JPH0434436A - Photomask blank and photomask - Google Patents
Photomask blank and photomaskInfo
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- JPH0434436A JPH0434436A JP2140488A JP14048890A JPH0434436A JP H0434436 A JPH0434436 A JP H0434436A JP 2140488 A JP2140488 A JP 2140488A JP 14048890 A JP14048890 A JP 14048890A JP H0434436 A JPH0434436 A JP H0434436A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、ＩＣ及びＬＳＩ等の製作に際して利用される
フォトリソグラフィー技術において、露光用のマスクと
して使用されるフォトマスク、並びに該フォトマスクの
材料となるフォトマスクブランクに関する。Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photomask used as an exposure mask in photolithography technology used in the production of ICs, LSIs, etc., and materials for the photomask. Regarding the photomask blank.
一般に、透光性基板上にクロム等の端光膜パターンを被
着して成るフォトマスクを使用して所定の基板上のレジ
ストを霧光すると、露光に使用する紫外光が前記端光膜
パターンの表面で反射してフォトマスクの位置合わせ不
良を引き起こし、この結果、被露光基板のパターン精度
を低下させることが広く知られている。このような問題
点を解消するため、例えば、特公昭６２−３２７８２号
公報に記載されたフォトマスクブランクのように透光性
基板上に形成された連光膜上に更に反射防止膜を形成し
たフォトマスクブランクが提案されている。Generally, when a resist on a predetermined substrate is fogged using a photomask consisting of a transparent substrate coated with an edge film pattern of chromium or the like, the ultraviolet light used for exposure is applied to the edge film pattern. It is widely known that the reflection on the surface of the photomask causes misalignment of the photomask, and as a result, the pattern accuracy of the substrate to be exposed is reduced. In order to solve these problems, for example, an antireflection film is further formed on a continuous light film formed on a transparent substrate, as in the photomask blank described in Japanese Patent Publication No. 62-32782. Photomask blanks have been proposed.
この公報に記載されたフォトマスクブランクは、反射防
止膜をクロム窒化物を含有したクロム酸化展から構成す
ることにより、端光膜の表面における高い反射防止効果
を得ている。The photomask blank described in this publication has a high antireflection effect on the surface of the edge film by forming the antireflection film from chromium oxide containing chromium nitride.
ところで、この種のフォトマスクブランクからフォトマ
スクを製作するには、以下の公知の工程が踏襲されてい
る。By the way, in order to manufacture a photomask from this type of photomask blank, the following known steps are followed.
（１）先ず、透光性基板上に端光膜と反射防止膜を順次
形成して成るフォトマスクブランクを用意し、このフォ
トマスクブランクの反射防止膜上にレジスト液を滴下し
、これを遠心力を利用して反射防止膜の表面に広げレジ
スト膜を形成する。(1) First, a photomask blank is prepared by sequentially forming an edge-light film and an anti-reflection film on a transparent substrate, a resist solution is dropped onto the anti-reflection film of this photomask blank, and it is centrifuged. A resist film is formed on the surface of the anti-reflection film using force.
（２）次に、所定のパターンが形成されたマスターマス
クを用いて、前記工程で形成されたレジスト膜を選択的
に露光する。この露光に際しては、電子線により直接描
画することもある。(2) Next, the resist film formed in the above step is selectively exposed using a master mask on which a predetermined pattern is formed. During this exposure, direct drawing may be performed using an electron beam.
（３）次いで、露光法のレジスト膜を所定の現像液で現
像してレジストパターンを形成する。(3) Next, the resist film of the exposure method is developed with a predetermined developer to form a resist pattern.
（４）次に、前記レジストパターンをマスクとして逆光
膜及び反射防止膜をエツチングする。(4) Next, the backlight film and antireflection film are etched using the resist pattern as a mask.
（５）次いで、前述のエツチング工程のときマスクとし
て使用したレジストパターンを剥離する。(5) Next, the resist pattern used as a mask in the etching process described above is peeled off.
