JPH0435025A - 半導体基体への電極形成方法 - Google Patents
半導体基体への電極形成方法Info
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- JPH0435025A JPH0435025A JP2143114A JP14311490A JPH0435025A JP H0435025 A JPH0435025 A JP H0435025A JP 2143114 A JP2143114 A JP 2143114A JP 14311490 A JP14311490 A JP 14311490A JP H0435025 A JPH0435025 A JP H0435025A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明(よ オーミック特性のよい半導体基体への電極
形成方法 特に新しいオプトエレクトロニクス材料とし
て期待されるII−VI族化合物からなる半導体基体へ
の電極形成方法に関する。
形成方法 特に新しいオプトエレクトロニクス材料とし
て期待されるII−VI族化合物からなる半導体基体へ
の電極形成方法に関する。
従来の技術
従来 p型II−VI族化合物等の半導体基体へのオー
ミック性電極の形成に関して(よ まずN a OH水
溶液で半導体基体表面をエツチングし 所望の部分にL
iNO3水溶液を塗り付けた後に水素雰囲気中でアニー
ルを施し そして無電解メツキにより金電極を形成する
ものである(例えば ジャーナル オブ エレクトロケ
ミカル ソサエテー:ソリッド ステート ザイエンス
1l14@第10号、1063〜1066ページ、1
967年)。
ミック性電極の形成に関して(よ まずN a OH水
溶液で半導体基体表面をエツチングし 所望の部分にL
iNO3水溶液を塗り付けた後に水素雰囲気中でアニー
ルを施し そして無電解メツキにより金電極を形成する
ものである(例えば ジャーナル オブ エレクトロケ
ミカル ソサエテー:ソリッド ステート ザイエンス
1l14@第10号、1063〜1066ページ、1
967年)。
発明が解決しようとする課題
このような従来の半導体基体への電極形成方法で(上
作業工程が多数かつ複雑である。
作業工程が多数かつ複雑である。
本発明は上記課題を解決するもので、簡単にオーミック
特性のよい半導体基体への電極を形成することを目的と
している。
特性のよい半導体基体への電極を形成することを目的と
している。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するため番へ いわゆるスパ
ッタ法を用いて、半導体基体に高周波(RF)をかCす
、稀ガス原子またはイオンによりスパッタリングを行(
(半導体基体のスパッタエツチングを行う。次に金属タ
ーゲットに高周波をか(す、スパッタリングを行(\
エツチングした部分に金属ターゲットの成分を金属電極
として形成するスパッタ蒸着を行うものである。
ッタ法を用いて、半導体基体に高周波(RF)をかCす
、稀ガス原子またはイオンによりスパッタリングを行(
(半導体基体のスパッタエツチングを行う。次に金属タ
ーゲットに高周波をか(す、スパッタリングを行(\
エツチングした部分に金属ターゲットの成分を金属電極
として形成するスパッタ蒸着を行うものである。
作用
本発明は上記した構成により、スパッタ法による半導体
基体のスパッタエツチングによって、半導体基体の表面
の汚れや酸化層等が除去されるとともにエツチングされ
た半導体基体の部分は表面が荒れているため金属電極材
料と密着しやすl、%さらに金属材料をスパッタリング
で飛翔させ、半導体基体のエッヂング部分に照射させる
た八 スパッタ蒸着した金属材料は半導体基体に強く圧
着する。その結果 半導体基体と金属電極は良好なオー
ミック接触を得ることができる。
基体のスパッタエツチングによって、半導体基体の表面
の汚れや酸化層等が除去されるとともにエツチングされ
た半導体基体の部分は表面が荒れているため金属電極材
料と密着しやすl、%さらに金属材料をスパッタリング
で飛翔させ、半導体基体のエッヂング部分に照射させる
た八 スパッタ蒸着した金属材料は半導体基体に強く圧
着する。その結果 半導体基体と金属電極は良好なオー
ミック接触を得ることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について第1@ 第2図および
第3図を参照しながら説明する。
第3図を参照しながら説明する。
本実施例でζよ 半導体基体の具体例としてまずp型の
セレン化亜鉛(ZnSe)結晶にAu(金)等の金属電
極を形成する場合を取り上げる。
セレン化亜鉛(ZnSe)結晶にAu(金)等の金属電
極を形成する場合を取り上げる。
RFスパッタ装置 DCスパッタ装置またはイオンビー
ムスパッタ装置が適切である力(本実施例ではRFスパ
