5 are cooled by the refrigerator 10. Then, the wafer stage 2 and wafer 5 are moved by the X-Y moving mechanism 3 to position the portion to be measured directly below the probe needle 7. After that, wafer stage 2 and wafer 5
is moved upward, and the wafer 5 is brought into contact with the probe needle 7 by pressing it against it. In this way, electrical continuity is established and measurement is performed.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の低温
用ウエハプローバは以上のように構成されているので、
図3に示すように測定面側が凸となっているウエハ5と
電気的導通をとろうとすると、ウエハ5とプローブ針7
との間の平行度が悪く、図4に示すように一部のプロー
ブ針7がウエハ5と接触しなくなるという問題があった
。なお、図4は従来の低温用ウエハプローバにおけるプ
ローブ針とウエハとの接触部分を拡大して示す断面図で
ある。[Problem to be Solved by the Invention] However, since the conventional low-temperature wafer prober is configured as described above,
As shown in FIG. 3, when trying to establish electrical continuity with the wafer 5 whose measurement surface side is convex, the wafer 5 and the probe needle 7
There was a problem that the parallelism between the probe needles 7 and the wafer 5 was poor, and some of the probe needles 7 did not come into contact with the wafer 5, as shown in FIG. Note that FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a contact portion between a probe needle and a wafer in a conventional low-temperature wafer prober.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
ハ用プローバは、探針の近傍に、半導体ウエハをウエハ
ステージに押し付けるばね部材を設けたものである。[Means for Solving the Problems] A prober for semiconductor wafers according to the present invention is provided with a spring member near the probe tip for pressing the semiconductor wafer against the wafer stage.
【0008】[0008]
【作用】半導体ウエハが上に凸となるように反っている
ときには、ばね部材が半導体ウエハの反りを修正する。[Operation] When the semiconductor wafer is warped in an upwardly convex manner, the spring member corrects the warp of the semiconductor wafer.
【0009】[0009]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1によって詳細
に説明する。図1は本発明に係る半導体ウエハ用プロー
バの断面図で、同図はウエハをプローブ針に押し付けて
いる状態を示す。図1において、11はウエハ5をウエ
ハステージ2に押し付けるためのばね部材で、このばね
部材11は棒状のばね材を曲げ加工して形成され、プロ
ーブカード固定台9の下部に固定されている。また、こ
のばね部材11は、プローブカード固定台9から下方へ
突出しており、その先端がプローブ針7の先端の隣に位
置するように水平方向へ延設されている。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be explained in detail below with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view of a prober for semiconductor wafers according to the present invention, which shows a state in which a wafer is pressed against a probe needle. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a spring member for pressing the wafer 5 against the wafer stage 2. This spring member 11 is formed by bending a bar-shaped spring material, and is fixed to the lower part of the probe card fixing table 9. Further, this spring member 11 protrudes downward from the probe card fixing base 9 and extends in the horizontal direction so that its tip is located next to the tip of the probe needle 7.
【0010】このようにばね部材11を備えた半導体ウ
エハ用プローバでは、ウエハ5は従来と同様にしてウエ
ハステージ2上に装着され、真空中で冷却される。冷却
終了後、ウエハ5をウエハステージ2と共に上昇させる
と、ウエハ5が上に凸となるように反っている場合には
、ばね部材11がウエハ5に接触する。その状態でさら
にウエハ5およびウエハステージ2を上昇させると、ウ
エハ5はばね部材11によって付勢されて反りが除去さ
れ、ウエハステージ2に押し付けられる。すなわち、プ
ローブ針7はウエハステージ2のウエハ載置面と平行に
なったウエハ5に接触することになり、その状態でウエ
ハ5に電気的に導通されることになる。In the semiconductor wafer prober equipped with the spring member 11 as described above, the wafer 5 is mounted on the wafer stage 2 in the same manner as in the prior art and cooled in vacuum. After cooling, when the wafer 5 is raised together with the wafer stage 2, the spring member 11 comes into contact with the wafer 5 if the wafer 5 is curved upward. When the wafer 5 and the wafer stage 2 are further raised in this state, the wafer 5 is biased by the spring member 11 to remove the warpage and is pressed against the wafer stage 2. That is, the probe needle 7 comes into contact with the wafer 5 which is parallel to the wafer mounting surface of the wafer stage 2, and is electrically connected to the wafer 5 in this state.
【0011】したがって、ウエハ5が上に凸となるよう
に反っているときには、ばね部材11がウエハ5の反り
を修正することになる。Therefore, when the wafer 5 is warped in an upwardly convex manner, the spring member 11 corrects the warp of the wafer 5.