（発明が解決しようとする課題〕
ところで、前述したレジストパターンの剥離工程には、
有機溶剤から成る処理液に処理基板を浸漬する湿式剥離
方法か、あるいは酸素等の反応性ガスをプラズマ放電さ
せてレジストパターンを剥離するプラズマガス放電剥離
方法が適用されている。このプラズマガス放電剥離方法
は湿式剥離方法に較べて、洗浄度、安全性及び操作の簡
便性等の優位点があり、近年とみに注目されている。特
にレジスト族として電子線用レジスト膜を使用した場合
、その洗浄度の優劣は顕著となる。(Problems to be Solved by the Invention) By the way, the above-mentioned resist pattern peeling process involves the following steps:
A wet stripping method in which a processed substrate is immersed in a processing liquid made of an organic solvent, or a plasma gas discharge stripping method in which a reactive gas such as oxygen is caused to be plasma discharged to strip the resist pattern is used. This plasma gas discharge stripping method has advantages over the wet stripping method in terms of cleanliness, safety, and ease of operation, and has attracted much attention in recent years. In particular, when an electron beam resist film is used as the resist, the cleaning quality is remarkable.
しかしながら、前述した特公昭６２−３２７８２号に記
載されたフォトマスクブランクからフォトマスクを製作
する際、レジストパターンを上述したプラズマガス放電
剥離法によって剥離する場合、反射防止膜がプラズマ耐
性の乏しい組成である、クロム窒化物を含有したクロム
酸化物膜から構成されていることに起因して以下の問題
点があった。However, when manufacturing a photomask from the photomask blank described in the above-mentioned Japanese Patent Publication No. 62-32782, when the resist pattern is removed by the above-mentioned plasma gas discharge peeling method, the anti-reflection film has a composition with poor plasma resistance. The following problems arise due to the fact that the film is composed of a chromium oxide film containing chromium nitride.
一般にレジストパターンの剥離完了時点を見極めるのが
著しく困難なため、剥離完了後も誤って過度のプラズマ
ガス放電が行われがちである。このような事態に至った
場合、レジストパターンの下地たる反射防止膜もプラズ
マガス放電にさらされることにより、その上層部分を消
失することになる。この結果、所期の反射防止液効果が
低減し、このフォトマスクを使用して転写を行うときパ
ターン精度の劣化を招くという問題点があった。Generally, it is extremely difficult to determine the point at which resist pattern stripping is completed, so that excessive plasma gas discharge tends to be performed by mistake even after stripping is completed. When such a situation occurs, the antireflection film underlying the resist pattern is also exposed to the plasma gas discharge, and the upper layer thereof disappears. As a result, the desired effect of the antireflection liquid is reduced, resulting in a problem of deterioration of pattern accuracy when performing transfer using this photomask.
上述の問題点を解決するために、本発明はレジストパタ
ーンの下地となる反射防止膜及び反射防止膜パターンを
高いプラズマ耐性を有する組成から構成することにより
、反射防止膜パターンの上層部分の消失を防止し、反射
防止効果を十分に発揮し得るフォトマスクブランク及び
フォトマスクを提供することを目的とする。更に、本発
明は、迅速にレジストパターンをプラズマガス放電によ
り剥離することができるフォトマスクブランク及びフォ
トマスクを提供することを他の目的とする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention prevents the disappearance of the upper layer of the anti-reflective film pattern by composing the anti-reflective film and the anti-reflective film pattern that serve as the base of the resist pattern from a composition having high plasma resistance. It is an object of the present invention to provide a photomask blank and a photomask that can fully exhibit an antireflection effect. Furthermore, another object of the present invention is to provide a photomask blank and a photomask from which a resist pattern can be quickly removed by plasma gas discharge.
本発明のフォトマスクブランクは、透光性基板と、この
透光性基板の主表面上に順次形成された逆光膜及び反射
防止膜とを備えたフォトマスクブランクにおいて、前記
反射防止膜は酸素及び／又は窒素を含有するクロム−モ
リブデン合金から成ることを特徴とする。The photomask blank of the present invention includes a light-transmitting substrate, and a backlight film and an anti-reflection film sequentially formed on the main surface of the light-transmitting substrate, wherein the anti-reflection film contains oxygen and It is characterized by being made of a chromium-molybdenum alloy containing/or nitrogen.
