JPH04340499A - Processing apparatus for fixing radioactive gas - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、核燃料再処理工場等で
発生した放射性ガスをイオン化し、そのガスイオンを金
属組織中に注入して固定化するようにした放射性ガス固
定化処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radioactive gas immobilization processing apparatus that ionizes radioactive gas generated in a nuclear fuel reprocessing plant or the like, and injects the gas ions into a metal structure for immobilization.
【０００２】0002
【従来の技術】核燃料再処理工場等の原子力施設におい
ては、有害な量の放射能が環境に放出された場合、その
影響が広範囲かつ長期間にわたる可能性があるため、他
の一般産業に比べて安全性の確保が厳しく義務づけられ
ている。例えば、使用済核燃料からウランとプルトニウ
ムを回収する核燃料再処理工場では、使用済核燃料の剪
断工程や溶解工程等において、核分裂生成物を含む放射
性ガスが発生する。このうち、最も問題となる可能性の
ある放射性ガスは、クリプトン８５（以下Ｋｒ−８５と
略称する）であり、このＫｒ−８５は、半減期が約１０
．７年と非常に長いため、これを長期間安全に貯蔵でき
るようにした技術の開発が進められている。[Prior Art] In nuclear facilities such as nuclear fuel reprocessing plants, if a harmful amount of radioactivity is released into the environment, the effects may be wide-ranging and long-lasting, compared to other general industries. There is a strict obligation to ensure safety. For example, in a nuclear fuel reprocessing plant that recovers uranium and plutonium from spent nuclear fuel, radioactive gases containing fission products are generated during the spent nuclear fuel shearing and melting processes. Of these, the radioactive gas that is most likely to cause problems is krypton-85 (hereinafter abbreviated as Kr-85), which has a half-life of approximately 10
．． Seven years is a very long time, so efforts are being made to develop technology that will allow it to be stored safely for a long period of time.
【０００３】現在までに開発されている前記放射性ガス
の貯蔵方法としては、放射性ガスを高圧ボンベ等の圧力
容器に貯蔵するようにした高圧ボンベ貯蔵法、Ｋｒ−８
５をゼオライトに吸着させるようにしたゼオライト吸着
法、放射性ガスをイオン化して金属組織中に注入するよ
うにしたイオン注入法等が一般に知られている。[0003] The radioactive gas storage methods that have been developed to date include the high-pressure cylinder storage method in which the radioactive gas is stored in a pressure container such as a high-pressure cylinder, and the Kr-8 storage method.
Generally known methods include a zeolite adsorption method in which 5 is adsorbed on zeolite, an ion implantation method in which a radioactive gas is ionized and injected into the metal structure, and the like.
【０００４】しかし、前記高圧ボンベ貯蔵法は、放射性
ガスを貯蔵する貯蔵容器の耐圧試験を定期的に行なうこ
とが義務づけられているため、貯蔵ガスをその都度別の
容器に移し替える必要があり、繁雑な作業が要求される
。また、ゼオライト吸着法は、Ｋｒ−８５を高温・高圧
下で処理操作しなければならないため、実用化するまで
に数多くの問題がある。これに対し、イオン注入法は、
常温・低圧下での処理操作が可能であるため、前述した
高圧ボンベ貯蔵法やゼオライト吸着法び比較して経済性
及び安定性の面で有利であるといえる。[0004] However, in the high-pressure cylinder storage method, since it is mandatory to periodically conduct a pressure test of the storage container storing the radioactive gas, it is necessary to transfer the stored gas to a different container each time. Requires complicated work. Furthermore, since the zeolite adsorption method requires processing of Kr-85 at high temperature and high pressure, there are many problems before it can be put to practical use. On the other hand, ion implantation method
Since treatment can be performed at room temperature and low pressure, it can be said to be advantageous in terms of economy and stability compared to the above-mentioned high-pressure cylinder storage method and zeolite adsorption method.