ッタ装置を用いた 第1図に示すようにZn5e結晶等の半導体基体1をR
Fスパッタ装置のサンプルホルダー2に固定し 金属マ
スク3をのせ、スパッタ装置を真空排気する。装置内を
1xlO−’Torr以下にした後に 装置内にアルゴ
ン(Ar)ガスを導入し ガス圧が8mTo r r程
度になるように調節する。サンプルホルダー2に、高周
波(RF)電極を取り相法 RFパワーを30Wから4
0W入力する。発生したArプラズマ中のArイオンま
たは原子4は金属マスク3に保護されていないZn、S
d結晶等の半導体基体1をスパッタリングする。
ムスパッタ装置が適切である力(本実施例ではRFスパ
ッタ装置を用いた 第1図に示すようにZn5e結晶等の半導体基体1をR
Fスパッタ装置のサンプルホルダー2に固定し 金属マ
スク3をのせ、スパッタ装置を真空排気する。装置内を
1xlO−’Torr以下にした後に 装置内にアルゴ
ン(Ar)ガスを導入し ガス圧が8mTo r r程
度になるように調節する。サンプルホルダー2に、高周
波(RF)電極を取り相法 RFパワーを30Wから4
0W入力する。発生したArプラズマ中のArイオンま
たは原子4は金属マスク3に保護されていないZn、S
d結晶等の半導体基体1をスパッタリングする。
上記スパッタエツチング条件で(よ 半導体基体1は約
100人/minのエツチングレートでエツチングされ
る。本実施例では 10分間゛エツチングを行ったので
、半導体基体1の電極形成部は表面より約1000人エ
ツチングされ九 スパッタエツチング終了後、第2図に示すように半導体
基体1を大気にさらすことなく、Arガス8 m’T
o’r rの状態を保ちつつサンプルホルダー2からR
F電極をはすし 金(Au)ターゲット5にRF電iを
取り付jす、RFパワーを50’W人力する。Arプラ
ズマからのArイオンまたは原子4はAuターゲット5
をスパッタリングする。
100人/minのエツチングレートでエツチングされ
る。本実施例では 10分間゛エツチングを行ったので
、半導体基体1の電極形成部は表面より約1000人エ
ツチングされ九 スパッタエツチング終了後、第2図に示すように半導体
基体1を大気にさらすことなく、Arガス8 m’T
o’r rの状態を保ちつつサンプルホルダー2からR
F電極をはすし 金(Au)ターゲット5にRF電iを
取り付jす、RFパワーを50’W人力する。Arプラ
ズマからのArイオンまたは原子4はAuターゲット5
をスパッタリングする。
前記Auターゲット5より飛び出した金原子6は高速で
半導体基体1に衝突LZnSe結晶半導体基体1に密着
した金等の金属電極7を形成することができた つぎに第3図を用いて電極間の電流−電圧特性を説明す
る。同図におけるaは半導体基体1をスパッタエツチン
グすることなく、フィラメントを用いたいわゆる抵抗加
熱の真空蒸着法でAu等の金属電極を形成した場合の電
流−電圧特性である。
半導体基体1に衝突LZnSe結晶半導体基体1に密着
した金等の金属電極7を形成することができた つぎに第3図を用いて電極間の電流−電圧特性を説明す
る。同図におけるaは半導体基体1をスパッタエツチン
グすることなく、フィラメントを用いたいわゆる抵抗加
熱の真空蒸着法でAu等の金属電極を形成した場合の電
流−電圧特性である。
このAu電極と半導体基体1間では流れる電流は小さく
、また電流は電圧に関して比例関係ではなく、この電極
はオーミック性電極にはなっていなシlしかし 上記の
スパッタエツチングにより1000人エツチングした後
に金を真空蒸着したものでは同図すに示すようにオーミ
ック性接触を示す電流−電圧特性が得られ九 このよう
に半導体基体1をスパッタエツチングした後に電極を形
成することにより抵抗加熱の真空蒸着法でもオーミック
性電極が得られることを発見した つぎに同図Cに示すようにスパッタエツチングを施した
後43’Auのスパッタ蒸着により電極を形成した場合
(よ 電流がよく流れ 同図すの場合に比べてもさらに
接触抵抗の低((特性のよいオーミック性接触の電極を
得ることができtも スパッタ蒸着によりAu等の金
属電極7が半導体基体1に強く圧着したためであると考
えら株 金属電極をスパッタ蒸着することにより特性の
よいオーミッり外電極が得られることを発見しに 本実施例においてはArガスを用いた場合について述べ
た力(半導体基体1と反応することなく表面をエツチン
グすることかできるヘリウム(He)、ネオン(Ne)
、クリプトン(Kr)またはギセノン(Xe)において
も同様の効果があっ通 また電極材料としてもAu以外のIn、Sn等の金属に
も適用できる。また半導体基体1として、II−VI族
化合物米導体基体を用いたデバイスには特に有効である
ことを確言忍しtも 発明の効果 以上の実施例から明らかなように 本発明によれは 半
導体基体をスパッタエツチング後、金属電極を形成して
いるので、簡単な工程で接触抵抗の低し\ オーミック
特性のよい半導体基体への電極を提供できる。
