JPH04321226A - Wafer manufacturing apparatus - Google Patents
Wafer manufacturing apparatusInfo
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- JPH04321226A JPH04321226A JP9033991A JP9033991A JPH04321226A JP H04321226 A JPH04321226 A JP H04321226A JP 9033991 A JP9033991 A JP 9033991A JP 9033991 A JP9033991 A JP 9033991A JP H04321226 A JPH04321226 A JP H04321226A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、柱状のインゴットをス
ライスしてシリコンウエハ等のウエハを製造するウエハ
製造装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer manufacturing apparatus for manufacturing wafers such as silicon wafers by slicing columnar ingots.
【0002】0002
【従来の技術】従来より、シリコン等の柱状のインゴッ
トをスライスしてウエハを製造するには高速回転するド
ーナツ状の内周に刃を有するブレードの中央の孔に、イ
ンゴットをスライスする厚さ分だけ挿入し、インゴット
をそのままブレードに押し当てることによりインゴット
をウエハにスライスするウエハ製造装置が用いられてい
る。[Prior Art] Conventionally, in order to manufacture wafers by slicing a columnar ingot of silicon or the like, a hole in the center of a donut-shaped blade that rotates at high speed and has a blade on the inner periphery is used to cut the ingot to the thickness of the slice. A wafer manufacturing apparatus is used that slices the ingot into wafers by inserting the ingot into wafers and pressing the ingot directly against a blade.
【0003】0003
【発明が解決しようとする課題】上記従来のウエハ製造
装置ではスライスによる癖が残り平坦度が悪いという問
題がある。とりわけ近年ではインゴット(ウエハ)の大
口径化が進み、これによりますます平坦度が悪くなって
しまっていた。この問題を解決するために、砥石を備え
、インゴットのスライスされた端面を研削する方法が提
案されている(特開昭61−106207号公報参照)
。Problem to be Solved by the Invention The conventional wafer manufacturing apparatus described above has a problem of poor flatness due to residual slicing. Particularly in recent years, the diameter of ingots (wafers) has increased, and this has resulted in increasingly poor flatness. In order to solve this problem, a method has been proposed in which a grindstone is provided and the sliced end face of the ingot is ground (see Japanese Patent Laid-Open No. 106207/1983).
.
【0004】しかし、この特開昭61−106207号
公報に記載された方法は、回転するカップ砥石とインゴ
ットとを相対的に直線的に移動させてインゴットの端面
を研削する、いわゆるクリープフィード方式の研削を行
うものであるために研削抵抗が大きく、また研削による
癖も残り、このため研削したにも拘らず依然として平坦
度をそれほど上げることができないという問題が残って
いた。However, the method described in JP-A-61-106207 uses a so-called creep feed method in which the end face of the ingot is ground by moving the rotating cup grindstone and the ingot relatively linearly. Since it involves grinding, the grinding resistance is large, and the grinding also leaves a problem that the flatness cannot be increased significantly even after grinding.
【0005】本発明は、上記事情に鑑み、インゴット端
面の平坦度をさらに向上させることのできる研削手段を
備えたウエハ製造装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a wafer manufacturing apparatus equipped with a grinding means that can further improve the flatness of the ingot end face.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のウエハの製造装置は、柱状のインゴットを固定する
インゴット固定部と、前記インゴット固定部に固定され
たインゴットをウエハにスライスする切断刃と、前記イ
ンゴット固定部に固定されたインゴットの、前記切断刃
によりスライスされた端面を研削する砥石と、前記砥石
を回転させる第1の回転手段と、前記第1の回転手段と
協動してインフィード方式の研削を行う、前記インゴッ
ト固定部を回転させる第2の回転手段とを備えたことを
特徴とするものである。[Means for Solving the Problems] A wafer manufacturing apparatus of the present invention that achieves the above object includes an ingot fixing part for fixing a columnar ingot, and a cutting blade for slicing the ingot fixed to the ingot fixing part into wafers. a grindstone for grinding the end surface of the ingot fixed to the ingot fixing part sliced by the cutting blade; a first rotation means for rotating the grindstone; and a first rotation means that cooperates with the first rotation means. The present invention is characterized in that it includes a second rotating means for rotating the ingot fixing part, which performs in-feed type grinding.
【0007】[0007]
【作用】上記本発明のウエハ製造装置は、第2の回転手
段により、インゴット固定部に固定されたインゴットを
回転させ、これによりインフィード研削を可能ならしめ
たものである。インフイード方式は研削速度を小さくで
きるためクリープフィード方式に比べて研削抵抗が小さ
くウエハの研削面が安定しており、また構造上クリープ
フィード方式と比べて機械的精度の変化の影響も受けに
くいため平坦度が向上する。このインフィード研削をス
ライス時に行うことによりウエハ片面の平坦度をクリー
プフィード研削より高精度に仕上げることができる。[Operation] The wafer manufacturing apparatus of the present invention rotates the ingot fixed to the ingot fixing part by the second rotating means, thereby enabling infeed grinding. Since the in-feed method can reduce the grinding speed, the grinding resistance of the wafer is lower than that of the creep-feed method, and the ground surface of the wafer is more stable.It is also structurally less susceptible to changes in mechanical accuracy than the creep-feed method, so it can produce a flat surface. degree will improve. By performing this in-feed grinding at the time of slicing, the flatness of one side of the wafer can be finished with higher precision than creep-feed grinding.
【0008】[0008]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図1は、本発明の一実施例に係るウエハ製
造装置の機構説明図、図2は、図1に示すX−X’に沿
う底面図である。円柱形状の、例えばシリコンのインゴ
ット1の上面1aがインゴット固定部2に固定されてい
る。このインゴット固定部2は図示しない移動手段によ
り図1の上下方向および左右方向に移動するように構成
されている。またこのインゴット固定部2には図示しな
い回転手段も連結されており、これによりインゴット固
定部2に固定されたインゴット1が矢印B方向に回転さ
れる。またインゴット固定部2の下方には中空スピンド
ル3が備えられており、この中空スピンドル3の上部に
は、ブレード4が取り付けられている。このブレード4
は、全体としてドーナツ形状をなし、内側にインゴット
をスライスするための刃4aを備えている。このブレー
ド4は、中空スピンドル3に取り付けられているため該
中空スピンドル3の回転に伴って高速に回転する。また
、中空スピンドル3の中央には保持軸5が配置されてお
り、その保持軸5の上部にカップ砥石6が固定されてい
る。この保持軸5には図示しない回転手段が連結されて
おり、この回転手段よりこの保持軸5およびこの保持軸
5に固定されたカップ砥石6が矢印C方向に回転される
。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a mechanical explanatory diagram of a wafer manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a bottom view taken along the line XX' shown in FIG. An upper surface 1 a of a cylindrical ingot 1 made of silicon, for example, is fixed to an ingot fixing part 2 . This ingot fixing part 2 is configured to be moved in the vertical direction and the horizontal direction in FIG. 1 by a moving means (not shown). Further, a rotating means (not shown) is also connected to this ingot fixing part 2, whereby the ingot 1 fixed to the ingot fixing part 2 is rotated in the direction of arrow B. Further, a hollow spindle 3 is provided below the ingot fixing part 2, and a blade 4 is attached to the upper part of the hollow spindle 3. This blade 4
has a donut shape as a whole and is provided with a blade 4a for slicing the ingot inside. Since this blade 4 is attached to the hollow spindle 3, it rotates at high speed as the hollow spindle 3 rotates. Further, a holding shaft 5 is arranged at the center of the hollow spindle 3, and a cup grindstone 6 is fixed to the upper part of the holding shaft 5. A rotating means (not shown) is connected to the holding shaft 5, and the holding shaft 5 and the cup grindstone 6 fixed to the holding shaft 5 are rotated in the direction of arrow C by this rotating means.
【0009】以上のように構成されたウエハ製造装置に
おいて、インゴット1をウエハにスライスする際は、ブ
レード4が高速回転された状態でインゴット固定部2が
下降し、インゴット1の先端が1枚のウエハに相当する
分だけブレード4の中央の開口に挿入され、その後イン
ゴット1が矢印Aに示す方向に移動される。これにより
インゴット1の先端が所定の厚さのウエハにスライスさ
れる。In the wafer manufacturing apparatus configured as described above, when slicing the ingot 1 into wafers, the ingot fixing part 2 is lowered while the blade 4 is rotating at high speed, and the tip of the ingot 1 is sliced into one wafer. An amount corresponding to the wafer is inserted into the central opening of the blade 4, and then the ingot 1 is moved in the direction shown by arrow A. As a result, the tip of the ingot 1 is sliced into wafers of a predetermined thickness.
【0010】その後、インゴット固定部2およびインゴ
ット1が図1に示す位置に戻り、さらにインゴット1の
先端面1bとカップ砥石6の上面6aとが接する状態な
るまで下降する(図2参照)。この状態でインゴット固
定部2が矢印B方向に回転し、保持軸5が矢印C方向に
回転し、これによりインゴット1の先端面1bが研削さ
れる。この研削は、図2に示す状態でインゴット1とカ
ップ砥石6との双方が回転することにより研削を行うイ
ンフィード研削法であり、前述した従来例におけるクリ
ープフィード方式の研削を行う場合と比ベインゴット1
の先端面1b、したがってウエハの片面の平坦度が高精
度に仕上がることとなる。尚、ウエハの他の面は、上記
片面が高精度に仕上がっているため、この面を例えばエ
アサクション機能を有する平面に固定して他の面を研削
すること等により平面度を上げることができる。Thereafter, the ingot fixing portion 2 and the ingot 1 return to the position shown in FIG. 1, and further descend until the tip end surface 1b of the ingot 1 and the upper surface 6a of the cup grindstone 6 come into contact (see FIG. 2). In this state, the ingot fixing part 2 rotates in the direction of arrow B, and the holding shaft 5 rotates in the direction of arrow C, thereby grinding the tip surface 1b of the ingot 1. This grinding is an infeed grinding method in which grinding is performed by rotating both the ingot 1 and the cup grindstone 6 in the state shown in FIG. ingot 1
The flatness of the tip end surface 1b, and thus one side of the wafer, can be finished with high precision. Since the other side of the wafer is finished with high precision, the flatness can be increased by, for example, fixing this side to a flat surface with an air suction function and grinding the other side. .
【0011】尚、上記実施例ではブレード4を固定し回
転させるために中空スピンドル3を備えているが、これ
が中空でない場合は、例えばこのブレード4の横に砥石
6を配置してインゴット固定部2の移動ストロークを大
きくすること等、本発明は上記実施例に限らず種々に変
更して構成されるものである。In the above embodiment, a hollow spindle 3 is provided to fix and rotate the blade 4, but if this spindle is not hollow, a grindstone 6 may be placed next to the blade 4, and the ingot fixing part 2 The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but may be modified in various ways, such as increasing the movement stroke of.
【0012】0012
【発明の効果】以上説明したように、本発明のウエハ製
造装置は、インゴットを回転させる第2の回転手段を備
え、砥石を回転させる第1の回転手段と協動してインフ
ィード方式の研削を行うようにしたため、インゴットの
端面、したがってウエハの片面の平坦度を高精度に仕上
げることができる。As explained above, the wafer manufacturing apparatus of the present invention includes a second rotation means for rotating an ingot, and performs infeed type grinding in cooperation with the first rotation means for rotating a grindstone. Since this is carried out, the flatness of the end face of the ingot, and thus one side of the wafer, can be finished with high precision.
【図1】本発明の一実施例に係るウエハ製造装置の機構
説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a mechanism of a wafer manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示すX−X’に沿う底面図である。FIG. 2 is a bottom view taken along the line X-X' shown in FIG. 1;
1 インゴット
2 インゴット固定部
3 中空スピンドル
4 ブレード4a 刃
5
保持軸6 カップ砥石1 ingot
2 Ingot fixing part 3 Hollow spindle
4 Blade 4a Blade
5
Holding shaft 6 Cup grindstone
Claims (1)
ト固定部と、前記インゴット固定部に固定されたインゴ
ットをウエハにスライスする切断刃と、前記インゴット
固定部に固定されたインゴットの、前記切断刃によりス
ライスされた端面を研削する砥石と、前記砥石を回転さ
せる第1の回転手段と、前記第1の回転手段と協動して
インフィード方式の研削を行う、前記インゴット固定部
を回転させる第2の回転手段とを備えたことを特徴とす
るウエハ製造装置。1. An ingot fixing part for fixing a columnar ingot, a cutting blade for slicing the ingot fixed to the ingot fixing part into wafers, and a cutting blade for slicing the ingot fixed to the ingot fixing part by the cutting blade. a grindstone for grinding the ingot end face, a first rotation means for rotating the grindstone, and a second rotation means for rotating the ingot fixing part, which performs infeed type grinding in cooperation with the first rotation means. A wafer manufacturing apparatus characterized by comprising a rotating means.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9033991A JPH04321226A (en) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | Wafer manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9033991A JPH04321226A (en) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | Wafer manufacturing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04321226A true JPH04321226A (en) | 1992-11-11 |
Family
ID=13995765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9033991A Withdrawn JPH04321226A (en) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | Wafer manufacturing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04321226A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009509339A (en) * | 2005-09-16 | 2009-03-05 | クリー インコーポレイテッド | Method for processing a semiconductor wafer having a silicon carbide power device |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP9033991A patent/JPH04321226A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009509339A (en) * | 2005-09-16 | 2009-03-05 | クリー インコーポレイテッド | Method for processing a semiconductor wafer having a silicon carbide power device |
US9349596B2 (en) | 2005-09-16 | 2016-05-24 | Cree, Inc. | Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon |
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Legal Events
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A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |