JPH0435025A - 半導体基体への電極形成方法 - Google Patents
半導体基体への電極形成方法Info
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- JPH0435025A JPH0435025A JP2143114A JP14311490A JPH0435025A JP H0435025 A JPH0435025 A JP H0435025A JP 2143114 A JP2143114 A JP 2143114A JP 14311490 A JP14311490 A JP 14311490A JP H0435025 A JPH0435025 A JP H0435025A
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Landscapes
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ オーミック特性のよい半導体基体への電極
形成方法 特に新しいオプトエレクトロニクス材料とし
て期待されるＩＩ−ＶＩ族化合物からなる半導体基体へ
の電極形成方法に関する。
形成方法 特に新しいオプトエレクトロニクス材料とし
て期待されるＩＩ−ＶＩ族化合物からなる半導体基体へ
の電極形成方法に関する。
従来の技術
従来 ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物等の半導体基体へのオー
ミック性電極の形成に関して（よ まずＮ ａ ＯＨ水
溶液で半導体基体表面をエツチングし 所望の部分にＬ
ｉＮＯ３水溶液を塗り付けた後に水素雰囲気中でアニー
ルを施し そして無電解メツキにより金電極を形成する
ものである（例えば ジャーナル オブ エレクトロケ
ミカル ソサエテー：ソリッド ステート ザイエンス
１ｌ１４＠第１０号、１０６３〜１０６６ページ、１
９６７年）。
ミック性電極の形成に関して（よ まずＮ ａ ＯＨ水
溶液で半導体基体表面をエツチングし 所望の部分にＬ
ｉＮＯ３水溶液を塗り付けた後に水素雰囲気中でアニー
ルを施し そして無電解メツキにより金電極を形成する
ものである（例えば ジャーナル オブ エレクトロケ
ミカル ソサエテー：ソリッド ステート ザイエンス
１ｌ１４＠第１０号、１０６３〜１０６６ページ、１
９６７年）。
発明が解決しようとする課題
このような従来の半導体基体への電極形成方法で（上
作業工程が多数かつ複雑である。
作業工程が多数かつ複雑である。
本発明は上記課題を解決するもので、簡単にオーミック
特性のよい半導体基体への電極を形成することを目的と
している。
特性のよい半導体基体への電極を形成することを目的と
している。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するため番へ いわゆるスパ
ッタ法を用いて、半導体基体に高周波（ＲＦ）をかＣす
、稀ガス原子またはイオンによりスパッタリングを行（
（半導体基体のスパッタエツチングを行う。次に金属タ
ーゲットに高周波をか（す、スパッタリングを行（＼
エツチングした部分に金属ターゲットの成分を金属電極
として形成するスパッタ蒸着を行うものである。
ッタ法を用いて、半導体基体に高周波（ＲＦ）をかＣす
、稀ガス原子またはイオンによりスパッタリングを行（
（半導体基体のスパッタエツチングを行う。次に金属タ
ーゲットに高周波をか（す、スパッタリングを行（＼
エツチングした部分に金属ターゲットの成分を金属電極
として形成するスパッタ蒸着を行うものである。
作用
本発明は上記した構成により、スパッタ法による半導体
基体のスパッタエツチングによって、半導体基体の表面
の汚れや酸化層等が除去されるとともにエツチングされ
た半導体基体の部分は表面が荒れているため金属電極材
料と密着しやすｌ、％さらに金属材料をスパッタリング
で飛翔させ、半導体基体のエッヂング部分に照射させる
た八 スパッタ蒸着した金属材料は半導体基体に強く圧
着する。その結果 半導体基体と金属電極は良好なオー
ミック接触を得ることができる。
基体のスパッタエツチングによって、半導体基体の表面
の汚れや酸化層等が除去されるとともにエツチングされ
た半導体基体の部分は表面が荒れているため金属電極材
料と密着しやすｌ、％さらに金属材料をスパッタリング
で飛翔させ、半導体基体のエッヂング部分に照射させる
た八 スパッタ蒸着した金属材料は半導体基体に強く圧
着する。その結果 半導体基体と金属電極は良好なオー
ミック接触を得ることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について第１＠ 第２図および
第３図を参照しながら説明する。
第３図を参照しながら説明する。
本実施例でζよ 半導体基体の具体例としてまずｐ型の
セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）結晶にＡｕ（金）等の金属電
極を形成する場合を取り上げる。
セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）結晶にＡｕ（金）等の金属電
極を形成する場合を取り上げる。
ＲＦスパッタ装置 ＤＣスパッタ装置またはイオンビー
ムスパッタ装置が適切である力（本実施例ではＲＦスパ
ッタ装置を用いた 第１図に示すようにＺｎ５ｅ結晶等の半導体基体１をＲ
Ｆスパッタ装置のサンプルホルダー２に固定し 金属マ
スク３をのせ、スパッタ装置を真空排気する。装置内を
１ｘｌＯ−’Ｔｏｒｒ以下にした後に 装置内にアルゴ
ン（Ａｒ）ガスを導入し ガス圧が８ｍＴｏ ｒ ｒ程
度になるように調節する。サンプルホルダー２に、高周
波（ＲＦ）電極を取り相法 ＲＦパワーを３０Ｗから４
０Ｗ入力する。発生したＡｒプラズマ中のＡｒイオンま
たは原子４は金属マスク３に保護されていないＺｎ、Ｓ
ｄ結晶等の半導体基体１をスパッタリングする。
ムスパッタ装置が適切である力（本実施例ではＲＦスパ
ッタ装置を用いた 第１図に示すようにＺｎ５ｅ結晶等の半導体基体１をＲ
Ｆスパッタ装置のサンプルホルダー２に固定し 金属マ
スク３をのせ、スパッタ装置を真空排気する。装置内を
１ｘｌＯ−’Ｔｏｒｒ以下にした後に 装置内にアルゴ
ン（Ａｒ）ガスを導入し ガス圧が８ｍＴｏ ｒ ｒ程
度になるように調節する。サンプルホルダー２に、高周
波（ＲＦ）電極を取り相法 ＲＦパワーを３０Ｗから４
０Ｗ入力する。発生したＡｒプラズマ中のＡｒイオンま
たは原子４は金属マスク３に保護されていないＺｎ、Ｓ
ｄ結晶等の半導体基体１をスパッタリングする。
上記スパッタエツチング条件で（よ 半導体基体１は約
１００人／ｍｉｎのエツチングレートでエツチングされ
る。本実施例では １０分間゛エツチングを行ったので
、半導体基体１の電極形成部は表面より約１０００人エ
ツチングされ九 スパッタエツチング終了後、第２図に示すように半導体
基体１を大気にさらすことなく、Ａｒガス８ ｍ’Ｔ
ｏ’ｒ ｒの状態を保ちつつサンプルホルダー２からＲ
Ｆ電極をはすし 金（Ａｕ）ターゲット５にＲＦ電ｉを
取り付ｊす、ＲＦパワーを５０’Ｗ人力する。Ａｒプラ
ズマからのＡｒイオンまたは原子４はＡｕターゲット５
をスパッタリングする。
１００人／ｍｉｎのエツチングレートでエツチングされ
る。本実施例では １０分間゛エツチングを行ったので
、半導体基体１の電極形成部は表面より約１０００人エ
ツチングされ九 スパッタエツチング終了後、第２図に示すように半導体
基体１を大気にさらすことなく、Ａｒガス８ ｍ’Ｔ
ｏ’ｒ ｒの状態を保ちつつサンプルホルダー２からＲ
Ｆ電極をはすし 金（Ａｕ）ターゲット５にＲＦ電ｉを
取り付ｊす、ＲＦパワーを５０’Ｗ人力する。Ａｒプラ
ズマからのＡｒイオンまたは原子４はＡｕターゲット５
をスパッタリングする。
前記Ａｕターゲット５より飛び出した金原子６は高速で
半導体基体１に衝突ＬＺｎＳｅ結晶半導体基体１に密着
した金等の金属電極７を形成することができた つぎに第３図を用いて電極間の電流−電圧特性を説明す
る。同図におけるａは半導体基体１をスパッタエツチン
グすることなく、フィラメントを用いたいわゆる抵抗加
熱の真空蒸着法でＡｕ等の金属電極を形成した場合の電
流−電圧特性である。
半導体基体１に衝突ＬＺｎＳｅ結晶半導体基体１に密着
した金等の金属電極７を形成することができた つぎに第３図を用いて電極間の電流−電圧特性を説明す
る。同図におけるａは半導体基体１をスパッタエツチン
グすることなく、フィラメントを用いたいわゆる抵抗加
熱の真空蒸着法でＡｕ等の金属電極を形成した場合の電
流−電圧特性である。
このＡｕ電極と半導体基体１間では流れる電流は小さく
、また電流は電圧に関して比例関係ではなく、この電極
はオーミック性電極にはなっていなシｌしかし 上記の
スパッタエツチングにより１０００人エツチングした後
に金を真空蒸着したものでは同図すに示すようにオーミ
ック性接触を示す電流−電圧特性が得られ九 このよう
に半導体基体１をスパッタエツチングした後に電極を形
成することにより抵抗加熱の真空蒸着法でもオーミック
性電極が得られることを発見した つぎに同図Ｃに示すようにスパッタエツチングを施した
後４３’Ａｕのスパッタ蒸着により電極を形成した場合
（よ 電流がよく流れ 同図すの場合に比べてもさらに
接触抵抗の低（（特性のよいオーミック性接触の電極を
得ることができｔも スパッタ蒸着によりＡｕ等の金
属電極７が半導体基体１に強く圧着したためであると考
えら株 金属電極をスパッタ蒸着することにより特性の
よいオーミッり外電極が得られることを発見しに 本実施例においてはＡｒガスを用いた場合について述べ
た力（半導体基体１と反応することなく表面をエツチン
グすることかできるヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）
、クリプトン（Ｋｒ）またはギセノン（Ｘｅ）において
も同様の効果があっ通 また電極材料としてもＡｕ以外のＩｎ、Ｓｎ等の金属に
も適用できる。また半導体基体１として、ＩＩ−ＶＩ族
化合物米導体基体を用いたデバイスには特に有効である
ことを確言忍しｔも 発明の効果 以上の実施例から明らかなように 本発明によれは 半
導体基体をスパッタエツチング後、金属電極を形成して
いるので、簡単な工程で接触抵抗の低し＼ オーミック
特性のよい半導体基体への電極を提供できる。
、また電流は電圧に関して比例関係ではなく、この電極
はオーミック性電極にはなっていなシｌしかし 上記の
スパッタエツチングにより１０００人エツチングした後
に金を真空蒸着したものでは同図すに示すようにオーミ
ック性接触を示す電流−電圧特性が得られ九 このよう
に半導体基体１をスパッタエツチングした後に電極を形
成することにより抵抗加熱の真空蒸着法でもオーミック
性電極が得られることを発見した つぎに同図Ｃに示すようにスパッタエツチングを施した
後４３’Ａｕのスパッタ蒸着により電極を形成した場合
（よ 電流がよく流れ 同図すの場合に比べてもさらに
接触抵抗の低（（特性のよいオーミック性接触の電極を
得ることができｔも スパッタ蒸着によりＡｕ等の金
属電極７が半導体基体１に強く圧着したためであると考
えら株 金属電極をスパッタ蒸着することにより特性の
よいオーミッり外電極が得られることを発見しに 本実施例においてはＡｒガスを用いた場合について述べ
た力（半導体基体１と反応することなく表面をエツチン
グすることかできるヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）
、クリプトン（Ｋｒ）またはギセノン（Ｘｅ）において
も同様の効果があっ通 また電極材料としてもＡｕ以外のＩｎ、Ｓｎ等の金属に
も適用できる。また半導体基体１として、ＩＩ−ＶＩ族
化合物米導体基体を用いたデバイスには特に有効である
ことを確言忍しｔも 発明の効果 以上の実施例から明らかなように 本発明によれは 半
導体基体をスパッタエツチング後、金属電極を形成して
いるので、簡単な工程で接触抵抗の低し＼ オーミック
特性のよい半導体基体への電極を提供できる。
第１図は本発明の一実施例の半導体基体への電極形成方
法におけるスバツタエッヂングの様子を示したは 第２
図は第１図のスパッタエツチング後の半導体基体へのス
パッタリングによる電極形■・・・半導体基体 ７・・
・金属電籠代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 他１名第 図 （い ＜（１） ＋釦 電圧（Ｗ）
法におけるスバツタエッヂングの様子を示したは 第２
図は第１図のスパッタエツチング後の半導体基体へのス
パッタリングによる電極形■・・・半導体基体 ７・・
・金属電籠代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 他１名第 図 （い ＜（１） ＋釦 電圧（Ｗ）
Claims (4)
- （１）半導体基体の表面の所望の部分をスパッタエッチ
ングした後にそのエッチングした領域に金属電極を形成
する半導体基体への電極形成方法。 - （２）金属電極を金属ターゲットをスパッタリングする
ことにより形成する請求項１記載の半導体基体への電極
形成方法。 - （３）スパッタリング時のガスとして、ヘリウム（Ｈｅ
）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（
Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）のいずれか一つ以上を用
いる請求項１または２記載の半導体基体への電極形成方
法。 - （４）半導体基体としてII−VI族化合物半導体基体を用
いる請求項１、２または３のいずれかに記載の半導体基
体への電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143114A JPH0435025A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体基体への電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143114A JPH0435025A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体基体への電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435025A true JPH0435025A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15331241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2143114A Pending JPH0435025A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体基体への電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435025A (ja) |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2143114A patent/JPH0435025A/ja active Pending
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