、また電流は電圧に関して比例関係ではなく、この電極
はオーミック性電極にはなっていなシlしかし 上記の
スパッタエツチングにより1000人エツチングした後
に金を真空蒸着したものでは同図すに示すようにオーミ
ック性接触を示す電流−電圧特性が得られ九 このよう
に半導体基体1をスパッタエツチングした後に電極を形
成することにより抵抗加熱の真空蒸着法でもオーミック
性電極が得られることを発見した つぎに同図Cに示すようにスパッタエツチングを施した
後43’Auのスパッタ蒸着により電極を形成した場合
(よ 電流がよく流れ 同図すの場合に比べてもさらに
接触抵抗の低((特性のよいオーミック性接触の電極を
得ることができtも スパッタ蒸着によりAu等の金
属電極7が半導体基体1に強く圧着したためであると考
えら株 金属電極をスパッタ蒸着することにより特性の
よいオーミッり外電極が得られることを発見しに 本実施例においてはArガスを用いた場合について述べ
た力(半導体基体1と反応することなく表面をエツチン
グすることかできるヘリウム(He)、ネオン(Ne)
、クリプトン(Kr)またはギセノン(Xe)において
も同様の効果があっ通 また電極材料としてもAu以外のIn、Sn等の金属に
も適用できる。また半導体基体1として、II−VI族
化合物米導体基体を用いたデバイスには特に有効である
ことを確言忍しtも 発明の効果 以上の実施例から明らかなように 本発明によれは 半
導体基体をスパッタエツチング後、金属電極を形成して
いるので、簡単な工程で接触抵抗の低し\ オーミック
特性のよい半導体基体への電極を提供できる。
第1図は本発明の一実施例の半導体基体への電極形成方
法におけるスバツタエッヂングの様子を示したは 第2
図は第1図のスパッタエツチング後の半導体基体へのス
パッタリングによる電極形■・・・半導体基体 7・・
・金属電籠代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 他1名第 図 (い <(1) +釦 電圧(W)
法におけるスバツタエッヂングの様子を示したは 第2
図は第1図のスパッタエツチング後の半導体基体へのス
パッタリングによる電極形■・・・半導体基体 7・・
・金属電籠代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 他1名第 図 (い <(1) +釦 電圧(W)
Claims (4)
- (1)半導体基体の表面の所望の部分をスパッタエッチ
ングした後にそのエッチングした領域に金属電極を形成
する半導体基体への電極形成方法。 - (2)金属電極を金属ターゲットをスパッタリングする
ことにより形成する請求項1記載の半導体基体への電極
形成方法。 - (3)スパッタリング時のガスとして、ヘリウム(He
)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(
Kr)またはキセノン(Xe)のいずれか一つ以上を用
いる請求項1または2記載の半導体基体への電極形成方
法。 - (4)半導体基体としてII−VI族化合物半導体基体を用
いる請求項1、2または3のいずれかに記載の半導体基
体への電極形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2143114A JPH0435025A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体基体への電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2143114A JPH0435025A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体基体への電極形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0435025A true JPH0435025A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15331241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2143114A Pending JPH0435025A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体基体への電極形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0435025A (ja) |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2143114A patent/JPH0435025A/ja active Pending
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