JPS6120898A - Device for solidifying and treating radioactive gas - Google Patents

Device for solidifying and treating radioactive gas

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JPS6120898A
JPS6120898A JP14161784A JP14161784A JPS6120898A JP S6120898 A JPS6120898 A JP S6120898A JP 14161784 A JP14161784 A JP 14161784A JP 14161784 A JP14161784 A JP 14161784A JP S6120898 A JPS6120898 A JP S6120898A
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container
electrode
radioactive gas
gas
ionization
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飯村 正志
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は核分裂生成ガス中の放飼性被処理ガスをイオン
化して金属基体中に注入する放射性ガスの固定化処理装
置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a radioactive gas immobilization processing apparatus that ionizes a free to-be-processed gas in a nuclear fission product gas and injects it into a metal substrate.

[発明の技術的背景とその問題点」 核燃料再処理工場等の原子力施設は、有害な量の放射能
が環境に放出された場合、その影響が広範囲かつ長期間
にわたる可能性があるために、安全性の確保を伯の一般
産業に比べて格段に厳しくすることが義務づ(ブられて
いる。
[Technical background of the invention and its problems] Nuclear facilities, such as nuclear fuel reprocessing plants, have the potential to cause wide-ranging and long-term effects if harmful amounts of radioactivity are released into the environment. It is mandatory to ensure safety much more strictly than in general industry in Brazil.

再処理工場では使用済燃料から、ウランとプルトニウム
を回収するが、同時に随伴する核分裂生成物等を含む放
射性廃棄物を適切に処理しなければならない。放射性廃
棄物のうち、気体廃棄物はクリプトン85(以下Kr−
85と記す)のみであるが、これは半減期が10.7年
と長寿命であるために、今後の原子力発電量の増加を見
込むと、将来にば地球規模の汚染につながる恐れがある
′。
Reprocessing plants recover uranium and plutonium from spent fuel, but at the same time they must properly dispose of accompanying radioactive waste, including fission products. Among radioactive waste, gaseous waste is krypton-85 (hereinafter referred to as Kr-85).
85), but because it has a long half-life of 10.7 years, if nuclear power generation is expected to increase in the future, there is a risk that it will lead to global pollution in the future. .

そこで回収技術とともに重要な課題は回収したKr−8
,5を如何にして安全に貯蔵あるいは処分するかである
。従来から放射性廃棄ガスはボンベなどの耐圧性圧力容
器に封入して永久保存する方法が考えられている。
Therefore, along with the recovery technology, an important issue is the recovered Kr-8
, 5, how to safely store or dispose of them. Conventionally, methods have been considered to permanently preserve radioactive waste gas by sealing it in pressure-resistant pressure containers such as cylinders.

しかしながら、圧力容器に封入する方法は長期間にわた
る安全貯蔵の点で問題がある。例えば圧力容器は定期的
な耐圧試験が法令で義務づけられており、その都度貯蔵
ガスの移し替えなど煩雑で危険な作業が要求される欠点
がある。
However, the method of sealing in a pressure vessel has problems in terms of long-term safe storage. For example, pressure vessels are required by law to undergo periodic pressure tests, which have the disadvantage of requiring complicated and dangerous work such as transferring stored gas each time.

一方、気体廃棄物Kr−85の処理は前記ボンベ等の圧
力容器への貯蔵法の他に、ゼオライトに吸着させる方法
、イオン化注入固定法等が提案されている。
On the other hand, for the treatment of gaseous waste Kr-85, in addition to the method of storing it in a pressure vessel such as a cylinder, methods of adsorption to zeolite, ionization injection fixing method, etc. have been proposed.

しかしながら、ボンベ貯蔵法およびゼオライトに吸着さ
せる方法は実用化するには幾多の改善すべき問題がある
However, the bomb storage method and the zeolite adsorption method have many problems that need to be improved before they can be put to practical use.

−イオン注入法は、常温、低圧で処分操作がeきるだけ
でなく、長期間の安全性でも他の方法に比べて優れた方
法とされている。
- The ion implantation method not only allows disposal operations to be carried out at room temperature and low pressure, but is also considered to be superior to other methods in terms of long-term safety.

第4図は従来の放射性ガスをイオン化注入する・注入装
置の概要を示す断面図、第5図及び第6図は第4図に示
した装置の横断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing an outline of a conventional implantation apparatus for ionizing and implanting radioactive gas, and FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views of the apparatus shown in FIG. 4.

以下、第4図から第6図を参照しながら、従来の放射性
ガスの固定化処理装置を説明する。
Hereinafter, a conventional radioactive gas immobilization processing apparatus will be explained with reference to FIGS. 4 to 6.

円筒状容器1内に設けられたイオン化室2には冷却管3
およびリード線4が取りつけられた円筒型電極5がその
中央部に配置されている。前記冷却管3およびリード・
線4は、例えばバーメチ′ツクシールなどの絶縁体6に
よって上蓋7と絶縁封じされている。また、前記容器1
の上蓋7にはKr−85ガスを導入するためのバイブ9
がバルブ8を介しで接続されるとともに、前記容器1内
を排気するためのバイブ11がバルブ10を介して接続
されている。また、前記容器1の外周面には冷却パイプ
が巻回されている。なお、符号14はイオン注入された
Kr−85イオン層と電極がスパッタリングしたコーテ
ィング層からなる累積層であり、第5図および第6図中
、符号15はKr −85イオン、16は電極5から飛
び出すスパッタイオンをそれぞれ示している。
A cooling pipe 3 is provided in the ionization chamber 2 provided in the cylindrical container 1.
A cylindrical electrode 5 to which a lead wire 4 is attached is arranged at its center. The cooling pipe 3 and the lead
The wire 4 is insulated and sealed from the top cover 7 with an insulator 6 such as a barmetal seal. In addition, the container 1
The upper lid 7 has a vibrator 9 for introducing Kr-85 gas.
is connected via a valve 8, and a vibrator 11 for exhausting the inside of the container 1 is connected via a valve 10. Further, a cooling pipe is wound around the outer peripheral surface of the container 1. Note that reference numeral 14 is a cumulative layer consisting of an ion-implanted Kr-85 ion layer and a coating layer sputtered by the electrode; in FIGS. Each figure shows sputtered ions flying out.

次に上記装置においてKr −85ガスを固定化処分す
る方法を説明する。
Next, a method for fixing and disposing Kr-85 gas in the above apparatus will be explained.

即ち、第4図において、容器1内は排気用パイプ11に
接続される図示してない排気装置例えばイオンポンプ、
軸流分子ポンプ、油拡散ポンプなどで所望の真空麿、例
えば5X 10−’ T、orr fl瓜に排気された
後、バルブ10を閉じて容器1内を一定圧力に維持した
後、バルブ8を開いてバイブ9に接続された図示してい
ないボンベ等から1(r−85ガスを記し、容器1内に
一定圧力、例えば0.17orr稈度のに、r −85
ガスが封入されたらバルブ8を閉己る。
That is, in FIG. 4, the inside of the container 1 is equipped with an exhaust device (not shown) connected to an exhaust pipe 11, such as an ion pump,
After evacuating to a desired vacuum level, e.g., 5X 10-' T, orr fl., using an axial flow molecular pump, an oil diffusion pump, etc., the valve 10 is closed to maintain a constant pressure inside the container 1, and then the valve 8 is closed. 1 (r-85 gas is written from a cylinder (not shown) opened and connected to the vibrator 9, and the pressure inside the container 1 is constant, e.g. 0.17 orr, and the r-85
Once the gas is filled, valve 8 is closed.

また、冷却パイプおよび12に水などの冷却媒体を流し
て例えばニッケル電極5および容器1を冷却する。容器
1とニッケル電極5に接続されたリード線4の間にKr
 −85を注入し植えつけるのに充分なエネルギーで衝
撃できる例えば2〜5kVの高電圧を極性を交互に交換
できる図示し【ない直流高電圧電源により、ニッケル電
極5に印加する。ニッケル電極5にプラスの2〜5 k
Vの高電圧が印加されている時はイオン化された)(r
−85イオン15は第5図に示すように容器1の内面に
注入して植えつけられ、ニッケル電極5にマイナスの高
電圧2〜5  kVが印加されている場合は第6図に示
したように、Kr−85イオン15がニッケル電極5の
表面を衝撃して該電極5材をスパッタリングし、このス
パッタリングしたイオンが容器1の内面に植えつけられ
たKr−,85イオン15而上にコーティングされる。
Further, a cooling medium such as water is caused to flow through the cooling pipe and 12 to cool the nickel electrode 5 and the container 1, for example. Kr is connected between the container 1 and the lead wire 4 connected to the nickel electrode 5.
A high voltage of, for example, 2 to 5 kV capable of impacting with sufficient energy to inject and implant -85 is applied to the nickel electrode 5 by a direct current high voltage power supply (not shown) whose polarity can be alternately exchanged. 2 to 5 k plus nickel electrode 5
When a high voltage of V is applied, it is ionized) (r
-85 ions 15 are injected and planted into the inner surface of the container 1 as shown in FIG. 5, and when a negative high voltage of 2 to 5 kV is applied to the nickel electrode 5, Then, the Kr-85 ions 15 impact the surface of the nickel electrode 5 and sputter the material of the electrode 5, and the sputtered ions physically coat the Kr-85 ions 15 planted on the inner surface of the container 1. Ru.

このようにニッケル電極5に2〜5 kVのプラスの高
電圧、マイナスの高電圧を一定間隔で例えばコーティン
グの時は5sec 、 Kr −85イオン15の注入
の時は1 secのごとく、印加することにより、円筒
形容器1の内表面にKr−85イオン層とニッケルイオ
ンの金属コーティング層を累積させて累積層を形成させ
る。
In this way, a high positive voltage and a high negative voltage of 2 to 5 kV are applied to the nickel electrode 5 at regular intervals, for example, for 5 seconds during coating, and for 1 second when implanting Kr-85 ions 15. As a result, a Kr-85 ion layer and a metal coating layer of nickel ions are accumulated on the inner surface of the cylindrical container 1 to form a cumulative layer.

しかし、このような従来の放射性ガスのイオン化注入固
定装置は処理すべき放射性ガスの量の多い、少ないにか
かわらず、イオン化固定処理装置を稼動し、固定化処理
が終えると装置を停止することになる。イオン化固定処
理装置はオンライン(II、した場合、稼動、停止を頻
繁にくりかえすことは装置のメンテナ゛ンス、電力消費
、省力化からも好ましくなく、どちらかといえば連続的
に装置を稼動させることが望ましいことである。
However, with conventional radioactive gas ionization implantation and fixation equipment, the ionization fixation processing equipment is operated regardless of whether the amount of radioactive gas to be treated is large or small, and the equipment is stopped when the fixation process is completed. Become. If the ionization fixation processing equipment is online (II), it is undesirable to repeatedly start and stop the equipment from the viewpoint of equipment maintenance, power consumption, and labor saving, and if anything, it is preferable to run the equipment continuously. This is desirable.

[発明の目的] 本発明は上記した事情に鑑みてなされたもので、その目
的は核燃料再処理の際に生じる放射性ガス例えばKr−
85の処理役に対応してイオン化固定処理装置のイオン
化処理量、即ち処理能力を調整出来るようにした放射性
ガスの固定化処理装置を提供することにある。
[Object of the Invention] The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to treat radioactive gases such as Kr-
An object of the present invention is to provide a radioactive gas immobilization processing apparatus in which the ionization processing amount, that is, the processing capacity of the ionization fixation processing apparatus can be adjusted in accordance with the processing role of 85.

[発明の概要] ゛本発明に係る放射性ガスの固定化処理装置は放射性被
処理ガスが導入される筒状容器内に筒状電極が配置され
前記容器との間に極性の異なる例えば2〜5  kVの
高電圧を印加して前記放射性ガ、スをイオン化してグロ
ー放電をおこさせ、前記電極には負の高電圧−2〜−5
kVを印加して□、該イオンで衝撃して電極表面からス
パッタリングイオ□ンを発生させ”C前記容器内面にコ
ーティング層を形成する。
[Summary of the Invention] ゛The radioactive gas immobilization processing apparatus according to the present invention has a cylindrical electrode disposed in a cylindrical container into which a radioactive gas to be treated is introduced, and a cylindrical electrode having two to five electrodes having different polarities between the cylindrical electrode and the container. A high voltage of kV is applied to ionize the radioactive gas and cause a glow discharge, and a negative high voltage of -2 to -5 kV is applied to the electrode.
kV is applied □, and the ions are bombarded to generate sputtering ions □ from the electrode surface to form a coating layer on the inner surface of the container.

しかる後に、前記円筒状容器に−2〜−5kVの負の高
電圧を印加して該容器内面に前記イオンをイオン注入し
てイオン化層を形成し、前記コーティング化層とイオン
化層を交互に累積捕捉させる装置である。この装置の筒
状容器、内は複数個に分割した電気的に絶縁されたイオ
ン化室を形成し、各イオン化室に選択的または同時にイ
オン化注入する部材が設けられている。
After that, a negative high voltage of -2 to -5 kV is applied to the cylindrical container to inject the ions into the inner surface of the container to form an ionized layer, and the coated layer and the ionized layer are alternately accumulated. It is a device that captures images. The inside of the cylindrical container of this device forms a plurality of electrically insulated ionization chambers, and each ionization chamber is provided with a member for selectively or simultaneously injecting ionization.

[発明の実施例] 以下、第1図から第3図を参照しながら、本発明の放射
性ガスの固定化処理装置を詳細に説明する。
[Embodiments of the Invention] Hereinafter, the radioactive gas immobilization processing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

即ち、第1図は本発明の放射性ガスの固定化処理装置の
第1の実施例を示す断面図で第4図と同一部分は同一符
号で示し重複する部分の説明を省略づる。
That is, FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the radioactive gas immobilization processing apparatus of the present invention, and the same parts as in FIG. 4 are designated by the same reference numerals, and the explanation of the overlapping parts will be omitted.

円筒状容器1の中央部に配置された電極20.21.2
2は軸方向に沿って3等分に分割され、各々の分割部に
絶縁物23が介在されている。そして、これらの電極2
0.21.22をそれぞれ電気的に絶縁して第1のイオ
ン化室12、第2のイオン化室33および第3のイオン
化室34を形成させる。また各々の電極20..21.
22に対向した前記容器1の側面に3個の例えばハーメ
デックシールからなる絶縁体24を設け、この絶縁体2
4を介してそれぞれ独立にリード線25.26.27を
接続し、これらのリード線25.26.27にはスイッ
チ28.29.30が取りつけられている。これらのス
イッチ28.29.30の他端は一定間隔で極性を変え
ながら例えば2〜5kVの高電圧を印加する高電圧供給
電源31に接続され、該電源31の他端は前記容器1に
接続されている。このように第1の実施例では第1のイ
オン化室32、第2のイオン化室33第3のイオン化室
34に分割して形成した以外は第1図と同様の(同符号
)構成になっている。
Electrode 20.21.2 arranged in the center of the cylindrical container 1
2 is divided into three equal parts along the axial direction, and an insulator 23 is interposed in each divided part. And these electrodes 2
0.21.22 are electrically insulated to form a first ionization chamber 12, a second ionization chamber 33, and a third ionization chamber 34, respectively. Also, each electrode 20. .. 21.
Three insulators 24 made of, for example, Hermedic seals are provided on the side surface of the container 1 opposite to the insulators 22.
Lead wires 25, 26, 27 are connected independently through the wires 4, and switches 28, 29, 30 are attached to these lead wires 25, 26, 27. The other ends of these switches 28, 29, 30 are connected to a high voltage supply power source 31 that applies a high voltage of, for example, 2 to 5 kV while changing the polarity at regular intervals, and the other end of the power source 31 is connected to the container 1. has been done. In this way, the first embodiment has the same structure as that in FIG. 1 (same reference numerals) except that it is divided into a first ionization chamber 32, a second ionization chamber 33, and a third ionization chamber 34. There is.

次に第1の実施例における処理装置を用いて実際に放射
性被処理ガスの例としてl(r −85ガスをイオン化
処理する方法について詳細に説明する。
Next, a method for actually ionizing l(r-85 gas) as an example of a radioactive gas to be processed using the processing apparatus in the first embodiment will be described in detail.

なお、電極20.21.22の材料にはニッケルを使用
した例である。Kr−85ガス量が比較的少ない場合は
電極20に相当する部分のイオン化室32でに’r−8
5ガスのイオン化固定処理することとし、スイッチ28
を閉じで(スイッチ29.30は開放状態)容器1と電
極20間に高電圧供給電源31により、一定間隔で極性
の異った高電圧例えば2〜5’kVを印加する。そして
第5図および第6図に示した方法で、第1のイオン化室
32内で電極20のスパッタリングによる容器1の内壁
へのコーティング層の形成およびイオン化層の形成を繰
返して行うことによってイオン層14を形成しKr −
85のイオン注入固定化処理を行う。
Note that this is an example in which nickel is used as the material for the electrodes 20, 21, and 22. When the amount of Kr-85 gas is relatively small, 'r-8
5 gas ionization and fixation processing, switch 28
is closed (switches 29 and 30 are open), and high voltages of different polarities, for example, 2 to 5' kV, are applied at regular intervals between the container 1 and the electrodes 20 by the high voltage power supply 31. Then, by repeating the formation of a coating layer on the inner wall of the container 1 by sputtering the electrode 20 and the formation of an ionization layer in the first ionization chamber 32 by the method shown in FIGS. 5 and 6, an ionization layer is formed. 14 and Kr −
85 ion implantation fixation process is performed.

また、多量のKr −85ガスを処理する場合には、ス
イッチ29.30も閉にすることにより、第2のイオン
化室33および第3のイオン化室34でも同等の方法で
同時にイオン注入固定化、処理を行うことができる。
In addition, when processing a large amount of Kr-85 gas, by also closing the switch 29.30, ion implantation and immobilization can be performed simultaneously in the second ionization chamber 33 and the third ionization chamber 34 using the same method. can be processed.

このようにして、処理されるKr−85ガス聞の多少、
即ち処理量の変動に対応して処理能力を調整することに
より、処理量−の平均化をはかった連続的な運転を行う
ことができる。
In this way, some of the Kr-85 gas treated is
That is, by adjusting the processing capacity in response to fluctuations in the processing amount, continuous operation can be performed with an aim to average the processing amount.

第2図は本発明の放射性ガスの固定化処理装置の第2の
実施例を示す断面図である。第2図中、第1図と同一部
分は同一符号で示し重複する部分の説明を省略する。
FIG. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the radioactive gas immobilization processing apparatus of the present invention. In FIG. 2, parts that are the same as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and explanations of overlapping parts will be omitted.

この実施例が第1図の実施例と異なる点は中空円筒状電
極5を共通とし、円筒状容器1を3分割し、その分割面
に絶縁体23を介在して電気的に絶縁し第1のイオン化
室32、第2のイオン化室33、fiI3(7)イオン
化室34を形成する。また容器1の底面に絶縁体を設け
、この絶縁体24を貫通して電極5は高電圧供給電源3
1の一端に接続されている。さらに第1、第2および第
3のイオン化処理2.33.34の容器1に14電圧供
給電源31の他端からはスイッチ35.36.37を介
してリード線が接続されている。その他の構成は第1図
と同じ構成である。
This embodiment differs from the embodiment shown in FIG. 1 by using a common hollow cylindrical electrode 5, dividing the cylindrical container 1 into three parts, and interposing an insulator 23 between the divided surfaces to electrically insulate the first part. An ionization chamber 32, a second ionization chamber 33, and a fiI3(7) ionization chamber 34 are formed. Further, an insulator is provided on the bottom of the container 1, and the electrode 5 is connected to the high voltage supply power source 3 through the insulator 24.
It is connected to one end of 1. Further, lead wires are connected from the other end of the 14-voltage power supply 31 to the containers 1 of the first, second, and third ionization treatments 2, 33, and 34 via switches 35, 36, and 37. The other configurations are the same as in FIG. 1.

このような構成の装置におい、てスイッチ28を閉にし
、スイッチ29.30は開放状態にしておき、第1図で
説明したのと同等の方法により、第1のイオ・ン化室3
2でKr −85のイオン注入固定化処理を行うことが
できる。
In the apparatus having such a configuration, the switch 28 is closed, the switches 29 and 30 are left open, and the first ionization chamber 3 is opened in the same manner as explained in FIG.
In step 2, Kr-85 can be immobilized by ion implantation.

第3図は本発明の第3の実施例を示したものである。こ
の第3の実施例は前述した第1図および第2図の装置に
おける容器および電極をそれぞれ分割して示した以外は
ほぼ同様の構成である。この実施例によってもKr −
85のイオン注入固定化処理が実現できる。
FIG. 3 shows a third embodiment of the invention. This third embodiment has substantially the same structure as the apparatus shown in FIGS. 1 and 2, except that the container and the electrodes are shown separately. According to this example, Kr −
85 ion implantation fixation processes can be realized.

以上の実施例では円筒状電極材としてニッケルを使用し
た例について説明したが、これに限ることなくニッケル
とランタン勇合金、ランタン、銅、銅合金、金、銀、ア
ルミニウム、アルミニウム合金などスパッタリングを起
しやすい金属ならばすべて本発明に適用される。
In the above embodiment, an example in which nickel was used as the cylindrical electrode material was explained, but the material is not limited to this, and sputtering can be performed using nickel, lanthanum alloy, lanthanum, copper, copper alloy, gold, silver, aluminum, aluminum alloy, etc. Any metal that is easy to bond can be applied to the present invention.

また被処理ガスの例としてKr −85ガスのイオン化
処理につい°(説明したが、本発明は他の放射性ガス、
または有毒ガスについても適用され、イオン化室も3分
割に限定されない。
In addition, as an example of the gas to be processed, the ionization treatment of Kr-85 gas has been described (although the present invention is applicable to other radioactive gases,
The present invention also applies to toxic gases, and the ionization chamber is not limited to three divisions.

なお、冷却媒体は水に限定されないし、円筒状電極と容
器間に印加する高電圧は容器および電極の大きさなどで
変化することは当然の、ことで2〜5 kVに限定され
ない。さらに容器内に導入されるガスの圧力は上記で説
明した値に限定されない。
Note that the cooling medium is not limited to water, and the high voltage applied between the cylindrical electrode and the container naturally varies depending on the size of the container and the electrode, and is not limited to 2 to 5 kV. Furthermore, the pressure of the gas introduced into the container is not limited to the values described above.

[発明の効果]  、 以上説明したように本発明の放射性ガスの固定化処理装
置によれば、燃料再処理工場で回収された放射性ガス、
例えばKr −85ガスの量によってイオン注入固定化
処理能力を調整することが可能となるので、オンライン
化されたイオン注入固定化処理装置を連続的に運転でき
るようになる。
[Effects of the invention] As explained above, according to the radioactive gas immobilization processing device of the present invention, radioactive gas recovered at a fuel reprocessing plant,
For example, the ion implantation and immobilization processing capacity can be adjusted by adjusting the amount of Kr-85 gas, so that an online ion implantation and immobilization processing apparatus can be operated continuously.

従って、装置の稼動および停止を頻繁にくりかえす必要
がなく、かつ装置のメンテナンスが容易で、電力消費が
少なく、しかも省力化できる等実用的に大なる効果を奏
する。
Therefore, it is not necessary to repeatedly start and stop the device, the maintenance of the device is easy, the power consumption is low, and it is possible to save labor, which has great practical effects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図から第3図は本発明に係る放射性ガスの固定化装
置の第1から第3の実施例をそれぞれ示す縦断面図、第
4図は従来の放射性ガスをイオン化注入する注入装置の
概要を示す断面図、第5図および第6図は第1図に示し
た装置の横断面図である。 1・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・円筒状
容器3・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・冷
却管6.23.24・・・絶縁体 8.10・・・・・・・・・・・・バルブ9.11・・
・・・・・・・・・・パイプ12・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・冷却パイプ14・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・イオン層20.21.2
2・・・円筒状電極 25.26.27・・・リード線 28.29.30・・・スイッチ 31・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・高電
圧供給電源32.331.34・・・イオン化苗 代理人弁理士    須 山 佐 − 第1図 第2図 第3図 第q図 第5図  第す図
1 to 3 are vertical sectional views showing first to third embodiments of a radioactive gas immobilization device according to the present invention, and FIG. 4 is an outline of a conventional injection device for ionizing and injecting radioactive gas. FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views of the apparatus shown in FIG. 1. 1・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・Cylindrical container 3・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・Cooling pipe 6 .23.24... Insulator 8.10... Valve 9.11...
・・・・・・・・・Pipe 12・・・・・・・・・
.........Cooling pipe 14...
・・・・・・・・・・・・Ionic layer 20.21.2
2...Cylindrical electrode 25.26.27...Lead wire 28.29.30...Switch 31...High voltage Power supply 32.331.34...Patent attorney for ionized seedlings Sasa Suyama - Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure q Figure 5 Figure S

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)放射性被処理ガスが導入される筒状容器と、この
容器内に配置された電極と、この電極と前記容器の間に
極性が異なる高電圧を印加する直流電圧電源と、前記容
器内に電気的に絶縁されて複数に分割された複数のイオ
ン化室とからなることを特徴とする放射性ガスの固定化
処理装置。
(1) A cylindrical container into which a radioactive gas to be treated is introduced, an electrode placed inside this container, a DC voltage power source that applies a high voltage of different polarity between this electrode and the container, and a DC voltage power supply inside the container. 1. A radioactive gas immobilization processing device comprising a plurality of ionization chambers electrically insulated and divided into a plurality of ionization chambers.
(2)前記電極は中空筒状体で絶縁体を介して複数に分
割されておりかつ冷却管が設けられていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の放射性ガスの固定化処
理装置。
(2) The radioactive gas immobilization process according to claim 1, wherein the electrode is a hollow cylindrical body that is divided into a plurality of parts via an insulator and is provided with a cooling pipe. Device.
(3)前記容器と電極間には前記電源によって2〜5k
Vの高電圧が印加され、また該電極には2〜5kVの負
の電圧が印加され、さらに該容器に2〜5の負の電圧が
印加され前記容器の内面にイオン化層とスパッタリング
イオンによるコーテング層とが交互に累積されることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の放射性ガスの固
定化処理装置。
(3) The distance between the container and the electrode is 2 to 5 k depending on the power source.
A high voltage of V is applied, a negative voltage of 2 to 5 kV is applied to the electrode, and a negative voltage of 2 to 5 kV is applied to the container to coat the inner surface of the container with an ionized layer and sputtered ions. 2. The radioactive gas immobilization processing apparatus according to claim 1, wherein the layers are alternately accumulated.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6426175A (en) * 1986-12-26 1989-01-27 Toshiba Corp Test data preparing system for logic integrated circuit

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