JPH04348027A - プラズマエッチング方法及び装置 - Google Patents
プラズマエッチング方法及び装置Info
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- JPH04348027A JPH04348027A JP14970991A JP14970991A JPH04348027A JP H04348027 A JPH04348027 A JP H04348027A JP 14970991 A JP14970991 A JP 14970991A JP 14970991 A JP14970991 A JP 14970991A JP H04348027 A JPH04348027 A JP H04348027A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセスにお
けるプラズマエッチング方法及び装置に関する。
けるプラズマエッチング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来方法及び装置の１例の構成を
示す説明用断面図、図８は従来により得られる電極直径
方向測定位置に対する磁場強度分布の１例を示す説明図
である。図７中、１はエッチングチャンバー、２，３は
エッチングチャンバー１内の対向した２つの上，下電極
板、７，８はエッチングチャンバー１と電極板２，３と
の間にそれぞれ個別に交流電力を供給する交流電源、９
はエッチングチャンバー１外に設けられ相対峙したＮ，
Ｓ極を有する永久磁石で、両電極板２，３間に磁界を供
給する。
示す説明用断面図、図８は従来により得られる電極直径
方向測定位置に対する磁場強度分布の１例を示す説明図
である。図７中、１はエッチングチャンバー、２，３は
エッチングチャンバー１内の対向した２つの上，下電極
板、７，８はエッチングチャンバー１と電極板２，３と
の間にそれぞれ個別に交流電力を供給する交流電源、９
はエッチングチャンバー１外に設けられ相対峙したＮ，
Ｓ極を有する永久磁石で、両電極板２，３間に磁界を供
給する。
【０００３】エッチングチャンバー１内にエッチングガ
スを供給して両電極板２，３間でプラズマ放電させ、下
電極板３上のウェーハ４をプラズマエッチングする。 ５，６はそれぞれエッチングチャンバー１の上，下面に
上，下電極板２，３を絶縁して取付ける絶縁板、１０は
上，下電極板２，３の中心線、１１は永久磁石９の中心
線である。
スを供給して両電極板２，３間でプラズマ放電させ、下
電極板３上のウェーハ４をプラズマエッチングする。 ５，６はそれぞれエッチングチャンバー１の上，下面に
上，下電極板２，３を絶縁して取付ける絶縁板、１０は
上，下電極板２，３の中心線、１１は永久磁石９の中心
線である。
【０００４】この従来例は永久磁石９がチャンバー１の
中心線即ち上，下電極板２，３の中心線１０と，磁石９
の中心線１１とを一致するような位置関係に設置されて
いる。したがって当該磁石９の磁場強度は、図８に示し
たように、上，下両電極板２，３の中心線１０に対して
対称、即ち、下電極板３に載置したウェーハ４の中心線
に対しても対称となる分布をなしている。
中心線即ち上，下電極板２，３の中心線１０と，磁石９
の中心線１１とを一致するような位置関係に設置されて
いる。したがって当該磁石９の磁場強度は、図８に示し
たように、上，下両電極板２，３の中心線１０に対して
対称、即ち、下電極板３に載置したウェーハ４の中心線
に対しても対称となる分布をなしている。
【０００５】また、永久磁石９を用いているため、磁石
９の上下方向の移動のみでは、磁場強度を変化できても
、分布まで変えることは難しい。このような状態の上記
永久磁石設置位置の装置による、磁場強度分布の下で、
エッチングチャンバー１にフッ素原子を含む単独ガス、
例えばＣ２ Ｆ６ ガスなどを導入し、エッチングチャ
ンバー１内のガス圧力を０．５Ｐａ〜９Ｐａの範囲で制
御し、交流電源７および８により、上電極板２および下
電極板３に電力を印加してプラズマを発生せしめ、下電
極板３上に設置してあるウェーハ４、例えば酸化膜圧１
μｍのシリコン酸化膜をエッチングした。
９の上下方向の移動のみでは、磁場強度を変化できても
、分布まで変えることは難しい。このような状態の上記
永久磁石設置位置の装置による、磁場強度分布の下で、
エッチングチャンバー１にフッ素原子を含む単独ガス、
例えばＣ２ Ｆ６ ガスなどを導入し、エッチングチャ
ンバー１内のガス圧力を０．５Ｐａ〜９Ｐａの範囲で制
御し、交流電源７および８により、上電極板２および下
電極板３に電力を印加してプラズマを発生せしめ、下電
極板３上に設置してあるウェーハ４、例えば酸化膜圧１
μｍのシリコン酸化膜をエッチングした。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この時のエッチレート
のウェーハ面内分布を測定すると、ウェーハ中心部のエ
ッチレートが早く、周辺部のエッチレートが遅い分布と
なっている。このように当該永久磁石位置での装置によ
る磁場強度分布ではウェーハ面内のエッチレート均一性
を±１０％以下にするのは困難であった。
のウェーハ面内分布を測定すると、ウェーハ中心部のエ
ッチレートが早く、周辺部のエッチレートが遅い分布と
なっている。このように当該永久磁石位置での装置によ
る磁場強度分布ではウェーハ面内のエッチレート均一性
を±１０％以下にするのは困難であった。
【０００７】本発明の目的はウェーハ面内のエッチング
速度のバラツキが小さく、かつ素子損傷の少ないプラズ
マエッチング方法及び装置を提供することにある。
速度のバラツキが小さく、かつ素子損傷の少ないプラズ
マエッチング方法及び装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明方法は上記の課題
を解決し上記の目的を達成するため図１に示すようにエ
ッチングチャンバー１内の対向した２つの電極板２，３
に、それぞれ個別に交流電力を供給し、かつ相対峙した
Ｎ，Ｓ極を有する磁石９で形成される磁界を，エッチン
グチャンバー１外から両電極板２，３間に供給すると共
にエッチングチャンバー１内にエッチングガスを供給し
て放電させ、ウェーハ４をプラズマエッチングするプラ
ズマエッチング方法において、前記磁石９により前記電
極板２，３の直径内において極大、極小の点を持たない
一方向の勾配を有する磁場強度分布を得るようにするこ
とを特徴とする。
を解決し上記の目的を達成するため図１に示すようにエ
ッチングチャンバー１内の対向した２つの電極板２，３
に、それぞれ個別に交流電力を供給し、かつ相対峙した
Ｎ，Ｓ極を有する磁石９で形成される磁界を，エッチン
グチャンバー１外から両電極板２，３間に供給すると共
にエッチングチャンバー１内にエッチングガスを供給し
て放電させ、ウェーハ４をプラズマエッチングするプラ
ズマエッチング方法において、前記磁石９により前記電
極板２，３の直径内において極大、極小の点を持たない
一方向の勾配を有する磁場強度分布を得るようにするこ
とを特徴とする。
【０００９】本発明装置は同じ課題を解決し同じ目的を
達成するため図１に示すようにエッチングチャンバー１
と、その内部の対向した２つの電極２，３との間に、そ
れぞれ個別に交流電力を供給する交流電源７，８を接続
し、かつエッチングチャンバー１外には、両電極板２，
３間に磁界を供給する、相対峙したＮ，Ｓ極を有する磁
石９を設けると共にエッチングチャンバー１内にエッチ
ングガスを供給して放電させ、ウェーハ４をプラズマエ
ッチングするプラズマエッチング装置において、前記電
極板２，３の直径内で極大、極小の点を持たない一方向
の勾配を有する磁場強度分布を得るべく磁石９を配設し
てなる。
達成するため図１に示すようにエッチングチャンバー１
と、その内部の対向した２つの電極２，３との間に、そ
れぞれ個別に交流電力を供給する交流電源７，８を接続
し、かつエッチングチャンバー１外には、両電極板２，
３間に磁界を供給する、相対峙したＮ，Ｓ極を有する磁
石９を設けると共にエッチングチャンバー１内にエッチ
ングガスを供給して放電させ、ウェーハ４をプラズマエ
ッチングするプラズマエッチング装置において、前記電
極板２，３の直径内で極大、極小の点を持たない一方向
の勾配を有する磁場強度分布を得るべく磁石９を配設し
てなる。
【００１０】
【作 用】エッチングチャンバー１と、その内部の対
向した２つの電極板２，３との間に、それぞれ別個に交
流電源７，８により交流電力が供給され、かつ両電極板
２，３間に、相対峙するＮ，Ｓ極を有する磁石９により
両電極板２，３の直径内において極大，極小の点を持た
ない一方向の勾配を有する磁場強度分布が得られると共
にエッチングチャンバー１内にエッチングガスが供給さ
れて両電極板２，３間にプラズマ放電が起こり、ウェー
ハ４はプラズマエッチングされることになる。
向した２つの電極板２，３との間に、それぞれ別個に交
流電源７，８により交流電力が供給され、かつ両電極板
２，３間に、相対峙するＮ，Ｓ極を有する磁石９により
両電極板２，３の直径内において極大，極小の点を持た
ない一方向の勾配を有する磁場強度分布が得られると共
にエッチングチャンバー１内にエッチングガスが供給さ
れて両電極板２，３間にプラズマ放電が起こり、ウェー
ハ４はプラズマエッチングされることになる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明方法及び装置の第１実施例の構
成を示す説明用断面図、図２は第１実施例により得られ
る電極直径方向測定位置に対する磁場強度分布の１例を
示す説明図、図３は同じくウェーハ直径方向測定位置に
対するエッチレートのウェーハ面内分布の１例を示す説
明図である。
成を示す説明用断面図、図２は第１実施例により得られ
る電極直径方向測定位置に対する磁場強度分布の１例を
示す説明図、図３は同じくウェーハ直径方向測定位置に
対するエッチレートのウェーハ面内分布の１例を示す説
明図である。
【００１２】図１中、１はエッチングチャンバー、２，
３はエッチングチャンバー１内の対向した２つの上，下
電極板、７，８はエッチングチャンバー１と電極板２，
３との間にそれぞれ個別に交流電力を供給する交流電源
、９はエッチングチャンバー１外に設けられ相対峙した
Ｎ，Ｓ極を有する永久磁石で、両電極板２，３間に磁界
を供給する。エッチングチャンバー１内にエッチングガ
スを供給して両電極板２，３間でプラズマ放電させ、下
電極板３上のウェーハ４をプラズマエッチングする。 ５，６はそれぞれエッチングチャンバー１の上，下面に
上，下電極板２，３を絶縁して取付ける絶縁板、１０は
上，下電極板２，３の中心線、１１は永久磁石９の中心
線である。
３はエッチングチャンバー１内の対向した２つの上，下
電極板、７，８はエッチングチャンバー１と電極板２，
３との間にそれぞれ個別に交流電力を供給する交流電源
、９はエッチングチャンバー１外に設けられ相対峙した
Ｎ，Ｓ極を有する永久磁石で、両電極板２，３間に磁界
を供給する。エッチングチャンバー１内にエッチングガ
スを供給して両電極板２，３間でプラズマ放電させ、下
電極板３上のウェーハ４をプラズマエッチングする。 ５，６はそれぞれエッチングチャンバー１の上，下面に
上，下電極板２，３を絶縁して取付ける絶縁板、１０は
上，下電極板２，３の中心線、１１は永久磁石９の中心
線である。
【００１３】第１実施例は、上記構成のプラズマエッチ
ング装置において、上，下電極板２，３の直径内で極大
，極小の点を持たない一方向の勾配を有する磁場強度分
布を得るのに永久磁石９の中心線１１を上，下電極板２
，３の中心線１０より偏心した位置に永久磁石９を設置
した構成になっている。
ング装置において、上，下電極板２，３の直径内で極大
，極小の点を持たない一方向の勾配を有する磁場強度分
布を得るのに永久磁石９の中心線１１を上，下電極板２
，３の中心線１０より偏心した位置に永久磁石９を設置
した構成になっている。
【００１４】上記構成の第１実施例において、エッチン
グチャンバー１と、その内部の対向した２つの上，下電
極板２，３との間に、それぞれ別個に交流電源７，８に
より交流電力が供給され、かつ両電極板２，３間に、相
対峙するＮ，Ｓ極を有する永久磁石９により両電極板２
，３の直径内において極大，極小の点を持たない一方向
の勾配を有する磁場強度分布が得られると共にエッチン
グチャンバー１内にエッチングガスが供給されて両電極
板２，３間にプラズマ放電が起こり、ウェーハ４はプラ
ズマエッチングされることになる。
グチャンバー１と、その内部の対向した２つの上，下電
極板２，３との間に、それぞれ別個に交流電源７，８に
より交流電力が供給され、かつ両電極板２，３間に、相
対峙するＮ，Ｓ極を有する永久磁石９により両電極板２
，３の直径内において極大，極小の点を持たない一方向
の勾配を有する磁場強度分布が得られると共にエッチン
グチャンバー１内にエッチングガスが供給されて両電極
板２，３間にプラズマ放電が起こり、ウェーハ４はプラ
ズマエッチングされることになる。
【００１５】永久磁石９の中心線１１を上，下電極板２
，３の中心線１０から偏心した位置に永久磁石９を設置
した場合、永久磁石９により得られる磁場強度は図２に
示したように上，下電極板２，３および下電極板３に載
置したウェーハ４に対し、極大，極小の点を持たない一
方向の勾配を持った分布を与える。上記永久磁石設置位
置の装置のもとで、エッチングチャンバー１にエッチン
グガスとしてＣ２ Ｆ６ ガス３０ｓｃｃＭを導入し、
エッチングチャンバー１内のガス圧力を０．８Ｐａに設
定する。
，３の中心線１０から偏心した位置に永久磁石９を設置
した場合、永久磁石９により得られる磁場強度は図２に
示したように上，下電極板２，３および下電極板３に載
置したウェーハ４に対し、極大，極小の点を持たない一
方向の勾配を持った分布を与える。上記永久磁石設置位
置の装置のもとで、エッチングチャンバー１にエッチン
グガスとしてＣ２ Ｆ６ ガス３０ｓｃｃＭを導入し、
エッチングチャンバー１内のガス圧力を０．８Ｐａに設
定する。
【００１６】又、交流電源７および８として，１３．５
６ＭＨｚの高周波電源を用い，上電極板２に７００Ｗ，
下電極板３に９００Ｗの高周波電力を供給し、Ｃ２ Ｆ
６ ガスのプラズマを発生せしめ、下電極板３に載置し
てある酸化膜圧１μｍ，直径１５０ｍｍのシリコン酸化
膜のウェーハ４をエッチングした。なお、永久磁石９を
ウェーハ４の上方１７５ｍｍの位置に偏心して設置した
場合下電極板内の磁場強度は５５ガウスから４５ガウス
であり、０．５ガウス／ｃｍの一方向への勾配を与えて
いる。
６ＭＨｚの高周波電源を用い，上電極板２に７００Ｗ，
下電極板３に９００Ｗの高周波電力を供給し、Ｃ２ Ｆ
６ ガスのプラズマを発生せしめ、下電極板３に載置し
てある酸化膜圧１μｍ，直径１５０ｍｍのシリコン酸化
膜のウェーハ４をエッチングした。なお、永久磁石９を
ウェーハ４の上方１７５ｍｍの位置に偏心して設置した
場合下電極板内の磁場強度は５５ガウスから４５ガウス
であり、０．５ガウス／ｃｍの一方向への勾配を与えて
いる。
【００１７】図３は第１実施例を用い、以上述べた方法
でシリコン酸化膜をエッチングした時のエッチレートの
ウェーハ面内分布を、光学的に測定して得られた測定結
果を示したものである。横軸にウェーハ面内直径方向の
測定点を示しこれに対し縦軸にエッチレートをプロット
して示してあり、エッチレートは横軸に対して平行とな
り、従来に比べてエッチレートの均一性が良いことを示
している。
でシリコン酸化膜をエッチングした時のエッチレートの
ウェーハ面内分布を、光学的に測定して得られた測定結
果を示したものである。横軸にウェーハ面内直径方向の
測定点を示しこれに対し縦軸にエッチレートをプロット
して示してあり、エッチレートは横軸に対して平行とな
り、従来に比べてエッチレートの均一性が良いことを示
している。
【００１８】この時のエッチレートは３５０ｎｍ／ｍｉ
ｎで、エッチレートの均一性は±５％を得ている。同様
のことがフッ素原子を含むガス及び他のガスとの混合ガ
スでホトレジストについても得られる。また、塩素原子
を含むガス及び他のガスとの混合ガスでアルミ合金また
はホトレジストをエッチングした場合も同様である。
ｎで、エッチレートの均一性は±５％を得ている。同様
のことがフッ素原子を含むガス及び他のガスとの混合ガ
スでホトレジストについても得られる。また、塩素原子
を含むガス及び他のガスとの混合ガスでアルミ合金また
はホトレジストをエッチングした場合も同様である。
【００１９】図４は第２実施例の構成を示す説明用断面
図である。この第２実施例は永久磁石９の中心線１１と
電極板２，３との中心線１０を一致させた状態で、磁石
９の中心線１１を電極板２，３の中心線１０に対して角
度を持たせ、即ち、電極板２，３面に対して磁石９を傾
斜させることにより、前記磁場強度分布の勾配を与える
例である。
図である。この第２実施例は永久磁石９の中心線１１と
電極板２，３との中心線１０を一致させた状態で、磁石
９の中心線１１を電極板２，３の中心線１０に対して角
度を持たせ、即ち、電極板２，３面に対して磁石９を傾
斜させることにより、前記磁場強度分布の勾配を与える
例である。
【００２０】図５は第３実施例の構成を示す説明用断面
図である。この第３実施例は永久磁石９の中心線１１と
電極板２，３との中心線１０を一致させた状態で、Ｎ極
またはＳ極に、磁性体材料１２を固定することにより前
記磁場強度分布の勾配を与える例である。
図である。この第３実施例は永久磁石９の中心線１１と
電極板２，３との中心線１０を一致させた状態で、Ｎ極
またはＳ極に、磁性体材料１２を固定することにより前
記磁場強度分布の勾配を与える例である。
【００２１】図６は第４実施例の構成を示す説明用断面
図である。この第４実施例は、永久磁石９の中心線１１
と電極板２，３との中心線１０を一致させた状態で、エ
ッチングチャンバー１の周辺に磁性体材料１２を取付け
ることにより、前記磁場強度分布の勾配を与える例であ
る。
図である。この第４実施例は、永久磁石９の中心線１１
と電極板２，３との中心線１０を一致させた状態で、エ
ッチングチャンバー１の周辺に磁性体材料１２を取付け
ることにより、前記磁場強度分布の勾配を与える例であ
る。
【００２２】以上、第１実施例では、すでに述べたが、
第２〜第４実施例による装置を用い、エッチングガスＣ
２ Ｆ６ ３０ｃｃ／ｍｉｎ〜１２０ｃｃ／ｍｉｎ，エ
ッチングチャンバー１内ガス圧力０．５Ｐａ〜１０Ｐａ
，上，下電極板２，３への印加高周波電力２５０Ｗ〜１
０００Ｗ，上，下電極板２，３の間隔２０ｍｍ〜５０ｍ
ｍ，ウェーハ４が載置されている下電極板３上での磁場
強度４０ガウス〜１１０ガウス，下電極板３上での磁場
強度勾配０．５ガウス／ｃｍ〜１．３ガウス／ｃｍ，高
周波上，下電極板２，３間での位相差−１６０度〜＋１
７０度のプロセス条件の範囲で、前記シリコン酸化膜を
エッチングした。
第２〜第４実施例による装置を用い、エッチングガスＣ
２ Ｆ６ ３０ｃｃ／ｍｉｎ〜１２０ｃｃ／ｍｉｎ，エ
ッチングチャンバー１内ガス圧力０．５Ｐａ〜１０Ｐａ
，上，下電極板２，３への印加高周波電力２５０Ｗ〜１
０００Ｗ，上，下電極板２，３の間隔２０ｍｍ〜５０ｍ
ｍ，ウェーハ４が載置されている下電極板３上での磁場
強度４０ガウス〜１１０ガウス，下電極板３上での磁場
強度勾配０．５ガウス／ｃｍ〜１．３ガウス／ｃｍ，高
周波上，下電極板２，３間での位相差−１６０度〜＋１
７０度のプロセス条件の範囲で、前記シリコン酸化膜を
エッチングした。
【００２３】プロセス条件によって最適条件は、それぞ
れ変化するが、第２〜第４実施例においても同様な結果
が得られている。また、フッ素原子を含むガス及び他の
ガスとの混合ガスを用いた場合、ホトレジストについて
も同様であり、塩素原子を含むガス及び他のガスとの混
合ガスでアルミ合金または、ホトレジストについても同
様である。
れ変化するが、第２〜第４実施例においても同様な結果
が得られている。また、フッ素原子を含むガス及び他の
ガスとの混合ガスを用いた場合、ホトレジストについて
も同様であり、塩素原子を含むガス及び他のガスとの混
合ガスでアルミ合金または、ホトレジストについても同
様である。
【００２４】以上のように、磁場強度が上，下電極板２
，３および，下電極板３に載置したウェーハ４に対し、
極大，極小を持たない一方向の勾配を持つことにより、
上記ガス流量，ガス圧力等，プロセス条件の適正化と相
まってプラズマの分布をエッチングに対して良くする作
用がある。なお、磁石９が電極下向に配置してある場合
も同様である。
，３および，下電極板３に載置したウェーハ４に対し、
極大，極小を持たない一方向の勾配を持つことにより、
上記ガス流量，ガス圧力等，プロセス条件の適正化と相
まってプラズマの分布をエッチングに対して良くする作
用がある。なお、磁石９が電極下向に配置してある場合
も同様である。
【００２５】
【発明の効果】以上詳細に説明したことから明らかなよ
うに本発明によれば磁石を用いたプラズマエッチング方
法及び装置において、その磁場強度を電極板および電極
板上に載置した、ウェーハ４に対し極大，極小を持たな
い一方向の勾配分布を持たせることはガス圧力，電極板
間隔，位相差，電力，磁場強度，ガス流量などの該プロ
セス条件と相まって、プラズマの分布がエッチングに対
して良くなりその結果、エッチレート均一性を従来の２
倍以上向上させることができる。
うに本発明によれば磁石を用いたプラズマエッチング方
法及び装置において、その磁場強度を電極板および電極
板上に載置した、ウェーハ４に対し極大，極小を持たな
い一方向の勾配分布を持たせることはガス圧力，電極板
間隔，位相差，電力，磁場強度，ガス流量などの該プロ
セス条件と相まって、プラズマの分布がエッチングに対
して良くなりその結果、エッチレート均一性を従来の２
倍以上向上させることができる。
【図１】本発明方法及び装置の第１実施例の構成を示す
説明用断面図である。
説明用断面図である。
【図２】第１実施例により得られる電極直径方向測定位
置に対する磁場強度分布の１例を示す説明図である。
置に対する磁場強度分布の１例を示す説明図である。
【図３】同じくウェーハ直径方向測定位置に対するエッ
チレートのウェーハ面内分布の１例を示す説明図である
。
チレートのウェーハ面内分布の１例を示す説明図である
。
【図４】第２実施例の構成を示す説明用断面図である。
【図５】第３実施例の構成を示す説明用断面図である。
【図６】第４実施例の構成を示す説明用断面図である。
【図７】従来方法及び装置の１例の構成を示す説明用断
面図である。
面図である。
【図８】従来により得られる電極直径方向測定位置に対
する磁場強度分布の１例を示す説明図である。
する磁場強度分布の１例を示す説明図である。
１ エッチングチャンバー
２ （上）電極板
３ （下）電極板
４ ウェーハ
７ （上部）交流電源
８ （下部）交流電源
９ （永久）磁石
１０ 中心線
１１ 中心線
１２ 磁性体材料
Claims (7)
- 【請求項１】 エッチングチャンバー（１）内の対向
した２つの電極板（２，３）に、それぞれ個別に交流電
力を供給し、かつ相対峙した（Ｎ，Ｓ）極を有する磁石
（９）で形成される磁界を，エッチングチャンバー（１
）外から両電極板（２，３）間に供給すると共にエッチ
ングチャンバー（１）内にエッチングガスを供給して放
