JPH04352414A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
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- JPH04352414A JPH04352414A JP3127902A JP12790291A JPH04352414A JP H04352414 A JPH04352414 A JP H04352414A JP 3127902 A JP3127902 A JP 3127902A JP 12790291 A JP12790291 A JP 12790291A JP H04352414 A JPH04352414 A JP H04352414A
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- coils
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子ビームを試料
上に照射して微細パターンを形成するための電子ビーム
露光装置に関する。
上に照射して微細パターンを形成するための電子ビーム
露光装置に関する。
【0002】近年、半導体デバイスの微細化,大規模化
に伴い、集積回路パターンを形成するにあたり、高解像
度が要求される。そのため、低収差,高位置精度の電子
ビームを高安定で照射する必要がある。
に伴い、集積回路パターンを形成するにあたり、高解像
度が要求される。そのため、低収差,高位置精度の電子
ビームを高安定で照射する必要がある。
【0003】
【従来の技術】従来、電子ビーム露光装置は、複数段の
電磁偏向コイルを用いて電子ビームを偏向させ、試料上
をスキャンさせることにより、該試料上にパターンをに
描写する。
電磁偏向コイルを用いて電子ビームを偏向させ、試料上
をスキャンさせることにより、該試料上にパターンをに
描写する。
【0004】ここで、図5に、従来の電子ビーム露光装
置の電磁偏向コイルを説明するための図を示す。図5(
A)は平断面の概念図であり、図5(B)は組立てを示
した斜視図であり、図5(C)は複数段にした場合の側
部概略図である。図5(A),(B),(C)において
、電磁偏向コイル100は、走査方向によってY側コイ
ル101a1 ,101a2 とX側コイル101b1
,101b2 の系統に分けられる。Y側コイル10
1a1 ,101a2 は円筒状の外側ボビン102の
外周にいわゆるサドル型形状に巻回されて対向して設け
られる。同様にX側コイル101b1 ,101b2
においても円筒状の内側ボビン103の外周にサドル型
形状に巻回されて対向して設けられ、外側ボビン102
に覆われるように同心円状に内包される。そして、図5
(C)に示すように、これら電磁偏向コイル100が複
数段でシリーズに接続され(図6参照)、それぞれ個別
のアンプからの電流により駆動される。この場合、内側
ボビン103内を電子ビームが通り、偏向されるもので
ある。
置の電磁偏向コイルを説明するための図を示す。図5(
A)は平断面の概念図であり、図5(B)は組立てを示
した斜視図であり、図5(C)は複数段にした場合の側
部概略図である。図5(A),(B),(C)において
、電磁偏向コイル100は、走査方向によってY側コイ
ル101a1 ,101a2 とX側コイル101b1
,101b2 の系統に分けられる。Y側コイル10
1a1 ,101a2 は円筒状の外側ボビン102の
外周にいわゆるサドル型形状に巻回されて対向して設け
られる。同様にX側コイル101b1 ,101b2
においても円筒状の内側ボビン103の外周にサドル型
形状に巻回されて対向して設けられ、外側ボビン102
に覆われるように同心円状に内包される。そして、図5
(C)に示すように、これら電磁偏向コイル100が複
数段でシリーズに接続され(図6参照)、それぞれ個別
のアンプからの電流により駆動される。この場合、内側
ボビン103内を電子ビームが通り、偏向されるもので
ある。
【0005】このような電磁偏向コイル100は、主偏
向領域の大きさにもよるが、偏向能率は2.5mm/1
Aであるため、たとえば10mm□の主偏向領域を偏向
するためには±2A必要である。各X,Y系統のコイル
はシリーズに接続されており、0.5mmφの銅線でコ
イルを製作すると、それぞれ1Ω程度の抵抗値を持つた
め、コイルでの発熱は各系統で4W,全体で8W程度と
なる。この発熱のためコイルの空冷を行いコイル自体の
熱膨張、コイルを保持しているコイル固定用円筒状ボビ
ンの熱膨張を抑制し、ビームの偏向位置の安定性を確保
する必要があることから、外側ボビン102に空冷用の
穴104を複数形成し、内側ボビン103に空冷の効果
が及ぶようにしている。(図5(B))。
向領域の大きさにもよるが、偏向能率は2.5mm/1
Aであるため、たとえば10mm□の主偏向領域を偏向
するためには±2A必要である。各X,Y系統のコイル
はシリーズに接続されており、0.5mmφの銅線でコ
イルを製作すると、それぞれ1Ω程度の抵抗値を持つた
め、コイルでの発熱は各系統で4W,全体で8W程度と
なる。この発熱のためコイルの空冷を行いコイル自体の
熱膨張、コイルを保持しているコイル固定用円筒状ボビ
ンの熱膨張を抑制し、ビームの偏向位置の安定性を確保
する必要があることから、外側ボビン102に空冷用の
穴104を複数形成し、内側ボビン103に空冷の効果
が及ぶようにしている。(図5(B))。
【0006】ところで、近年において、電子ビーム露光
装置においても微細化が要求されてきているが、特に電
子ビームの欠点であるクーロン相互作用による解像度の
限界が問題であり、クーロン相互作用を減少させ、さら
に解像度を向上させるために光学系を短焦点化すること
が行われている。
装置においても微細化が要求されてきているが、特に電
子ビームの欠点であるクーロン相互作用による解像度の
限界が問題であり、クーロン相互作用を減少させ、さら
に解像度を向上させるために光学系を短焦点化すること
が行われている。
【0007】ここで、図6に、従来の短焦点化した電磁
偏向コイルを説明するための図を示す。図6(A)は、
複数段に形成した電磁偏向コイルの側部概略図であり、
図6(B)は冷却状態を示したものである。図6(A)
に示すように、短焦点化を図るためには、電磁偏向コイ
ル100の外側ボビン102及び内側ボビン103の径
を小さくし、Y側コイル101a1 ,101a2 と
X側コイル101b1 ,101b2 を最大限に近接
させている。この場合、短焦点化は、偏向能率を劣化さ
せて主偏向フィールドを縮小させることから、試料のス
テージ移動を連続させてスループットの低下を防止して
いる。
偏向コイルを説明するための図を示す。図6(A)は、
複数段に形成した電磁偏向コイルの側部概略図であり、
図6(B)は冷却状態を示したものである。図6(A)
に示すように、短焦点化を図るためには、電磁偏向コイ
ル100の外側ボビン102及び内側ボビン103の径
を小さくし、Y側コイル101a1 ,101a2 と
X側コイル101b1 ,101b2 を最大限に近接
させている。この場合、短焦点化は、偏向能率を劣化さ
せて主偏向フィールドを縮小させることから、試料のス
テージ移動を連続させてスループットの低下を防止して
いる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、短焦点化によ
り高解像度を得ることができるが、偏向位置精度を悪化
させる。すなわち、フィールドの繋ぎ位置精度が悪化し
、特にオフセットで大きなずれを生じる。この原因は種
々考えられるが、主にコイルの発熱によるコイル自体、
外側及び内側ボビン、その他の構造物の温度変化による
位置,寸法の変動によるものと考えられる。
り高解像度を得ることができるが、偏向位置精度を悪化
させる。すなわち、フィールドの繋ぎ位置精度が悪化し
、特にオフセットで大きなずれを生じる。この原因は種
々考えられるが、主にコイルの発熱によるコイル自体、
外側及び内側ボビン、その他の構造物の温度変化による
位置,寸法の変動によるものと考えられる。
【0009】短焦点化された収束偏向系はレンズ磁界強
度か大きくなり、偏向磁界強度も大きくしなければなら