【０００５】図２は、上述したイオン注入法により放射
性ガスを固定化処理する従来の一般的な放射性ガス固定
化処理装置を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a conventional general radioactive gas immobilization processing apparatus that immobilizes radioactive gas by the above-mentioned ion implantation method.
【０００６】同図において、１は放射性ガスを固定化す
る密閉構造の固定化容器であり、この固定化容器１は、
円筒状のイオン注入電極２と、このイオン注入電極２の
下部にリング状の絶縁体３ａを介して結合された陽極底
４と、前記イオン注入電極２の上部に絶縁体３ｂを介し
て結合された連結用の陽極フランジ５と、この陽極フラ
ンジ５の上面にボルトとナット（図示せず）により締付
け固定された陽極蓋６とから構成されている。In the figure, reference numeral 1 denotes an immobilization container with a closed structure for immobilizing radioactive gas, and this immobilization container 1 has the following features:
A cylindrical ion implantation electrode 2, an anode bottom 4 connected to the lower part of the ion implantation electrode 2 through a ring-shaped insulator 3a, and an anode bottom 4 connected to the upper part of the ion implantation electrode 2 through an insulator 3b. The anode flange 5 is composed of an anode flange 5 for connection, and an anode cover 6 which is tightened and fixed to the upper surface of the anode flange 5 with bolts and nuts (not shown).
【０００７】前記陽極蓋６には、吸気管７及び排気管８
が接続され、排気管８に接続した真空ポンプ（図示せず
）で放射性ガスを吸気管７より固定化容器１内に導入す
るように構成されている。そして、前記固定化容器１内
には、円筒状のスパッタ電極９が設けられ、このスパッ
タ電極９にスパッタ電源１０から１ＫＶ以上の電圧を、
また前記イオン注入電極２にイオン注入電源１１から１
ＫＶ以下の電圧を夫々印加することにより、固定化容器
１内に導入された放射性ガスを固定化処理するように構
成されている。The anode cover 6 has an intake pipe 7 and an exhaust pipe 8.
is connected, and radioactive gas is introduced into the immobilization container 1 through the intake pipe 7 using a vacuum pump (not shown) connected to the exhaust pipe 8. A cylindrical sputter electrode 9 is provided in the immobilization container 1, and a voltage of 1 KV or more is applied to the sputter electrode 9 from a sputter power source 10.
Further, from the ion implantation power supply 11 to the ion implantation electrode 2,
The radioactive gas introduced into the immobilization container 1 is immobilized by applying a voltage of KV or less to each of them.
【０００８】なお、前記スパッタ電極９の上部には、水
冷管１２が陽極蓋６の中央開口に設けられたハーメチッ
クシールを有する絶縁体１３を貫通して接続されている
。A water-cooled tube 12 is connected to the upper part of the sputtering electrode 9 through an insulator 13 having a hermetic seal provided in the central opening of the anode cover 6.
【０００９】このように構成にされた放射性ガス固定化
処理装置においては、固定化容器１内のガス圧力とイオ
ン注入電極２及びスパッタ電極９に印加される電圧が適
当な条件を満たすと固定化容器１内でグロー放電が発生
し、このグロー放電によって固定化容器１内の放射性ガ
スがイオン化することが知られている。In the radioactive gas immobilization processing apparatus configured as described above, immobilization occurs when the gas pressure in the immobilization container 1 and the voltage applied to the ion implantation electrode 2 and the sputtering electrode 9 satisfy appropriate conditions. It is known that a glow discharge occurs within the container 1 and that the radioactive gas within the immobilization container 1 is ionized by this glow discharge.
