JPH0621169A - Wafer prober, ic prober, and their probing methods - Google Patents

Wafer prober, ic prober, and their probing methods

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JPH0621169A
JPH0621169A JP17636192A JP17636192A JPH0621169A JP H0621169 A JPH0621169 A JP H0621169A JP 17636192 A JP17636192 A JP 17636192A JP 17636192 A JP17636192 A JP 17636192A JP H0621169 A JPH0621169 A JP H0621169A
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JP
Japan
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wafer
package
probe
prober
electrode
Prior art date
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JP17636192A
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Japanese (ja)
Inventor
Hirohiko Nakamura
博彦 中村
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Publication of JPH0621169A publication Critical patent/JPH0621169A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide an electric characteristic test for a device stably and effectively in good conditions, by forming a stationary stage for a probe card so that a probe needle can be movable for a desired length in a desired direction after the probe needle is put in contact with an IC electrode pad. CONSTITUTION:A wafer prober used for an electric characteristic test for an IC in a semiconductor wafer 9 has a stationary stage 7 for fastening a probe card 8. The stationary stage 7 is also used to put a prove needle 1 (a probe electrode) in contact with each IC-device electrode pad to be measured. The probe needle l is made movable for a desired length in a desired direction after the probe needle 1 is put in contact with the IC-device electrode pad. In this way, since the contact pressure and the wiping quantity thereof are set separately as an individual parameter, a wafer probing step can be carried out without an optimizing designing step for an incident angle of the probe needle 1 to the wafer 9.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハに作り込
んだIC及び半導体ICを搭載したパッケージの電気的
特性検査を行う為のプローバ装置のプロービング機構に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probing mechanism of a prober device for inspecting electric characteristics of an IC formed on a semiconductor wafer and a package having the semiconductor IC mounted thereon.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気的特性検査を行う場合、非測定デバ
イスの電極パッドあるいはパッケージのリードと、測定
系のプローブ針あるいはソケットの電極金属とを電気的
に定低接触抵抗により接続する必要がある。定低接触抵
抗を得る為には、それぞれの金属界面の酸化膜、異物、
汚れを取り除く必要がある。従来この為の最も効率的な
方法として、それぞれの金属どうしを擦り合わせるワイ
ピングと呼ばれる方法が取られてきた。
2. Description of the Related Art When conducting an electrical characteristic inspection, it is necessary to electrically connect an electrode pad of a non-measurement device or a lead of a package to an electrode metal of a probe needle or socket of a measurement system with a constant low contact resistance. . In order to obtain a constant low contact resistance, oxide film, foreign matter,
Need to remove dirt. Hitherto, as a most efficient method for this purpose, a method called wiping in which metals are rubbed together has been adopted.

【0003】従来の技術によるプロービング機構を図
5、図6、図7により説明する。
A conventional probing mechanism will be described with reference to FIGS. 5, 6 and 7.

【0004】まず図5は、従来のウェハプローバにおけ
るワイピング機構を示す図であって、1はプローブ針、
32はウェハ9に作り込まれたICの電極である。
First, FIG. 5 is a view showing a wiping mechanism in a conventional wafer prober, in which 1 is a probe needle,
Reference numeral 32 denotes an IC electrode built in the wafer 9.

【0005】ウェハ面に斜めに入射するプローブ針1に
対し、ウェハ9を固定するステージ10を垂直に上昇させ
ることによりプローブ針とウェハのIC電極パッドとを
接触させる。次に適度のワイピング効果と接触圧を得る
ことにより低接触抵抗とする為、さらにステージを上昇
させる。yの上昇によりxのワイピング長が得られる。
By vertically raising the stage 10 for fixing the wafer 9 to the probe needle 1 obliquely incident on the wafer surface, the probe needle and the IC electrode pad of the wafer are brought into contact with each other. Then, the contact resistance is lowered by obtaining an appropriate wiping effect and contact pressure, so that the stage is further raised. A rising y yields a wiping length of x.

【0006】しかしながら、従来の方法によると、 適切な接触圧とワイピング長を得るためにはプローブ
針のウェハ面に対する入射角の最適化を図らなければな
らない。
However, according to the conventional method, in order to obtain an appropriate contact pressure and wiping length, it is necessary to optimize the incident angle of the probe needle with respect to the wafer surface.

【0007】ワイピングの方向がプローブ針の侵入方
向に限られてしまう。
The wiping direction is limited to the penetration direction of the probe needle.

【0008】という問題があった。There is a problem.

【0009】次に図6は、従来のパッケージハンドラに
おけるソケットを用いたワイピング機構を示す図であっ
て。29はICパッケージのリード、31はソケットの電極
である。
Next, FIG. 6 is a view showing a wiping mechanism using a socket in a conventional package handler. Reference numeral 29 is an IC package lead, and 31 is a socket electrode.

【0010】パッケージリード29とソケットの電極31の
接触位置から、パッケージをy押し下げることにより、
xのワイピング量が得られる。
From the contact position between the package lead 29 and the socket electrode 31, the package is pushed down by y,
A wiping amount of x is obtained.

【0011】この方法においても、最適のワイピング効
果と接触圧を得る為のソケットの設計が必要であった。
Also in this method, it is necessary to design the socket for obtaining the optimum wiping effect and the contact pressure.

【0012】また図7は、従来のパッケージハンドラに
おける、ソケットを使用しないポゴピンを使用した接触
機構を示す図であって、21はポゴピン、28はポゴピン21
を固定する為の基盤、27は基盤28を固定するステージ、
30はICパッケージを固定する為のステージである。
FIG. 7 is a view showing a contact mechanism using a pogo pin without using a socket in a conventional package handler, where 21 is a pogo pin and 28 is a pogo pin 21.
A base for fixing the base, 27 is a stage for fixing the base 28,
30 is a stage for fixing the IC package.

【0013】この機構によると電気的導通を取る為ポゴ
ピン21をリード29に垂直に押し当てるのみでワイピング
を行う事が不可能である。
According to this mechanism, it is impossible to perform wiping only by vertically pressing the pogo pin 21 against the lead 29 in order to establish electrical continuity.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記の
問題点を解決するものであり、接触圧とワイピング量と
を独立したパラメータとして任意に設定できるようにす
ること、ワイピング方向をプローブ電極の入射方向とは
無関係の任意の一定方向に設定できる様にする事にあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to make it possible to arbitrarily set the contact pressure and the wiping amount as independent parameters, and to set the wiping direction to the probe electrode. It is to be able to set an arbitrary fixed direction irrespective of the incident direction of.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的は以下の手段に
より達成される。
The above object can be achieved by the following means.

【0016】半導体ウェハに作り込んだICの電気的
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ICデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極を非
測定ICデバイスの電極パッドに接触させた後、プロー
ブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするプローブ
カード固定ステージを有する。
In a wafer prober for inspecting the electrical characteristics of an IC formed on a semiconductor wafer, when the probe electrode attached to the wafer prober is brought into contact with the electrode pad of each non-measurement IC device, the probe electrode is not measured. After contacting the electrode pad of the IC device, it has a probe card fixed stage that allows the probe electrode to move in an arbitrary direction for an arbitrary distance.

【0017】半導体ウェハに作り込んだICの電気的
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ICデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極を任
意の方向に任意の距離を可動とするウェハ固定ステージ
を有する 半導体ICを搭載したパッケージの電気的特性検査を
する為のパッケージハンドラにおいて、パッケージハン
ドラに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ICパッ
ケージのリードに接触させる際、プローブ電極を任意の
方向に任意の距離を可動とするプローブ電極固定部を有
する 半導体ICを搭載したパッケージの電気的特性検査を
する為のパッケージハンドラにおいて、パッケージハン
ドラに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ICパッ
ケージのリードに接触させる際、プローブ電極を任意の
方向に任意の距離を可動とするICパッケージ固定部を
有する。
In a wafer prober for inspecting the electrical characteristics of an IC formed on a semiconductor wafer, when the probe electrode attached to the wafer prober is brought into contact with the electrode pad of each non-measurement IC device, the probe electrode is arbitrarily set. In a package handler for inspecting the electrical characteristics of a package mounted with a semiconductor IC that has a wafer fixed stage that can move an arbitrary distance in any direction, the probe electrodes attached to the package handler are used as leads of individual non-measurement IC packages. In a package handler for inspecting electrical characteristics of a package mounted with a semiconductor IC, which has a probe electrode fixing portion that allows the probe electrode to move in an arbitrary direction in an arbitrary direction when brought into contact, a probe electrode attached to the package handler Of individual non-measured IC packages When brought into contact with the over-de, an IC package fixing unit for a movable any distance probe electrode in any direction.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明の実施例を図1、図2、図3及
び図4により説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1, 2, 3 and 4.

