JPH04331030A - 発振回路の製造装置 - Google Patents
発振回路の製造装置Info
- Publication number
- JPH04331030A JPH04331030A JP3100890A JP10089091A JPH04331030A JP H04331030 A JPH04331030 A JP H04331030A JP 3100890 A JP3100890 A JP 3100890A JP 10089091 A JP10089091 A JP 10089091A JP H04331030 A JPH04331030 A JP H04331030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation circuit
- oscillation
- dielectric resonator
- microstrip line
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 6
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/008—Manufacturing resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
- H03B2200/0028—Structural aspects of oscillators based on a monolithic microwave integrated circuit [MMIC]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0066—Amplitude or AM detection
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/017—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a dielectric resonator
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、衛星放送受信用コンバ
ータや測定器などに用いられる局部発振回路の製造装置
に関するものである。
ータや測定器などに用いられる局部発振回路の製造装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年情報ネットワークシステムの急速な
展開が図られる中で、衛星通信・放送システムの需要も
急増し、周波数帯もますます高周波化されつつある。高
周波信号を低周波信号に変換するダウンコンバータに局
部発振回路として使用される発振回路の需要も高まって
いる。
展開が図られる中で、衛星通信・放送システムの需要も
急増し、周波数帯もますます高周波化されつつある。高
周波信号を低周波信号に変換するダウンコンバータに局
部発振回路として使用される発振回路の需要も高まって
いる。
【０００３】ところで従来、この種の発振回路は、１つ
の半絶縁性ＧａＡｓ基板上にＦＥＴをはじめとする発振
回路の構成に必要な素子をすべて集積したＭＭＩＣ（Ｍ
ｉｃｒｏｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｉｎｔｅｇ
ｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ ）発振回路として、ある
いは、ディスクリートのＧａＡｓＦＥＴおよび他の部品
を組み合わせて構成されるが、これらの発振回路をマイ
クロストリップ線路に接続し、さらにこのマイクロスト
リップ線路に近接させて誘電体共振器を配置し電磁的に
結合させることによって、所望の発振周波数とスペクト
ルの純度を得ている。
の半絶縁性ＧａＡｓ基板上にＦＥＴをはじめとする発振
回路の構成に必要な素子をすべて集積したＭＭＩＣ（Ｍ
ｉｃｒｏｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｉｎｔｅｇ
ｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ ）発振回路として、ある
いは、ディスクリートのＧａＡｓＦＥＴおよび他の部品
を組み合わせて構成されるが、これらの発振回路をマイ
クロストリップ線路に接続し、さらにこのマイクロスト
リップ線路に近接させて誘電体共振器を配置し電磁的に
結合させることによって、所望の発振周波数とスペクト
ルの純度を得ている。
【０００４】この場合、誘電体共振器のマイクロストリ
ップ線路に対する位置は、ＦＥＴパラメータ等の製造ば
らつきによって一定の位置に固定することができないた
め、その位置決めに際しては、手作業により個々に調整
を行っている。
ップ線路に対する位置は、ＦＥＴパラメータ等の製造ば
らつきによって一定の位置に固定することができないた
め、その位置決めに際しては、手作業により個々に調整
を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように衛星放
送受信用コンバータなどに用いられる従来の発振回路で
は、マイクロストリップ線路に対する誘電体共振器の位
置決めを手作業により行っているが、誘電体共振器は通
常５ｍｍ程度の直径を有する円筒形をしており、これを
ピンセットなどでつかんで位置合わせをするという作業
はきわめて微妙かつ困難で、熟練した作業者にしかでき