電させ、ウェーハ（４）をプラズマエッチングするプラ
ズマエッチング方法において、前記磁石（９）により前
記電極板（２，３）の直径内において極大、極小の点を
持たない一方向の勾配を有する磁場強度分布を得るよう
にすることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 【請求項２】 エッチングガスはフッ素原子を含む単
独ガス又は該ガスと２種類以上の他のガスとの混合ガス
、又は塩素原子を含む単独ガス又は該ガスと２種類以上
の他のガスとの混合ガスを供給することを特徴とする請
求項１のプラズマエッチング方法。 - 【請求項３】 エッチングチャンバー（１）と、その
内部の対向した２つの電極板（２，３）との間に、それ
ぞれ個別に交流電力を供給する交流電源（７，８）を接
続し、かつエッチングチャンバー（１）外には、両電極
板（２，３）間に磁界を供給する、相対峙した（Ｎ，Ｓ
）極を有する磁石（９）を設けると共にエッチングチャ
ンバー（１）内にエッチングガスを供給して放電させ、
ウェーハ（４）をプラズマエッチングするプラズマエッ
チング装置において、前記電極板（２，３）の直径内で
極大、極小の点を持たない一方向の勾配を有する磁場強
度分布を得るべく磁石（９）を配設してなるプラズマエ
ッチング装置。 - 【請求項４】 一方向の勾配を有する磁場強度分布を
得るのに磁石（９）の中心線（１１）を電極板（２，３
）の中心線（１０）より偏心した位置に磁石（９）を設
置してなる請求項３のプラズマエッチング装置。 - 【請求項５】 一方向の勾配を有する磁場強度分布を
得るのに磁石（９）を傾斜して設置してなる請求項３の
プラズマエッチング装置。 - 【請求項６】 一方向の勾配を有する磁場強度分布を
得るのに磁石（９）に磁性体材料（１２）を設けてなる
請求項３のプラズマエッチング装置。 - 【請求項７】 一方向の勾配を有する磁場強度分布を
得るのにエッチングチャンバー（１）の周辺に、磁性体
材料（１２）を設置してなる請求項３のプラズマエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14970991A JPH04348027A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14970991A JPH04348027A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348027A true JPH04348027A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=15481109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14970991A Pending JPH04348027A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04348027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019186487A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理装置の制御方法 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP14970991A patent/JPH04348027A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019186487A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理装置の制御方法 |
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