JPH04349314A - リードスイッチ - Google Patents
リードスイッチInfo
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- JPH04349314A JPH04349314A JP12053091A JP12053091A JPH04349314A JP H04349314 A JPH04349314 A JP H04349314A JP 12053091 A JP12053091 A JP 12053091A JP 12053091 A JP12053091 A JP 12053091A JP H04349314 A JPH04349314 A JP H04349314A
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 20
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- Contacts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードスイッチに係わり
、Ｒｈ接点の特性を完全に代替したＲｕ接点を用いたリ
ードスイッチに関する。
、Ｒｈ接点の特性を完全に代替したＲｕ接点を用いたリ
ードスイッチに関する。
【０００２】リードスイッチは、磁性材料からなるリー
ド片と、そのリード片を封入したガラス管からなる。そ
して、リード片の先端近傍は貴金属材料がめっきされて
電気接点となっている。この電気接点となる貴金属には
、電気的、化学的、機械的特性の優れたＲｈが広く用い
られている。
ド片と、そのリード片を封入したガラス管からなる。そ
して、リード片の先端近傍は貴金属材料がめっきされて
電気接点となっている。この電気接点となる貴金属には
、電気的、化学的、機械的特性の優れたＲｈが広く用い
られている。
【０００３】ところで、Ｒｈは非常に高価な金属材料で
あるため、従来からいろいろな金属による代替が進めら
れている。しかし、Ｒｈを代替した接点を使用したリー
ドスイッチは、限定された領域における特性は優れてい
ても、Ｒｈがもつ接点としての負荷領域、特性などの全
てを満たすものはまだない現状である。そうした金属材
料の中で、Ｒｈと同様に貴金属に属するＲｕは、Ｒｈに
比べて桁違いに安価でしかも特性も優れているので、Ｒ
ｈ代替金属として最も可能性の高い材料として注目され
ており、Ｒｕ接点を使用したリードスイッチの実現が望
まれている。
あるため、従来からいろいろな金属による代替が進めら
れている。しかし、Ｒｈを代替した接点を使用したリー
ドスイッチは、限定された領域における特性は優れてい
ても、Ｒｈがもつ接点としての負荷領域、特性などの全
てを満たすものはまだない現状である。そうした金属材
料の中で、Ｒｈと同様に貴金属に属するＲｕは、Ｒｈに
比べて桁違いに安価でしかも特性も優れているので、Ｒ
ｈ代替金属として最も可能性の高い材料として注目され
ており、Ｒｕ接点を使用したリードスイッチの実現が望
まれている。
【０００４】
【従来の技術】図４は従来のリードスイッチに用いられ
るＲｕ接点の一例を示す側断面図である。図において、
１はリード片、３はＲｕ層、４は密着層である。
るＲｕ接点の一例を示す側断面図である。図において、
１はリード片、３はＲｕ層、４は密着層である。
【０００５】リード片１は、例えば、５２アロイ（Ｎｉ
５０〜５２重量％、残Ｆｅ）などの磁性材料からなり、
細い棒の一端部を平板状に潰した小片からなる。このリ
ード片１の平板状の表面には、厚みが ０．５μｍ程度
の例えばＡｕやＰｄなどの密着層４がめっきされている
。
５０〜５２重量％、残Ｆｅ）などの磁性材料からなり、
細い棒の一端部を平板状に潰した小片からなる。このリ
ード片１の平板状の表面には、厚みが ０．５μｍ程度
の例えばＡｕやＰｄなどの密着層４がめっきされている
。
【０００６】Ｒｕ層３は、密着層４の上に純粋なＲｕを
めっきして形成される。ところが、Ｒｕめっき膜は膜応
力が非常に高い。そのため、接点としての特性上から望
ましい例えば５μｍ程度の膜厚をめっきによって安定に
得ることが困難である。
めっきして形成される。ところが、Ｒｕめっき膜は膜応
力が非常に高い。そのため、接点としての特性上から望
ましい例えば５μｍ程度の膜厚をめっきによって安定に