【0019】図1は、本発明の実施例におけるウェハプ
ローバのプロービング部の機構を示す概要図であって、
1はウェハに作り込んだICの特性を検査する為に電気
的接続をする電極であるところのプローブ針、8はプロ
ーブ針1を固定するプローブカード、7はプローブカー
ド8を固定する為のステージ、9はウェハ、10はウェハ
9を固定する為のステージ、2aはワイピングを目的とし
てステージ10を微動させる為のXステージ、3aは同Yス
テージ、4はウェハをプローブ針1に接触させる為のZ
アップ機構、5はウェハステージ10を、ウェハに作り込
んだICチップ毎にインデックスさせる為のXステー
ジ、6は同Yステージ、11はそれぞれの可動部を制御す
る為の制御装置である。
FIG. 1 is a schematic view showing a mechanism of a probing part of a wafer prober according to an embodiment of the present invention,
Reference numeral 1 is a probe needle that is an electrode that is electrically connected to inspect the characteristics of an IC formed on a wafer, 8 is a probe card for fixing the probe needle 1, and 7 is a stage for fixing the probe card 8. , 9 is a wafer, 10 is a stage for fixing the wafer 9, 2a is an X stage for finely moving the stage 10 for the purpose of wiping, 3a is the same Y stage, 4 is for bringing the wafer into contact with the probe needle 1. Z
An up mechanism 5, an X stage for indexing the wafer stage 10 for each IC chip formed on the wafer, 6 for the Y stage, and 11 for a control device for controlling each movable part.

【0020】Zアップ機構4により制御装置11の指示量
分ステージ10が上昇し、ウェハ9の電極はプローブ1に
接触し必要な荷重がかかる。次にXステージ2aあるいは
Yステージ3aにより、制御装置11の指示分だけ水平方向
にステージ10及びウェハ9がスライドし、電極とプロー
ブのワイピングが行われる。この時のワイピング量は予
め制御装置に任意に設定することが出来る。
The Z-up mechanism 4 raises the stage 10 by the amount indicated by the controller 11, and the electrode of the wafer 9 comes into contact with the probe 1 to apply a necessary load. Next, the X stage 2a or the Y stage 3a slides the stage 10 and the wafer 9 in the horizontal direction by the amount instructed by the control device 11 to wipe the electrodes and the probe. The wiping amount at this time can be arbitrarily set in the control device in advance.

【0021】またこの実施例では、ワイピングを目的と
してステージ10を微動させる為のXステージ2a、同Yス
テージ3aをウェハステージ10を、ウェハに作り込んだI
Cチップ毎にインデックスさせる為のXステージ5、同
Yステージ6と分離しているが、両機能を兼ねる場合は
必ずしも分離させる必要は無い。
Further, in this embodiment, the X stage 2a and the Y stage 3a for finely moving the stage 10 for the purpose of wiping, the wafer stage 10, and the wafer stage 10 are formed on the wafer.
The C stage is separated from the X stage 5 and the Y stage 6 for indexing, but it is not always necessary to separate them when they have both functions.

【0022】図2は、同様に本発明の実施例におけるウ
ェハプローバのプロービング部の機構を示す概要図であ
って、図1の例との相違点は、図1ではワイピングを行
う為のX、Yステージ2a、3aがウェハステージ10に付け
られていたのに対して、図2の例では、ワイピングを行
う為のX、Yステージ2b、3bがプローブカード8を固定
するステージ7に付けられていることにある。この例で
も同様に任意のワイピング動作が可能である。
FIG. 2 is also a schematic view showing the mechanism of the probing part of the wafer prober in the embodiment of the present invention. The difference from the example of FIG. 1 is that X for wiping in FIG. While the Y stages 2a and 3a are attached to the wafer stage 10, the X and Y stages 2b and 3b for wiping are attached to the stage 7 for fixing the probe card 8 in the example of FIG. To be there. In this example as well, an arbitrary wiping operation is possible.

【0023】図3は、本発明の実施例におけるパッケー
ジハンドラのプロービング部の機構を示す概要図であっ
て、21はICパッケージの特性を検査する為に電気的接
続をする為のポゴピン、28はポゴピン21を固定する基
盤、27は基盤28を固定する為のステージ、29はICパッケ
ージのリード、30はICパッケージを固定する為のステ
ージ、23aはワイピングを目的としてステージ30を微動
させる為のステージ、24はリード29をポゴピン21に接触
させる為のZアップ機構である。
FIG. 3 is a schematic view showing the mechanism of the probing part of the package handler in the embodiment of the present invention. 21 is a pogo pin for making an electrical connection for inspecting the characteristics of the IC package, and 28 is a A board for fixing the pogo pin 21, a stage 27 for fixing the board 28, a lead 29 of the IC package, a stage 30 for fixing the IC package, and a stage 23a for finely moving the stage 30 for the purpose of wiping. , 24 are Z-up mechanisms for bringing the leads 29 into contact with the pogo pins 21.

【0024】Zアップ機構24によりステージ30が上昇
し、リード29はポゴピン21に接触し必要な荷重がかか
る。次にステージ23aにより、ステージ30及びリード29
がスライドし、リード29とポゴピンのワイピングが行わ
れる。
The Z-up mechanism 24 raises the stage 30, and the leads 29 come into contact with the pogo pins 21 to apply a necessary load. Next, by the stage 23a, the stage 30 and the lead 29
Slides and wipes the lead 29 and the pogo pin.

【0025】図4は、同様に本発明の実施例におけるパ
ッケージハンドラのプロービング部の機構を示す概要図
であって、図3の例との相違点は、図3ではワイピング
を行う為のステージ23aがステージ30に付けられていた
のに対して、図4の例では、ワイピングを行う為のステ
ージ23bが基盤28を固定するステージ27に付けられてい
ることにある。この例でも同様に任意のワイピング動作
が可能である。
FIG. 4 is also a schematic view showing the mechanism of the probing part of the package handler in the embodiment of the present invention. The difference from the example of FIG. 3 is that the stage 23a for wiping in FIG. 4 is attached to the stage 30, whereas in the example of FIG. 4, the stage 23b for wiping is attached to the stage 27 that fixes the base 28. In this example as well, an arbitrary wiping operation is possible.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、接触
圧とワイピング量とを独立したパラメータとして任意に
設定できるようになる為、 プローブ針のウェハへの入射角の最適化設計の必要が
無くなる。
As described above, according to the present invention, the contact pressure and the wiping amount can be arbitrarily set as independent parameters. Therefore, it is necessary to optimize the design of the incident angle of the probe needle on the wafer. Disappears.

【0027】により同一のデバイスに複数のプロー
ブ針を当てる場合、種々の長さ、太さ、角度等、設計の
異なるプローブ針を混在して使用可能となり、微細化、
多ピン化の進むデバイスに対し、プロービング治具、プ
ローブカードの設計、作成の自由度及び可能性が増す。
According to the above, when a plurality of probe needles are applied to the same device, probe needles of different designs such as various lengths, thicknesses, angles, etc. can be mixed and used, and miniaturization,
This will increase the flexibility and possibility of designing and creating probing jigs and probe cards for devices with increasing pin count.

【0028】またワイピング方向をプローブ針の入射方
向とは無関係の任意の一定方向に設定できる様になる
為、 プローブ針の入射方向を意識したウェハパッドのレイ
アウト、サイズにする必要が無く、同一方向のワイピン
グを意識したパッド設計にさえしておけば良い。
Further, since the wiping direction can be set to an arbitrary fixed direction irrelevant to the incident direction of the probe needle, it is not necessary to make the layout and size of the wafer pad in consideration of the incident direction of the probe needle. All you have to do is make the pad design conscious of wiping.

【0029】により、ウェハのパッド間隔の微細化
が可能となる。
This makes it possible to reduce the pad spacing of the wafer.

【0030】ウェハに対し垂直に入射するプローブに
対してもワイピングが可能となる。
Wiping is also possible for a probe that is incident perpendicularly to the wafer.

【0031】により、ICの表面全体にパッドを配
置するデバイスに対しても、容易にプロービング治具、
プローブカードの作成が可能となる。
Thus, even for a device in which pads are arranged on the entire surface of the IC, a probing jig,
It is possible to create a probe card.