【００１０】例えば、固定化容器１内のガス圧力を１０
−１〜１０−３Ｔｏｒｒ に設定維持した状態で、イオ
ン注入電極２に１ＫＶ以下の電圧を、スパッタ電極９に
１ＫＶ以上の電圧をそれぞれ連続的に印加すると、固定
化容器１内の放射性ガスはグロー放電でよってイオン化
され、図３に示すように、ガスイオン１４となってスパ
ッタ電極９の方に加速され、スパッタ電極９の表面に衝
突する。この時、スパッタ電極９からはスパッタ金属１
５が飛び出し、対向するイオン注入電極２の表面に衝突
して金属累積層１６が形成される。また、一部のガスイ
オン１４は、図４に示すように、イオン注入電極２の方
に加速され、イオン注入電極２の表面に形成された金属
累積層１６内に注入される。For example, the gas pressure inside the immobilization container 1 is set to 10
When a voltage of 1 KV or less is continuously applied to the ion implantation electrode 2 and a voltage of 1 KV or more to the sputtering electrode 9 while maintaining the setting at -1 to 10-3 Torr, the radioactive gas in the immobilization container 1 glows. The gas is ionized by the discharge, becomes gas ions 14, is accelerated toward the sputter electrode 9, and collides with the surface of the sputter electrode 9, as shown in FIG. At this time, the sputtered metal 1 is transferred from the sputtered electrode 9.
5 jumps out and collides with the surface of the opposing ion implantation electrode 2, forming a metal accumulation layer 16. Further, some of the gas ions 14 are accelerated toward the ion implantation electrode 2 and injected into the metal accumulation layer 16 formed on the surface of the ion implantation electrode 2, as shown in FIG.
【００１１】従って、このような操作を固定化容器１内
の放射性ガスがなくなるまで行なうことにより、Ｋｒ−
８５等の放射性ガスをイオン注入電極２の表面に形成さ
れたスパッタ金属１５の金属累積層１６内に注入固定化
することができ、Ｋｒ−８５を長期間安全に貯蔵するこ
とが可能となる。[0011] Therefore, by performing such operations until the radioactive gas in the immobilization container 1 is exhausted, Kr-
A radioactive gas such as Kr-85 can be injected and fixed into the metal cumulative layer 16 of the sputtered metal 15 formed on the surface of the ion implantation electrode 2, making it possible to safely store Kr-85 for a long period of time.
【００１２】また、固定化容器１で放射性ガスを固定化
処理する際、イオン注入電極２が発熱するため、この熱
を効果的に取り除き、常に一定の温度条件に保持する必
要がある。このため、図１に示すように、イオン注入電
極２の外周面のほぼ全域を覆う水冷槽１７を設け、ここ
の水冷槽１７内を冷却水で満たしてイオン注入電極２を
効率的に冷却することが行われている。[0012] Furthermore, when the radioactive gas is immobilized in the immobilization container 1, the ion implantation electrode 2 generates heat, so it is necessary to effectively remove this heat and maintain constant temperature conditions at all times. For this reason, as shown in FIG. 1, a water cooling tank 17 is provided that covers almost the entire outer peripheral surface of the ion implantation electrode 2, and the water cooling tank 17 is filled with cooling water to efficiently cool the ion implantation electrode 2. things are being done.
【００１３】ところで、放射性ガスの固定化処理操作を
終えた後の固定化容器１は、固定化プロセスラインから
切り離され、貯蔵施設に搬送されて放射能レベルが十分
に減衰するまで貯蔵保管されるのであるが、この保管の
際には、固定化容器１の腐食を防止するために、水冷槽
１７内の冷却水を抜いた状態で貯蔵保管しなければなら
ず、一方、放射性ガスを金属累積層１６内に長期間安定
に封じ込めておくためには、貯蔵保管時に金属累積層１
６から放出される放射性ガスの崩壊熱を除去できる状態
にしておく必要がある。By the way, the immobilization container 1 after completing the radioactive gas immobilization treatment operation is separated from the immobilization process line, transported to a storage facility, and stored until the radioactivity level is sufficiently attenuated. However, during this storage, in order to prevent corrosion of the immobilization container 1, it must be stored with the cooling water in the water cooling tank 17 drained. In order to be stably contained within the layer 16 for a long period of time, it is necessary to keep the metal cumulative layer 1 during storage.
It is necessary to be in a state where the decay heat of the radioactive gas released from 6 can be removed.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、イオン注入電極２の外周面に設けられ
た水冷槽１７から冷却水を抜いた状態で固定化容器１を
貯蔵保管すると、金属累積層１６が形成されているイオ
ン注入電極２と大気との間に空隙ができ、水冷槽１７内
が断熱層となってしまう。このため、貯蔵保管時に金属
累積層１６から放出される放射性ガスの崩壊熱を効率的
に除去することができず、崩壊熱による金属累積層１６
の温度上昇によって放射性ガスが固定化容器１内に放出
される可能性があり、安全上好ましくなかった。また、
崩壊熱除去を行なうためには、例えばフレオンガス冷却
装置等の強制冷却装置を固定化容器１に別途取り付ける
必要があり、経済的にも好ましくないといった問題点が
あった。However, in the above conventional example, if the immobilization container 1 is stored with the cooling water removed from the water cooling tank 17 provided on the outer peripheral surface of the ion implantation electrode 2, metal accumulation will occur. A gap is created between the ion implantation electrode 2 on which the layer 16 is formed and the atmosphere, and the inside of the water cooling tank 17 becomes a heat insulating layer. For this reason, the decay heat of the radioactive gas emitted from the metal accumulation layer 16 during storage cannot be efficiently removed, and the metal accumulation layer 16 due to the decay heat
There is a possibility that radioactive gas may be released into the immobilization container 1 due to the temperature rise, which is not desirable from a safety standpoint. Also,
In order to remove the decay heat, it is necessary to separately attach a forced cooling device such as a Freon gas cooling device to the immobilization container 1, which poses a problem that is not economically preferable.
【００１５】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
で、放射性ガスの固定化処理操作時にはイオン注入電極
を、貯蔵保管時には金属累積層中に固定化された放射性
ガスの崩壊熱を夫々効率よく除熱でき、従って安全かつ
経済的で信頼性が高い放射性ガス固定化処理装置を提供
することを目的とする。The present invention has been developed in view of the above points, and uses an ion implantation electrode to efficiently absorb the decay heat of the radioactive gas immobilized in the metal accumulation layer during storage and storage. It is an object of the present invention to provide a radioactive gas fixation processing device that can remove heat well and is therefore safe, economical, and highly reliable.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、密閉構造の固定化容器内に放射性ガスを導
入し、前記固定化容器内に設けられたイオン注入電極及
びスパッタ電極に高電圧を印加してグロー放電を発生さ
せ、前記放射性ガスをグロー放電によりイオン化して該
ガスイオンを前記イオン注入電極の表面に形成されたス
パッタ金属の金属累積層中に注入固定化するようにした
放射性ガス固定化処理装置において、前記固定化容器の
外周面に、固定化処理操作中に冷却水を通水して前記イ
オン注入電極を冷却する螺旋状の配管を該配管間に隙間
を設けて布設したものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention introduces a radioactive gas into an immobilization container having a closed structure, and introduces a radioactive gas into an ion implantation electrode and a sputtering electrode provided in the immobilization container. A high voltage is applied to generate a glow discharge, the radioactive gas is ionized by the glow discharge, and the gas ions are injected and fixed into a metal cumulative layer of sputtered metal formed on the surface of the ion implantation electrode. In the radioactive gas immobilization processing apparatus, spiral piping is provided on the outer peripheral surface of the immobilization container to cool the ion implantation electrode by passing cooling water during the immobilization treatment operation, with gaps provided between the piping. It was installed by
【００１７】[0017]
【作用】上記のように構成した本発明によれば、固定化
処理操作時には、固定化容器の外周部に布設した螺旋状
の配管に冷却水を通水することによってイオン注入電極
を効率よく冷却し、保存貯蔵時には、主に配管間の隙間
に位置して外部に露出している固定化容器の外周面での
自然放熱冷却（空冷）によって金属累積層中に固定化さ
れた放射性ガスの崩壊熱を効率よく除熱することができ
る。[Operation] According to the present invention configured as described above, during the immobilization treatment operation, the ion implantation electrode is efficiently cooled by passing cooling water through the spiral pipe installed around the outer periphery of the immobilization container. However, during storage, the radioactive gas fixed in the metal accumulation layer decays due to natural heat radiation cooling (air cooling) on the outer peripheral surface of the fixation container, which is located in the gap between pipes and exposed to the outside. Heat can be efficiently removed.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。図１は、本発明の一実施例を示す放射性ガス固定
化処理装置の断面図であり、上記図２に示す従来例と異
なる点は、以下の通りである。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view of a radioactive gas fixation processing apparatus showing an embodiment of the present invention, and the differences from the conventional example shown in FIG. 2 are as follows.