【0012】なお、本実施例ではばね部材を棒状に形成
した例を示したが、本発明はこのような限定にとらわれ
ることなく、例えば図2に示すようにつる巻きばねを使
用することもできる。図2はつる巻きばねによってばね
部材を構成した他の実施例を示す断面図で、同図におい
て前記図1で説明したものと同一もしくは同等部材につ
いては、同一符号を付し詳細な説明は省略する。図2に
おいて21はばね部材を構成するつる巻きばねである。
このつる巻きばね21は、ウエハ固定台9におけるプロ
ーブ針7と隣接する位置に配設されている。このように
つる巻きばね21を使用しても前記実施例と同等の効果
が得られる。Although this embodiment shows an example in which the spring member is shaped like a rod, the present invention is not limited to such a limitation, and for example, a helical spring can be used as shown in FIG. . FIG. 2 is a cross-sectional view showing another embodiment in which the spring member is composed of a helical spring. In this figure, the same or equivalent members as those explained in FIG. 1 are given the same reference numerals and detailed explanations are omitted. do. In FIG. 2, 21 is a helical spring constituting a spring member. This helical spring 21 is arranged at a position adjacent to the probe needle 7 on the wafer fixing table 9 . Even if the helical spring 21 is used in this manner, the same effect as in the embodiment described above can be obtained.
【0013】[0013]
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウエハ用プローバは、探針の近傍に、半導体ウエハをウ
エハステージに押し付けるばね部材を設けたため、半導
体ウエハが上に凸となるように反っているときには、ば
ね部材が半導体ウエハの反りを修正することになる。し
たがって、ウエハステージと平行になった状態で探針が
半導体ウエハに接触するから、確実に導通をとることが
できる。このため、探針が半導体ウエハに接触するとき
の信頼性を高めることができる。Effects of the Invention As explained above, the semiconductor wafer prober according to the present invention is provided with a spring member near the probe that presses the semiconductor wafer against the wafer stage, so that the semiconductor wafer is warped in an upwardly convex manner. The spring member corrects the warpage of the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is bent. Therefore, since the probe contacts the semiconductor wafer in a state parallel to the wafer stage, conduction can be ensured. Therefore, reliability when the probe contacts the semiconductor wafer can be improved.
【図1】本発明に係る半導体ウエハ用プローバの断面図
である。FIG. 1 is a sectional view of a prober for semiconductor wafers according to the present invention.
【図2】つる巻きばねによってばね部材を構成した他の
実施例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment in which the spring member is formed of a helical spring.
【図3】従来の低温用ウエハプローバの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional low-temperature wafer prober.
【図4】従来の低温用ウエハプローバにおけるプローブ
針とウエハとの接触部分を拡大して示す断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a contact portion between a probe needle and a wafer in a conventional low-temperature wafer prober.
2 ウエハステージ 5 半導体ウエハ 7 プローブ針 10 冷凍機 11 ばね部材 21 つる巻きばね 2 Wafer stage 5 Semiconductor wafer 7 Probe needle 10 Refrigerator 11 Spring member 21 Helical spring
Claims (1)
却し、その状態で半導体ウエハに探針を接触させる半導
体ウエハ用プローバにおいて、前記探針の近傍に、半導
体ウエハをウエハステージに押し付けるばね部材を設け
たことを特徴とする半導体ウエハ用プローバ。1. A semiconductor wafer prober in which a semiconductor wafer is cooled on a wafer stage and a probe is brought into contact with the semiconductor wafer in this state, and a spring member is provided near the probe to press the semiconductor wafer against the wafer stage. A prober for semiconductor wafers characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13246991A JPH04357848A (en) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | Prober for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13246991A JPH04357848A (en) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | Prober for semiconductor wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04357848A true JPH04357848A (en) | 1992-12-10 |
Family
ID=15082108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13246991A Pending JPH04357848A (en) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | Prober for semiconductor wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04357848A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6483328B1 (en) | 1995-11-09 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Probe card for probing wafers with raised contact elements |
US6838893B2 (en) | 1993-11-16 | 2005-01-04 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP13246991A patent/JPH04357848A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6838893B2 (en) | 1993-11-16 | 2005-01-04 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly |
US7061257B2 (en) | 1993-11-16 | 2006-06-13 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly |
US7064566B2 (en) | 1993-11-16 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit |
US7352196B2 (en) | 1993-11-16 | 2008-04-01 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit |
US7616016B2 (en) | 1993-11-16 | 2009-11-10 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit |
US6483328B1 (en) | 1995-11-09 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Probe card for probing wafers with raised contact elements |
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