又、本発明のフォトマスクは、上述したフォトマスクブ
ランクにおいて逆光膜及び反射防止膜を選択的にエツチ
ングしたことを特徴とする。Further, the photomask of the present invention is characterized in that the backlight film and the antireflection film are selectively etched in the photomask blank described above.
本発明のフォトマスクブランク及びフォトマスクは、各
々、反射防止膜及び反射防止膜パターンを、酸素及び／
又は窒素を含有したクロム−モリブデン合金から構成し
ている。これにより、反射防止膜及び反射防止膜パター
ンは、高いプラズマ耐性を有していることから、反射防
止膜パターン上に形成されたレジストパターンをプラズ
マガス放電により剥離する際、反射防止膜パターンの上
層部分の消失を防止することができる。又、閾値電力（
反射防止膜の上層部分が消失を始める電力）が比較的高
いため、プラズマガス放電を引き起こすための供給電力
を高い値に設定することができる。これによりレジスト
パターンの剥離時間を短縮することができる。The photomask blank and photomask of the present invention each have an anti-reflective film and an anti-reflective film pattern formed of oxygen and/or anti-reflective film.
Alternatively, it is made of a chromium-molybdenum alloy containing nitrogen. As a result, the anti-reflective film and the anti-reflective film pattern have high plasma resistance, so when the resist pattern formed on the anti-reflective film pattern is peeled off by plasma gas discharge, the upper layer of the anti-reflective film pattern is Parts can be prevented from disappearing. Also, the threshold power (
Since the power at which the upper layer of the anti-reflection coating starts to disappear) is relatively high, the power supplied to cause the plasma gas discharge can be set to a high value. This makes it possible to shorten the time required to peel off the resist pattern.
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は、本発明によるフォトマスクブランクの実施例
における縦断面図である。このフォトマスクブランクｌ
は、石英ガラスからなる透光性基板２の一主表面上にク
ロムからなる遼光膜３を被着し、この薫光ｌＩａ上に酸
素及び窒素を含有したクロム−モリブデン合金からなる
反射防止膜４を順次積層したものである。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an embodiment of a photomask blank according to the present invention. This photomask blank
A luminescent film 3 made of chromium is deposited on one main surface of a translucent substrate 2 made of quartz glass, and an antireflection film made of a chromium-molybdenum alloy containing oxygen and nitrogen is deposited on the luminescent film 3. 4 are sequentially laminated.
次に、このフォトマスクブランク１を製作する方法を説
明する。Next, a method for manufacturing this photomask blank 1 will be explained.
先ず、表面及び裏面を精密研磨した石英ガラス（寸法：
５インチ×５インチｘＯ，０９インチ）からなる透光性
基板２を用意する。次にクロムのターゲットを用いて、
反応性スパッタリング法により、Ａｒガス雰囲気中（２
ｘ １０−”Ｔｏｒｒ）にて、逆光ｍｌ！３を透光性基
板２上に、膜厚：６５０人で被着する。次に、クロムと
モリブデンとの重量比（ＷｔＸ） ８７ ： Ｉ ３０
合金ターゲツトを用いて、それぞれ前記スパッタリング
法により、モル比率Ａｒ８０％、Ｎ０２０％の混合ガス
雰囲気中（１、３ｘ １０−”Ｔｏｒｒ）にて、反射防
止膜４を遼光膜３上に、膜厚：２５０人積層して、フォ
トマスクブランク１を製作した。こうして製作されたフ
ォトマスクブランク！の、光学濃度は３．０であり、波
長４３６ｎｍに対する表面反射率は約１０゜５９６であ
った。First, quartz glass (dimensions:
A translucent substrate 2 having a size of 5 inches x 5 inches x 0.09 inches is prepared. Next, using a chrome target,
By reactive sputtering method, in Ar gas atmosphere (2
Backlit ml!3 is deposited on the transparent substrate 2 at a film thickness of 650 at x 10-” Torr).Next, the weight ratio of chromium to molybdenum (WtX) 87:I 30
Using an alloy target, the anti-reflection film 4 is deposited on the Liaoguang film 3 in a mixed gas atmosphere (1.3 x 10-'' Torr) with a molar ratio of 80% Ar and 20% N0 by the sputtering method described above. : 250 people stacked the layers to produce photomask blank 1. The thus produced photomask blank! had an optical density of 3.0 and a surface reflectance at a wavelength of 436 nm of about 10°596.