ない高度な作業であり、生産性もきわめて低いという問
題があった。
送受信用コンバータなどに用いられる従来の発振回路で
は、マイクロストリップ線路に対する誘電体共振器の位
置決めを手作業により行っているが、誘電体共振器は通
常５ｍｍ程度の直径を有する円筒形をしており、これを
ピンセットなどでつかんで位置合わせをするという作業
はきわめて微妙かつ困難で、熟練した作業者にしかでき
ない高度な作業であり、生産性もきわめて低いという問
題があった。
【０００６】本発明の課題は、このような問題点を解消
することにある。
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の発振装置の製造
装置は、誘電体共振器を支持する手段と、支持された誘
電体共振器を、発振回路およびマイクロストリップ線路
を形成した基板上の任意の位置に位置決めする機構と、
発振回路の発振出力をモニタリングする手段と、その発
振出力に応じて上記誘電体共振器の位置決め機構の駆動
装置を制御する手段とを備えたものである。
装置は、誘電体共振器を支持する手段と、支持された誘
電体共振器を、発振回路およびマイクロストリップ線路
を形成した基板上の任意の位置に位置決めする機構と、
発振回路の発振出力をモニタリングする手段と、その発
振出力に応じて上記誘電体共振器の位置決め機構の駆動
装置を制御する手段とを備えたものである。
【０００８】発振回路は、半絶縁性ＧａＡｓなどの基板
上にＦＥＴ、抵抗、コンデンサ、インダクタなど発振回
路の構成に必要な素子をすべて集積したＭＭＩＣ発振回
路でも、ディスクリートのＦＥＴおよび他の部品をいく
つか用いて構成されるものでもよい。
上にＦＥＴ、抵抗、コンデンサ、インダクタなど発振回
路の構成に必要な素子をすべて集積したＭＭＩＣ発振回
路でも、ディスクリートのＦＥＴおよび他の部品をいく
つか用いて構成されるものでもよい。
【０００９】
【作用】モニタリング手段により発振回路の発振出力を
モニタリングしながら、制御手段により位置決め機構の
駆動装置を制御し、誘電体共振器とマイクロストリップ
線路との相対位置を変化させる。発振回路の発振出力が
最大になったところで、誘電体共振器はマイクロストリ
ップ線路に対して最適な位置に配置される。
モニタリングしながら、制御手段により位置決め機構の
駆動装置を制御し、誘電体共振器とマイクロストリップ
線路との相対位置を変化させる。発振回路の発振出力が
最大になったところで、誘電体共振器はマイクロストリ
ップ線路に対して最適な位置に配置される。
【００１０】
【実施例】以下、図１ないし図５を用いて本発明の一実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００１１】図１はシステム全体の構成を示す。発振回
路基板１は、図２に示すように、ＭＭＩＣ発振回路１１
をマイクロストリップ線路１２が形成されたセラミック
等の基板１３に実装し、ワイヤ１４により接続したもの
で、ＭＭＩＣ発振回路１１には、半絶縁性のＧａＡｓ基
板上にＯＭＶＰＥ（有機金属気相成長）法などにより各
層を成長させ、発振回路の構成に本来必要な素子である
ＦＥＴ、抵抗、コンデンサ、インダクタなどをすべて集
積してある。発振回路基板１は、ある程度の重さのある
例えば真鍮でできたようなブロック２に固定するのが作
業性が良い。
路基板１は、図２に示すように、ＭＭＩＣ発振回路１１
をマイクロストリップ線路１２が形成されたセラミック
等の基板１３に実装し、ワイヤ１４により接続したもの
で、ＭＭＩＣ発振回路１１には、半絶縁性のＧａＡｓ基
板上にＯＭＶＰＥ（有機金属気相成長）法などにより各
層を成長させ、発振回路の構成に本来必要な素子である
ＦＥＴ、抵抗、コンデンサ、インダクタなどをすべて集
積してある。発振回路基板１は、ある程度の重さのある
例えば真鍮でできたようなブロック２に固定するのが作
業性が良い。
【００１２】この発振回路基板１に対し、誘電体共振器
３を位置決めする。ここで、誘電体共振器３を支持する
機構は金属では不適当であり、低比誘電率の例えばテフ
ロン（登録商標）やガラスのような材質が良い。これら
の材質（例えばテフロン）で図３に示すように外径３ミ
リ程度の管４１を作り、これを片方からロータリーポン
プ４２などで真空に引けば誘電体共振器３をつかむこと
ができる。なお、４３はビニール等のパイプである。
３を位置決めする。ここで、誘電体共振器３を支持する
機構は金属では不適当であり、低比誘電率の例えばテフ
ロン（登録商標）やガラスのような材質が良い。これら
の材質（例えばテフロン）で図３に示すように外径３ミ
リ程度の管４１を作り、これを片方からロータリーポン
プ４２などで真空に引けば誘電体共振器３をつかむこと
ができる。なお、４３はビニール等のパイプである。
【００１３】誘電体共振器３には、少なくともその上面
から数ミリ程度の距離に金属製の屋根が必要であり、こ
れがなければ発信しないことが多い。したがって、上記
テフロン製の管４１の中間付近に、図４に示すような、
その中央にテフロン製の管４１の外径と同じ径の円穴が
開いた直径１ｃｍから３ｃｍ程度の金属製の円板４４を
図のように取り付け状況に応じて高さを調節できるよう
にしておく。この円板４４は通常の板でもよいが、図示
のように金属製の網を使用すれば、上から円板４４の下
の様子を見ることができて作業性が良い。このように網
状のものを使用する場合、円板の機械強度を持たせるた
めには、図示のように２枚のドーナツ状のリング４４１
