JPH04316888A

JPH04316888A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH04316888A
Application number: JP3083912A
Authority: JP
Inventors: Kazumi Yoshioka; 吉　岡　　一　己; Takeo Ota; 太　田　　威　夫; Shigeaki Furukawa; 古　川　　▲しげ▼　昭; Katsumi Kawahara; 河　原　　克　巳
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1991-04-16
Filing date: 1991-04-16
Publication date: 1992-11-09
Anticipated expiration: 2015-07-17
Also published as: JP3067035B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレーザービーム等により
、情報を高密度、大容量で記録・再生及び消去できる光
記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体としての光ディスクは、使用
する記録薄膜に応じて追記型ディスクと、書換型ディス
クとに分類される。追記型ディスクは記録再生が可能で
あるが、一度データを書き込むと消去するこができず、
再度データを書き込むことはできない。これに対し、書
換型ディスクは同一のデータ領域に何度もデータを書き
換えることが可能である。

【０００３】追記型ディスクは、レーザー光の照射によ
って記録薄膜にデータを記録し、記録薄膜からの反射光
量の変化をフォトダイオードによって検出することによ
りデータを再生するものである。ここで使用される記録
薄膜は、Ｔｅと、ＴｅＯ２　を主成分とするＴｅＯｘ　
（０＜ｘ＜２．０）成分とからなる薄膜であり、レーザ
ー光の照射によって膜温度が上昇することにより、その
状態が非晶状態（アモルファス状態）から結晶状態に変
化するものである。この現象を利用してデータの記録が
行われる。一方この記録薄膜は、結晶状態からアモルフ
ァス状態へ変化することはできない。従って、追記型デ
ィスクでは記録再生は可能であるが、書換（オーバーラ
イト）を行うことはできない。

【０００４】書換型ディスクとしては、光磁気記録ディ
スクと相変化記録ディスクが主流である。光磁気記録デ
ィスクにおいては、記録薄膜として希土類遷移金属から
なる非晶質合金膜（アモルファス合金膜）である磁性薄
膜が用いられる。ここに、磁性薄膜ではレーザ光が照射
された部分において膜温度が上昇し、保磁力が減少する
。このため、かかる磁性薄膜に弱い外部磁界を与えた場
合、その部分が磁化反転を起こし、スポット状の磁区と
なって保持される。従って、この現象を利用することに
よってデータの記録が行われている。また再生にあたっ
ては、磁化の向きによりレーザー光の偏光面が回転する
ため、かかる現象を利用し、記録時よりは弱いパワーの
レーザー光を磁性薄膜に照射し、レーザー光の偏光面の
変化状態を検出することにより行われている。なお、レ
ーザー光における偏光面の変化状態については、検光子
（直線偏光板）と呼ばれる偏光面回転を光強度の変化に
替える素子を用いることによって検出される。一方、磁
化反転した上記スポット状磁区については、強い磁界を
与えることによって元の状態に戻すことができるため、
書換が可能となる。

【０００５】一方、記録ディスクは通常円盤形状をなし
、これを回転させて使用するものであるが、相変化記録
ディスクにおいては、記録薄膜を予め結晶化させておき
、これに対し約１μｍに絞ったレーザー光を情報に対応
させて強度変調させ、照射している。この場合、ピーク
パワーレーザー光照射部位は記録薄膜の融点以上に加熱
・融解され、その後急冷される。こうすることにより、
記録薄膜上には非晶質化したマークが形成される。そこで、かかるマークを記録マークとして情報の記録が
行われることになる。

【０００６】また、この記録薄膜上に形成された非晶質
状態の記録マークに対し、同じくレーザー光を照射し、
そのガラス転移点（融点よりは低い）以上の結晶化し易
い温度に加熱して所定の時間を保つと、結晶化が行われ
る。こうすることにより、記録マーク即ち、既記録信号
情報が消去される。なお、再生にあたっては、上記追記
型ディスクと同様に、記録薄膜からの反射光量の変化を
フォトダイオードで検出して行われる。

【０００７】ところで、記録・再生及び書換が可能な相
変化記録ディスクにおいては、その記録薄膜材料として
、Ｓ．Ｒ．オブシンスキー氏等が提案したＧｅ１５Ｔｅ
８１Ｓｂ２　Ｓ２　等カルコゲン材料や、Ａｓ２　Ｓ３
　、Ａｓ２　Ｓｅ３　或いはＳｂ２　Ｓｅ３　等カルコ
ゲン元素と周期律表第Ｖ族若しくは第ＩＶ族の元素等の
組合せからなる材料が広く知られている。

【０００８】また上述したように、記録薄膜は加熱及び
冷却が頻繁に繰り返されるものであるから、通常その上
下面には耐熱性の優れた誘電体からなる保護層が設けら
れている。従って、かかる保護層の熱伝動特性によって
記録薄膜における昇温・急冷・徐冷特性が変化するため
、その材質や層構成を選ぶことにより記録・消去特性を
向上させることができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、相変化記録
方式による書換型ディスクを使用する場合には、記録・
消去が繰り返し行われるため、記録薄膜における相変化
回数が極めて多くなり、情報読取りに必要な信号品質が
変動するという不具合が発生する。これは、レーザー光
からなる記録スポット光及び消去スポット光の照射によ
り、記録薄膜が４００℃以上に急速に加熱され、しかる
後急速に冷却されるという厳しい熱的操作が繰り返され
るため、記録薄膜自身及びその上下面に設けた保護層が
熱損傷を受けることに加え、かかる保護層が膨張・収縮
を繰り返し、脈動することにより、記録薄膜の膜厚変化
を引起し、記録状態を不均一にするためである。

【００１０】上記不具合を解消するために、記録薄膜の
膜厚を薄くしてその熱容量を小さくすると共に、その上
下面に設けた保護層の膜厚を厚くすることにより、機械
強度を強くした所謂厚膜構成が提案されている。しかし
ながらこのような対策案では、その厚膜構成のため、多
数回の記録・消去の繰り返しによって、かえって保護層
に熱が籠もるという現象を招くこととなり、結局その熱
が原因して信号品質の劣化を引き起こしてしまう。

【００１１】本発明は、かかる現状に鑑みてなされたも
のであり、記録・消去特性が良好であり、繰り返し特性
の安定した光記録媒体を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、第１発明は、透明基板の一方の面に第１の誘電体層と
、レーザー光の照射によってそのエネルギーを吸収して
昇温、溶融し、更に急冷することによって非晶質化する
性質と、前記非晶質状態をレーザー光の照射によって昇
温し、結晶化する性質を有する記録薄膜層と、少なくと
も前記第１の誘電体層と同一材料からなる第２の誘電体
層と、前記第２の誘電体層と固溶しない第３の誘電体層
と、反射層とを順次形成した光記録媒体であって、前記
第３の誘電体層が、前記第１及び第２の誘電体層に比べ
てより小さい線膨張係数を有する材料からなることを特
徴としている。

【００１３】また、第２発明は、上記第３の誘電体層が
、３×１０−６Ｋ−１以下の線膨張係数を有する材料か
らなることを特徴としている。また、第３発明は、上記
第２の誘電体層と第３の誘電体層の膜厚の和が３０ｎｍ
以下であって、第１の誘電体層の膜厚よりも薄いことを
特徴としている。また、第４発明は、上記第２の誘電体
層の膜厚が１０ｎｍ以下であって、第３の誘電体層の膜
厚よりも薄いことを特徴としている。

【００１４】また、第５発明は、上記第３の誘電体層が
、酸化物、窒化物又は炭化物材料からなることを特徴と
している。また、第６発明は、上記第３の誘電体層が、
ＳｉＯ２　材料からなることを特徴としている。また、
第７発明は、上記第１及び第２の誘電体層が、金属のカ
ルコゲン化亜鉛と酸化物を主たる成分とする材料からな
ることを特徴としている。