次（こ、このフォトマスクブランクｌから、フォトマス
クを製作する方法を第２図（ａ）〜（ｄ）の工程図を参
照して説明する。Next, a method for manufacturing a photomask from this photomask blank 1 will be explained with reference to the process diagrams of FIGS. 2(a) to 2(d).
（１）先ず、フォトマスクブランクｌの反射防止Ｍ４上
に、ネガ型電子線レジスト液（例えば、東ソー社製ＣＭ
Ｓ−ＥＸ＜Ｓ＞）を滴下し、スピンコード法により反射
防止膜４０表面全域に行きわたらせ、膜厚３５００人の
レジスト膜６を形成する（第２図（ａ）参照）。(1) First, apply a negative electron beam resist solution (for example, CM manufactured by Tosoh Corporation) onto the antireflection M4 of the photomask blank l.
S-EX<S>) is dropped and spread over the entire surface of the anti-reflection film 40 using a spin code method to form a resist film 6 with a thickness of 3500 mm (see FIG. 2(a)).
（２）次に、電子線描画装置を使用して所定の軌跡で電
子線（ビーム径２μｍ）描画することにより、レジスト
膜６を選択的に露光する。しがる後、このレジスト膜６
付フオトマスクブランク１を所定の現像液に浸漬して、
レジスト膜６の未露光領域を溶解することにより、レジ
ストパターン６ｂを形成する（第２図（ｂ）参照）。(2) Next, the resist film 6 is selectively exposed by drawing an electron beam (beam diameter: 2 μm) in a predetermined trajectory using an electron beam drawing device. After bonding, this resist film 6
Immerse the attached photomask blank 1 in a prescribed developer,
A resist pattern 6b is formed by dissolving the unexposed region of the resist film 6 (see FIG. 2(b)).
（３）次いで、前記工程（２）で得られたレジストパタ
ーン６ｂ付きフォトマスクブランク１をポストベークす
ることにより、反射防止膜４とレジストパターン６ｂと
の付着を堅固にする。しかる後、バレル型ガスプラズマ
装置を使用してプラズマガス放電（活性ガス−酸素）を
施すことによりレジストパターン６ｂの側壁６ｂ１を平
滑にする。(3) Next, the photomask blank 1 with the resist pattern 6b obtained in step (2) is post-baked to solidify the adhesion between the antireflection film 4 and the resist pattern 6b. Thereafter, the side wall 6b1 of the resist pattern 6b is smoothed by applying plasma gas discharge (active gas-oxygen) using a barrel type gas plasma device.
このときのプラズマガス放電の条件は以下の通りである
。特に、放電高周波電力の値は予め求めた閾値電カニ５
５０Ｗ（スパッタ・ターゲットのクロムとモリブデンと
の重量比（１１％）が８７；１３）より小さな３００Ｗ
とした。The conditions for plasma gas discharge at this time are as follows. In particular, the value of the discharge high-frequency power is set to a threshold electric crab 5 determined in advance.
300W smaller than 50W (sputter target chromium to molybdenum weight ratio (11%) is 87; 13)
And so.