ないことから、電磁レンズの磁極片が小さくなり、その
内側に配置される電磁偏向コイルにおいても小径にして
狭い空間に隙間なく配置されることになる。すなわち、
図6(A),(B)に示すように、複数の磁極片106
とレンズギャップ107とが積み重ねられた電磁レンズ
105が小径となり、これに伴って、内側及び外側ボビ
ン102,103も小径となる。この場合、図6(B)
に示す矢印方向に空気が流れ、外側ボビン102及び穴
104を介して内側ボビン103の冷却が行われる。
度か大きくなり、偏向磁界強度も大きくしなければなら
ないことから、電磁レンズの磁極片が小さくなり、その
内側に配置される電磁偏向コイルにおいても小径にして
狭い空間に隙間なく配置されることになる。すなわち、
図6(A),(B)に示すように、複数の磁極片106
とレンズギャップ107とが積み重ねられた電磁レンズ
105が小径となり、これに伴って、内側及び外側ボビ
ン102,103も小径となる。この場合、図6(B)
に示す矢印方向に空気が流れ、外側ボビン102及び穴
104を介して内側ボビン103の冷却が行われる。
【0010】一方、電磁偏向コイル100が小径化する
と、その保持部品も軽薄短小化される。これにより熱容
量が数分の一になると共に、内側コイル101b1 ,
101b2 と外側コイル101a1 ,101a2
の径の差が小さくなる。この場合、コイルを形成する線
材の太さは変わらないことから、厚みが大きくなり、外
側コイル101a1 ,101a2 が内側コイル10
1b1 ,101b2 を覆う状態となる。従って、内
側コイル101b1 ,101b2 を直接冷却するこ
とができず、内側ボビン103と外側ボビン102との
間で温度差を生じる。
と、その保持部品も軽薄短小化される。これにより熱容
量が数分の一になると共に、内側コイル101b1 ,
101b2 と外側コイル101a1 ,101a2
の径の差が小さくなる。この場合、コイルを形成する線
材の太さは変わらないことから、厚みが大きくなり、外
側コイル101a1 ,101a2 が内側コイル10
1b1 ,101b2 を覆う状態となる。従って、内
側コイル101b1 ,101b2 を直接冷却するこ
とができず、内側ボビン103と外側ボビン102との
間で温度差を生じる。
【0011】例えば、空冷の効果を大きくするため細い
線材を用いてコイルを製作すると、コイルの抵抗が大き
くなって発熱が大きくなるため、コイル線材自体の熱膨
張とコイルが接着してある内外のボビンの熱膨張によっ
て、さらにビームの偏向精度が低下する。例えばコイル
線材に銅を使用し、ボビンにセラミックを用いた場合、
それぞれの熱膨張係数は1.7×10−5,8×10−
6であるので主偏向領域を2mm□とすれば、温度上昇
が10℃あった場合、それぞれ、0.34μm,0.1
6μmの位置ずれを主偏向領域において発生する虞れが
ある。実際にはコイルとボビンは接着してあるため位置
ずれ量は0.34μmと0.16μmの間の値をとるも
のと考えられる。例えば位置ずれ量を0.2μmとして
も主偏向領域のずれは最大0.4μmとなり、サブミク
ロンのパターンに対して露光を行うことかできず、0.
5mmφのコイルの線材を細くすることはできない。ま
た、このコイルにおいても内側で2〜3度の温度上昇が
測定されている。
線材を用いてコイルを製作すると、コイルの抵抗が大き
くなって発熱が大きくなるため、コイル線材自体の熱膨
張とコイルが接着してある内外のボビンの熱膨張によっ
て、さらにビームの偏向精度が低下する。例えばコイル
線材に銅を使用し、ボビンにセラミックを用いた場合、
それぞれの熱膨張係数は1.7×10−5,8×10−
6であるので主偏向領域を2mm□とすれば、温度上昇
が10℃あった場合、それぞれ、0.34μm,0.1
6μmの位置ずれを主偏向領域において発生する虞れが
ある。実際にはコイルとボビンは接着してあるため位置
ずれ量は0.34μmと0.16μmの間の値をとるも
のと考えられる。例えば位置ずれ量を0.2μmとして
も主偏向領域のずれは最大0.4μmとなり、サブミク
ロンのパターンに対して露光を行うことかできず、0.
5mmφのコイルの線材を細くすることはできない。ま
た、このコイルにおいても内側で2〜3度の温度上昇が
測定されている。
【0012】さらに、コイルの発熱がコイル線材自体の
熱膨張とコイルが接着してある内側及び外側ボビンの熱
膨張を引き起こし、熱伝導により電磁レンズを構成する
フェライトの磁極片の熱膨張も発生する。それらの熱膨
張はコイルの偏向方向、偏向能率、レンズ磁界強度を変
化させるため偏向位置の精度を悪化させ、特に磁極片の
熱膨張は偏向座標の原点ずれや焦点ずれを引き起こす。 ステージ連続移動による露光においては、露光前に試料
面上の位置合わせマークを前もって検出し露光時の補正
係数を決定してから露光するため、露光中におこる偏向
位置の精度を悪化させ、偏向座標の原点ずれや焦点ずれ
を生じるという問題がある。
熱膨張とコイルが接着してある内側及び外側ボビンの熱
膨張を引き起こし、熱伝導により電磁レンズを構成する
フェライトの磁極片の熱膨張も発生する。それらの熱膨
張はコイルの偏向方向、偏向能率、レンズ磁界強度を変
化させるため偏向位置の精度を悪化させ、特に磁極片の
熱膨張は偏向座標の原点ずれや焦点ずれを引き起こす。 ステージ連続移動による露光においては、露光前に試料
面上の位置合わせマークを前もって検出し露光時の補正
係数を決定してから露光するため、露光中におこる偏向
位置の精度を悪化させ、偏向座標の原点ずれや焦点ずれ
を生じるという問題がある。
【0013】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、コイルを効率的に冷却して偏向位置精度の向上
を図る電子ビーム露光装置を提供することを目的とする
もので、コイルを効率的に冷却して偏向位置精度の向上
を図る電子ビーム露光装置を提供することを目的とする
【0014】
【課題を解決するための手段】上記課題は、電子ビーム
を偏向させて試料上を走査するための電磁偏向コイルを
有する電子ビーム露光装置において、前記電磁偏向コイ
ルは、円筒状の内側ホビンの外周に内側コイルを設ける
と共に、該内側ボビンを内包する円筒状の外側ボビンの
内周に、該内側ボビンの該内側コイルと所定間隔の空間
部を介在させて対向する外側コイルを設けて構成され、
外部より所定の冷媒を少なくとも該電磁偏向コイルの前
記内側コイルと外側コイル間の空間部を流通させること
により解決される。
を偏向させて試料上を走査するための電磁偏向コイルを
有する電子ビーム露光装置において、前記電磁偏向コイ
ルは、円筒状の内側ホビンの外周に内側コイルを設ける
と共に、該内側ボビンを内包する円筒状の外側ボビンの
内周に、該内側ボビンの該内側コイルと所定間隔の空間
部を介在させて対向する外側コイルを設けて構成され、
外部より所定の冷媒を少なくとも該電磁偏向コイルの前
記内側コイルと外側コイル間の空間部を流通させること
により解決される。
【0015】
【作用】上述のように、電磁偏向コイルを、内側コイル
と外側コイルの間に外側ボビンを介在させずに、所定間
隔の空間部を介在させて構成している。そして、外部よ
り冷媒を供給して、少なくとも前述の空間部を流通させ
る。
と外側コイルの間に外側ボビンを介在させずに、所定間
隔の空間部を介在させて構成している。そして、外部よ
り冷媒を供給して、少なくとも前述の空間部を流通させ
る。
【0016】すなわち、冷媒により内側コイルと外側コ
イルが直接冷却される。これにより、コイル自身で発生
する熱により内側ボビンと外側ボビンとの間で温度差を
生じることがない。また、該ボビンを保持する部品や電
磁レンズ等に熱を伝達させないことから、これらの熱膨
張が生じることがなく、電子ビームを試料上に照射する
にあたり偏向位置精度を向上させることが可能となる。
イルが直接冷却される。これにより、コイル自身で発生
する熱により内側ボビンと外側ボビンとの間で温度差を
生じることがない。また、該ボビンを保持する部品や電
磁レンズ等に熱を伝達させないことから、これらの熱膨
張が生じることがなく、電子ビームを試料上に照射する
にあたり偏向位置精度を向上させることが可能となる。
【0017】