【００１９】即ち、固定化容器１の外周面には、丸パイ
プを半割りにした横断面半円状で螺旋状に１条に延びる
冷却水供給用の配管１７が布設されているとともに、こ
の配管１７の最下部には入口管１８の一端が、最上部に
は出口管１９の一端が夫々接続されている。That is, on the outer circumferential surface of the immobilization container 1, a cooling water supply piping 17 is installed, which has a semicircular cross section obtained by dividing a round pipe in half, and extends in a spiral manner. One end of an inlet pipe 18 is connected to the bottom of the pipe 17, and one end of an outlet pipe 19 is connected to the top.
【００２０】この配管１７は、固定化処理操作時にこの
内部に冷却水を通水させることによって、イオン注入電
極２を冷却するためのものであり、固定処理操作時に入
口管１８から導入された冷却水は、配管１７内を下から
上に流れ、しかる後、出口管１９から排出されるような
されている。This piping 17 is for cooling the ion implantation electrode 2 by passing cooling water through it during the immobilization process, and the cooling water introduced from the inlet pipe 18 during the immobilization process is used to cool the ion implantation electrode 2. Water flows from bottom to top in the pipe 17 and is then discharged from the outlet pipe 19.
【００２１】前記螺旋状の配管１７における上下間には
、隙間Ｓが設けられ、この隙間Ｓに位置する固定化容器
１の外周面の一部が露出部２０となされている。即ち、
固定化容器１の外周面には、配管１７で覆われていない
螺旋状の露出部２０が形成されている。このように、露
出部２０を形成することにより、貯蔵保管時に主にこの
外気に直接接触する露出部２０での自然放熱冷却（空冷
）によって金属累積層１６中に固定化された放射性ガス
の崩壊熱を効率よく除熱することができるようなされて
いる。A gap S is provided between the upper and lower sides of the spiral pipe 17, and a part of the outer peripheral surface of the immobilization container 1 located in the gap S is an exposed portion 20. That is,
A spiral exposed portion 20 that is not covered with the piping 17 is formed on the outer peripheral surface of the immobilization container 1 . By forming the exposed portion 20 in this manner, the radioactive gas fixed in the metal accumulation layer 16 is prevented from collapsing due to natural heat dissipation cooling (air cooling) mainly in the exposed portion 20 that comes into direct contact with the outside air during storage. It is designed to efficiently remove heat.
【００２２】即ち、放射性ガスの固定化処理終了後の金
属累積層１６が形成されている固定化容器１は、放射性
ガスの崩壊熱を放熱しやすい状態で長期保管されるので
あるが、強制冷却装置を用いることなく自然冷却でこの
崩壊熱を除熱することができる。従って、金属累積層１
６の中に注入された放射性ガスが崩壊熱による温度上昇
によって再び放熱されることがなく、安全かつ経済的に
放射性ガスを貯蔵保管することができる。That is, the immobilization container 1 in which the metal cumulative layer 16 is formed after the radioactive gas immobilization process is stored for a long period of time in a state where the decay heat of the radioactive gas is easily dissipated, but it is not forced to cool. This decay heat can be removed by natural cooling without using any equipment. Therefore, metal cumulative layer 1
The radioactive gas injected into the container 6 is not radiated again due to temperature rise due to decay heat, and the radioactive gas can be safely and economically stored.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
固定化処理操作時には、配管内に冷却水を通水すること
によりイオン注入電極を冷却し、貯蔵保管時には、主に
配管で覆われていない固定化容器表面の露出部での自然
放熱冷却によって該固定化容器を冷却することができる
ので、固定化容器内の金属累積層中に固定化された放射
性ガスの崩壊熱を効率良く、安全に除熱することができ
る。従って、安全かつ経済的で信頼性の高い放射性ガス
固定化処理装置となすことができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention,
During the immobilization process, the ion implantation electrode is cooled by passing cooling water through the piping, and during storage, the ion implantation electrode is cooled mainly by natural heat dissipation cooling on the exposed part of the surface of the immobilization container that is not covered by the piping. Since the immobilization container can be cooled, the decay heat of the radioactive gas immobilized in the metal accumulation layer within the immobilization container can be efficiently and safely removed. Therefore, a safe, economical, and highly reliable radioactive gas fixation processing apparatus can be achieved.
【図１】本発明の一実施例を示す放射性ガス固定化処理
装置の全体縦断正面図。FIG. 1 is an overall longitudinal sectional front view of a radioactive gas fixation processing apparatus showing an embodiment of the present invention.
【図２】従来例の放射性ガス固定化処理装置の全体縦断
正面図。FIG. 2 is an overall longitudinal sectional front view of a conventional radioactive gas fixation processing apparatus.
【図３】放射性ガス固定化処理装置の作用の説明に付す
る横断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the operation of the radioactive gas fixation processing device.
【図４】放射性ガス固定化処理装置の作用の説明に付す
る横断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the operation of the radioactive gas fixation processing device.
１ 固定化容器 ２ イオン注入電極 ９ スパッタ電極 １０ スパッタ電源 １１ イオン注入電源 １４ ガスイオン １５ スパッタ金属 １６ 金属累積層 １７ 配管 １８ 入口管 １９ 出口管 ２０ 露出部 Ｓ 隙間 1 Immobilization container 2 Ion implantation electrode 9 Sputter electrode 10 Sputter power supply 11 Ion implantation power supply 14 Gas ions 15 Sputtered metal 16 Metal cumulative layer 17 Piping 18 Inlet pipe 19 Outlet pipe 20 Exposed part S Gap
Claims (1)
入し、前記固定化容器内に設けられたイオン注入電極及
びスパッタ電極に高電圧を印加してグロー放電を発生さ
せ、前記放射性ガスをグロー放電によりイオン化して該
ガスイオンを前記イオン注入電極の表面に形成されたス
パッタ金属の金属累積層中に注入固定化するようにした
放射性ガス固定化処理装置において、前記固定化容器の
外周面に、固定化処理操作中に冷却水を通水して前記イ
オン注入電極を冷却する螺旋状の配管を該配管間に隙間
を設けて布設したことを特徴とする放射性ガス固定化処
置装置。1. A radioactive gas is introduced into an immobilization container having a sealed structure, and a high voltage is applied to an ion implantation electrode and a sputtering electrode provided in the immobilization container to generate a glow discharge. In a radioactive gas immobilization processing apparatus in which the gas ions are ionized by glow discharge and injected and immobilized into a metal cumulative layer of sputtered metal formed on the surface of the ion implantation electrode, the outer periphery of the immobilization container is 1. A radioactive gas immobilization treatment apparatus characterized in that spiral piping for passing cooling water to cool the ion implantation electrode during the immobilization treatment operation is installed on the surface with gaps between the piping.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11290591A JPH04340499A (en) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Processing apparatus for fixing radioactive gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11290591A JPH04340499A (en) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Processing apparatus for fixing radioactive gas |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340499A true JPH04340499A (en) | 1992-11-26 |
Family
ID=14598434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11290591A Pending JPH04340499A (en) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Processing apparatus for fixing radioactive gas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04340499A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8379789B2 (en) | 2004-05-30 | 2013-02-19 | Pebble Bed Modular Reactor (Proprietary) Limited | Nuclear plant |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11290591A patent/JPH04340499A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8379789B2 (en) | 2004-05-30 | 2013-02-19 | Pebble Bed Modular Reactor (Proprietary) Limited | Nuclear plant |
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