JPH0434888A - 誘導加熱方式 - Google Patents
誘導加熱方式Info
- Publication number
- JPH0434888A JPH0434888A JP2140704A JP14070490A JPH0434888A JP H0434888 A JPH0434888 A JP H0434888A JP 2140704 A JP2140704 A JP 2140704A JP 14070490 A JP14070490 A JP 14070490A JP H0434888 A JPH0434888 A JP H0434888A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- heated
- magnetic field
- heating coils
- induction heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 24
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/25—Process efficiency
Landscapes
- General Induction Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は誘導加熱方式に関し、特に板状の物体を誘導加
熱する誘導加熱方式に関する。
熱する誘導加熱方式に関する。
一般に、誘導加熱法は交流磁界によって被加熱物内に渦
電流を発生させ、その渦電流損による発熱によって被加
熱物を直接加熱できる方法であり、金属、カーボン、ゲ
ルマニウム、溶融ガラスなどを効率良く加熱する方法と
して広く使われている。
電流を発生させ、その渦電流損による発熱によって被加
熱物を直接加熱できる方法であり、金属、カーボン、ゲ
ルマニウム、溶融ガラスなどを効率良く加熱する方法と
して広く使われている。
従来の誘導加熱方式は、棒状や直方体状の被加熱物をソ
レノイド状の加熱コイル中に設置し加熱する方式があっ
た。
レノイド状の加熱コイル中に設置し加熱する方式があっ
た。
従来の誘導加熱方式を第４図を用いて説明する。
第４図において、従来の誘導加熱方式はソレノイド状加
熱コイル１０．１１を用いて、板状の被加熱物１２を効
率良く加熱するために、二つのソレノイド状加熱コイル
１０．１１を近接させ、二つのソレノイド状加熱コイル
１０．１１からの磁束の漏れを減少させることによって
、二つのソレノイド状加熱コイル１０．１１間に比較的
誘導磁界強度の高い空間を形成し、そこに板状の被加熱
物１２を設置して誘導加熱を行っていた。
熱コイル１０．１１を用いて、板状の被加熱物１２を効
率良く加熱するために、二つのソレノイド状加熱コイル
１０．１１を近接させ、二つのソレノイド状加熱コイル
１０．１１からの磁束の漏れを減少させることによって
、二つのソレノイド状加熱コイル１０．１１間に比較的
誘導磁界強度の高い空間を形成し、そこに板状の被加熱
物１２を設置して誘導加熱を行っていた。
上述した従来の誘導加熱方式は、二つのソレノイド状加
熱コイル間に比較的誘導磁界強度の高い空間を形成し、
そこに板状の被加熱物を設置して誘導加熱を行う方式と
なっているので、例えば、大面積ガラス基板上の半導体
層や蒸着金属層、金属板などの板状の物体を誘導加熱し
ようとすると、半導体層や蒸着金属層、金属板中で発生
した熱が、大面積ガラス基板へ伝導によって逃げたり、
半導体層や蒸着金属層、金属板を横方向へ逃げたりする
ために加熱効率が低く、そのために、大容量の電源を使
用する必要があるという欠点や、誘導加熱以外の手段に
よって被加熱物を補助加熱することによって誘導加熱を
促進させる必要があるという欠点がある。
熱コイル間に比較的誘導磁界強度の高い空間を形成し、
そこに板状の被加熱物を設置して誘導加熱を行う方式と
なっているので、例えば、大面積ガラス基板上の半導体
層や蒸着金属層、金属板などの板状の物体を誘導加熱し
ようとすると、半導体層や蒸着金属層、金属板中で発生
した熱が、大面積ガラス基板へ伝導によって逃げたり、
半導体層や蒸着金属層、金属板を横方向へ逃げたりする
ために加熱効率が低く、そのために、大容量の電源を使
用する必要があるという欠点や、誘導加熱以外の手段に
よって被加熱物を補助加熱することによって誘導加熱を
促進させる必要があるという欠点がある。
本発明の誘導加熱方式は、二つの平面状渦巻き加熱コイ
ルを有し、前記二つの平面状渦巻き加熱コイルの渦の中
心が直線上に配置されるように二枚の平行平面上にそれ
ぞれ配置し、さらに前記二つの平面状渦巻き加熱コイル
の渦の中心での誘導磁界の向きが同一となるように直列
接続し、被加熱物を前記二枚の平行平面間に設置して加
熱するか、または、板状の被加熱物を誘導加熱するに際
し、前記板状の被加熱物に近接して少なくとも一層の高
融点金属層を備え、前記高融点金属層を誘導加熱して補
助加熱することにより、前記板状の被加熱物の誘導加熱
を促進させる方法を有している。
ルを有し、前記二つの平面状渦巻き加熱コイルの渦の中
心が直線上に配置されるように二枚の平行平面上にそれ
ぞれ配置し、さらに前記二つの平面状渦巻き加熱コイル
の渦の中心での誘導磁界の向きが同一となるように直列
接続し、被加熱物を前記二枚の平行平面間に設置して加
熱するか、または、板状の被加熱物を誘導加熱するに際
し、前記板状の被加熱物に近接して少なくとも一層の高
融点金属層を備え、前記高融点金属層を誘導加熱して補
助加熱することにより、前記板状の被加熱物の誘導加熱
を促進させる方法を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図である。
第１図において、本第１の実施例は平面状渦巻き加熱コ
イル（以下加熱コイルと記す）１，２と、板状の被加熱
物３とを有して成り、加熱コイル１，２は被加熱物３を
はさむように設置し、さらに加熱コイル１．２の渦の中
心での誘導磁界の向きが同一となゆように直列接続して
いる。すなわち、加熱コイル１．２に印加される電流の
渦の方向が一致するように直列接続している。
イル（以下加熱コイルと記す）１，２と、板状の被加熱
物３とを有して成り、加熱コイル１，２は被加熱物３を
はさむように設置し、さらに加熱コイル１．２の渦の中
心での誘導磁界の向きが同一となゆように直列接続して
いる。すなわち、加熱コイル１．２に印加される電流の
渦の方向が一致するように直列接続している。
次に、本第１の実施例の特性について説明する。
第３図は本第１の実施例で使われた平面状渦巻き加熱コ
イルの中心線ＡＡ上の誘導磁界の強度分布の一例を示す
図である。
イルの中心線ＡＡ上の誘導磁界の強度分布の一例を示す
図である。
第３図において、加熱コイルは、誘導磁界の分布を示す
ための中心線（Ａ−Ａ＞を示し、また、加熱コイルの直
径は数１からｌ０ＣＩＤ程度で、巻数は数ターンから１
０タ一ン程度である。また、二つの渦巻き加熱コイル間
の距離は数龍から歌口である。また、第３図は、中心線
（Ａ−Ａ）に沿った、加熱コイルに垂直な方向の誘導磁
界分布を示している。
ための中心線（Ａ−Ａ＞を示し、また、加熱コイルの直
径は数１からｌ０ＣＩＤ程度で、巻数は数ターンから１
０タ一ン程度である。また、二つの渦巻き加熱コイル間
の距離は数龍から歌口である。また、第３図は、中心線
（Ａ−Ａ）に沿った、加熱コイルに垂直な方向の誘導磁
界分布を示している。
参考に、第５図は、従来の誘導加熱方式で用いられてき
たソレノイド型加熱コイルのＢＢＢ１０誘導磁界分布を
、第３図に倣って示したものである。従来方式のソレノ
イド状加熱コイルでは、第５図に示すように、ソレノイ
ド状加熱コイル内にほぼ−様の強度の誘導磁界を発生さ
せることができる。そこで、従来方式のソレノイド状加
熱コイルの巻数を増やすことによって、比較的大きな体
積空間ではほぼ−様な強度の誘導磁界を発生させること
が可能である。しかし、従来方式のソレノイド状加熱コ
イルでは、巻数を増やしても最大磁界強度を増やすこと
ができない。
たソレノイド型加熱コイルのＢＢＢ１０誘導磁界分布を
、第３図に倣って示したものである。従来方式のソレノ
イド状加熱コイルでは、第５図に示すように、ソレノイ
ド状加熱コイル内にほぼ−様の強度の誘導磁界を発生さ
せることができる。そこで、従来方式のソレノイド状加
熱コイルの巻数を増やすことによって、比較的大きな体
積空間ではほぼ−様な強度の誘導磁界を発生させること
が可能である。しかし、従来方式のソレノイド状加熱コ
イルでは、巻数を増やしても最大磁界強度を増やすこと
ができない。
一方、本第１の実施例の加熱コイル１，２では、第３図
に示されるように中心部で高強度、外周部で低強度の誘
導磁界を作ることができる。
に示されるように中心部で高強度、外周部で低強度の誘
導磁界を作ることができる。
さらに、巻数を増やすことによって、最大磁界強度を増
加させることが可能である。そのために、第４図に示し
た二つのソレノイド型加熱コイル１０．１１を用いた、
従来の誘導加熱方式では不可能であった高磁界強度空間
を、二つの渦巻き状の加熱コイル１．２間のコイルの中
心近傍に形成することができる。
加させることが可能である。そのために、第４図に示し
た二つのソレノイド型加熱コイル１０．１１を用いた、
従来の誘導加熱方式では不可能であった高磁界強度空間
を、二つの渦巻き状の加熱コイル１．２間のコイルの中
心近傍に形成することができる。
この結果、本第１の実施例では、従来の誘導加熱方式に
比較して小容量の電源で加熱することができる０本第１
の実施例では、加熱コイル１，２の中心近傍では、簡単
に短時間に１０００℃以上の高温に金属板を加熱できる
。また、本第１の実施例では、使用した電源に対応した
加熱コイルの形状を例として説明したが、コイルの大き
さや巻数などを変更しても本発明を実施できることは上
記の説明により明らかである。
比較して小容量の電源で加熱することができる０本第１
の実施例では、加熱コイル１，２の中心近傍では、簡単
に短時間に１０００℃以上の高温に金属板を加熱できる
。また、本第１の実施例では、使用した電源に対応した
加熱コイルの形状を例として説明したが、コイルの大き
さや巻数などを変更しても本発明を実施できることは上
記の説明により明らかである。
第２図は本発明の第２の実施例が適用される半導体層の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
第２図において、本第２の実施例はガラス基板４と、気
相成長法（ＣＶＤ）や真空蒸着法で堆積させたシリコン
層５と、ＣＶＤ５ｉＯ□層６と、蒸着法で堆積させたタ
ンタル層７と、低抵抗シリコン基板８とを備えている。
相成長法（ＣＶＤ）や真空蒸着法で堆積させたシリコン
層５と、ＣＶＤ５ｉＯ□層６と、蒸着法で堆積させたタ
ンタル層７と、低抵抗シリコン基板８とを備えている。
低抵抗シリコン基板８が高融点金属層に該当するもので
ある。
ある。
本第２の実施例では、ガラス基板４は厚さがｌ ｍｍ程
度、シリコン層５は厚さが１μｍ程度、ＣＶＤ５ｉ０２
層６が厚さが０．５μｍ程度、タンタル層７は厚さが２
μｍ程度、低抵抗シリコン基板８は厚さが０．５鰭程度
のものを用いている。
度、シリコン層５は厚さが１μｍ程度、ＣＶＤ５ｉ０２
層６が厚さが０．５μｍ程度、タンタル層７は厚さが２
μｍ程度、低抵抗シリコン基板８は厚さが０．５鰭程度
のものを用いている。
第２図において、本第２の実施例ではガラス基板４．シ
リコン層５，５ｉ０２層６．タンタル層７は、一体止さ
れた基板９を構成し、シリコン層５が最終的な被加熱物
である。高融点金属層に該当する低抵抗シリコン基板８
の抵抗値は低いのが望ましいが、本第２の実施例では数
ｍΩ・１程度の抵抗値のシリコン基板を用いている。一
体止された基板９は、第２図のように低抵抗シリコン基
板８と近接させて配置し、誘導磁界中に設置しである。
リコン層５，５ｉ０２層６．タンタル層７は、一体止さ
れた基板９を構成し、シリコン層５が最終的な被加熱物
である。高融点金属層に該当する低抵抗シリコン基板８
の抵抗値は低いのが望ましいが、本第２の実施例では数
ｍΩ・１程度の抵抗値のシリコン基板を用いている。一
体止された基板９は、第２図のように低抵抗シリコン基
板８と近接させて配置し、誘導磁界中に設置しである。
一体止された基板９と低抵抗シリコン基板８とは、密着
させても、数百ミクロンの距離に離しても効率良く誘導
加熱できた。すなわち、低抵抗シリコン基板８からガラ
ス基板４へは、輻射か伝導の少なくともどちらか一方で
熱が伝わるように配置されている。
させても、数百ミクロンの距離に離しても効率良く誘導
加熱できた。すなわち、低抵抗シリコン基板８からガラ
ス基板４へは、輻射か伝導の少なくともどちらか一方で
熱が伝わるように配置されている。
次に、本第２の実施例の誘導加熱の動作について説明す
る。
る。
誘導磁界中に設置された低抵抗シリコン基板８と、一体
止された基板９のタンタル層７はともに抵抗値が低いの
で、その中で効率良く誘導渦電流を発生させられる。尚
、タンタル層７の効果については、本発明者が、絶縁性
基板上に良質の半導体層を形成した基体の製造方法を提
供するために発明した「高周波アニール法」 （昭和６
０年特許願第６０−１６０６９０号）に詳細に述べてい
るが、まずタンタル層７中に選択的に誘導渦電流を発生
させ加熱することにより、近接したシリコン層５を熱伝
導によって加熱する。その結果、シリコン層５中に熱キ
ャリアが発生するから、シリコン層５の抵抗値が下がる
。抵抗値が下がると高周波電波の吸収係数が増加するの
で、吸収エネルギーが増加し、シリコン層５の温度がさ
らに上昇する。温度が上昇するとシリコン層５中のキャ
リア濃度が指数関数的に増加し、抵抗値が下がる。この
ような正帰還がかかってシリコン層５中にエネルギーを
閉じ込めることができ、シリコン層５を選択的に加熱で
きる。
止された基板９のタンタル層７はともに抵抗値が低いの
で、その中で効率良く誘導渦電流を発生させられる。尚
、タンタル層７の効果については、本発明者が、絶縁性
基板上に良質の半導体層を形成した基体の製造方法を提
供するために発明した「高周波アニール法」 （昭和６
０年特許願第６０−１６０６９０号）に詳細に述べてい
るが、まずタンタル層７中に選択的に誘導渦電流を発生
させ加熱することにより、近接したシリコン層５を熱伝
導によって加熱する。その結果、シリコン層５中に熱キ
ャリアが発生するから、シリコン層５の抵抗値が下がる
。抵抗値が下がると高周波電波の吸収係数が増加するの
で、吸収エネルギーが増加し、シリコン層５の温度がさ
らに上昇する。温度が上昇するとシリコン層５中のキャ
リア濃度が指数関数的に増加し、抵抗値が下がる。この
ような正帰還がかかってシリコン層５中にエネルギーを
閉じ込めることができ、シリコン層５を選択的に加熱で
きる。
本第２の実施例では低抵抗シリコン基板８も同時に誘導
加熱し、そこからの熱伝導や輻射によって一体化された
基板９を補助加熱して、誘導加熱を行う。この結果、従
来方式と同じ容量の電源を使用しても、従来方式より数
百度以上高温に加熱することが可能になる。上記の本第
２の実施例では、高融点金属層を低抵抗シリコン基板８
として説明したが、タングステン、モリブデン、タンタ
ルなどを用いても本発明を実施できることは明らかであ
る。
加熱し、そこからの熱伝導や輻射によって一体化された
基板９を補助加熱して、誘導加熱を行う。この結果、従
来方式と同じ容量の電源を使用しても、従来方式より数
百度以上高温に加熱することが可能になる。上記の本第
２の実施例では、高融点金属層を低抵抗シリコン基板８
として説明したが、タングステン、モリブデン、タンタ
ルなどを用いても本発明を実施できることは明らかであ
る。
以上説明したように本発明は、二つの平面状渦巻き加熱
コイルを有し、二つの平面状渦巻き加熱コイルの渦の中
心が直線上に配置されるように、二枚の平行平面上にそ
れぞれ配置し、さらに二つの平面状渦巻き加熱コイルの
渦の中心での誘導磁界の向きが同一となるように直列接
続し、被加熱物を二枚の平行平面間に設置して加熱する
か、または、板状の被加熱物を誘導加熱するに際し、板
状の被加熱物に近接して少なくとも一層の高融点金属層
を備え、高融点金属層を誘導加熱して補助加熱すること
によって板状の被加熱物の誘導加熱を促進させることに
より、従来方式より小容量の電源を用いても効率よく板
状のものを加熱することが可能になるので、従来方式よ
り大面積の板状のものを加熱できる誘導加熱装置の小型
化ができるようになるとともに、低価格で誘導加熱装置
を提供できるという効果がある。
コイルを有し、二つの平面状渦巻き加熱コイルの渦の中
心が直線上に配置されるように、二枚の平行平面上にそ
れぞれ配置し、さらに二つの平面状渦巻き加熱コイルの
渦の中心での誘導磁界の向きが同一となるように直列接
続し、被加熱物を二枚の平行平面間に設置して加熱する
か、または、板状の被加熱物を誘導加熱するに際し、板
状の被加熱物に近接して少なくとも一層の高融点金属層
を備え、高融点金属層を誘導加熱して補助加熱すること
によって板状の被加熱物の誘導加熱を促進させることに
より、従来方式より小容量の電源を用いても効率よく板
状のものを加熱することが可能になるので、従来方式よ
り大面積の板状のものを加熱できる誘導加熱装置の小型
化ができるようになるとともに、低価格で誘導加熱装置
を提供できるという効果がある。
る。
１．２・・・平面状渦巻き加熱コイル、３．１２・・・
板状の被加熱物、４・・・ガラス基板、５・・・シリコ
ン層、６・・・ＣＶＤ５ｉ０２層、７・・・タンタル層
、８・・・低抵抗シリコン基板、９・・・一体止された
基板、１０．１１・・・ソレノイド状加熱コイル。
板状の被加熱物、４・・・ガラス基板、５・・・シリコ
ン層、６・・・ＣＶＤ５ｉ０２層、７・・・タンタル層
、８・・・低抵抗シリコン基板、９・・・一体止された
基板、１０．１１・・・ソレノイド状加熱コイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、二つの平面状渦巻き加熱コイルを有し、前記二つの
平面状渦巻き加熱コイルの渦の中心が直線上に配置され
るように二枚の平行平面上にそれぞれ配置し、さらに前
記二つの平面状渦巻き加熱コイルの渦の中心での誘導磁
界の向きが同一となるように直列接続し、被加熱物を前
記二枚の平行平面間に設置して加熱することを特徴とす
る誘導加熱方式。 ２、板状の被加熱物を誘導加熱するに際し、前記板状の
被加熱物に近接して少なくとも一層の高融点金属層を備
え、前記高融点金属層を誘導加熱して補助加熱すること
により、前記板状の被加熱物の誘導加熱を促進させるこ
とを特徴とする請求項１記載の誘導加熱方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140704A JPH0434888A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 誘導加熱方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140704A JPH0434888A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 誘導加熱方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434888A true JPH0434888A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15274793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2140704A Pending JPH0434888A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 誘導加熱方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0434888A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5416341A (en) * | 1993-02-22 | 1995-05-16 | Nec Corporation | Substrate for a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device from the substrate |
| JP2002343946A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-11-29 | Canon Inc | 半導体膜及びその製造方法 |
| JP2007294207A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Toshio Wakamatsu | 高周波誘導加熱装置および方法 |
| JP2008281287A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Toshio Wakamatsu | 電気式連続湯沸器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5299446A (en) * | 1976-02-17 | 1977-08-20 | Ulvac Corp | High temperature furnace |
| JPS6139479A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | 高周波熱錬株式会社 | 両面加熱コイルの回路構成方法 |
| JPH0282488A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-23 | Fuji Electric Co Ltd | ダイスの誘導加熱装置 |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP2140704A patent/JPH0434888A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5299446A (en) * | 1976-02-17 | 1977-08-20 | Ulvac Corp | High temperature furnace |
| JPS6139479A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | 高周波熱錬株式会社 | 両面加熱コイルの回路構成方法 |
| JPH0282488A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-23 | Fuji Electric Co Ltd | ダイスの誘導加熱装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5416341A (en) * | 1993-02-22 | 1995-05-16 | Nec Corporation | Substrate for a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device from the substrate |
| JP2002343946A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-11-29 | Canon Inc | 半導体膜及びその製造方法 |
| JP2007294207A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Toshio Wakamatsu | 高周波誘導加熱装置および方法 |
| JP2008281287A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Toshio Wakamatsu | 電気式連続湯沸器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9735037B2 (en) | Locally heated multi-zone substrate support | |
| TWI262749B (en) | RF power process apparatus and methods | |
| TW564574B (en) | Method and apparatus for producing uniform process rates | |
| JPS62205619A (ja) | 半導体の加熱方法及びその方法に使用されるサセプタ | |
| US20090020526A1 (en) | Induction device comprising multiple individual coils for induction heating plates | |
| JP7430986B2 (ja) | バイメタル誘導加熱ブランケット | |
| WO2012086268A1 (ja) | 誘導加熱装置および誘導加熱方法 | |
| US2749423A (en) | Device for high-frequency heating | |
| CN104717817A (zh) | 一种用于电感耦合型等离子处理器射频窗口的加热装置 | |
| KR20180066870A (ko) | 인덕션렌지용 발열모듈 및 이를 포함하는 인덕션렌지 | |
| TWI578368B (zh) | The heating element in the inductively coupled plasma etch element and the heating assembly set law | |
| US2810053A (en) | High frequency inductor for small diameter holes | |
| JPH0434888A (ja) | 誘導加熱方式 | |
| US9372241B2 (en) | Multi-directional pin anneal of MR sensors with plasmon heating | |
| US20190182908A1 (en) | Induction heating device | |
| US3510619A (en) | Apparatus for induction heating | |
| Kilic et al. | Strongly coupled outer squircle–inner circular coil architecture for enhanced induction over large areas | |
| JPH11200057A (ja) | 誘導結合型プロセスプラズマ装置 | |
| CN102812778B (zh) | 感应加热装置 | |
| JP6854551B1 (ja) | 半導体用チャック及びプローバ装置 | |
| JP4417660B2 (ja) | 誘導加熱による熱処理方法 | |
| CN103155120A (zh) | 感应加热装置 | |
| JP2012243903A (ja) | 電子部品の半田付け方法及び装置 | |
| TW202135254A (zh) | 等離子處理裝置及其加熱器 | |
| JP3713253B2 (ja) | 電磁加熱用容器 |