【実施例】図1に本発明の一実施例の構成図を示す。図
1は電子ビーム露光装置における電磁偏向コイル1及び
電磁レンズ2を示したものである。
1は電子ビーム露光装置における電磁偏向コイル1及び
電磁レンズ2を示したものである。
【0018】図1において、電磁偏向コイル1がシリー
ズに複数段連結されており、この複数段の電磁偏向コイ
ル1の外側周囲に円筒状の電磁レンズ2が位置される。 なお、電磁偏向レンズ1については後述する。
ズに複数段連結されており、この複数段の電磁偏向コイ
ル1の外側周囲に円筒状の電磁レンズ2が位置される。 なお、電磁偏向レンズ1については後述する。
【0019】電磁レンズ2は、1個又は複数のポールピ
ースと呼ばれる磁極片3と、レンズギャップのためのス
ペーサ4が所定配列で積重ねられる。この電磁レンズ2
は試料上にパターン像を描画させるための投影レンズで
あり、スペーサ4により適宜電子ビーム5の振動を制御
して短い焦点位置で結像させるものである。この場合、
各磁極片3間及びスペーサ4とは後述する冷媒が漏れな
いシール状態で密着して積重ねられる。
ースと呼ばれる磁極片3と、レンズギャップのためのス
ペーサ4が所定配列で積重ねられる。この電磁レンズ2
は試料上にパターン像を描画させるための投影レンズで
あり、スペーサ4により適宜電子ビーム5の振動を制御
して短い焦点位置で結像させるものである。この場合、
各磁極片3間及びスペーサ4とは後述する冷媒が漏れな
いシール状態で密着して積重ねられる。
【0020】この複数段の電磁偏向コイル1と電磁レン
ズ2は、ドーナツ筒状のシール筒6に密閉状態で内装さ
れる。シール筒6は、ドーナツ板形状の受板7と筒状の
ビーム通過路8とが一体成形され、ドーナツ板形状の天
板9とOリング10でシールして形成される。この受板
7と天板9により上下から電磁レンズ2を固着している
。
ズ2は、ドーナツ筒状のシール筒6に密閉状態で内装さ
れる。シール筒6は、ドーナツ板形状の受板7と筒状の
ビーム通過路8とが一体成形され、ドーナツ板形状の天
板9とOリング10でシールして形成される。この受板
7と天板9により上下から電磁レンズ2を固着している
。
【0021】また、シール筒6の外部であって、電磁レ
ンズ2の下方の磁極片3内に形成された孔11に供給管
12が設けられる。この供給管12からは、純水,ヘリ
ウムガス,空気等の冷媒13が複数段の電磁偏向コイル
1周囲の空間領域14に強制供給される。一方、天板9
に孔15が形成されており、この孔15に該冷媒13を
排出する排出管16が設けられる。また、空間領域14
で冷媒13が還流するために、複数段の電磁偏向コイル
1と電磁レンズ2とをOリング17により仕切られてい
る。
ンズ2の下方の磁極片3内に形成された孔11に供給管
12が設けられる。この供給管12からは、純水,ヘリ
ウムガス,空気等の冷媒13が複数段の電磁偏向コイル
1周囲の空間領域14に強制供給される。一方、天板9
に孔15が形成されており、この孔15に該冷媒13を
排出する排出管16が設けられる。また、空間領域14
で冷媒13が還流するために、複数段の電磁偏向コイル
1と電磁レンズ2とをOリング17により仕切られてい
る。
【0022】ここで、図2に、本発明の電磁偏向コイル
1の組立斜視図を示す。図2において、電磁偏向コイル
1は、ガラスで等で形成された円筒状の内側ボビン20
の外周にコイルをサドル型形状に巻回した内側コイル2
1a,21bが対向して設けられる。内側コイル21a
,21bは内側ボビン20の外周の円弧方向にコイルが
うず巻状に一層巻回されたもので、電子ビーム5を試料
上X軸方向に偏向させる役割をなす。
1の組立斜視図を示す。図2において、電磁偏向コイル
1は、ガラスで等で形成された円筒状の内側ボビン20
の外周にコイルをサドル型形状に巻回した内側コイル2
1a,21bが対向して設けられる。内側コイル21a
,21bは内側ボビン20の外周の円弧方向にコイルが
うず巻状に一層巻回されたもので、電子ビーム5を試料
上X軸方向に偏向させる役割をなす。
【0023】一方、内側ボビン20をガラス等で形成さ
れた円筒状の外側ボビン22が内包し、該外側ボビン2