【００１５】また、第８発明は、上記第１及び第２の誘
電体層が、金属のカルコゲン化亜鉛と窒化物を主たる成
分とする材料からなることを特徴としている。また、第
９発明は、上記第１と第２の誘電体層が、ＺｎＳとＳｉ
Ｏ２　の混合膜からなり、ＳｉＯ２　の配合比率が５〜
４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１記載の光
記録媒体。

【００１６】また、第１０発明は、上記記録薄膜層が、
少なくともＴｅとＧｅとＳｂの３成分を含有することを
特徴としている。また、第１１発明は、透明基板の一方
の面に第１の誘電体層と、レーザー光の照射によってそ
のエネルギーを吸収して昇温、溶融し、更に急冷するこ
とによって非晶質化する性質と、前記非晶質状態をレー
ザー光の照射によって昇温し、結晶化する性質を有する
記録薄膜層と、少なくとも前記第１の誘電体層と同一材
料からなる第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層と固
溶しない第３の誘電体層と、反射層とを順次形成した光
記録媒体であって、前記第２の誘電体層が、膜厚方向に
成分組成の分布勾配を設けてあることを特徴としている
。

【００１７】また、第１２発明は、第１１発明における
第１及び第２の誘電体層が、金属のカルコゲン化亜鉛と
酸化物を主たる成分とする材料からなることを特徴とし
ている。また、第１３発明は、第１１発明における第１
及び第２の誘電体層が、金属のカルコゲン化亜鉛と窒化
物を主たる成分とする材料からなることを特徴としてい
る。

【００１８】また、第１４発明は、第１１発明の第２の
誘電体層において、記録薄膜層より遠ざかる方向にその
構成成分である酸化物の分布率を増加させ、反射層との
境界面近傍において１００％の分布率をもつように分布
勾配を設けたことを特徴としている。また、第１５発明
は、第１１発明の第２の誘電体層において、記録薄膜層
より遠ざかる方向にその構成成分である窒化物の分布率
を増加させ、反射層との境界面近傍において１００％の
分布率をもつように分布勾配を設けたことを特徴として
いる。

【００１９】また、第１６発明は、第１１発明における
第１及び第２の誘電体層の構成成分としての酸化物が、
ＳｉＯ２　であることを特徴としている。また、第１７
発明は、第１１発明における第１及び第２の誘電体層が
、ＺｎＳとＳｉＯ２　の混合膜からなり、ＳｉＯ２　の
配合比率が５〜４０ｍｏｌ％であることを特徴としてい
る。

【００２０】また、第１８発明は、第１１発明における
記録薄膜層が、少なくともＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂの３成分を
含有することを特徴としている。

【００２１】

【作用】上記第１〜第１０発明によれば、光記録媒体が
、透明基板の一方の面に第１の誘電体層と、少なくとも
ＴｅとＧｅとＳｂの３成分を含有する記録薄膜層と、第
２の誘電体層と、第３の誘電体層と、反射層とが順次積
層した状態で形成されている。

【００２２】また、上記第１及び第２の誘電体層は、熱
伝動率の低い金属のカルコゲン化物であるカルコゲン化
亜鉛と酸化物或いは窒化物を主たる成分とする材料で形
成されているか又は、ＺｎＳとＳｉＯ２　（ＳｉＯ２　
の配合比率は５〜４０ｍｏｌ％）の混合膜から形成され
ている。従って、記録薄膜層は第１及び第２の誘電体層
に挟まれ、その熱変化特性即ち、記録感度を調整される
。

【００２３】一方、上記第２の誘電体層と第３の誘電体
層の膜厚の和は、第１の誘電体層の膜厚よりも薄く、３
０ｎｍ以下に形成されている。従って、記録薄膜層と反
射層との離隔距離はより接近し、記録・消去に伴って記
録薄膜層で発生した熱は速やかに反射層に伝達され除去
される。また、第２の誘電体層の膜厚は更に第３の誘電
体層の膜厚よりも薄く、１０ｎｍ以下に形成されている
と共に、上記第３の誘電体層は、第１及び第２の誘電体
層に比べて、より小さい線膨張係数（３×１０−６Ｋ−
１以下の線膨張係数）を有する材料である酸化物、窒化
物、炭化物材料或いはＳｉＯ２　材料により形成されて
いる。従って、記録薄膜に接する第２の誘電体層の熱変形（熱
膨張及び収縮）を第３の誘電体層が抑制すると共に、記
録薄膜で発生した熱は第２の誘電体層を介して第３の誘
電体層に伝達された後、速やかに第３の誘電体層に接す
る反射層に伝達され除去される。