で網状の円板を挟んだり、透明のアクリル板に張り付け
るなどすればよい。
から数ミリ程度の距離に金属製の屋根が必要であり、こ
れがなければ発信しないことが多い。したがって、上記
テフロン製の管４１の中間付近に、図４に示すような、
その中央にテフロン製の管４１の外径と同じ径の円穴が
開いた直径１ｃｍから３ｃｍ程度の金属製の円板４４を
図のように取り付け状況に応じて高さを調節できるよう
にしておく。この円板４４は通常の板でもよいが、図示
のように金属製の網を使用すれば、上から円板４４の下
の様子を見ることができて作業性が良い。このように網
状のものを使用する場合、円板の機械強度を持たせるた
めには、図示のように２枚のドーナツ状のリング４４１
で網状の円板を挟んだり、透明のアクリル板に張り付け
るなどすればよい。
【００１４】テフロンやガラス製の管はそのままでは折
れやすいので、図のように円板４４より上の部分は金属
等でできたパイプ４５で補強し、このパイプを支持ステ
ー５１でつかみ、マニピュレータ５２に接続してＸＹＺ
軸の微動ができるようにする。微動の制度は一般的な光
学実験用のマニピュレータと同程度で１０μｍあれば十
分である。
れやすいので、図のように円板４４より上の部分は金属
等でできたパイプ４５で補強し、このパイプを支持ステ
ー５１でつかみ、マニピュレータ５２に接続してＸＹＺ
軸の微動ができるようにする。微動の制度は一般的な光
学実験用のマニピュレータと同程度で１０μｍあれば十
分である。
【００１５】マニピュレータ５２はＸＹＺ軸のうち少な
くとも２軸（ＸＹ軸）はモーター５３によりコントロー
ルされるものとし、そのモーター５３はコンピュータ６
により制御される。
くとも２軸（ＸＹ軸）はモーター５３によりコントロー
ルされるものとし、そのモーター５３はコンピュータ６
により制御される。
【００１６】一方、発振回路１１の発振出力はアンプ７
１で増幅された後Ａ／Ｄ変換器７２でＡ／Ｄ変換され、
コンピュータ６に送られる。コンピュータ６では、この
発振出力が最大となるようにモーター５３を制御するプ
ログラムが実行される。
１で増幅された後Ａ／Ｄ変換器７２でＡ／Ｄ変換され、
コンピュータ６に送られる。コンピュータ６では、この
発振出力が最大となるようにモーター５３を制御するプ
ログラムが実行される。
【００１７】図５にそのフローチャートを示す。同図に
は基本的な部分しか記していないが、詳細は以下の通り
である。まず、Ｘ，Ｙ方向の最大移動範囲を設定してお
きその範囲でのみスキャンするようにする。次にその範
囲で１００μｍステップでＸ方向に動かしながら発振出
力を読取り最大になるところを探す。この間まったく発
振しなければ、そのときのＹの位置では発振しないとい
うことであるから、Ｙ方向に１００μｍ動かして前述の
Ｘ方向のスキャンをさらに繰り返す。
は基本的な部分しか記していないが、詳細は以下の通り
である。まず、Ｘ，Ｙ方向の最大移動範囲を設定してお
きその範囲でのみスキャンするようにする。次にその範
囲で１００μｍステップでＸ方向に動かしながら発振出
力を読取り最大になるところを探す。この間まったく発
振しなければ、そのときのＹの位置では発振しないとい
うことであるから、Ｙ方向に１００μｍ動かして前述の
Ｘ方向のスキャンをさらに繰り返す。
【００１８】あるＹの位置にくれば、Ｘ方向のスキャン
を行っているときに、あるＸの位置で発振するようにな
るから、そのＹの位置での発振出力最大のポイントを探
す。図５のフローチャートはこの発振可能なＹの位置に
きてからのアルゴリズムを示したもので、そのＹの位置
での発振出力最大のポイントをみつけたら、次は同様の
アルゴリズムでＹの位置を最適化する。これで誘電体共
振器３の位置は最適化されたことになるが、移動ステッ
プを１０μｍにしてもう一度同様の処理を繰り返せばさ
らに精度は上がる。
を行っているときに、あるＸの位置で発振するようにな
るから、そのＹの位置での発振出力最大のポイントを探
す。図５のフローチャートはこの発振可能なＹの位置に
きてからのアルゴリズムを示したもので、そのＹの位置
での発振出力最大のポイントをみつけたら、次は同様の
アルゴリズムでＹの位置を最適化する。これで誘電体共
振器３の位置は最適化されたことになるが、移動ステッ
プを１０μｍにしてもう一度同様の処理を繰り返せばさ
らに精度は上がる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、誘
電体共振器を支持する手段と、支持された誘電体共振器
を、発振回路およびマイクロストリップ線路を形成した
基板上の任意の位置に位置決めする機構と、発振回路の
発振出力をモニタリングする手段と、その発振出力に応
じて上記誘電体共振器の位置決め機構の駆動装置を制御
する手段とを備えた装置により、発振装置の製造におい
て、マイクロストリップ線路に対する誘電体共振器の位
置決め作業を自動化できる。
電体共振器を支持する手段と、支持された誘電体共振器
を、発振回路およびマイクロストリップ線路を形成した
基板上の任意の位置に位置決めする機構と、発振回路の
発振出力をモニタリングする手段と、その発振出力に応
じて上記誘電体共振器の位置決め機構の駆動装置を制御
する手段とを備えた装置により、発振装置の製造におい
て、マイクロストリップ線路に対する誘電体共振器の位
置決め作業を自動化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す発振回路の製造装置の
システム構成図