2の内周にサドル型形状に巻回した外側コイル23a,
23bが対向して設けられる。外側コイル23a,23
bは外側ボビン22の内周の円弧方向にコイルがうず巻
状に一層巻回されたもので、電子ビーム5を試料上Y軸
方向に偏向させる役割をなす。また、外側コイル23a
,23bは内側ボビン20の内側コイル21a,21b
と空間部を介在させて配置される。なお、各内側コイル
21a,21b及び外側コイル23a,23bの光軸方
向の線部は、図2(B)に示すように、120°の角度
位置でサドル型形状に形成される。
れた円筒状の外側ボビン22が内包し、該外側ボビン2
2の内周にサドル型形状に巻回した外側コイル23a,
23bが対向して設けられる。外側コイル23a,23
bは外側ボビン22の内周の円弧方向にコイルがうず巻
状に一層巻回されたもので、電子ビーム5を試料上Y軸
方向に偏向させる役割をなす。また、外側コイル23a
,23bは内側ボビン20の内側コイル21a,21b
と空間部を介在させて配置される。なお、各内側コイル
21a,21b及び外側コイル23a,23bの光軸方
向の線部は、図2(B)に示すように、120°の角度
位置でサドル型形状に形成される。
【0024】このような電磁偏向コイル1が、図1に示
すように、複数段シリーズに連結される。なお、電磁偏
向コイル1を複数段連結する場合、内側ボビン20を段
数の長さで一体成形し、また、外側ボビン20を当該段
数の長さで一体形成してそれぞれ所定数の内側コイル2
1a,21b及び外側コイル23a,23bを設けても
よい。これにより、コイルの温度上昇があった場合にお
いてもビームのドリフトを最小限に抑えることができる
。
すように、複数段シリーズに連結される。なお、電磁偏
向コイル1を複数段連結する場合、内側ボビン20を段
数の長さで一体成形し、また、外側ボビン20を当該段
数の長さで一体形成してそれぞれ所定数の内側コイル2
1a,21b及び外側コイル23a,23bを設けても
よい。これにより、コイルの温度上昇があった場合にお
いてもビームのドリフトを最小限に抑えることができる
。
【0025】次に、図3に、本発明の冷却を説明するた
めの図を示す。いま、図1に示す供給管12より冷媒1
3が空間領域14内に強制供給されると、該冷媒13は
内側コイル21a(21b)と外側コイル23a(23
b)との間に介在される空間部24内を流通し、図1に
示す排出管16により排出される。すなわち、冷媒13
が内側コイル21a(21b)及び外側コイル23a(
23b)を直接冷却するもので、これにより各ボビン2
0,22に温度差を生じることもなく、またボビン自体
が熱膨張を生じるのを防止することができる。従って、
各ボビン20,22を保持する部品にも熱の伝達を防止
することができる。すなわち、矩形又は任意の形状に成
形された電子ビーム5の像を偏向位置精度を向上させて
試料上に縮小投影することができる。
めの図を示す。いま、図1に示す供給管12より冷媒1
3が空間領域14内に強制供給されると、該冷媒13は
内側コイル21a(21b)と外側コイル23a(23
b)との間に介在される空間部24内を流通し、図1に
示す排出管16により排出される。すなわち、冷媒13
が内側コイル21a(21b)及び外側コイル23a(
23b)を直接冷却するもので、これにより各ボビン2
0,22に温度差を生じることもなく、またボビン自体
が熱膨張を生じるのを防止することができる。従って、
各ボビン20,22を保持する部品にも熱の伝達を防止
することができる。すなわち、矩形又は任意の形状に成
形された電子ビーム5の像を偏向位置精度を向上させて
試料上に縮小投影することができる。
【0026】また、前述と同様に内側及び外側ボビンに
セラミックを用いた場合、それぞれの熱膨張係数は1.
7×10−5,8×10−6であるので主偏向領域を2
mm□とすれば、温度上昇が10℃あった場合、それぞ
れ、0.34μm,0.16μmの位置ずれを主偏向領
域において発生するが、石英ガラスの場合には位置ずれ
を1桁小さく抑えることができる。
セラミックを用いた場合、それぞれの熱膨張係数は1.
7×10−5,8×10−6であるので主偏向領域を2
mm□とすれば、温度上昇が10℃あった場合、それぞ
れ、0.34μm,0.16μmの位置ずれを主偏向領
域において発生するが、石英ガラスの場合には位置ずれ
を1桁小さく抑えることができる。
【0027】なお、電磁レンズ2と複数段の電磁偏向コ
イル1との間を空間にすることにより、電磁レンズ2を
構成する磁極片3をも冷却することができる。これによ
り、長時間にわたり温度を一定に保つことができ、磁極
片3,スペーサ4の熱膨張によるビームの原点ずれを抑
制することができる。
イル1との間を空間にすることにより、電磁レンズ2を
構成する磁極片3をも冷却することができる。これによ
り、長時間にわたり温度を一定に保つことができ、磁極
片3,スペーサ4の熱膨張によるビームの原点ずれを抑
制することができる。
【0028】また、複数段の電磁偏向コイル1と電磁レ
ンズ2はシール筒6により密閉状態であることから、電
子ビーム露光装置を構成する場合に、容易にユニットご
と着脱することが可能となる。これにより、装置に冷却
部を組み込む以前に冷媒の漏れ等を予め検査,調整が可
能となるため、整備性、立ち上げ時の時間短縮が可能で
あり、特に冷媒に純水を用いる場合においては信頼性を
保証することができる。
ンズ2はシール筒6により密閉状態であることから、電
子ビーム露光装置を構成する場合に、容易にユニットご
と着脱することが可能となる。これにより、装置に冷却
部を組み込む以前に冷媒の漏れ等を予め検査,調整が可
能となるため、整備性、立ち上げ時の時間短縮が可能で
あり、特に冷媒に純水を用いる場合においては信頼性を
保証することができる。
【0029】次に、図4に、本発明の具体例を説明する
ための図を示す。図4は、電子ビーム露光装置の全体的
構成を示したものである。図4において、電子ビーム露
光装置30は、電子銃31から照射される電子ビーム5
がアパーチ32を通り、レンズ33,成形偏向器34,
レンズ35及び第1の偏向手段36を介してマスク板3
7のパターンP1 を投写する。パターンP1 の像は
、第2の偏向手段38,レンズ39,ブラッキング電極
40,縮小レンズ42を介して焦点補正手段42に入射
し、補正されたパターンP1 の像が本発明の電磁偏向
コイル1及び電磁レンズ2で構成される投影レンズ43
を通り、支持台44上の試料45に投影され露光される
。 また、46は試料45上を流れる電流を測定する電流値
測定手段である。なお、本電子ビーム露光装置30は、
本発明に係る投影レンズ43以外は一般的な構成であり
、説明を省略する。
ための図を示す。図4は、電子ビーム露光装置の全体的
構成を示したものである。図4において、電子ビーム露
光装置30は、電子銃31から照射される電子ビーム5
がアパーチ32を通り、レンズ33,成形偏向器34,
レンズ35及び第1の偏向手段36を介してマスク板3
7のパターンP1 を投写する。パターンP1 の像は
、第2の偏向手段38,レンズ39,ブラッキング電極
40,縮小レンズ42を介して焦点補正手段42に入射
し、補正されたパターンP1 の像が本発明の電磁偏向
コイル1及び電磁レンズ2で構成される投影レンズ43
を通り、支持台44上の試料45に投影され露光される
。 また、46は試料45上を流れる電流を測定する電流値
測定手段である。なお、本電子ビーム露光装置30は、
本発明に係る投影レンズ43以外は一般的な構成であり
、説明を省略する。
【0030】このような電子ビーム露光装置30は、所
望のパターンP1 を選択しようとする時にはCPU4
9からの指令によりデータメモリ50を介してパターン
制御コントローラー51によりパターンP1 にビーム
を偏向させるための偏向手段36,38を作動させ、同
時にマスク位置制御回路52によりパターンP1 の位
置を制御する。同時にパターンP1を選択するという指
令が演算制御回路53に伝達され、ここでパターンP1
のアドレス#P1 が確認され、そのアドレスにもと
づいてデータ記憶領域TBから#P1 に記憶されてい
る焦点補正量データD1 を呼び出しデジタル−アナロ
グ変換部(DAC/AMP)54を介して焦点補正手段
42に供給され、電子ビーム5の像を補正し、投影レン
ズ43を介して試料(例えばウエハ)45上に露光を行
う。
望のパターンP1 を選択しようとする時にはCPU4
9からの指令によりデータメモリ50を介してパターン
制御コントローラー51によりパターンP1 にビーム
を偏向させるための偏向手段36,38を作動させ、同
時にマスク位置制御回路52によりパターンP1 の位
置を制御する。同時にパターンP1を選択するという指
令が演算制御回路53に伝達され、ここでパターンP1
のアドレス#P1 が確認され、そのアドレスにもと
づいてデータ記憶領域TBから#P1 に記憶されてい
る焦点補正量データD1 を呼び出しデジタル−アナロ
グ変換部(DAC/AMP)54を介して焦点補正手段
42に供給され、電子ビーム5の像を補正し、投影レン
ズ43を介して試料(例えばウエハ)45上に露光を行
う。
【0031】この場合、インターフェース55とシーケ
ンスコントローラ56とを介してCPU49と接続され
た偏角制御回路57を介して、デジタル−アナログ変換
部(DAC/AMP)58が投影レンズ43の電磁偏向
コイル1を制御し、DAC/AMP59が電磁レンズを
制御するものである。
ンスコントローラ56とを介してCPU49と接続され
た偏角制御回路57を介して、デジタル−アナログ変換
部(DAC/AMP)58が投影レンズ43の電磁偏向
コイル1を制御し、DAC/AMP59が電磁レンズを
制御するものである。
【0032】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、高解像度
を実現するための短焦点化した低収差集束偏向系を有し
、高い位置精度を保証し、時間経過に対する安定性が良
く、且つ高いスループットを有する電子ビーム露光装置
を提供することができる。
を実現するための短焦点化した低収差集束偏向系を有し
、高い位置精度を保証し、時間経過に対する安定性が良
く、且つ高いスループットを有する電子ビーム露光装置
を提供することができる。
【図1】本発明の一実施例の構成図である。
【図2】本発明の電磁偏向コイルの組立斜視図である。
【図3】本発明の冷却を説明するための図である。
【図4】本発明の具体例を説明するための図である。
【図5】従来の電子ビーム露光装置の電磁偏向コイルを
説明するための図である。
説明するための図である。
【図6】従来の短焦点化した電磁偏向コイルを説明する
ための図である。
ための図である。
1 電磁偏向コイル
2 電磁レンズ
3 磁極片
5 電子ビーム
6 シール筒
13 冷媒
20 内側ボビン
21a,21b 内側コイル
22 外側ボビン
23a,23b 外側ボコイル
24 空間部
30 電子ビーム露光装置
Claims (1)
- 【請求項1】 電子ビーム(5)を偏向させて試料(
45)上を走査するための電磁偏向コイル(1)を有す
る電子ビーム露光装置において、前記電磁偏向コイル(
1)は、円筒状の内側ホビン(20)の外周に内側コイ
ル(21a,21b)を設けると共に、該内側ボビン(
20)を内包する円筒状の外側ボビン(22)の内周に
、該内側ボビン(20)の該内側コイル(21a,21
b)と所定間隔の空間部(24)を介在させて対向する
外側コイル(23a,23b)を設けて構成され、外部
より所定の冷媒(13)を少なくとも該電磁偏向コイル
(1)の前記内側コイル(21a,21b)と外側コイ
ル(23a,23b)間の空間部(24)を流通させる
ことを特徴とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3127902A JP2899445B2 (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 電子ビーム露光装置 |
US07/874,138 US5264706A (en) | 1991-04-26 | 1992-04-27 | Electron beam exposure system having an electromagnetic deflector configured for efficient cooling |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3127902A JP2899445B2 (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04352414A true JPH04352414A (ja) | 1992-12-07 |
JP2899445B2 JP2899445B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=14971492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3127902A Expired - Fee Related JP2899445B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-05-30 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2899445B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220030316A (ko) * | 2013-11-14 | 2022-03-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 멀티-전극 전자 광학 |
US11705252B2 (en) | 2012-05-14 | 2023-07-18 | Asml Netherlands B.V. | Vacuum chamber arrangement for charged particle beam generator |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP3127902A patent/JP2899445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11705252B2 (en) | 2012-05-14 | 2023-07-18 | Asml Netherlands B.V. | Vacuum chamber arrangement for charged particle beam generator |
US11961627B2 (en) | 2012-05-14 | 2024-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Vacuum chamber arrangement for charged particle beam generator |
KR20220030316A (ko) * | 2013-11-14 | 2022-03-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 멀티-전극 전자 광학 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2899445B2 (ja) | 1999-06-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990302 |
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