JPH04349205A - 磁気ヘッド用読出回路 - Google Patents

磁気ヘッド用読出回路

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JPH04349205A
JPH04349205A JP6815491A JP6815491A JPH04349205A JP H04349205 A JPH04349205 A JP H04349205A JP 6815491 A JP6815491 A JP 6815491A JP 6815491 A JP6815491 A JP 6815491A JP H04349205 A JPH04349205 A JP H04349205A
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transistors
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘッド用読出回路に
関し、特に記録時に高電圧を印加される磁気ヘッド用読
出回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、磁気ヘッドを介して磁気媒体に記
録し且つその記録された情報を同一の磁気ヘッドを用い
て読出す装置としては、テープレコーダをはじめ、VT
R,磁気記憶カメラ,コンピュータ用磁気テープや磁気
ディスク等数多くある。これらの装置に使用される磁気
ヘッドは記録時に数V〜数十Vの高い電圧が印加され、
読出時には1mVオーダもしくはそれ以下という微弱な
信号を出力する。そのために、磁気ヘッドに接続される
読出回路は、低雑音回路であるばかりでなく、記録時に
生ずる高電圧で破壊されないこと、及び記録時に上記高
電圧に妨害を与えないことが要求される。
【0003】図6は従来の一例を示す磁気ヘッド用読出
回路図である。図6に示すように、この磁気ヘッド用読
出回路3Aは、読出回路の不具合を説明するためのもの
であるが、記録回路2に接続された磁気ヘッド1に並列
に接続され、その初段はトランジスタQ3,Q4と電流
源I2および負荷抵抗R1,R2からなる回路で構成さ
れる。また、次段回路4はトランジスタQ3,Q4のコ
レクタに接続される。一方、記録回路2の終段はトラン
ジスタQ1,Q2と電流源I1からなる差動増幅器で構
成される。尚、磁気ヘッド1は電源5でバイアスされる
。かかる読出回路3Aにおいて、記録時は差動増幅器を
構成するトランジスタQ1,Q2の出力電流が磁気ヘッ
ド1に印加されるため、磁気ヘッド1のインダクタンス
により微分波形にあたる数V〜数十Vにおよぶ電圧がヘ
ッドの両端に生ずる。しかるに、ヘッドの中点は電源5
に接続されているので、ヘッドの一端は電源5より高く
なり、他端は電源5よりも低くなる。
【0004】かかる読出回路3Aがヘッドに接続されて
いる場合、記録時には電流源I2を零に設定し動作を止
めているにもかかわらず、ヘッドに生ずる数V〜数十V
の電圧がトランジスタQ3のベース・コレクタ間接合と
抵抗R1を介し、あるいはトランジスタQ4のベース・
コレクタ間接合と抵抗R2を介し電源5に至る側路に電
流を流すことになり、記録動作に影響を与えてしまう。
【0005】一方、読出時の動作は、記録回路2の電流
源I1を零にして不動作とし、ヘッド1に生ずる微小電
圧を読出回路3Aの差動トランジスタQ3,Q4で増幅
し次段回路4へ導出している。ここで、トランジスタQ
3,Q4は低雑音トランジスタにする必要がある。また
、それらのベースのバイアス電圧は電源5に等しく、コ
レクタ電圧はそれぞれ抵抗R1,R2を介して電源5よ
り与えられるため、コレクタ・エミタ間電圧VCEはベ
ース・エミッタ間電圧(VBE≒0.7V)より低い0
.2〜0.5V程度に設定される。からるVCEが0.
2〜0.5Vであっても、飽和領域に入らない範囲で増
幅動作は可能である。
【0006】図7は従来の他の例を示す磁気ヘッド用読
出回路図である。図7に示すように、この回路は図6の
不具合を改良したものであり、特に逆流防止ダイオード
D1とレベルシフトダイオードD4,D5および電流源
I3,I4を付加している。この読出回路3Aはヘッド
1に生ずる電圧をレベルシフトダイオードD4,D5を
介して差動トランジスタQ3,Q4へ加へ増幅する回路
であり。また、電流源I3,I4はダイオードD4,D
5にバイアスを与えるものである。
【0007】まず、記録時はヘッド1に数V〜数十Vの
電圧が生ずるが、ダイオードD4,トランジスタQ3の
ベース・コレクタ接合,抵抗R1を介して電源5に至る
側路はダイオードD1が逆バイアとなることにより遮断
されている。また、ダイオードD5,トランジスタQ4
のベース・コレクタ接合,抵抗R2を介して電源5に至
る側路についても同様である。従って、記録時に読出回
路3Aが影響を与えることはなくなる。
【0008】次に、再生時(読出)には、ダイオードD
1があるため、トランジスタQ3,Q4のコレクタバイ
アス電圧が電源5よりも0.7V十抵抗R1又はR2で
の降下分を加えた0.9V〜1.2V程度低い電圧にな
ってしまう。そこで、トランジスタQ3,Q4のベース
バイアス電圧を前述した図6の回路よりもダイオード1
個分(約0.7V)下げるために、ダイオードD4,D
5および電流源I3,I4を設けている。
【0009】図8は従来のまた別の例を示す磁気ヘッド
用読出回路図である。図8に示すように、読出回路3A
は前述した図7の回路にダイオードD2,D3,D6と
トランジスタQ15,Q16と電流源I6,I7とを付
加した回路である。まず、読出時において、ヘッド1か
らの読出電流はダイオードD4,D5および電流源I3
,I4からなるレベルシヘト回路を介しトランジスタQ
3,Q4と電流源I2および抵抗R1,R2からなる差
動増幅器で増幅され、トランジスタQ15,Q16とダ
イオードD2,D3および電流源I6,I7からなるエ
ミッタホロワ回路を経て次段回路4へ導出される。
【0010】一方、記録時において、記録回路2の出力
電流がヘッド1の両端に流れると、そのインダクタンス
により微分された電圧の値は数V〜数十Vに達すること
がある。この電圧は、ヘッド1の中点が電源5に接続さ
れているため、電源5よりも高い電圧になってしまう。 この際、読出回路3Aは動作していないにもかかわらず
、上記の電圧によりダイオードD4,トランジスタQ3
のベース・コレクタ接合,抵抗R1を介して電源5に至
る経路で電流が流れることを防止するため、逆流防止ダ
イオードD1が挿入されている。同様に、ダイオードD
4,トランジスタQ3のベース・コレクタ接合,トラン
ジスタQ15のベース・コレクタ接合,電源5への経路
を断にするため、逆流防止ダイオードD6が挿入されて
いる。更に、ダイオードD4,トランジスタQ3のベー
ス・コレクタ接合,トランジスタQ15のベース・コレ
クタ接合,ダイオードD2を介し次段回路4への経路が
存在するので、仮に次段回路4がNPNトランジスタに
よる差動増幅器やエミッタホロワ回路の場合には、この
NPNトランジスタのベース・コレクタ接合を介し(負
荷があれば、それも介して)電源5へ電流が流れてしま
い、記録時に電圧波形を歪ませることになる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の磁気ヘ
ッド用読出回路は、記録時にヘッドに生ずる高電圧を妨
害するか、あるいは読出時のヘッドに生ずる微小な電圧
がダイオード(D4,D5)を介して増幅されるため、
このダイオードから生ずる雑音(主としてショット雑音
と熱雑音)が加わり、S/N比を悪化させてしまうとい
う欠点がある。また、電流源(I3,I4)は電源(5
)より磁気ヘッドを介して電流が流れるので、これによ
る磁気で記録済の磁気媒体に影響を与えない程度のきわ
めて微小な電流に設定せざるを得ず、このためダイオー
ド(D4,D5)のS/N比を最適にするようなバイア
ス電流を設定できないという欠点がある。更に、従来の
読出回路は次々と最終段まで逆流防止回路(ダイオード
D2,D3)を挿入していく必要があり、素子数の増大
を招き、次段回路の電源電圧利用率を低下させるという
欠点がある。すなわち、次段回路をPNPトランジスタ
で構成するとか、信号ラインに逆流防止ダイオードを挿
入するとかの工夫をする必要があるが、いずれも信号の
周波数特性の劣化等の原因になり、好ましくない。
【0012】本発明の目的は、かかる記録回路への妨害
の防止および差動対トランジスタの持つ最大限のS/N
比の実現と、誤書込等の防止と、次段以降の電源利用率
向上および信号の周波数特性劣化防止とを達成すること
のできる磁気ヘッド用読出回路を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッド用読
出回路は、記録電流により接合を順バイアスにするに十
分な電圧を生ずる磁気ヘッドの中点に電源を接続し且つ
記録回路とともに並列に接続される磁気ヘッド用読出回
路において、前記磁気ヘッドにそれぞれベースを接続し
且つエミッタもしくはコレクタを電流源に接続した差動
対トランジスタと、コレクタもしくはエミッタにそれぞ
れ一端が接続され且つ他端を共通に接続される負荷抵抗
と、前記負荷抵抗の共通接続点および前記電源間に接続
されるPチャネルもしくはNチャネルトランジスタと、
前記PチャネルもしくはNチャネルトランジスタのゲー
トおよび前記電源とは反対のソースもしくはドレイン間
に接続されるインピーダンス手段と、前記Pチャネルも
しくはNチャネルトランジスタのゲートを開放もしくは
接地するための制御を行う制御手段と、前記差動対トラ
ンジスタのコレクタもしくはエミッタから出力を取出す
次段回路とを有して構成される。
【0014】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0015】図1は本発明の第一の実施例を示す磁気ヘ
ッド用読出回路図である。図1に示すように、本実施例
は磁気ヘッド1に対し、最終段がトランジスタQ1,Q
2および電流源I1を有する記録回路2と、差動対トラ
ンジスタQ3,Q4や電流源I2と負荷抵抗R1,R2
およびPチャネルトランジスタQ5,抵抗R3,トラン
ジスタQ6と次段回路4を有する読出回路3とが並列に
接続され、磁気ヘッド1の中点に電源5が接続されてい
る。特に、読出回路3は負荷抵抗R1,R2と電源5の
間にPチャネルトランジスタQ5を設け、さらにそのゲ
ートと負荷抵抗R1,R2の共通接続点に抵抗R3を接
続し且つゲートにはベースが制御されるトランジスタQ
6のコレクタを接続している。
【0016】記録時においては、かかる読出回路3の電
流源I2およびトランジスタQ6のベース電流を零に設
定するが、前述のとおり、ヘッド1に生ずる数V〜数十
Vの電圧によりトランジスタQ3のベース・コレクタ接
合と抵抗R1を介し、もしくはトランジスタQ4のベー
ス・コレクタ接合と抵抗R2を介し、トランジスタQ5
のドレインに電圧を生ずる経路がある。この場合、トラ
ンジスタQ5は抵抗R1,R2に接続される側がソース
、電源5に接続される側がドレインとして動作するが、
トランジスタQ6がオフであり、しかもトランジスタQ
5のゲートが抵抗R3を介してソースに接続されている
ので、ゲート・ソース間は零Vとなり、特にトランジス
タQ5をエンハンス型とすれば、オフの状態になる。す
なわち、磁気ヘッド1に生ずる電圧の側路とはならない
【0017】一方、読出時においては、記録回路2の電
流源I1が零になるので、ヘッド1に生ずる微小電圧を
直接トランジスタQ3,Q4のベースに与えられ、その
結果差動増幅して次段回路4へ導出することができる。 このとき、トランジスタQ6がオンし、トランジスタQ
5のゲートをほぼ接地電位とする。しかるに、トランジ
スタQ5は電源5側がソースンとして動作し、抵抗R1
,R2側がドレインとして動作し、オン状態になる。 そのドレイン電位は電源5より僅か(0.1V程度)に
低い電圧となる。一方、トランジスタQ3,Q4のベー
スバイアス電圧は電源5と等しいが、負荷抵抗R1,R
2の電圧降下を0.4V以下に押えるように設定すれば
、トランジスタQ3,Q4のコレクタ・エミッタ間電圧
を0.2V以上確保することができ、飽和領域に入るこ
となく増幅動作を行わせることができる。
【0018】図2は本発明の第二の実施例を示す磁気ヘ
ッド用読出回路図である。図2に示すように、本実施例
は前述した第一の実施例あるいは図6乃至図8の従来例
と同一の回路および素子には同一の番号および記号を付
し、その説明を省略する。なお、記録回路2についても
省略している。本実施例の読出回路3は、トランジスタ
Q8,Q9および電流源I3,I4からなるエミッタホ
ロワ回路と、トランジスタQ3,Q4と電流源I2およ
び抵抗R1,R2からなる差動増幅回路と、前記エミッ
タホロワ回路に接続されたPチャネルトランジスタQ5
,Q7からなる逆流防止回路と、差動増幅回路に接続さ
れたPチャネルトランジスタQ10,Q11からなる逆
流防止回路と、NチャネルトランジスタQ12,Q6A
からなりトランジスタQ5,Q10,Q11の逆流防止
回路を制御する制御回路と、次段回路4とで構成される
【0019】かかる読出回路3において、記録時にヘッ
ド1に高電圧が発生した場合、トランジスタQ8,Q9
のベース・コレクタ間接合を介した電源5への経路に対
しては、トランジスタQ5,Q7からなる逆流防止回路
が有効に動作する。ここで、トランジスタQ5はトラン
ジスタQ8,Q9側がソースとして、また電源5側がド
レインとして動作する。このトランジスタQ5のゲート
は、トランジスタQ6Aがオフのため、トランジスタQ
12を介して電流が流れることはない。また、トランジ
スタQ8,Q9のコレクタ側が電源5よりやや高くなれ
ば、トランジスタQ7を介してソース・ドレイン間を同
電位とするため、トランジスタQ5はオフとなる。一方
、ヘッド1,トランジスタQ8のベース・エミッタ間接
合,トランジスタQ4のベース・コレクタ間接合,トラ
ンジスタQ11のソース・ドレイン,抵抗R2を介して
電源5に至る経路に対しては、トランジスタQ11がト
ランジスタQ4側をソースとし且つ抵抗R2側をドレイ
ンとして動作するものの、トランジスタQ11のゲート
がトランジスタQ7を介し、そのソースよりもやや高い
トランジスタQ8のコレクタ電位につられてオフとなり
、その経路を遮断している。更に、ヘッド1,トランジ
スタQ9側の経路についても同様である。なお、トラン
ジスタQ12は、そのドレイン側が電源5より高い電圧
になった際にトランジスタQ6Aの耐圧を保護するため
にカスコードに入れたものである。このように、書込時
に読出回路3が妨害を与えることはない。
【0020】読出時には、トランジスタQ6Aがオンし
、またトランジスタQ12を介してトランジスタQ5,
Q10,Q11のゲートをほぼ接地電位にしてこれらす
べてをオンさせるので、通常のエミッタホロワ回路と差
動増幅器として動作する。なお、トランジスタQ7はゲ
ートが電源5につられているため、ソースより高電位と
なりオフになっている。
【0021】本実施例においては、エミッタホロワ回路
が前置されているため、入力インピーダンスの向上やヘ
ッドに流れるバイアス電流の低減を実現できる。ただし
、エミッタホロワ段で生ずるノイズのためにS/N比を
悪化させる場合もあるが、トランジスタQ8,Q9の発
生するノイズが最小になる点に電流源I3,I4を設定
することにより最適化が可能である。すなわち、前述し
た図7の電流源I3,I4の値がヘッドに流れるために
上限があってノイズに対しての最適化ができないことよ
りもはるかに有利である。更に、本実施例におけるトラ
ンジスタQ10およびQ11を抵抗R1,R2の他端、
すなわち電源5側にもってきても同様に実現することが
できる。この場合、書込時にヘッド1からトランジスタ
Q8,Q9の各ベース・エミッタ間、トランジスタQ3
,Q4の各ベース・コレクタ間を介してそれぞれのコレ
クタに生ずる高い電圧が次段回路4で妨害を与えられる
ことのないように注意する必要がある。
【0022】図3は本発明の第三の実施例を示す磁気ヘ
ッド用読出回路図である。図3に示すように、本実施例
は前述した第一の実施例の変形であり、特に図1のPチ
ャネルトランジスタQ5をPNPトランジスタQ5Aに
、またNPNトランジスタQ6を電流源I5に置換した
回路である。その他の構成は同一であるので、以下は記
録時および読出時の動作を説明する。
【0023】記録時においては、電流源I2およびI5
を零に設定するが、前述のとおり、ヘッド1に生ずる数
V〜数十Vの電圧によりトランジスタQ3のベース・コ
レクタ接合と抵抗R1を介し、もしくはトランジスタQ
4のベース・コレクタ接合と抵抗R2を介し、トランジ
スタQ5Aのコレクタに電圧を生ずる経路がある。この
場合、トランジスタQ5Aはエミッタよりコレクタの方
が高い電圧となるため逆トランジスタとしての動作とな
るが、電流源I5が零であり、しかもトランジスタQ5
Aのベース・コレクタ間、すなわち逆トランジスタのエ
ミッタ・ベース間が抵抗R3を介して接続されているこ
とにより、逆トランジスタのベース・エミッタ間が同電
位となってオフの状態になる。すなわち、磁気ヘッド1
に生ずる電圧の側路とはならない。
【0024】一方、読出時においては、記録回路2の電
流源I1が零になるので、ヘッド1に生ずる微小電圧を
直接トランジスタQ3,Q4のベースに与えられ、その
結果差動増幅して次段回路4へ導出することができる。 このとき、電流源I5によりトランジスタQ5Aのベー
ス・エミッタ間に電流が流れ、トランジスタQ5Aは飽
和状態に追いこまれる。このため、トランジスタQ5A
のコレクタ電圧は電源5より僅か(0.1V程度)に低
い電圧となる。一方、トランジスタQ3,Q4のベース
・バイアス電圧は電源5と等しいが、負荷抵抗R1,R
2の電圧降下を0.4V以下に押えるように設定するこ
とにより、トランジスタQ3,Q4のコレクタ・エミッ
タ間電圧を0.2V以上確保することができ、飽和領域
に入ることなく正確に増幅動作を行わせることができる
【0025】図4は本発明の第四の実施例を示す磁気ヘ
ッド用読出回路図である。図4に示すように、本実施例
の読出回路3は、トランジスタQ8,Q9および電流源
I3,I4からなる第一のエミッタホロワ回路と、トラ
ンジスタQ3,Q4と電流源I2および抵抗R1,R2
からなる差動増幅回路と、トランジスタQ15,Q16
とダイオードD2,D3および電流源I6,I7からな
る第二のエミッタホロワ回路と、トランジスタQ5Aお
よび抵抗R3からなり且つ第一のエミッタホロワ回路に
対する逆流防止回路と、ダイオードD1からなり且つ差
動増幅回路に対する逆流防止回路と、トランジスタQ1
3からなり且つ第二のエミッタホロワ回路に対する逆流
防止回路と、トランジスタQ14および電流源I8から
なり且つ前記三つの逆流防止回路を制御する制御回路と
、次段回路4とで構成される。記録時にヘッド1に高電
圧が発生した場合、トランジスタQ8,Q9のベース・
コレクタ間接合を介した電源5への経路に対しては、ト
ランジスタQ5A,抵抗R3および電流源I8(ただし
0)からなる逆流防止回路が有効に動作する。ここで、
トランジスタQ5Aのベースには、抵抗R3を介してコ
レクタ電圧と等しい電圧が印加されている。次に、ヘッ
ド1からトランジスタQ9のベース・エミッタ間接合,
トランジスタQ3のベース・コレクタ間接合,抵抗R1
を介して、もしくはヘッド1からトランジスタQ8のベ
ース・エミッタ間接合,トランジスタQ4のベース・コ
レクタ間接合,抵抗R2を介して電源5に至る経路に対
しては、ダイオードD1が逆流防止機能を果している。 また、トランジスタQ3,Q4のコレクタから抵抗R1
,R2とは別にそれぞれトランジスタQ15,Q16の
ベース・コレクタ間接合を介して電源5に至る経路に対
しては、PNPトランジスタQ13が逆流防止機能に役
立っている。このPNPトランジスタQ13のベースは
、前述したように、抵抗R3を介しヘッド1の高い電圧
より1接合分(0.7V)低い電圧が印加され、一方ト
ランジスタQ13のコレクタは3接合分(2.1V)低
い電圧が印加されることにより、トランジスタQ13は
逆トランジスタとして2接合分だけ逆バイアスとなり、
非導通になっている。更に、PNPトランジスタQ14
も逆トランジスタ動作であるが、逆トランジスタとして
ベース・コレクタ間がショート(0V)であるため、非
導通になっている。従って、記録時に読出回路3が妨害
を与えることはない。
【0026】再生時においては、第一のエミッタホロワ
回路が前置されるため、入力インピーダンスの向上やヘ
ッド1に流れるバイアス電流の低減が実現される。ただ
し、第一のエミッタホロワ段で生ずるノイズのS/N比
を悪化させる場合もあるが、トランジスタQ8,Q9の
発生するノイズが最小になる点に電流源I3,I4を設
定することにより、最適化が可能である。これは、前述
した図7の場合の電流源I3,I4の値がヘッドに流れ
るために上限があり、ノイズに対して最適化ができない
ことよりもはるかに有利である。
【0027】上述した第四の実施例の変形として、第二
のエミッタホロワ回路を構成するトランジスタQ15,
Q16の共通コレクタと電源5間をPNPトランジスタ
Q13でなくダイオードで実現したり、あるいは差動増
幅回路の負荷抵抗R1,R2と電源5間をトランジスタ
Q13と同様のPNPトランジスタで実現することも可
能である。更には、負荷抵抗R1,R2の共通接続点に
ダイオードD1を接続する代りに、トランジスタQ5A
のコレクタに接続することも可能である。あるいは、第
二のエミッタホロワ回路についても同様に、前段もしく
は前々段の逆流防止回路に接続してもよい。
【0028】図5は本発明の第五の実施例を示す磁気ヘ
ッド用読出回路図である。図5に示すように、本実施例
は特に前述した図8を改良したものであり、読出時には
、ダイオードD4,D5および電流源I3,I4からな
る直流レベルシフト回路と、トランジスタQ3,Q4お
よび電流源I2からなる差動増幅器と、カスコード接続
されたトランジスタQ10A,Q11Aおよび負荷抵抗
R1,R2を介して接続され且つトランジスタQ15,
Q16とダイオードD2,D3および電流源I6,I7
からなるエミッタホロワ回路とがヘッド1に接続される
。このときのトランジスタQ3,Q4,Q10A,Q1
1Aの直流バイアスレベルについて考察すると、ヘッド
1の中点が電源5に接続されているため、トランジスタ
Q3,Q4のベースは電源5より約0.7V低く、また
それらのコレクタはトランジスタQ10A,Q11Aの
ベース・エミッタ間電圧(約0.7V)だけ電源5より
低くなっている。従って、トランジスタQ3,Q4のコ
レクタ・エミッタ間電圧は約0.7Vであり、差動増幅
器として動作可能である。一方、トランジスタQ10A
,Q11Aについては、ベースが電源5に接続されてい
るので、コレクタは負荷抵抗R1,R2の電圧降下分だ
け低くなる。この低くなった値を0.1〜0.4V程度
とすれば、コレクタ・エミッタ間電圧を0.3V以上確
保でき、動作可能である。なお、トランジスタQ10A
,Q11Aのベースを電源5でなく、電源5よりわずか
に(0.1〜0.4V程度)低いバイアス電圧源を設け
且つそこに接続することにより、第五の実施例よりも出
力増幅を増やすことができる。
【0029】かかる読出回路3の記録時の動作、すなわ
ちヘッド1に生ずる高電圧に対する動作を述べる。例え
ば、ヘッド1,ダイオードD1,トランジスタQ3のベ
ース・コレクタ間接合,トランジスタQ10Aのエミッ
タ・ベース接合,電源5という経路が考えられるが、ト
ランジスタQ10Aのエミッタ・ベース接合が逆方向に
なっているため、電流が流れることはない。従って、こ
のトランジスタQ10Aが動作しないので、そのコレク
タには高電圧が伝達されない。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気ヘッ
ド用読出回路は記録時にヘッドに生ずる高電圧を妨害す
ることなく、一方再生時には差動対トランジスタへ直接
ヘッドの微弱な出力電圧を供給することができ、しかも
雑音源となるダイオード手段も存在しないか少ないので
、差動対トランジスタの持つ最大限のS/N比を得るこ
とができるという効果がある。また、本発明は再生時の
ヘッドに前記トランジスタのベース電流がわずかに流れ
るのみであるので、電流源、特にI3,I4に比較して
も十分に小さく、誤書込等の原因になることもないとい
う効果がある。更に、本発明は逆流防止ダイオード(D
2,D3)を用いるときでも、一段目だけで済み次段以
降は不用になるので、素子数を低減でき且つ次段の電源
利用率および信号の周波数特性を劣化させずに済むとい
う効果がある。しかも、本発明はトランジスタQ5,Q
6がカスコード接続であるので、トランジスタQ3,Q
4のミラー容量の影響を減じて入力容量を小さくし、周
波数特性を改善できるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例を示す磁気ヘッド用読出
回路図である。
【図2】本発明の第二の実施例を示す磁気ヘッド用読出
回路図である。
【図3】本発明の第三の実施例を示す磁気ヘッド用読出
回路図である。
【図4】本発明の第四の実施例を示す磁気ヘッド用読出
回路図である。
【図5】本発明の第五の実施例を示す磁気ヘッド用読出
回路図である。
【図6】従来の一例を示す磁気ヘッド用読出回路図であ
る。
【図7】従来の他の例を示す磁気ヘッド用読出回路図で
ある。
【図8】従来のまた別の例を示す磁気ヘッド用読出回路
図である。
【符号の説明】
1    磁気ヘッド 2    記録回路 3    読出回路 4    次段回路 5    電源 Q1〜Q16    トランジスタ I1〜I8    電流源 R1〜R3    抵抗 D1〜D5    ダイオード

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  記録電流により接合を順バイアスにす
    るに十分な電圧を生ずる磁気ヘッドの中点に電源を接続
    し且つ記録回路とともに並列に接続される磁気ヘッド用
    読出回路において、前記磁気ヘッドにそれぞれベースを
    接続し且つエミッタもしくはコレクタを電流源に接続し
    た差動対トランジスタと、コレクタもしくはエミッタに
    それぞれ一端が接続され且つ他端を共通に接続される負
    荷抵抗と、前記負荷抵抗の共通接続点および前記電源間
    に接続されるPチャネルもしくはNチャネルトランジス
    タと、前記PチャネルもしくはNチャネルトランジスタ
    のゲートおよび前記電源とは反対のソースもしくはドレ
    イン間に接続されるインピーダンス手段と、前記Pチャ
    ネルもしくはNチャネルトランジスタのゲートを開放も
    しくは接地するための制御を行う制御手段と、前記差動
    対トランジスタのコレクタもしくはエミッタから出力を
    取出す次段回路とを有することを特徴とする磁気ヘッド
    用読出回路。
  2. 【請求項2】  前記差動対トランジスタのベースと前
    記磁気ヘッド間にNPNもしくはPNPトランジスタお
    よび電流源からなるエミッタホロワ回路を挿入し、この
    コレクタもしくはエミッタと前記電源間に前記Pチャネ
    ルもしくはNチャネルトランジスタおよびインピーダン
    ス手段を接続するとともに前記負荷抵抗を前記電源に接
    続し、前記差動対トランジスタに逆流防止手段を接続す
    ることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド用読出回
    路。
  3. 【請求項3】  前記PチャネルもしくはNチャネルト
    ランジスタをPNPもしくはNPNトランジスタで置換
    し且つ前記制御手段を電流源で置換したことを特徴とす
    る請求項1記載の磁気ヘッド用読出回路。
  4. 【請求項4】  前記差動対トランジスタの入力側およ
    び出力側にそれぞれエミッタホロワ回路を挿入し、前記
    差動対トランジスタおよび前記入出力側のエミッタホロ
    ワ回路と前記電源間にそれぞれ逆流防止手段を接続する
    ことを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド用読出回路
  5. 【請求項5】  記録電流により接合を順バイアスにす
    るに十分な電圧を生ずる磁気ヘッドの中点に電源を接続
    し且つ記録回路とともに並列に接続される磁気ヘッド用
    読出回路において、前記磁気ヘッドに接続されたダイオ
    ードおよび電流源からなるレベルシフト回路と、前記レ
    ベルシフト回路にそれぞれベースを接続し且つエミッタ
    もしくはコレクタを電流源に接続した差動対トランジス
    タと、前記電源に接続される負荷抵抗と、前記差動対ト
    ランジスタの出力および前記負荷抵抗間にカスコード接
    続される一対のトランジスタと、前記一対のトランジス
    タのベース電位を前記電源もしくはそれより僅かに低い
    電圧でバイアスするバイアス手段と、前記カスコード接
    続したトランジスタに接続される次段回路とを有するこ
    とを特徴とする磁気ヘッド用読出回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH01292612A (ja) * 1988-05-19 1989-11-24 Rohm Co Ltd 磁気記録再生装置

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