＊放電雰囲気・・・６００ｃｃ／■ｉｎで流入される飽
和水蒸気（１，０Ｔｏｒｒ）
＊放電高周波電力・・・３００Ｗ
＊放電時間・・・７分間
（４）次に、前記工程（３）で得られたレジストパター
ン６ｂ付フオトマスクブランクｌをエツチング液（例え
ば、硝酸第２セリウムアンモニウムと可酸素酸と純水と
の混合液）に浸漬することにより、レジストパターン６
ｂをマスクとして、選択的に反射防止ＩＩ４と薫光膜３
を順次エツチングして反射防止膜パターン４ａと遼光膜
パターン３ａを形成する（第２図（ｃ）参照）。*Discharge atmosphere...Saturated water vapor (1.0 Torr) flowing in at 600cc/inch *Discharge high frequency power...300W *Discharge time...7 minutes (4) Next, the The resist pattern 6b is etched by immersing the photomask blank l with the resist pattern 6b in an etching solution (for example, a mixed solution of ceric ammonium nitrate, an oxygenable acid, and pure water).
Using b as a mask, selectively apply anti-reflection II 4 and smoker film 3.
are sequentially etched to form an antireflection film pattern 4a and a phosphorescent film pattern 3a (see FIG. 2(c)).
（５）次いで、前記工程（４）で得られた、遼光膜３及
び反射防止膜４を選択的にエツチングしたフォトマスク
ブランクＩを、前記工程（３）で使用したバレル型ガス
プラズマ装置に再び導入し、プラズマガス放電（活性ガ
ス 酸素）を施すことにより、レジストパターン６ｂを
Ｈ離して、第２図（ｄ）に示すフォトマスク５を得た。(5) Next, the photomask blank I obtained in the step (4), in which the phosphor film 3 and the antireflection film 4 have been selectively etched, is placed in the barrel-type gas plasma apparatus used in the step (3). The photomask 5 shown in FIG. 2(d) was obtained by reintroducing the resist pattern 6b and separating it by H by applying plasma gas discharge (active gas oxygen).
このときのプラズマガス放電条件は下記のように選定し
た。The plasma gas discharge conditions at this time were selected as follows.
特に放電高周波電力の選定は、工程（３）と同様に閾値
電力５５０Ｗより小さな値となるように、５００Ｗとし
た。In particular, the discharge high-frequency power was selected to be 500 W so as to be smaller than the threshold power of 550 W as in step (3).
＊放電雰囲気・・・２５０ｃｃ／ｗｉｎで流入される飽
和水蒸気（０、７Ｔｏｒｒ）
＊放電高周波電力・・・５００Ｗ
＊放電時間・・・１５分
以上の工程（１）〜（６）を経て得たフォトマスフ５の
逆光膜パターン３ａ光学濃度及びその表面での反射率を
測定したところ、フォトマスクブランク１とほぼ同様で
あった。この測定結果より、逆光膜パターンの上層部が
消失してないことが確認できた。*Discharge atmosphere: Saturated water vapor (0.7 Torr) flowing in at 250cc/win *Discharge high frequency power: 500W *Discharge time: Obtained through steps (1) to (6) of 15 minutes or more When the optical density of the backlit film pattern 3a of the photomask 5 and the reflectance on its surface were measured, they were almost the same as those of the photomask blank 1. From this measurement result, it was confirmed that the upper layer of the backlight film pattern had not disappeared.
ところで、前述した実施例においては反射防止Ｍ４を成
膜する際、スパッタ・ターゲットのクロムとモリブデン
との重量比（ｗｔ ９６＞を８７：１３としたが、本発
明はこの重量比に勿論限られるわけではない。従って、
下記の表１に、−例としてクロムとモリブデンとの重量
比を１００：ＤＯ〜７５ ： ２５の範囲で変化させて
反射防止膜（膜厚２５０人）を成膜し、各重量比におけ
る反射防止膜の閾値電力と、その閾値電力の９１％の高
周波電力でレジストパターン６ｂを剥離するのに要した
時間とを測定した結果を記す。By the way, in the above-described embodiment, when forming the anti-reflection M4 film, the weight ratio of chromium to molybdenum (wt 96>) in the sputtering target was set to 87:13, but the present invention is of course limited to this weight ratio. Therefore,
Table 1 below shows - As an example, antireflection films (thickness: 250) were formed by varying the weight ratio of chromium to molybdenum in the range of 100:DO to 75:25, and the antireflection results at each weight ratio were shown. The results of measuring the threshold power of the film and the time required to peel off the resist pattern 6b with a high frequency power of 91% of the threshold power are described below.
