JPH04322162A - Voltage resonance converter - Google Patents

Voltage resonance converter

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JPH04322162A
JPH04322162A JP11528091A JP11528091A JPH04322162A JP H04322162 A JPH04322162 A JP H04322162A JP 11528091 A JP11528091 A JP 11528091A JP 11528091 A JP11528091 A JP 11528091A JP H04322162 A JPH04322162 A JP H04322162A
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JP
Japan
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voltage
semiconductor switching
switching element
transformer
circuit
Prior art date
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Application number
JP11528091A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Matsumoto
哲也 松本
Kiyomi Watanabe
清美 渡辺
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Origin Electric Co Ltd
Original Assignee
Origin Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce a switching loss of a semiconductor switching element such as a FET, etc., by providing a predetermined time constant circuit between a driving winding and a control pole of the element, and turning ON the element at the timing in which a voltage at both terminals of the element becomes substantially zero. CONSTITUTION:A time constant circuit 60 is provided between a driving winding N3 of a transformer T and a gate of a FET 1. A semiconductor switching element FET is turned ON and OFF thereby to generate an AC voltage at an output winding of a transformer, and the AC voltage is rectified and smoothed to obtain a predetermined voltage. In this case, if a time constant of the circuit 60 is so set that the gate voltage of the FET 1 exceeds its threshold value when the voltage of the FET 1 is substantially 0V, a resonance operation having no turning ON loss is performed.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、直流電源電圧を半導体
スイッチング素子でオン、オフすることによって、共振
回路要素を有するトランスの出力巻線に交流電圧を発生
させ、この交流電圧を整流、平滑して所定の電圧を得る
電圧共振コンバータに関するものである。このコンバー
タは、高効率が得られるので、たとえば、バッテリ48
Vを入力とし、進行波管のコレクタ電圧を得るポータブ
ル形の衛星通信用電源に最適である。
[Industrial Application Field] The present invention generates an alternating current voltage in the output winding of a transformer having a resonant circuit element by turning on and off a direct current power supply voltage using a semiconductor switching element, and rectifies and smooths this alternating voltage. This invention relates to a voltage resonant converter that obtains a predetermined voltage. This converter has high efficiency, so for example, the battery 48
It is ideal for a portable satellite communication power supply that takes V as an input and obtains the collector voltage of a traveling wave tube.

【0002】0002

【従来の技術】直流電源電圧を半導体スイッチング素子
でオン、オフすることによって、共振回路要素を有する
トランスの出力巻線に交流電圧を発生させ、この交流電
圧を整流、平滑して所定の電圧を得る共振コンバータと
しては、一石電圧共振形コンバータが知られている。
[Prior Art] By turning a DC power supply voltage on and off using a semiconductor switching element, an AC voltage is generated in the output winding of a transformer having a resonant circuit element, and this AC voltage is rectified and smoothed to produce a predetermined voltage. As a resonant converter that can be obtained, a single-channel voltage resonant converter is known.

【0003】この従来の一石電圧共振形コンバータは、
共振動作によって半導体スイッチング素子であるMOS
FETのターンオン、ターンオフロスを減らし、効率を
向上させている。
[0003] This conventional single-stone voltage resonant converter is
MOS, which is a semiconductor switching element due to resonance operation
It reduces FET turn-on and turn-off losses and improves efficiency.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例に
おいては、他励式であるので、MOSFETのドレイン
電圧の零点を検出してそのターンオンのタイミングをと
らねばならず、したがって、共振モードで動作させるた
めの制御回路が複雑になるという問題がある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above conventional example, since it is a separately excited type, it is necessary to detect the zero point of the drain voltage of the MOSFET to determine the turn-on timing, and therefore the MOSFET is operated in a resonance mode. There is a problem that the control circuit for this becomes complicated.

【0005】本発明は、簡単な制御回路によって、FE
T等の半導体スイッチング素子のスイッチングロスを減
らすことができる自励式の電圧共振コンバータを提供す
ることを目的とするものである。
[0005] The present invention enables the FE to be controlled by a simple control circuit.
It is an object of the present invention to provide a self-excited voltage resonant converter that can reduce switching loss of semiconductor switching elements such as T-type semiconductor switching elements.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、直流電源と、
トランスの励磁インダクタンスと共振する共振コンデン
サと、半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチ
ング素子と並列に接続されたダイオードと、整流・平滑
回路とを有し、上記半導体スイッチング素子をオン、オ
フすることによって、上記トランスの出力巻線に交流電
圧を発生させ、この交流電圧を上記整流・平滑回路によ
って整流、平滑して所定の電圧を得る共振コンバータに
おいて、上記トランスの駆動巻線と半導体スイッチング
素子の制御極との間に、所定の時定数回路を設け、この
時定数回路は、半導体スイッチング素子の両端電圧が零
になるタイミングで、その半導体スイッチング素子をオ
ンさせるものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a direct current power supply,
It has a resonant capacitor that resonates with the excitation inductance of the transformer, a semiconductor switching element, a diode connected in parallel with the semiconductor switching element, and a rectification/smoothing circuit, and by turning on and off the semiconductor switching element, In the resonant converter, an alternating current voltage is generated in the output winding of the transformer, and the alternating current voltage is rectified and smoothed by the rectifying/smoothing circuit to obtain a predetermined voltage. A predetermined time constant circuit is provided between the semiconductor switching element and the semiconductor switching element, and this time constant circuit turns on the semiconductor switching element at the timing when the voltage across the semiconductor switching element becomes zero.

【0007】[0007]

【実施例】図1は、本発明の一実施例を示す回路図であ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

【0008】この実施例は、直流電源E1と、1次巻線
N1と2次巻線N2と駆動巻線N3とを有するトランス
Tと、トランスTの励磁インダクタンスと共振する共振
コンデンサC1と、この共振コンデンサC1と並列に接
続された半導体スイッチング素子としてのFET1とを
有する。
This embodiment includes a DC power source E1, a transformer T having a primary winding N1, a secondary winding N2, and a drive winding N3, a resonant capacitor C1 that resonates with the excitation inductance of the transformer T, and It has a resonance capacitor C1 and an FET1 as a semiconductor switching element connected in parallel.

【0009】また、起動回路10は、直流電源E1の投
入時に、電源E1の電圧Eが所定値に達したときにFE
T1を起動させる回路であり、トランジスタT2、T3
を有し、直流電源E1の投入時にその電圧Eが所定値に
達していないときにトランジスタT3がオフし、トラン
ジスタT2がオンするように設定されている。
[0009] Furthermore, when the DC power supply E1 is turned on, the startup circuit 10 turns on the FE when the voltage E of the power supply E1 reaches a predetermined value.
This is a circuit that starts T1, and transistors T2 and T3
The transistor T3 is turned off and the transistor T2 is turned on when the voltage E of the DC power supply E1 does not reach a predetermined value when the DC power supply E1 is turned on.

【0010】ピーク電流検出回路20は、FET1がオ
ンしているときにFET1に流れる電流のピーク値を検
出する回路であり、FET1と直列に接続された電流検
出抵抗R9と、抵抗R10とコンデンサC3とで構成さ
れる時定数回路とを有する。この時定数回路は、いわゆ
るヒゲ等のノイズ成分を除去するものである。なお、ピ
ーク電流検出回路20の代りに変流器を使用してもよい
The peak current detection circuit 20 is a circuit that detects the peak value of the current flowing through the FET1 when the FET1 is on, and includes a current detection resistor R9 connected in series with the FET1, a resistor R10, and a capacitor C3. and a time constant circuit. This time constant circuit removes noise components such as so-called whiskers. Note that a current transformer may be used instead of the peak current detection circuit 20.

【0011】駆動回路30は、検出された上記ピーク電
流の値が所定値に達したときにFET1をオフさせる回
路であり、等価的にサイリスタと同一に接続されたPN
PトランジスタT4とNPNトランジスタT5と抵抗R
7、R8とを有する。
The drive circuit 30 is a circuit that turns off the FET 1 when the detected peak current value reaches a predetermined value, and is equivalent to a PN connected to the thyristor.
P transistor T4, NPN transistor T5 and resistor R
7, R8.

【0012】出力電圧の誤差検出回路40は、倍電圧整
流回路50によって整流、平滑された直流電圧(出力電
圧)を基準電圧源E2の電圧と比較して出力電圧の誤差
電圧を検出し、この検出された誤差をバイアスとして駆
動回路30に与える回路であり、出力電圧を分割する抵
抗R11、R12と、基準電圧源E2と、差動増幅器A
MPとを有する。差動増幅器AMPは、抵抗R11、R
12による分圧値と基準電圧源E2の値との差(出力電
圧の誤差)を出力する増幅器である。
The output voltage error detection circuit 40 compares the DC voltage (output voltage) rectified and smoothed by the voltage doubler rectifier circuit 50 with the voltage of the reference voltage source E2 to detect an error voltage in the output voltage. This circuit provides the detected error as a bias to the drive circuit 30, and includes resistors R11 and R12 that divide the output voltage, a reference voltage source E2, and a differential amplifier A.
It has MP. The differential amplifier AMP has resistors R11, R
This amplifier outputs the difference (output voltage error) between the voltage divided by E.12 and the value of the reference voltage source E2.

【0013】さらに、時定数回路60は、トランスTの
駆動巻線N3とFET1のゲートとの間に設けられ、抵
抗RgとFET1のゲート入力容量Cgとで構成され、
FET1のドレイン電圧(両端電圧)が零のタイミング
で、そのFET1をオンさせるように設定されている。 実際には、時定数回路60は、抵抗Rgとゲート入力容
量Cgとの他に、直流カット用のコンデンサC2とで構
成されている。なお、ゲート入力容量Cgと並列に接続
されているツェナーダイオードZDは、駆動巻線N3に
発生した逆電流を放電させるループを形成すると共に、
FET1のゲートを保護するものである。駆動巻線N3
に発生した逆電流を放電させるためだけならば、ツェナ
ーダイオードZDの代わりに、通常のダイオードを使用
してもよい。
Furthermore, the time constant circuit 60 is provided between the drive winding N3 of the transformer T and the gate of the FET1, and is composed of a resistor Rg and a gate input capacitance Cg of the FET1.
The FET 1 is set to be turned on at the timing when the drain voltage (voltage at both ends) of the FET 1 is zero. In reality, the time constant circuit 60 includes a resistor Rg, a gate input capacitor Cg, and a DC cut capacitor C2. Note that the Zener diode ZD connected in parallel with the gate input capacitance Cg forms a loop that discharges the reverse current generated in the drive winding N3, and
This protects the gate of FET1. Drive winding N3
An ordinary diode may be used instead of the Zener diode ZD if the purpose is only to discharge the reverse current generated.

【0014】また、FET1はその内部にダイオード成
分を有しているので、FET1と並列にダイオードを接
続する必要はないが、内部にダイオード成分を有しない
半導体スイッチング素子(トランジスタ、静電誘導トラ
ンジスタ等の素子)を使用する場合には、その半導体ス
イッチング素子と並列にダイオードを接続する必要があ
る。
Furthermore, since FET1 has a diode component inside, there is no need to connect a diode in parallel with FET1, but it is possible to connect a semiconductor switching element (transistor, static induction transistor, etc.) that does not have a diode component inside. When using a semiconductor switching element), it is necessary to connect a diode in parallel with the semiconductor switching element.

【0015】さらに、上記実施例においては、Vo>n
・2・Eになるように、トランスTの2次巻数と1次巻
数との比である巻数比nを設定してある。なお、Voは
出力電圧を示し、Eは電源E1の電圧を示している。
Furthermore, in the above embodiment, Vo>n
The turns ratio n, which is the ratio between the number of secondary turns and the number of primary turns of the transformer T, is set so that ・2・E. Note that Vo indicates the output voltage, and E indicates the voltage of the power source E1.

【0016】次に、上記実施例の動作について説明する
Next, the operation of the above embodiment will be explained.

【0017】図2は、上記実施例におけるタイムチャー
トである。
FIG. 2 is a time chart in the above embodiment.

【0018】まず、起動時に、電源E1の電圧が低い場
合には、トランジスタT3がオフし、トランジスタT2
がオンし、FET1がオフしている。この状態から電源
E1の電圧が次第に上昇し、所定の値に達すると、トラ
ンジスタT3がオンし、トランジスタT2がオフし、起
動抵抗R1を介してFET1のゲートが充電され、FE
T1がオンし始める。なお、抵抗R5は、トランジスタ
T2のコレクタからトランジスタT3のベースに正帰還
をかけて、オン、オフ動作を高速化するための抵抗であ
る。
First, at startup, if the voltage of the power supply E1 is low, the transistor T3 is turned off, and the transistor T2 is turned off.
is on and FET1 is off. From this state, the voltage of the power supply E1 gradually increases and when it reaches a predetermined value, the transistor T3 is turned on, the transistor T2 is turned off, the gate of FET1 is charged via the starting resistor R1, and the FE
T1 starts to turn on. Note that the resistor R5 is a resistor for applying positive feedback from the collector of the transistor T2 to the base of the transistor T3 to speed up the on/off operation.

【0019】FET1がオンし始めると、1次巻線N1
の黒点側を+として電源E1の電圧が1次側巻線N1に
印加され、駆動巻線N3にも黒点側を+とする電圧が発
生し、コンデンサC2、抵抗Rgを介してFET1のゲ
ートに正帰還がかかり、FET1が完全にオンする。こ
のときにFET1を流れる電流は、0からほぼ直線的に
上昇する。FET1がオンしている間(t0−t1の間
)、2次側巻線N2には黒点を+としてほぼnEの電圧
が発生し、図示の極性でコンデンサC4をnEに充電す
る。同時に、1次側巻線N1の励磁インダクタンスに磁
気エネルギーが蓄えられる。このFET1の電流は、電
流検出抵抗R9で検出され、この電流が増加すると、抵
抗R10を介してトランジスタT5のベースに流れる電
流が増加し、トランジスタT5がオンする。
When FET1 starts to turn on, the primary winding N1
The voltage of the power supply E1 is applied to the primary winding N1 with the black dot side set to +, and a voltage with the black dot side set to + is also generated in the drive winding N3, which is applied to the gate of FET1 via the capacitor C2 and resistor Rg. Positive feedback is applied and FET1 is completely turned on. At this time, the current flowing through FET1 increases almost linearly from 0. While the FET1 is on (between t0 and t1), a voltage of approximately nE is generated in the secondary winding N2, with the black dot being positive, and the capacitor C4 is charged to nE with the polarity shown. At the same time, magnetic energy is stored in the excitation inductance of the primary winding N1. This current of FET1 is detected by current detection resistor R9, and when this current increases, the current flowing to the base of transistor T5 via resistor R10 increases, turning on transistor T5.

【0020】トランジスタT5がオンすると、トランジ
スタT4もオンし、トランジスタT5、T4が互いにオ
ン状態を保持して、FET1のゲート電荷を放電し、F
ET1が高速でターンオフする。FET1がオフすると
、駆動巻線N3の電圧が反転するので、コンデンサC2
、抵抗Rg、R9を介して、トランジスタT5、T4に
逆バイアスがかかり、トランジスタT5、T4がオフし
、FET1の次のターンオンに備える。
When the transistor T5 is turned on, the transistor T4 is also turned on, and the transistors T5 and T4 keep each other on, discharging the gate charge of the FET1, and discharging the gate charge of the FET1.
ET1 turns off at high speed. When FET1 turns off, the voltage of drive winding N3 is reversed, so capacitor C2
, the transistors T5 and T4 are reverse biased through the resistors Rg and R9, and the transistors T5 and T4 are turned off in preparation for the next turn-on of the FET1.

【0021】FET1がオフすると、1次側巻線N1の
励磁インダクタンスとコンデンサC1とが共振し、1次
側巻線N1、2次側巻線N2、駆動巻線N3の各電圧が
非黒点を正として上昇し、2次側巻線N2の電圧とコン
デンサC4の電圧との和が出力電圧V0を越えると、ダ
イオードD2がオンし、出力電流を供給する。したがっ
て、このときの2次側巻線N2の電圧はV0−n・E、
1次側巻線N1の電圧は(Vo/n)−Eであり、FE
T1のドレイン電圧は、電源E1の電圧Eと1次側巻線
N1の電圧との和であるから、Vo/nである。
When FET1 is turned off, the excitation inductance of the primary winding N1 and the capacitor C1 resonate, and the voltages of the primary winding N1, secondary winding N2, and drive winding N3 reach the non-black point. When the sum of the voltage across the secondary winding N2 and the voltage across the capacitor C4 exceeds the output voltage V0, the diode D2 turns on and supplies an output current. Therefore, the voltage of the secondary winding N2 at this time is V0-n・E,
The voltage of the primary winding N1 is (Vo/n)-E, and FE
The drain voltage of T1 is the sum of the voltage E of the power source E1 and the voltage of the primary winding N1, so it is Vo/n.

【0022】1次側巻線N1の励磁インダクタンスのエ
ネルギーが負荷側に移り、ダイオードD2がオフすると
、1次側巻線N1の電圧は零方向に変化する。1次側巻
線N1の共振電圧が、黒点側を+として電源E1の電圧
Eと等しくなったときに、FET1のドレイン電圧が零
になる。また、時定数回路60は、上記のようにFET
1のドレイン電圧が零になるタイミングでFET1にゲ
ート電圧を与え、したがって、FET1のドレイン電圧
が零になった後にFET1がターンオンする。このよう
に、FET1のドレイン電圧が零になるタイミングでF
ET1がターンオンするので、理論的には、FET1の
ターンオンロスが生じない。
When the energy of the excitation inductance of the primary winding N1 is transferred to the load side and the diode D2 is turned off, the voltage of the primary winding N1 changes toward zero. When the resonant voltage of the primary winding N1 becomes equal to the voltage E of the power source E1 with the black dot side being +, the drain voltage of the FET 1 becomes zero. Further, the time constant circuit 60 is configured using an FET as described above.
A gate voltage is applied to FET 1 at the timing when the drain voltage of FET 1 becomes zero, and therefore, FET 1 is turned on after the drain voltage of FET 1 becomes zero. In this way, at the timing when the drain voltage of FET1 becomes zero, F
Since ET1 is turned on, theoretically, no turn-on loss of FET1 occurs.

【0023】また、時刻t2で、1次側巻線N1の電圧
が電源E1の電圧Eよりも大きくなり、このときに、F
ET1の電圧は負になる筈であるが、FET1内にダイ
オード成分が存在するので、FET1の電圧がほぼ0V
(ダイオードの順電圧分−0.6V)になる。このよう
にFET1の電圧がほぼ0Vであるときに、FET1の
ゲート電圧がその閾値を越えるように、時定数回路60
の時定数を設定すれば、ターンオン損失が無い共振動作
が行なわれる。なお、図2において、FET1の電流の
うちで負の成分は、FET1内のダイオードに流れる電
流を示したものである。
Further, at time t2, the voltage of the primary winding N1 becomes larger than the voltage E of the power supply E1, and at this time, F
The voltage of ET1 should be negative, but since there is a diode component in FET1, the voltage of FET1 is almost 0V.
(Diode forward voltage -0.6V). In this way, when the voltage of FET1 is approximately 0V, the time constant circuit 60 is configured so that the gate voltage of FET1 exceeds the threshold value.
By setting the time constant of , resonant operation without turn-on loss is performed. Note that in FIG. 2, the negative component of the current of FET1 indicates the current flowing through the diode within FET1.

【0024】ところで、負荷70の変化に応じて出力電
圧も変化し、この出力電圧の変化を誤差として誤差検出
回路40が出力し、駆動回路30のトランジスタT5に
バイアス電流を流す。つまり、出力電圧が設定値よりも
高くなれば、その高くなった分に応じてバイアス電流が
多くなり、トランジスタT5、T4がオンするタイミン
グが早くなり、FET1がターンオフするタイミングも
早くなる。したがって、FET1のオン時間が短くなり
、出力電圧が低下する方向に制御される。これとは逆に
、出力電圧が設定値よりも低くなれば、その低くなった
分に応じてバイアス電流が少なくなり、トランジスタT
5、T4がオンするタイミングが遅くなり、FET1が
ターンオフするタイミングも遅くなる。したがって、F
ET1のオン時間が長くなり、出力電圧が上昇する方向
に制御される。このようにして、出力電圧の値が設定値
に自動制御される。
By the way, the output voltage also changes in response to changes in the load 70, and the error detection circuit 40 outputs this change in output voltage as an error, causing a bias current to flow through the transistor T5 of the drive circuit 30. In other words, when the output voltage becomes higher than the set value, the bias current increases accordingly, the timing at which the transistors T5 and T4 turn on becomes earlier, and the timing at which the FET1 turns off also becomes earlier. Therefore, the ON time of FET1 is shortened, and the output voltage is controlled to decrease. Conversely, if the output voltage becomes lower than the set value, the bias current decreases accordingly, and the transistor T
5. The timing at which T4 is turned on is delayed, and the timing at which FET1 is turned off is also delayed. Therefore, F
The ON time of ET1 becomes longer, and the output voltage is controlled to increase. In this way, the value of the output voltage is automatically controlled to the set value.

【0025】なお、出力電圧の設定値を高くするには、
誤差検出回路40内の基準電源E2の電圧値を大きくす
ればよい。逆に、出力電圧の設定値を低くするには、基
準電源E2の電圧値を小さくすればよい。
[0025] In order to increase the set value of the output voltage,
The voltage value of the reference power supply E2 in the error detection circuit 40 may be increased. Conversely, in order to lower the set value of the output voltage, the voltage value of the reference power source E2 may be lowered.

【0026】なお、倍電圧整流回路の段数がmである場
合には、Vo>n・m・2・Eになるように、巻数比n
を設定すれば共振モードが保証される。また、倍電圧整
流回路50の代りに、半波整流回路、両波整流回路を使
用してもよい。半波整流回路を使用した場合には、Vo
>n・Eになるように、巻数比nを設定すればよく、両
波整流回路を使用した場合には、Vo>2・n・Eにな
るように、巻数比nを設定すればよい(Voは出力電圧
であり、Eは直流電源E1の電圧である)。実際の電源
では、電源電圧変動があるので、最低入力電圧を、電源
E1の電圧Eに選択する必要がある。
Note that when the number of stages of the voltage doubler rectifier circuit is m, the turns ratio n is set so that Vo>n・m・2・E.
Setting , the resonance mode is guaranteed. Furthermore, instead of the voltage doubler rectifier circuit 50, a half-wave rectifier circuit or a double-wave rectifier circuit may be used. When using a half-wave rectifier circuit, Vo
The turns ratio n should be set so that Vo>n・E. If a double-wave rectifier circuit is used, the turns ratio n should be set so that Vo>2・n・E ( Vo is the output voltage and E is the voltage of the DC power supply E1). In an actual power supply, since there is a power supply voltage fluctuation, it is necessary to select the lowest input voltage as the voltage E of the power supply E1.

【0027】また、上記実施例では共振コンデンサC1
をFET1に並列接続しているが、コンデンサC1を設
ける代わりに、図1に破線で示すように、1次側巻線N
1と並列にコンデンサC1aを接続するようにしても、
原理的には同一である。
Furthermore, in the above embodiment, the resonant capacitor C1
is connected in parallel to FET1, but instead of providing capacitor C1, the primary winding N
Even if the capacitor C1a is connected in parallel with 1,
They are the same in principle.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明によれば、共振コンバータにおい
て、FET等の半導体スイッチング素子のターンオンロ
スを低下させる場合、共振モードで動作させるための制
御回路を簡単にすることができるという効果を奏する。
According to the present invention, in a resonant converter, when the turn-on loss of a semiconductor switching element such as an FET is reduced, the control circuit for operating in a resonant mode can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】上記実施例におけるタイムチャートである。FIG. 2 is a time chart in the above embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

C1…共振用コンデンサ、 T…トランス、 E1…直流電源、 1…FET、 10…起動回路、 20…ピーク電流検出回路、 30…駆動回路、 40…出力電圧の誤差検出回路、 50…倍電圧整流回路、 60…時定数回路。 C1...resonance capacitor, T...Trance, E1...DC power supply, 1...FET, 10...Starting circuit, 20...Peak current detection circuit, 30...drive circuit, 40...Output voltage error detection circuit, 50...voltage doubler rectifier circuit, 60...Time constant circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  直流電源と、トランスの励磁インダク
タンスと共振する共振コンデンサと、上記トランスの入
力巻線と直列に接続された半導体スイッチング素子と、
整流・平滑回路とを有し、上記半導体スイッチング素子
をオン、オフすることによって、上記トランスの出力巻
線に交流電圧を発生させ、この交流電圧を整流、平滑し
て所定の電圧を得る共振コンバータにおいて、上記半導
体スイッチング素子が上記トランスの入力巻線と直列に
接続され、上記トランスが駆動巻線を有し、上記駆動巻
線と上記半導体スイッチング素子の制御極との間に所定
の時定数回路を設け、この時定数回路は、上記半導体ス
イッチング素子の両端電圧がほぼ零になるタイミングで
上記半導体スイッチング素子をオンさせるものであるこ
とを特徴とする電圧共振コンバータ。
1. A DC power supply, a resonant capacitor that resonates with the excitation inductance of the transformer, and a semiconductor switching element connected in series with the input winding of the transformer,
a resonant converter, which has a rectifier/smoothing circuit, generates an alternating current voltage in the output winding of the transformer by turning on and off the semiconductor switching element, rectifies and smoothes the alternating voltage to obtain a predetermined voltage; wherein the semiconductor switching element is connected in series with an input winding of the transformer, the transformer has a drive winding, and a predetermined time constant circuit is provided between the drive winding and a control pole of the semiconductor switching element. A voltage resonant converter characterized in that the time constant circuit turns on the semiconductor switching element at a timing when the voltage across the semiconductor switching element becomes approximately zero.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102832792A (en) * 2012-08-24 2012-12-19 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 Source electrode driving control circuit and control method thereof

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