得ることが困難である。
【０００７】そこで、この膜応力を緩和して膜厚をもっ
と厚くするために、例えば、Ｒｕ合金をめっきしたり、
あるいはめっき液中にＲｕＯ２ の微粒子を分散させて
めっきしたりすることも行われている。しかし、こうし
た合金めっきなどによって得られるＲｕ層３は、Ｒｕ本
来の優れた特性を損なったものとなり、めっき工程の管
理の上からも厄介である。
と厚くするために、例えば、Ｒｕ合金をめっきしたり、
あるいはめっき液中にＲｕＯ２ の微粒子を分散させて
めっきしたりすることも行われている。しかし、こうし
た合金めっきなどによって得られるＲｕ層３は、Ｒｕ本
来の優れた特性を損なったものとなり、めっき工程の管
理の上からも厄介である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、純粋なＲ
ｕめっきによって得られるＲｕ層は、膜厚を厚くするこ
とができないので、従来のＲｕ接点は、リードスイッチ
の接点として中重負荷領域で使用すると寿命特性が著し
く劣る。
ｕめっきによって得られるＲｕ層は、膜厚を厚くするこ
とができないので、従来のＲｕ接点は、リードスイッチ
の接点として中重負荷領域で使用すると寿命特性が著し
く劣る。
【０００９】そのため、従来のＲｕ接点を用いたリード
スイッチは、軽負荷領域用として適用するしかなく、Ｒ
ｈ接点に代る接点としては、一部の領域、機能した代替
できなかった。
スイッチは、軽負荷領域用として適用するしかなく、Ｒ
ｈ接点に代る接点としては、一部の領域、機能した代替
できなかった。
【００１０】そこで本発明は、軽中負荷領域のみならず
中重負荷領域においても優れた寿命特性を有し、Ｒｈ接
点を完全に代替できるＲｕ接点を用いたリードスイッチ
を提供することを目的としている。
中重負荷領域においても優れた寿命特性を有し、Ｒｈ接
点を完全に代替できるＲｕ接点を用いたリードスイッチ
を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上で述べた課題は、磁性
材料からなるリード片と、Ｎｉ−Ｃｕ拡散層と、Ｒｕ層
を有し、前記Ｎｉ−Ｃｕ拡散層は、リード片の上に順次
めっきされたＮｉとＣｕを拡散処理して形成されたもの
であり、前記Ｒｕ層は、Ｎｉ−Ｃｕ拡散層の上にＲｕが
めっきされたものであるように構成されたリードスイッ
チによって解決される。
材料からなるリード片と、Ｎｉ−Ｃｕ拡散層と、Ｒｕ層
を有し、前記Ｎｉ−Ｃｕ拡散層は、リード片の上に順次
めっきされたＮｉとＣｕを拡散処理して形成されたもの
であり、前記Ｒｕ層は、Ｎｉ−Ｃｕ拡散層の上にＲｕが
めっきされたものであるように構成されたリードスイッ
チによって解決される。
【００１２】
【作用】純粋なＲｕめっき層からなるＲｕ接点を用いた
リードスイッチは、膜厚を大きくできなかったので寿命
特性がよくなかったが、本発明においては、このＲｕ接
点を中重負荷領域にも適用できるようにしている。
リードスイッチは、膜厚を大きくできなかったので寿命
特性がよくなかったが、本発明においては、このＲｕ接
点を中重負荷領域にも適用できるようにしている。
【００１３】すなわち、磁性材料からなるリード片の上
に直にＲｕ層をめっきするのではなく、Ｎｉ−Ｃｕ拡散
層を介在させるようにしている。そして、そのＮｉ−Ｃ
ｕ拡散層の上にＲｕ層をめっきするようにしている。
に直にＲｕ層をめっきするのではなく、Ｎｉ−Ｃｕ拡散
層を介在させるようにしている。そして、そのＮｉ−Ｃ
ｕ拡散層の上にＲｕ層をめっきするようにしている。
【００１４】ところで、Ｎｉ−Ｃｕ拡散層は、単独でも
リードスイッチの接点として軽中負荷領域に対して耐え
る安価な接点材料である。そして、その拡散層の上にめ
っきするＲｕ層は、重負荷領域に耐える特性改善を行う
ためのものである。
リードスイッチの接点として軽中負荷領域に対して耐え
る安価な接点材料である。そして、その拡散層の上にめ
っきするＲｕ層は、重負荷領域に耐える特性改善を行う
ためのものである。
【００１５】こうして、めっきで安定に得られる膜厚２
μｍ程度の極く薄いＲｕ層であっても、軽中負荷領域か
ら中重負荷領域にまで適用領域を拡大することができる
。
μｍ程度の極く薄いＲｕ層であっても、軽中負荷領域か
ら中重負荷領域にまで適用領域を拡大することができる