以下、余白
表１
土偶の表１から明らかな通り、モリブデンの重量比率を
高くするに連れ、閾値電力も向上し、又、ｉＩＪ離時開
時間に短くなることが判る。クロムに対するモリブデン
の重量比は２ｗｔ％〜２０１１ｔ％が好ましい範囲であ
る。２Ｗｔ９６より少ないと閾値電力の増加は僅少であ
り、一方、２１１Ｈｔ％を越えると次第に反射防止膜の
エツチングプロファイルの平滑性が損なわれる傾向が認
められたからである。As is clear from Table 1 of the clay figures below, as the weight ratio of molybdenum increases, the threshold power also improves, and the iIJ release time becomes shorter. The weight ratio of molybdenum to chromium is preferably in the range of 2 wt% to 2011 t%. This is because when it is less than 2Wt96, the threshold power increases only slightly, whereas when it exceeds 211Ht%, the smoothness of the etching profile of the antireflection film tends to be gradually impaired.
以上、実施例により本発明を説明してきたが、本発明は
以下の変形例を含むものである。Although the present invention has been described above with reference to Examples, the present invention includes the following modifications.
先ず、反射防止膜は、例えば、エツチング速度を買整す
るために炭素を含有させる等、種々の目的に応じて適宜
選択した元素を含有させても良い。First, the antireflection film may contain elements suitably selected depending on various purposes, such as carbon in order to adjust the etching rate.
又、実施例においては反射防止膜に反射防止効果を付与
するため、スパッタリング条件の一つとしてＮｏを２０
％雰囲気中に含有させたが、この窒素及び酸素の含有量
は、エツチング、反射率及びエツチングレートを考慮し
て適宜選定すればよい。又、必ずしも窒素と酸素との混
合ガスとしな（ともいずれか一方のみのガスでもよい。In addition, in the examples, in order to impart an antireflection effect to the antireflection film, No. 20 was used as one of the sputtering conditions.
% in the atmosphere, but the contents of nitrogen and oxygen may be appropriately selected in consideration of etching, reflectance, and etching rate. Further, the gas does not necessarily have to be a mixture of nitrogen and oxygen (or only one of them may be used).
又、レジストパターン剥離するプラズマガス放電の際、
バレル型ガスプラズマ装置の代わりに平行平板型ガスプ
ラズマ装置を使用した場合でも上述した実施例と同様の
効果が得られる。Also, during plasma gas discharge to remove the resist pattern,
Even when a parallel plate type gas plasma device is used instead of the barrel type gas plasma device, the same effects as in the above embodiment can be obtained.
更に、速光膜のエツチング工程においても湿式エツチン
グの代わりに、ＣＣ１，を反応性ガスとしたプラズマガ
ス放電によるエツチングでもよい。Furthermore, in the step of etching the photonic film, instead of wet etching, etching by plasma gas discharge using CC1 as a reactive gas may be used.
又、逆光展をクロムのみで構成する代わりに、所望の特
性を付与するために、酸素、窒素、及び炭素等の元素を
含有させても良い。そして母体金属としてはクロムの代
わりにニッケル・タンタル・タングステン、又はそれら
の合金を使用することができる。Furthermore, instead of consisting of only chromium, the backlighting material may contain elements such as oxygen, nitrogen, and carbon in order to impart desired characteristics. As the base metal, nickel, tantalum, tungsten, or an alloy thereof can be used instead of chromium.
更に、レジスト膜は電子線の代わりにフォトレジスト、
Ｘ線感応レジストでもよい。Furthermore, the resist film is made of photoresist instead of electron beam.
An X-ray sensitive resist may also be used.
又、透明性基板としては、石英ガラスの代わりにソーダ
ライムガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボ
ロシリケートガラス等の硝種の硝子であっもよい。Furthermore, instead of quartz glass, the transparent substrate may be made of glass such as soda lime glass, aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, or the like.
更に、逆光膜及び反射防止膜の成膜方法としては、スパ
ッタリングの代わりに真空蒸着法、イオンブレーティン
グ法等であっても良い。Furthermore, as a film forming method for the backlight film and the antireflection film, a vacuum evaporation method, an ion blating method, etc. may be used instead of sputtering.
本発明のフォトマスクブランク及びフォトマスクによれ
ば、反射防止膜及び反射防止誤パターンが高いプラズマ
耐性を有していることから、フォトマスクブランクから
フォトマスクを製作する過程におけるレジストパターン
の剥離の際、反射防止膜パターンの上層部分がプラズマ
ガス放電により消失するのを防止できる。従って、本発
明のフォトマスクを使用して所定基板上のレジストを露
光すれば、反射防止膜が本来の反射防止効果を損なうこ
とがないので、レジストパターン精度の劣化を防止する
ことができる。又、本発明の反射防止膜は比較的閾値電
力が高いので、プラズマガス放電を引き起こす供給電力
を高い値に設定することによりレジストパターンの剥離
時間を短縮することができる。According to the photomask blank and photomask of the present invention, since the anti-reflection film and the anti-reflection false pattern have high plasma resistance, when the resist pattern is peeled off in the process of manufacturing a photomask from the photomask blank, , it is possible to prevent the upper layer portion of the anti-reflection film pattern from disappearing due to plasma gas discharge. Therefore, if the photomask of the present invention is used to expose a resist on a predetermined substrate, the original antireflection effect of the antireflection film is not impaired, so that deterioration of resist pattern accuracy can be prevented. Further, since the antireflection film of the present invention has a relatively high threshold power, the time required to remove the resist pattern can be shortened by setting the supplied power that causes plasma gas discharge to a high value.
第１図は本発明のフォトマスクブランクの一実施例の縦
断面図、第２図は本発明のフォトマスクの縦断面図、８
２図（ａ）〜（ｄ）は第１図に示したフォトマスクブラ
ンクから本発明の一実施例のフォトマスクを製作する工
程図である。
１・・・フォトマスクブランク、２・・・透光性基板３
・・・逆光膜、４・・・反射防止膜FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of an embodiment of the photomask blank of the present invention, and FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of the photomask of the present invention.
2(a) to 2(d) are process diagrams for manufacturing a photomask according to an embodiment of the present invention from the photomask blank shown in FIG. 1. 1... Photomask blank, 2... Transparent substrate 3
...Backlight film, 4...Anti-reflection film
Claims (2)
形成された遮光膜及び反射防止膜を備えたフォトマスク
ブランクにおいて、 前記反射防止膜は酸素及び／又は窒素を含有するクロム
−モリブデン合金から成ることを特徴とするフォトマス
クブランク。(1) A photomask blank comprising a light-transmitting substrate and a light-shielding film and an anti-reflection film sequentially formed on the main surface of the light-transmitting substrate, wherein the anti-reflection film contains oxygen and/or nitrogen. A photomask blank characterized by being made of a chromium-molybdenum alloy.
て、遮光膜及び反射防止膜を選択的にエッチングしたこ
とを特徴とするフォトマスク。(2) A photomask blank according to claim (1), characterized in that the light shielding film and the antireflection film are selectively etched.
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| JP14048890A JP3072114B2 (en) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | Photomask blank, photomask and method of manufacturing the same |
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| JP (1) | JP3072114B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5595938A (en) * | 1993-12-28 | 1997-01-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2013238775A (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Method for manufacturing photomask blank, photomask blank, photomask and method for transferring pattern |
| JP2017027006A (en) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | Blank mask and photo mask using the blank mask |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP14048890A patent/JP3072114B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
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| US5595938A (en) * | 1993-12-28 | 1997-01-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2013238775A (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Method for manufacturing photomask blank, photomask blank, photomask and method for transferring pattern |
| US9689066B2 (en) | 2012-05-16 | 2017-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank manufacturing method, photomask blank, photomask, and pattern transfer method |
| JP2017027006A (en) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | Blank mask and photo mask using the blank mask |
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