システム構成図
【図２】発振回路基板１を示す平面図および正面図
【図
３】誘電体共振器３の支持機構を示す正面図
３】誘電体共振器３の支持機構を示す正面図
【図４】円
板４４を示す平面図
板４４を示す平面図
【図５】コンピュータ６において実行される制御プログ
ラムを示すフローチャート
ラムを示すフローチャート
１…発振回路基板
３…誘電体共振器
６…コンピュータ
１１…ＭＭＩＣ発振回路
１２…マイクロストリップ線路
１３…セラミック基板
４１…テフロン管
４２…ロータリーポンプ
４４…金属円板
５１…支持ステー
５２…マニピュレータ
５３…モーター
７１…アンプ
７２…Ａ／Ｄ変換器
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体共振器を支持する手段と、支持され
た誘電体共振器を、発振回路およびマイクロストリップ
線路を形成した基板上の任意の位置に位置決めする機構
と、発振回路の発振出力をモニタリングする手段と、そ
の発振出力に応じて上記誘電体共振器の位置決め機構の
駆動装置を制御する手段とを備えたことを特徴とする発
振回路の製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3100890A JPH04331030A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 発振回路の製造装置 |
| US07/872,997 US5235291A (en) | 1991-05-02 | 1992-04-24 | Fabrication device which automatically positions a dielectric resonator with respect to a substrate for mounting of the resonator thereon in accordance with a monitored oscillation output signal |
| CA002067476A CA2067476A1 (en) | 1991-05-02 | 1992-04-28 | Oscillating apparatus fabrication device |
| EP19920107406 EP0512421A1 (en) | 1991-05-02 | 1992-04-30 | Oscillating apparatus fabrication device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3100890A JPH04331030A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 発振回路の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04331030A true JPH04331030A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=14285928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3100890A Pending JPH04331030A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 発振回路の製造装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5235291A (ja) |
| EP (1) | EP0512421A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04331030A (ja) |
| CA (1) | CA2067476A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5383267A (en) * | 1993-09-07 | 1995-01-24 | Harman International Industries, Inc. | Apparatus for centering an actuator coil |
| US6126382A (en) * | 1997-11-26 | 2000-10-03 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for aligning substrate to chuck in processing chamber |
| US5959503A (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-28 | Motorola Inc. | Voltage controlled oscillator tuning by metal lid aperture selection |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138305A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Microwave oscillator |
| DE3322304A1 (de) * | 1983-06-21 | 1985-01-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Streifenleitungsdopplerradar |