。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の一実施例の側断面図、図２は
本発明の他の実施例の側断面図、図３は本発明の実施例
の効果を示す図である。図において、１はリード片、２
はＮｉ−Ｃｕ拡散層、３はＲｕ層、４は密着層である。
本発明の他の実施例の側断面図、図３は本発明の実施例
の効果を示す図である。図において、１はリード片、２
はＮｉ−Ｃｕ拡散層、３はＲｕ層、４は密着層である。
【００１７】実施例：１
図１において、リード片１は、従来どおり例えば５２ア
ロイなどの磁性材料の小片からなり、平板状に潰した部
分が接点となる。このリード片１の表面には、例えば、
膜厚が １．５μｍのＮｉめっきと、膜厚が ２．０μ
ｍのＣｕめっきが施される。Ｎｉ−Ｃｕ拡散層２は、こ
のＮｉとＣｕのめっき層を、例えば、Ｈ２ ガスの還元
雰囲気中で ９００°Ｃ、１５分間の熱処理によって形
成する。Ｒｕ層３は、Ｎｉ−Ｃｕ拡散層２の上に膜厚が
２μｍになるようにめっきして形成する。
ロイなどの磁性材料の小片からなり、平板状に潰した部
分が接点となる。このリード片１の表面には、例えば、
膜厚が １．５μｍのＮｉめっきと、膜厚が ２．０μ
ｍのＣｕめっきが施される。Ｎｉ−Ｃｕ拡散層２は、こ
のＮｉとＣｕのめっき層を、例えば、Ｈ２ ガスの還元
雰囲気中で ９００°Ｃ、１５分間の熱処理によって形
成する。Ｒｕ層３は、Ｎｉ−Ｃｕ拡散層２の上に膜厚が
２μｍになるようにめっきして形成する。
【００１８】こうして、Ｒｕ接点が形成されたリード片
１は、図示してないが不活性ガス雰囲気のガラス管内に
封止すれば本発明になるリードスイッチができあがる。 実施例：２ 図２において、Ｎｉ−Ｃｕ拡散層２の上に、膜厚が ０
．５μｍのＡｕとかＰｄなどをめっきして形成した密着
層４を形成する。そして、その密着層４の上に、膜厚が
２μｍになるようにＲｕをめっきしてＲｕ層３を形成す
る。
１は、図示してないが不活性ガス雰囲気のガラス管内に
封止すれば本発明になるリードスイッチができあがる。 実施例：２ 図２において、Ｎｉ−Ｃｕ拡散層２の上に、膜厚が ０
．５μｍのＡｕとかＰｄなどをめっきして形成した密着
層４を形成する。そして、その密着層４の上に、膜厚が
２μｍになるようにＲｕをめっきしてＲｕ層３を形成す
る。
【００１９】こうして、Ｒｕ接点が形成されたリード片
１は、実施例１と同様にガラス管内に封止すれば本発明
になるもう一つのリードスイッチができあがる。ところ
で、こうして得られた本発明になるリードスイッチの特
性を寿命試験を行って評価した結果は図２に示すとおり
である。本発明になる実施例２に示した試料Ａの他に、
比較するために図４に示した従来のＲｕ接点からなる試
料Ｂと、ＲｕをＲｈに替えた構成の従来のＲｈ接点から
なる試料Ｃを表１に示す。
１は、実施例１と同様にガラス管内に封止すれば本発明
になるもう一つのリードスイッチができあがる。ところ
で、こうして得られた本発明になるリードスイッチの特
性を寿命試験を行って評価した結果は図２に示すとおり
である。本発明になる実施例２に示した試料Ａの他に、
比較するために図４に示した従来のＲｕ接点からなる試
料Ｂと、ＲｕをＲｈに替えた構成の従来のＲｈ接点から
なる試料Ｃを表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】図３の横軸は、ＤＣ １００Ｖで ０．５
Ａの重負荷を掛けながらスイッチング動作させた動作回
数、縦軸は累積故障率を示す。その結果、従来のＲｕ接
点からなる試料Ｂはほゞ １５０万回で故障し始め、従
来のＲｈ接点からなる試料Ｃはほゞ ３００万回の使用
に耐えるのに対して、本発明になるＲｕ接点からなる試
料Ａはほゞ ５００万回に耐えるよい特性を示す。
Ａの重負荷を掛けながらスイッチング動作させた動作回
数、縦軸は累積故障率を示す。その結果、従来のＲｕ接
点からなる試料Ｂはほゞ １５０万回で故障し始め、従
来のＲｈ接点からなる試料Ｃはほゞ ３００万回の使用
に耐えるのに対して、本発明になるＲｕ接点からなる試
料Ａはほゞ ５００万回に耐えるよい特性を示す。
【００２２】なお、本発明になる試料Ａにおいては、Ａ
ｕなどの密着層４をＮｉ−Ｃｕ拡散層２とＲｕ層３の間
に介在させたが、この密着層４を設けなくても図３に示
した寿命特性に有意差がない。
ｕなどの密着層４をＮｉ−Ｃｕ拡散層２とＲｕ層３の間
に介在させたが、この密着層４を設けなくても図３に示
した寿命特性に有意差がない。
【００２３】
【発明の効果】従来のＲｕ接点は、リードスイッチの接
点として軽中負荷領域でしか適用できなかったが、本発
明によれば、軽中負荷領域のみでなく中重負荷領域にお
いても優れた寿命特性示し、適用範囲を拡大することが
できるようになった。
点として軽中負荷領域でしか適用できなかったが、本発
明によれば、軽中負荷領域のみでなく中重負荷領域にお
いても優れた寿命特性示し、適用範囲を拡大することが
できるようになった。
【００２４】その結果、本発明になるＲｕ接点は、非常
に高価なＲｈ接点を代替することができるようになり、
リードスイッチの原価低減による生産性の向上に対して
、本発明は寄与するところが大である。
に高価なＲｈ接点を代替することができるようになり、
リードスイッチの原価低減による生産性の向上に対して
、本発明は寄与するところが大である。
【図１】 本発明の一実施例の側断面図である。
【図２】 本発明の他の実施例の側断面図である。
【図３】 本発明の実施例の効果を示す図である。
【図４】 従来のリードスイッチに用いられるＲｕ接
点の一例を示す側断面図である。
点の一例を示す側断面図である。
１ リード片
２ Ｎｉ−Ｃｕ拡散層
３ Ｒｕ層
４ 密着層
Claims (2)
- 【請求項１】 磁性材料からなるリード片（１） と
、Ｎｉ−Ｃｕ拡散層（２） と、Ｒｕ層（３） を有し
、前記Ｎｉ−Ｃｕ拡散層（２）は、前記リード片（１）
の上に順次めっきされたＮｉとＣｕを拡散処理して形
成されたものであり、前記Ｒｕ層（３） は、前記Ｎｉ
−Ｃｕ拡散層（２） の上にＲｕがめっきされたもので
あることを特徴とするリードスイッチ。 - 【請求項２】 前記Ｒｕ層（３） は、前記Ｎｉ−Ｃ
ｕ拡散層（２） の上にめっきされた密着層（４） を
介してＲｕがめっきされたものである請求項１記載のリ
ードスイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12053091A JPH04349314A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | リードスイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12053091A JPH04349314A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | リードスイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349314A true JPH04349314A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=14788560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12053091A Withdrawn JPH04349314A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | リードスイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04349314A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19930449A1 (de) * | 1999-07-02 | 2001-01-18 | Heraeus Gmbh W C | Palladiumfreier Kontaktwerkstoff |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP12053091A patent/JPH04349314A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19930449A1 (de) * | 1999-07-02 | 2001-01-18 | Heraeus Gmbh W C | Palladiumfreier Kontaktwerkstoff |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |