JPH04318523A - Thin film transistor type liquid crystal display device - Google Patents
Thin film transistor type liquid crystal display deviceInfo
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136218—Shield electrodes
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ型液
晶表示装置、特にその薄膜トランジスタ基板の電極パタ
ーン構造に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film transistor type liquid crystal display device, and more particularly to an electrode pattern structure of a thin film transistor substrate thereof.
【０００２】0002
【従来の技術】薄膜トランジスタ型液晶表示装置は、そ
の表示品質の優れた点で、フラットパネルディスプレイ
の最有力候補とされ、各社各機関で盛んに研究開発され
、既に実用化・商品化され始めている。特に最近はサイ
ズも大型化し、一方、高精細化も進みつつある。このよ
うな状況になってきたのも薄膜トランジスタ（以下、「
ＴＦＴ」という）構造に幾多の改良がなされてきた結果
といえる。[Background Art] Thin-film transistor type liquid crystal display devices are considered to be the most promising candidates for flat panel displays due to their excellent display quality, and have been actively researched and developed by various companies and institutions, and have already begun to be put into practical use and commercialized. . Particularly recently, the size has become larger, and at the same time, the resolution has also been increasing. This situation has come about because of thin film transistors (hereinafter referred to as ``thin film transistors'').
This can be said to be the result of numerous improvements made to the TFT structure.
【０００３】今般、最も多く採用されているＴＦＴ構造
は、図６に示されている逆スタガ型のボトムゲート構造
のＴＦＴである。このＴＦＴにおいては、ゲート電極３
２上にゲート絶縁膜３４、半導体層３５、オーミック層
３６と続き、その上に信号電極であるソース−ドレイン
電極３７が設けられる。また、画素電極３３の位置はソ
ース−ドレイン電極３７より下の場合もあり、上の場合
もあるが、これは各社の着目する点が異なるだけで全体
のＴＦＴ構造としては大きく変わらない。そして、最後
にパッシベーション膜３８が設けられるという構造がご
く一般的である。このようなＴＦＴ構造は、現在の主流
ともいえるもので、各社各機関から数多く発表されてい
る。The most commonly used TFT structure these days is an inverted staggered bottom gate structure TFT shown in FIG. In this TFT, the gate electrode 3
A gate insulating film 34, a semiconductor layer 35, and an ohmic layer 36 are successively formed on the semiconductor layer 2, and a source-drain electrode 37, which is a signal electrode, is provided thereon. Further, the position of the pixel electrode 33 may be below or above the source-drain electrode 37, but this only differs in the focus of each company and does not significantly change the overall TFT structure. A structure in which a passivation film 38 is provided at the end is very common. This type of TFT structure can be said to be the current mainstream, and many companies and organizations have announced it.
【０００４】しかしながら、このようなＴＦＴ構造でも
まだまだ数多くの課題を残している。第１の問題点は、
ドレイン配線には常に何らかの信号が入っているので、
このようなＴＦＴ構造の場合、パッシベーション膜を通
して液晶層に信号が入り込んでしまうという点である。
これは、ドレイン電極がゲート電極の上にあるＴＦＴ構
造においては、不可避的な問題であるといえる。この問
題点に対する対策は、ＴＦＴ構造の改良という方向では
なく、対向基板であるカラーフィルタ基板側によって行
われてきた。すなわち、カラーフィルタは画素電極上に
対応していればよいので、ドレイン配線に対向する部分
は、ブラックマスクとしてメタルやブラック有機薄膜に
よって覆ってしまい見えなくするというものであった。
これは、本質的な解決ではないが、当面の手段としては
大いに有効と分かり、ＴＦＴ構造改良といったより困難
な方法はとられずに今日に至っている。However, even with such a TFT structure, many problems still remain. The first problem is
Since there is always some kind of signal in the drain wiring,
In the case of such a TFT structure, a signal enters the liquid crystal layer through the passivation film. This can be said to be an unavoidable problem in a TFT structure in which the drain electrode is above the gate electrode. Countermeasures against this problem have been taken not by improving the TFT structure, but by improving the color filter substrate, which is the counter substrate. That is, since the color filter only needs to correspond to the pixel electrode, the portion facing the drain wiring is covered with metal or a black organic thin film as a black mask to make it invisible. Although this is not an essential solution, it was found to be very effective as a temporary measure, and to this day, more difficult methods such as improving the TFT structure have not been taken.
【０００５】第２の問題点は、これもＴＦＴ構造に起因
するゲート−ソース間寄生容量によって生じる画素電極
のゲートオフ時の電圧シフトダウンである。この結果、
対向電極電位に対する画素電圧波形が非対称になり、液
晶にＤＣ成分がかかってしまう。この現象は当初、初期
特性としては顕著であったので、すぐさま対策が講じら
れた。最も一般的な方法は、対向電極に入力する電圧を
シフトダウンに対応して低めに設定し、画素電極電位に
対して対称となるようなレベルにすることであった。こ
れにより、初期特性はかなり改善されてきた。The second problem is a voltage shift down when the pixel electrode gate is turned off, which is caused by the gate-source parasitic capacitance also caused by the TFT structure. As a result,
The pixel voltage waveform with respect to the counter electrode potential becomes asymmetrical, and a DC component is applied to the liquid crystal. Since this phenomenon was initially noticeable as an initial characteristic, countermeasures were taken immediately. The most common method is to set the voltage input to the counter electrode to be low in response to downshifting, and to bring it to a level that is symmetrical to the pixel electrode potential. As a result, the initial characteristics have been considerably improved.
【０００６】また、この電圧シフトダウン自体を小さく
する対策として、画素電極−対向電極間容量と並列に蓄
積容量を形成することも考えられている。最も有力な方
法は、１本隣のゲートライン上に蓄積容量をかぶせるよ
うに構成することであり、これはＴＦＴ構造の変更を要
さないで行うことができたので、多く採用された。この
方法の特長は、ゲートパルスは各ゲートラインに１垂直
走査期間を走査線数で割った時間内しか入らないので、
その時間内の画素電極電位変動は無視できるという点で
あった。Furthermore, as a measure to reduce this voltage shift down itself, it has been considered to form a storage capacitor in parallel with the capacitance between the pixel electrode and the counter electrode. The most effective method is to overlay a storage capacitor on one adjacent gate line, and this was widely adopted because it could be done without changing the TFT structure. The advantage of this method is that the gate pulse enters each gate line only within the time period equal to one vertical scanning period divided by the number of scanning lines.
The point was that the pixel electrode potential fluctuation within that time can be ignored.
【０００７】第３の問題点は、液晶パネルの初期特性で
はなく、時間経過とともに、特性が変動していく劣化と
いう問題点である。すなわち、液晶内にＤＣ成分がずっ
とかかりっぱなしの場合、不純物イオンの電極への集積
や液晶成分の分解といった現象が生じ、除々に表示品質
が劣化するという点は、ドレイン電極−対向電極間、ゲ
ート電極−対向電極間においてＤＣ成分が発生すること
が不可避であるという構造的な問題に起因している。表
示現象としては、焼き付き、残像等となって表れてくる
。また、フリッカとなる場合もある。これらに対する対
策は、駆動方法、各種材料の改良によってかなり抑えら
れてきているが、本質的に解決されるものではない。The third problem is not the initial characteristics of the liquid crystal panel, but the problem of deterioration in which the characteristics change over time. In other words, if a DC component remains in the liquid crystal for a long time, phenomena such as accumulation of impurity ions on the electrodes and decomposition of the liquid crystal components will occur, and the display quality will gradually deteriorate. This is due to a structural problem in which a DC component inevitably occurs between the gate electrode and the counter electrode. Display phenomena include burn-in and afterimages. Additionally, flicker may occur. Countermeasures against these problems have been considerably suppressed by improving drive methods and various materials, but they are not essentially solved.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の薄膜トランジスタ型液晶表示装置においては、前記
第１の問題点に対する対策を講じると、カラーフィルタ
基板に設けたブラックマスクにより開口率が低下してし
まうという問題点があった。また、前記第２の問題点に
対する対策として対向電極に入力する電圧を低めに設定
する方法を採用すると、ドレイン電極と対向電極との間
には常にＤＣ成分が生じてしまうという問題点があった
。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the thin film transistor type liquid crystal display device having the above structure, if measures are taken to address the first problem, the aperture ratio will be reduced due to the black mask provided on the color filter substrate. There was a problem. Furthermore, when a method of setting the voltage input to the counter electrode to be low is adopted as a countermeasure to the second problem, there is a problem in that a DC component always occurs between the drain electrode and the counter electrode. .
【０００９】そして、前記第２の問題点に対する対策と
して画素電極−対向電極間容量と並列に蓄積容量を形成
する方法を採用すると、蓄積容量を形成するにも画素電
極とゲート電極との間に形成するくらいしか方法がない
ため、開口率の低下、プロセスの複雑化等を避けること
ができないという問題点があった。本発明は、上記従来
の問題点を解決して、ＴＦＴ構造そのものを改良し、表
示品質の優れた、劣化のない薄膜トランジスタ型液晶表
示装置を提供することを目的とする。As a countermeasure to the second problem, if a method is adopted in which a storage capacitor is formed in parallel with the capacitance between the pixel electrode and the counter electrode, the storage capacitor is formed between the pixel electrode and the gate electrode. Since the only method available is to form it, there are problems in that it is impossible to avoid a reduction in the aperture ratio, a complicated process, etc. An object of the present invention is to solve the above conventional problems, improve the TFT structure itself, and provide a thin film transistor type liquid crystal display device with excellent display quality and no deterioration.
【００１０】0010
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明は、複数のゲート電極と、ゲート電極と交
差する複数のドレイン電極と、その交差部に設けられた
薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのソース電極に
接続された画素電極とを有する薄膜トランジスタ基板と
、液晶を挟んで該薄膜トランジスタ基板と対向する対向
電極基板とを備えた薄膜トランジスタ型液晶表示装置に
おいて、薄膜トランジスタ基板は、ゲート電極の上に形
成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜上で、かつ少なくと
もソース電極と画素電極との接続部以外の全面に形成さ
れた第２絶縁膜と、第２絶縁膜上で、かつ少なくともソ
ース電極と画素電極との接続部以外の全面に形成された
遮蔽電極と、遮蔽電極上で、かつ少なくともソース電極
と画素電極との接続部以外の全面に形成された第３絶縁
膜と、第３絶縁膜上に形成された画素電極とを備え、か
つ、遮蔽電極に入力する電圧が対向電極基板の対向電極
に入力する電圧と同程度になるように構成した。[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, the present invention provides a plurality of gate electrodes, a plurality of drain electrodes intersecting with the gate electrodes, a thin film transistor provided at the intersection, and a thin film transistor. In a thin film transistor type liquid crystal display device comprising a thin film transistor substrate having a pixel electrode connected to a source electrode of the thin film transistor substrate, and a counter electrode substrate facing the thin film transistor substrate with a liquid crystal in between, the thin film transistor substrate is formed on the gate electrode. a second insulating film formed on the first insulating film and on at least the entire surface other than the connecting portion between the source electrode and the pixel electrode; and a second insulating film formed on the second insulating film and at least on the source electrode. a third insulating film formed on the shielding electrode and at least on the entire surface other than the connecting part between the source electrode and the pixel electrode; and a pixel electrode formed on the film, and was configured such that the voltage input to the shielding electrode was approximately the same as the voltage input to the counter electrode of the counter electrode substrate.
【００１１】[0011]
【作用】本発明によれば、以上のように薄膜トランジス
タ型液晶表示装置を構成したので、ドレイン電極上の電
圧信号は遮蔽電極により遮蔽され、画素電極にのらなく
なる。その結果、ドレイン配線上の液晶層内にＤＣ成分
が入らなくなり、かつ液晶のオン動作がなくなる。また
、遮蔽電極と画素電極との間に形成される蓄積容量がゲ
ート電極−ソース電極間寄生容量に起因する画素電極電
圧の降下を軽減させる。According to the present invention, since the thin film transistor type liquid crystal display device is constructed as described above, the voltage signal on the drain electrode is shielded by the shield electrode and is not applied to the pixel electrode. As a result, a DC component does not enter the liquid crystal layer on the drain wiring, and the liquid crystal does not turn on. Furthermore, the storage capacitor formed between the shield electrode and the pixel electrode reduces the drop in pixel electrode voltage caused by the parasitic capacitance between the gate electrode and the source electrode.
【００１２】0012
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例における
薄膜トランジスタ基板の平面図である。図に示すように
、ゲート電極１とドレイン電極２が交差する部分に、半
導体層３をチャネルとしたトランジスタが形成されてお
り、ソース電極４は第１スルーホール６と第２スルーホ
ール７を通して画素電極５と電気的に接続されている。
そして、この画素電極５は両端のドレイン電極パターン
上にまでオーバラップしている。一方、ＩＴＯ等の透明
電極からなる遮蔽電極は、遮蔽電極開口部８以外は全面
に形成されたパターンになっており、開口部８はトラン
ジスタ部と第１、第２スルーホール部を占めている。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a thin film transistor substrate in an embodiment of the present invention. As shown in the figure, a transistor with a semiconductor layer 3 as a channel is formed at the intersection of a gate electrode 1 and a drain electrode 2, and a source electrode 4 is connected to a pixel through a first through hole 6 and a second through hole 7. It is electrically connected to the electrode 5. This pixel electrode 5 even overlaps the drain electrode patterns at both ends. On the other hand, the shielding electrode made of a transparent electrode such as ITO has a pattern formed on the entire surface except for the shielding electrode opening 8, and the opening 8 occupies the transistor part and the first and second through-hole parts. .
【００１３】図２は本発明の実施例における薄膜トラン
ジスタ基板の一部（図１のＡ−Ａ′）断面図である。本
実施例では、ゲート電極１の上にはゲート電極１を陽極
酸化することによって形成されるゲート電極陽極酸化膜
９が形成されている。ただし、ゲート電極陽極酸化膜９
がなくても本発明の効力を失うものではない。そして、
所定のパターンを有するゲート電極陽極酸化膜９の上に
、ゲート絶縁膜として機能する第１絶縁膜１１が全面に
形成されている。その第１絶縁膜１１の上には、半導体
層３、オーミック接合層１０及びドレイン電極−ソース
電極が所定のパターンに形成されている。その上には、
ソース電極４と画素電極５の電気的接続をとるための第
１スルーホール６部以外に全面形成された第２絶縁膜１
２があり、その第２絶縁膜１２の上に透明電極からなる
遮蔽電極１３がトランジスタ部、スルーホール部以外に
形成されており、その上に第１スルーホール６と同じ場
所の第２スルーホール７以外全面に第３絶縁膜１３が形
成されている。その上に、透明電極からなる画素電極５
が第１、第２スルーホール６，７を通してソース電極４
と電気的に接続がなされている形で、所定のパターンに
形成されている。この図から画素電極５は、第３絶縁膜
１４を介して遮蔽電極１３との間に蓄積容量が形成され
ていることが分かる。FIG. 2 is a partial cross-sectional view (along line AA' in FIG. 1) of a thin film transistor substrate in an embodiment of the present invention. In this embodiment, a gate electrode anodic oxide film 9 is formed on the gate electrode 1 by anodizing the gate electrode 1. However, the gate electrode anodic oxide film 9
The effectiveness of the present invention will not be lost even if the above is absent. and,
A first insulating film 11 functioning as a gate insulating film is formed over the entire surface of the gate electrode anodic oxide film 9 having a predetermined pattern. On the first insulating film 11, a semiconductor layer 3, an ohmic contact layer 10, and a drain electrode-source electrode are formed in a predetermined pattern. On top of that,
A second insulating film 1 is formed on the entire surface other than the first through hole 6 for electrically connecting the source electrode 4 and the pixel electrode 5.
2, a shielding electrode 13 made of a transparent electrode is formed on the second insulating film 12 in areas other than the transistor part and the through-hole part, and a second through-hole is formed on the second insulating film 12 in the same place as the first through-hole 6. A third insulating film 13 is formed on the entire surface other than 7. On top of that, a pixel electrode 5 made of a transparent electrode is placed.
is connected to the source electrode 4 through the first and second through holes 6 and 7.
It is formed in a predetermined pattern in such a way that it is electrically connected to. From this figure, it can be seen that a storage capacitor is formed between the pixel electrode 5 and the shield electrode 13 via the third insulating film 14.
【００１４】図３は本発明の実施例における薄膜トラン
ジスタ基板の一部（図１のＢ−Ｂ′）断面図である。図
に示すように、ドレイン電極２の上は第２絶縁膜１２に
、そしてその上は遮蔽電極１３に覆われた形であるので
、ドレイン電極上の電圧信号はこの遮蔽電極１３で遮蔽
される。また、画素電極５はドレイン電極上にオーバラ
ップして覆っているが、すぐ下に遮蔽電極１３があるの
で、同じ理由でドレイン電極上の電圧信号がのらなくな
る。したがって、このような構成にすることにより、ド
レイン配線上の液晶の動作がなくなり、完全に本来の画
素電極に入る信号のみを受けることになる。その結果、
ドレイン配線上の液晶層内においてＤＣ成分の生じるこ
とがなくなる。また、画素電極５はドレイン電極上にオ
ーバラップして覆っているので、表示装置の開口率が上
がることになる。FIG. 3 is a partial cross-sectional view (taken along line BB' in FIG. 1) of a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the upper part of the drain electrode 2 is covered with the second insulating film 12 and the upper part is covered with the shielding electrode 13, so that the voltage signal on the drain electrode is shielded by the shielding electrode 13. . Further, although the pixel electrode 5 overlaps and covers the drain electrode, since the shield electrode 13 is located immediately below, the voltage signal on the drain electrode is not applied for the same reason. Therefore, by adopting such a configuration, the operation of the liquid crystal on the drain wiring is eliminated, and only the signal that enters the original pixel electrode is completely received. the result,
No DC component is generated in the liquid crystal layer on the drain wiring. Furthermore, since the pixel electrode 5 overlaps and covers the drain electrode, the aperture ratio of the display device increases.
【００１５】図４は本発明の実施例における薄膜トラン
ジスタ基板の電気接続系を表すブロック図である。図に
おいて、ゲート電極群１５とドレイン電極群１６とがト
ランジスタアレイを構成している。先に述べた遮蔽電極
１３は１枚のベタ電極である。また、カラーフィルタ基
板側の対向電極１７も同じ１枚のベタ電極である。ここ
で、遮蔽電極１３に対向電極１７と同程度の電圧を入力
する。本実施例においては、遮蔽電極１３と対向電極１
７とを電気的に接続してある。なお、遮蔽電極１３と対
向電極１７の電気的接続は、どちらの１枚のベタ電極で
あるため、きわめて容易に行える。FIG. 4 is a block diagram showing an electrical connection system of a thin film transistor substrate in an embodiment of the present invention. In the figure, a gate electrode group 15 and a drain electrode group 16 constitute a transistor array. The shielding electrode 13 mentioned above is a single solid electrode. Further, the counter electrode 17 on the color filter substrate side is also a single solid electrode. Here, a voltage comparable to that of the counter electrode 17 is input to the shield electrode 13 . In this embodiment, the shielding electrode 13 and the counter electrode 1
7 are electrically connected. Incidentally, the electrical connection between the shielding electrode 13 and the counter electrode 17 can be made very easily since they are both made of one solid electrode.
【００１６】図５は本発明の実施例における薄膜トラン
ジスタ型液晶表示装置の１画素あたりの等価回路図であ
る。図において、ゲート電極１がオンすると、ドレイン
電極２上の電圧がトランジスタ２１を介してソース電極
４に書き込まれ、ゲート電圧がオフになると、ゲート電
極−ソース電極間容量２３によりソース電圧降下が起き
るが、その度合いは液晶２２の容量分以外に画素電極−
遮蔽電極間容量２４があるために、かなり軽減される。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a thin film transistor type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. In the figure, when the gate electrode 1 is turned on, the voltage on the drain electrode 2 is written to the source electrode 4 via the transistor 21, and when the gate voltage is turned off, a source voltage drop occurs due to the capacitance 23 between the gate electrode and the source electrode. However, the extent of this difference is due to the pixel electrodes in addition to the capacitance of the liquid crystal 22.
Due to the presence of the shield interelectrode capacitance 24, this is considerably reduced.
【００１７】また、ドレイン電極２は、遮蔽電極１３に
よって覆われているので、ドレイン電極−画素電極間容
量２４の結合によるドレイン信号干渉も起きない。なお
、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例え
ば、遮蔽電極１３を第１，第２スルーホール６，７以外
の全面に形成する等、本発明の趣旨に基づき種々の変形
が可能であり、それらを本発明の範囲から排除するもの
ではない。Furthermore, since the drain electrode 2 is covered by the shielding electrode 13, no drain signal interference occurs due to the coupling of the drain electrode-pixel electrode capacitance 24. Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications may be made based on the spirit of the present invention, such as forming the shielding electrode 13 on the entire surface other than the first and second through holes 6 and 7. possible, and do not exclude them from the scope of the present invention.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、ドレイン電極上に遮蔽電極を設け、かつその遮蔽
電極と画素電極間に蓄積容量をもつ構造としたので、ド
レイン電極上の電圧信号は遮蔽電極により遮蔽され、画
素電極にのらなくなる。その結果、ドレイン配線上の液
晶層内にＤＣ成分が入らなくなり、かつ液晶のオン動作
がなくなる。また、ゲート電極−ソース電極間寄生容量
による画素電極電圧の降下が軽減される。As described in detail above, according to the present invention, a shielding electrode is provided on the drain electrode, and a storage capacitance is provided between the shielding electrode and the pixel electrode. The voltage signal is shielded by the shielding electrode and is no longer applied to the pixel electrode. As a result, a DC component does not enter the liquid crystal layer on the drain wiring, and the liquid crystal does not turn on. Further, the drop in pixel electrode voltage due to the parasitic capacitance between the gate electrode and the source electrode is reduced.
【００１９】そして、遮蔽電極が対向電極と同程度の電
位に保たれるように構成することにより、ドレイン電極
上の電圧信号の遮蔽機能をより高めることができる。さ
らに、画素電極をドレイン電極上にオーバラップして形
成することにより、開口率を高めることができる。した
がって、表示品質の優れた信頼性の高い薄膜トランジス
タ型液晶表示装置を実現することができる。By configuring the shielding electrode to be maintained at the same potential as the counter electrode, the shielding function of the voltage signal on the drain electrode can be further enhanced. Furthermore, by forming the pixel electrode so as to overlap the drain electrode, the aperture ratio can be increased. Therefore, a highly reliable thin film transistor liquid crystal display device with excellent display quality can be realized.
【図１】本発明の実施例における薄膜トランジスタ基板
の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a thin film transistor substrate in an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例における薄膜トランジスタ基板
の一部（図１のＡ−Ａ′）断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view (along line AA' in FIG. 1) of a portion of a thin film transistor substrate in an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例における薄膜トランジスタ基板
の一部（図１のＢ−Ｂ′）断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a portion (BB' in FIG. 1) of a thin film transistor substrate in an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例における薄膜トランジスタ基板
の電気接続系を表すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing an electrical connection system of a thin film transistor substrate in an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例による薄膜トランジスタ型液晶
表示装置の１画素あたりの等価回路図である。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram per pixel of a thin film transistor type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図６】従来の薄膜トランジスタ基板の一部断面図であ
る。FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a conventional thin film transistor substrate.
１ ゲート電極 ２ ドレイン電極 ３ 半導体層 ４ ソース電極 ５ 画素電極 ６ 第１スルーホール ７ 第２スルーホール ８ 遮蔽電極開口部 １１ 第１絶縁膜 １２ 第２絶縁膜 １３ 遮蔽電極 １４ 第３絶縁膜 １７ 対向電極 1 Gate electrode 2 Drain electrode 3 Semiconductor layer 4 Source electrode 5 Pixel electrode 6 1st through hole 7 2nd through hole 8 Shield electrode opening 11 First insulating film 12 Second insulating film 13 Shielding electrode 14 Third insulating film 17 Counter electrode
Claims (3)
交差する複数のドレイン電極と、その交差部に設けられ
た薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのソース電
極に接続された画素電極とを有する薄膜トランジスタ基
板と、液晶を挟んで該薄膜トランジスタ基板と対向する
対向電極基板とを備えた薄膜トランジスタ型液晶表示装
置において、前記薄膜トランジスタ基板は、（ａ）前記
ゲート電極の上に形成された第１絶縁膜と、（ｂ）該第
１絶縁膜上で、かつ少なくとも前記ソース電極と前記画
素電極との接続部以外の全面に形成された第２絶縁膜と
、（ｃ）該第２絶縁膜上で、かつ少なくとも前記ソース
電極と前記画素電極との接続部以外の全面に形成された
遮蔽電極と、（ｄ）該遮蔽電極上で、かつ少なくとも前
記ソース電極と前記画素電極との接続部以外の全面に形
成された第３絶縁膜と、（ｅ）該第３絶縁膜上に形成さ
れた前記画素電極とを備え、かつ、前記遮蔽電極に入力
する電圧を前記対向電極基板の対向電極に入力する電圧
と同程度にすることを特徴とする薄膜トランジスタ型液
晶表示装置。1. A thin film transistor substrate having a plurality of gate electrodes, a plurality of drain electrodes intersecting the gate electrodes, a thin film transistor provided at the intersection thereof, and a pixel electrode connected to the source electrode of the thin film transistor. , a thin film transistor type liquid crystal display device comprising a counter electrode substrate facing the thin film transistor substrate with a liquid crystal in between, the thin film transistor substrate comprising: (a) a first insulating film formed on the gate electrode; and (b) (c) a second insulating film formed on the first insulating film and at least on the entire surface other than the connecting portion between the source electrode and the pixel electrode; and (c) on the second insulating film and at least on the source electrode. (d) a shielding electrode formed on the entire surface other than the connecting portion between the electrode and the pixel electrode; and (d) a shielding electrode formed on the shielding electrode and at least over the entire surface other than the connecting portion between the source electrode and the pixel electrode. (e) the pixel electrode formed on the third insulating film, and the voltage input to the shielding electrode is approximately the same as the voltage input to the counter electrode of the counter electrode substrate. A thin film transistor type liquid crystal display device characterized by:
る電極基板の対向電極とを電気的に接続したことをする
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ型液
晶表示装置。2. The thin film transistor type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the shield electrode and a counter electrode of an electrode substrate facing the thin film transistor are electrically connected.
ップして形成したことを特徴とする請求項１又は２記載
の薄膜トランジスタ型液晶表示装置。3. The thin film transistor type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode is formed to overlap the drain electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3085554A JPH04318523A (en) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | Thin film transistor type liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3085554A JPH04318523A (en) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | Thin film transistor type liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04318523A true JPH04318523A (en) | 1992-11-10 |
Family
ID=13862048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3085554A Withdrawn JPH04318523A (en) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | Thin film transistor type liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04318523A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10293286A (en) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | Driving method for liquid crystal display device |
| US6246453B1 (en) | 1996-06-25 | 2001-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US7190420B2 (en) | 1995-05-08 | 2007-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP2007193366A (en) * | 2007-04-17 | 2007-08-02 | Advanced Display Inc | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
| TWI408472B (en) * | 2010-04-12 | 2013-09-11 | Wintek Corp | Active device array substrate |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP3085554A patent/JPH04318523A/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7190420B2 (en) | 1995-05-08 | 2007-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7683978B2 (en) | 1995-05-08 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US6246453B1 (en) | 1996-06-25 | 2001-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US6914260B2 (en) | 1996-06-25 | 2005-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| JPH10293286A (en) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | Driving method for liquid crystal display device |
| JP2007193366A (en) * | 2007-04-17 | 2007-08-02 | Advanced Display Inc | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
| TWI408472B (en) * | 2010-04-12 | 2013-09-11 | Wintek Corp | Active device array substrate |
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