| JPS60123106A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-07-01 | Nec Corp | 周波数トリミング法 |
| JPS60204104A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-15 | Fujitsu Ltd | 誘電体発振器 |
| JPS60232705A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-19 | Nec Corp | マイクロ波発振器 |
| US4591806A (en) * | 1984-07-02 | 1986-05-27 | Havens Richard C | Dielectric resonator stabilized oscillator and method for optimizing the operating characteristics thereof |
-
1991
- 1991-05-02 JP JP3100890A patent/JPH04331030A/ja active Pending
-
1992
- 1992-04-24 US US07/872,997 patent/US5235291A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-28 CA CA002067476A patent/CA2067476A1/en not_active Abandoned
- 1992-04-30 EP EP19920107406 patent/EP0512421A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2067476A1 (en) | 1992-11-03 |
| US5235291A (en) | 1993-08-10 |
| EP0512421A1 (en) | 1992-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8242957B2 (en) | Method and system for dynamic tracking utilizing leaky wave antennas | |
| Barker et al. | Silicon-on-insulator substrates as a micromachining platform for advanced terahertz circuits | |
| JPH04331030A (ja) | 発振回路の製造装置 | |
| Putz et al. | NbTiN Hot Electron Bolometer Waveguide Mixers on ${\rm Si} _ {3}{\rm N} _ {4} $ Membranes at THz Frequencies | |
| JP3208607B2 (ja) | 導波管・平面線路変換器 | |
| US3636480A (en) | Stable solid dielectric microwave resonator and separable waveguide means | |
| EP0767531A1 (en) | A microwave oscillation circuit and a down converter using the same | |
| CN115948235A (zh) | 一种基于固态纳米孔的dna测序一体化装置 | |
| JPS585005A (ja) | 発振ダイオ−ド及び可変容量ダイオ−ドからなるモジユ−ルの製造方法、及び該モジユ−ルを組み込んだ同調可能なトランスミツタ | |
| US5774026A (en) | High frequency impedance transformer | |
| JPS61172415A (ja) | エツジ接点のまわりに薄膜ラツプを有するｓｉｓ形ミクサ | |
| CA1236215A (en) | Travelling wave or like tubes | |
| JPS6072301A (ja) | 可変移相器 | |
| JP3198610B2 (ja) | 誘電体共振器の共振周波数調整方法 | |
| JP2550274B2 (ja) | 移動体用アンテナ装置 | |
| JPS6143285Y2 (ja) | ||
| JPH03240304A (ja) | 導波管半導体装置の調整方法 | |
| JPH0575491A (ja) | マイクロ波受信用コンバータおよび該コンバータを用いたアンテナ装置の組立方法 | |
| JP2002531984A (ja) | 定利得、定位相遅れｒｆ利得ブロック | |
| JPH10308629A (ja) | マイクロ波発振器 | |
| JPS63220605A (ja) | 高周波回路の調整方法 | |
| CN116539182A (zh) | 一种基于平面波导的微波超材料高温传感器及制备方法 | |
| JPH06334413A (ja) | モノリシック共振回路の製造方法 | |
| JPH05243888A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH07202566A (ja) | 半導体装置 |