【0032】以上の様に微細化、多ピン化の進むデバイ
スの電気的特性検査をより効率的、安定的に実施出来る
環境を実現する事が出来る。
As described above, it is possible to realize an environment in which the electrical characteristic inspection of a device which is miniaturized and has a large number of pins can be performed more efficiently and stably.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例のウェハプローバのプロービン
グ部の機構を示す概要図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a mechanism of a probing unit of a wafer prober according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例のウェハプローバのプロービン
グ部の機構を示す概要図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a mechanism of a probing unit of a wafer prober according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例のパッケージハンドラのプロー
ビング部の機構を示す概要図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a mechanism of a probing unit of the package handler of the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例のパッケージハンドラのプロー
ビング部の機構を示す概要図である。
FIG. 4 is a schematic view showing a mechanism of a probing unit of the package handler of the embodiment of the present invention.

【図5】従来のウェハプローバにおけるワイピング機構
を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a wiping mechanism in a conventional wafer prober.

【図6】従来のパッケージハンドラにおけるソケットを
用いたワイピング機構を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a wiping mechanism using a socket in a conventional package handler.

【図7】従来のパッケージハンドラにおける、ソケット
を使用しないポゴピンを使用した接触機構を示す図であ
る。
FIG. 7 is a view showing a contact mechanism using a pogo pin that does not use a socket in a conventional package handler.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・・プローブ針 2a、2b・・・ワイピング用Xステージ 3a、3b・・・ワイピング用Yステージ 4・・・・・Zアップ機構 5・・・・・ウェハステージインデックス用Xステージ 6・・・・・ウェハステージインデックス用Yステージ 7・・・・・プローブカード固定ステージ 8・・・・・プローブカード 9・・・・・ウェハ 10・・・・・ウェハステージ 11・・・・・制御装置 21・・・・・ポゴピン 23a、23b・・ワイピング用ステージ 24・・・・・Zアップ機構 27・・・・・ポゴピン基盤固定ステージ 28・・・・・ポゴピン固定用基盤 29・・・・・ICパッケージのリード 30・・・・・ICパッケージ固定ステージ 31・・・・・ソケットの電極 32・・・・・ウェハに作り込んだICの電極 1 ... Probe needles 2a, 2b ... Wiping X stage 3a, 3b ... Wiping Y stage 4 ... Z up mechanism 5 ... Wafer stage Index X stage 6・ ・ ・ Wafer stage Y stage for index 7 ・ ・ ・ ・ ・ Probe card fixing stage 8 ・ ・ ・ ・ ・ Probe card 9 ・ ・ ・ Wafer 10 ・ ・ ・ Wafer stage 11 ・ ・ ・ ・ ・Control device 21 ・ ・ ・ ・ ・ Pogo pins 23a, 23b ・ ・ Wiping stage 24 ・ ・ ・ ・ ・ Z up mechanism 27 ・ ・ ・ ・ ・ Pogo pin base fixing stage 28 ・ ・ ・ ・ ・ Pogo pin fixing base 29 ・ ・ ・..IC package leads 30..IC package fixing stage 31..Socket electrodes 32..IC electrodes made on wafer

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハに作り込んだICの電気的
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ICデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極を非
測定ICデバイスの電極パッドに接触させた後、プロー
ブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするプローブ
カード固定ステージを有することを特徴としたウェハの
プローバ装置。
1. A wafer prober for inspecting the electrical characteristics of an IC formed on a semiconductor wafer, the probe electrode being attached to an electrode pad of an individual non-measurement IC device when the probe electrode is attached to the wafer prober. A prober apparatus for a wafer, comprising a probe card fixing stage that moves a probe electrode in an arbitrary direction in an arbitrary distance after being brought into contact with an electrode pad of a non-measurement IC device.
【請求項2】 半導体ウェハに作り込んだICの電気的
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ICデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極を非
測定ICデバイスの電極パッドに接触させた後、プロー
ブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするウェハ固
定ステージを有することを特徴としたウェハのプローバ
装置。
2. A wafer prober for inspecting the electrical characteristics of an IC formed on a semiconductor wafer, wherein the probe electrode is attached to an electrode pad of an individual non-measurement IC device when the probe electrode is attached to the wafer prober. A prober apparatus for a wafer, comprising a wafer fixing stage that moves a probe electrode in an arbitrary direction in an arbitrary distance after being brought into contact with an electrode pad of a non-measurement IC device.
【請求項3】 半導体ICを搭載したパッケージの電気
的特性検査をする為のパッケージハンドラにおいて、パ
ッケージハンドラに取り付けたプローブ電極を個々の非
測定ICパッケージのリードに接触させる際、プローブ
電極を非測定ICパッケージのリードに接触させた後、
プローブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするプ
ローブ電極固定部を有することを特徴としたICパッケ
ージのプローバ装置。
3. In a package handler for inspecting the electrical characteristics of a package having a semiconductor IC mounted thereon, when the probe electrode attached to the package handler is brought into contact with the lead of each non-measurement IC package, the probe electrode is not measured. After contacting the leads of the IC package,
A prober device for an IC package, which has a probe electrode fixing portion for moving the probe electrode in an arbitrary direction in an arbitrary distance.
【請求項4】 半導体ICを搭載したパッケージの電気
的特性検査をする為のパッケージハンドラにおいて、パ
ッケージハンドラに取り付けたプローブ電極を個々の非
測定ICパッケージのリードに接触させる際、プローブ
電極を非測定ICパッケージのリードに接触させた後、
プローブ電極を任意の方向に任意の距離を可動とするI
Cパッケージ固定部を有することを特徴としたICパッ
ケージのプローバ装置。
4. In a package handler for inspecting the electrical characteristics of a package having a semiconductor IC mounted thereon, when the probe electrode attached to the package handler is brought into contact with the lead of each non-measurement IC package, the probe electrode is not measured. After contacting the leads of the IC package,
The probe electrode is movable in any direction for any distance I
An IC package prober device having a C package fixing portion.
【請求項5】 半導体ウェハに作り込んだICの電気的
特性検査をする為のウェハプローバにおいて、ウェハプ
ローバに取り付けたプローブ電極を個々の非測定ICデ
バイスの電極パッドに接触させる際、プローブ電極と非
測定ICデバイスの電極パッドが接触した後に、プロー
ブ電極あるいは非測定ICデバイスを任意の方向に任意
の距離をスライド、ワイピングし、擦り合わせることに
より電気的接続を取ることを特徴としたウェハのプロー
ビング方法。
5. A wafer prober for inspecting electrical characteristics of an IC formed on a semiconductor wafer, the probe electrode being attached to the electrode pad of each non-measurement IC device when the probe electrode attached to the wafer prober is brought into contact with the probe electrode. After contacting the electrode pad of the non-measurement IC device, the probe electrode or the non-measurement IC device is slid, wiped, and rubbed in an arbitrary direction in an arbitrary direction to make electrical connection, thereby probing a wafer. Method.
【請求項6】 半導体ICを搭載したパッケージの電気
的特性検査をする為のパッケージハンドラにおいて、パ
ッケージハンドラに取り付けたプローブ電極を個々の非
測定ICパッケージのリードに接触させる際、プローブ
電極と非測定ICデバイスのリードが接触した後に、プ
ローブ電極あるいは非測定ICパッケージを任意の方向
に任意の距離をスライド、ワイピングし、擦り合わせる
ことにより電気的接続を取ることを特徴としたICパッ
ケージのプロービング方法。
6. A package handler for inspecting electrical characteristics of a package having a semiconductor IC mounted thereon, wherein probe electrodes attached to a package handler are not measured with probe electrodes when contacting the leads of individual non-measurement IC packages. An IC package probing method characterized in that after a lead of an IC device comes into contact, a probe electrode or a non-measurement IC package is slid, wiped, and rubbed together in an arbitrary direction in an arbitrary direction to establish an electrical connection.
JP17636192A 1992-07-03 1992-07-03 Wafer prober, ic prober, and their probing methods Pending JPH0621169A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17636192A JPH0621169A (en) 1992-07-03 1992-07-03 Wafer prober, ic prober, and their probing methods

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17636192A JPH0621169A (en) 1992-07-03 1992-07-03 Wafer prober, ic prober, and their probing methods

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JPH0621169A true JPH0621169A (en) 1994-01-28

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JP17636192A Pending JPH0621169A (en) 1992-07-03 1992-07-03 Wafer prober, ic prober, and their probing methods

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JP (1) JPH0621169A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220088326A (en) 2020-12-18 2022-06-27 포리프라스틱 가부시키가이샤 Polyarylene sulfide resin composition
KR20220141301A (en) 2020-02-14 2022-10-19 포리프라스틱 가부시키가이샤 Polyarylene sulfide resin composition
KR20230035574A (en) 2020-07-10 2023-03-14 포리프라스틱 가부시키가이샤 Burr suppression method of polyarylene sulfide resin composition

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