【００２４】上記第１１〜第１８発明によれば、光記録
媒体が上述したのと同様に、透明基板の一方の面に第１
の誘電体層と、少なくともＴｅとＧｅとＳｂの３成分を
含有する記録薄膜層と、第２の誘電体層と、第３の誘電
体層と、反射層とが順次積層した状態で形成されている
。また、ここで使用される第１及び第２の誘電体層は、
熱伝動率の低い金属のカルコゲン化物であるカルコゲン
化亜鉛とＳｉＯ２　等の酸化物或いは窒化物を主たる成
分とする材料で形成されているか又は、ＺｎＳとＳｉＯ
２　（ＳｉＯ２　の配合比率は５〜４０ｍｏｌ％）の混
合膜から形成されている。

【００２５】一方、第２の誘電体層については、膜厚方
向にその成分組成の分布勾配が設けられている。具体的
には、カルコゲン化亜鉛とＳｉＯ２　を記録薄膜の構成
成分とすれば、記録薄膜層より遠ざかる方向にＳｉＯ２
　の分布率が増加し、反射層との境界面近傍においてそ
の分布率が１００％となるように連続した分布勾配が設
けられている。このため、ＴｅとＧｅとＳｂの３成分を
含有する記録薄膜との境界近傍における第２の誘電体層
では、同様な成分からなるカルコゲン化合物がリッチ状
態となり、逆に記録薄膜層より遠ざかるにつれ、線膨張
係数の小さなＳｉＯ２　がリッチ状態となる。従って、
記録・消去に伴って記録薄膜層で発生する熱により第２
の誘電体層が熱変形を起こすことが緩和され、疲労破壊
が起こりにくくなる。また、分布勾配を変化させること
により、記録感度を調整することができる。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に従って具体
的に説明する。図１は、本発明に係る光記録媒体の構成
を示す縦断面図である。この光記録媒体は図で示すよう
に多層構造をなし、矢印Ａで示す方向より、情報に応じ
て強度変調を施したレーザー光の照射を受け、記録・消
去及び再生が行われるものである。そして図中矢印Ａで
示す方向に、下方よりポリカーボネイト樹脂等の透明樹
脂材料からなる基板１、膜厚が約１５０ｎｍであって、
耐熱性の優れたＺｎＳ−ＳｉＯ２　の混合膜からなる第
１の誘電体層２、膜厚が約３０ｎｍであって、Ｔｅ−Ｇ
ｅ−Ｓｂからなる記録薄膜層３、膜厚が約１０ｎｍであ
って、第１の誘電体層２の材料と同じ材料からなる第２
の誘電体層４、膜厚が約２０ｎｍであって、第２の誘電
体層４よりも線膨張係数の小さいＳｉＯ２　からなる第
３の誘電体層５、膜厚が約１００ｎｍであってＡｌ合金
からなる反射層６、接着剤層７、保護板８とが積層状態
に形成されている。

【００２７】なお、基板１については、予めレーザー光
案内用の溝を形成した樹脂基板であるか又は２Ｐ法で溝
を形成したガラス板基板であるか或いはガラス板に直接
溝を形成したガラス板基板であってもよい。また、第１
の誘電体層２、記録薄膜層３、第２の誘電体層４、第３
の誘電体層５及び反射層６の形成方法については、真空
蒸着法か或いはスパッタリング法が用いられる。

【００２８】〔実験〕（１）第２の誘電体層４及び第３の誘電体層５の膜厚に
ついて第２の誘電体層４の膜厚については、３〜１５ｎｍの範
囲において、記録感度が良好であった。また、第３の誘電体層５としてＳｉＯ２　を使用した場
合の膜厚については、１５〜２５ｎｍの範囲が適当であ
った。即ち、膜厚を１５ｎｍ以下とした場合には、記録
・消去に伴って第２の誘電体層４が熱膨張及び収縮して
変形することが抑制できなかった。逆に、膜厚を２５ｎ
ｍ以上とした場合には、記録・消去に伴って第３の誘電
体層５部分で熱が籠もってしまい、多サイクル特性が劣
化した。

【００２９】更に、第２及び第３の誘電体層４、５の膜
厚の和を約３０ｎｍとした場合は、反射層６への熱伝達
が良好であり、記録薄膜３を急冷するに効果的であった
。具体的には記録不良が起こらなかったので、ノイズの
発生がなかった。（２）第１及び第２の誘電体層２、４を形成するＺｎＳ
−ＳｉＯ２　混合膜におけるＳｉＯ２　の配合比率につ
いて５ｍｏｌ％以下にした場合には、結晶粒径を小さく
する効果が薄れてしまった。また、４０ｍｏｌ％以上に
した場合には、ＳｉＯ２　膜の性質が大きくなり、膜強
度が十分ではなくなってしまった。従って、ＳｉＯ２　
のモル分率については、５〜４０ｍｏｌ％の範囲にする
のが適当であると言える。（３）オーバライト特性について本実施例で示す光記録媒体により、外径１３０ｍｍ、１
８００ｒｐｍ回転、線速度８ｍ／ｓｅｃのディスクを形
成し、ｆｌ＝３．４３ＭＨｚの信号及びｆ２＝１．２５
ＭＨｚの信号のオーバーライト特性を測定した。なお、
オーバーライトは、１個のサークルスポットで約１μｍ
のレーザー光により、高いパワーレベル１６ｍＷ、低い
パワーレベル８ｍＷの間の変調で、高いパワーレベルで
非晶質化記録マークを形成し、低いパワーレベルで非晶
質化記録マークを結晶化して消去する同時消録方法で行
った。

【００３０】その結果、記録信号のＣ／Ｎ比（ノイズの
評価尺度のこと）として、５５ｄＢ以上の値が得られた
。また、オーバライト消去率として３０ｄＢ以上の値が
得られ、従来の光記録媒体に比べて記録消去特性が向上
した。更に、オーバーライトのサイクル特性については
、ビットエラー・レイト特性を測定した結果、１０６　
サイクル以上において劣化が見られなかった。

【００３１】図２は、光記録媒体の構成の他の実施例を
示す縦断面図である。なお、図１で示す同一構成要素に
ついては同一番号で示す。図１との相違点は、第３の誘
電体層５が無い分第２の誘電体層４の膜厚を大きくし、
更にＺｎＳとＳｉＯ２　の組成比を膜厚方向に連続的に
変化させた点である。具体的には、記録薄膜層３と接す
る界面ではＺｎＳを８０部とし、ＳｉＯ２　を２０部と
してある。また、反射層６との界面においてはＳｉＯ２
　を１００部となるように形成してある。もちろん、こ
のような組成に限定されるものではなく、その組成比を
変えることによって記録薄膜層３の熱伝動率を制御する
ことができる。即ち、記録感度を調整することができる
ことになる。なお、この実施例においても実験の結果、
上述したオーバーライト特性を満足することが確認でき
た。

【００３２】

【発明の効果】以上の本発明によれば、記録薄膜層の上
下に設けた誘電体層が記録・消去に伴って熱膨張及び収
縮する脈動現象がなくなるので、記録薄膜層がディスク
回転方向案内溝に沿って移動する不良現象が大幅に抑制
される。このため、記録薄膜層における厚さムラが無く
なり、信号品質の劣化を防止することが可能となる。そ
の結果、記録・消去の繰り返し特性が格段に向上する。

【００３３】また、記録薄膜層と反射層との間に設けた
誘電体層の厚みを薄くすることにより、記録薄膜層の急
冷効果が顕著に向上するため、均一な非晶質化、即ち、
均一な記録マークの形成が可能となる。従って、光記録
媒体における記録並びに消去特性が極めて良好となる。その結果、１０６　回以上の書換にも対応できる耐久性
の優れた光記録媒体を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の構成を示す縦断面図
である。

【図２】本発明に係る光記録媒体の構成の他の実施例を
示す縦断面図である。

【符号の説明】

１　　　　基板２　　　　第１の誘電体層３　　　　記録薄膜層４　　　　第２の誘電体層５　　　　第３の誘電体層６　　　　反射層７　　　　接着剤層８　　　　保護板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　透明基板の一方の面に第１の誘電体層
と、レーザー光の照射によってそのエネルギーを吸収し
て昇温、溶融し、更に急冷することによって非晶質化す
る性質と、前記非晶質状態をレーザー光の照射によって
昇温し、結晶化する性質を有する記録薄膜層と、少なく
とも前記第１の誘電体層と同一材料からなる第２の誘電
体層と、前記第２の誘電体層と固溶しない第３の誘電体
層と、反射層とを順次形成した光記録媒体であって、前
記第３の誘電体層が、前記第１及び第２の誘電体層に比
べてより小さい線膨張係数を有する材料からなることを
特徴とする光記録媒体。
【請求項２】　　第３の誘電体層が、３×１０−６Ｋ−
１以下の線膨張係数を有する材料からなることを特徴と
する請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】　　第２の誘電体層と第３の誘電体層の膜
厚の和が３０ｎｍ以下であって、第１の誘電体層の膜厚
よりも薄いことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体
。
【請求項４】　　第２の誘電体層の膜厚が１０ｎｍ以下
であって、第３の誘電体層の膜厚よりも薄いことを特徴
とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項５】　　第３の誘電体層が、酸化物、窒化物又
は炭化物材料からなることを特徴とす請求項１及び２記
載の光記録媒体。
【請求項６】　　第３の誘電体層が、ＳｉＯ２　材料か
らなることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項７】　　第１及び第２の誘電体層が、金属のカ
ルコゲン化亜鉛と酸化物を主たる成分とする材料からな
ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項８】　　第１及び第２の誘電体層が、金属のカ
ルコゲン化亜鉛と窒化物を主たる成分とする材料からな
ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項９】　　第１と第２の誘電体層が、ＺｎＳとＳ
ｉＯ２　の混合膜からなり、ＳｉＯ２　の配合比率が５
〜４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１記載の
光記録媒体。
【請求項１０】　　記録薄膜層が、少なくともＴｅとＧ
ｅとＳｂの３成分を含有することを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。
【請求項１１】　　透明基板の一方の面に第１の誘電体
層と、レーザー光の照射によってそのエネルギーを吸収
して昇温、溶融し、更に急冷することによって非晶質化
する性質と、前記非晶質状態をレーザー光の照射によっ
て昇温し、結晶化する性質を有する記録薄膜層と、少な
くとも前記第１の誘電体層と同一材料からなる第２の誘
電体層と、前記第２の誘電体層と固溶しない第３の誘電
体層と、反射層とを順次形成した光記録媒体であって、
前記第２の誘電体層が、膜厚方向に成分組成の分布勾配
を設けてあることを特徴とする光記録媒体。
【請求項１２】　　第１及び第２の誘電体層が、金属の
カルコゲン化亜鉛と酸化物を主たる成分とする材料から
なることを特徴とする請求項１１記載の光記録媒体。
【請求項１３】　　第１及び第２の誘電体層が、金属の
カルコゲン化亜鉛と窒化物を主たる成分とする材料から
なることを特徴とする請求項１１記載の光記録媒体。
【請求項１４】　　第２の誘電体層において、記録薄膜
層より遠ざかる方向にその構成成分である酸化物の分布
率を増加させ、反射層との境界面近傍において１００％
の分布率をもつように分布勾配を設けたことを特徴とす
る請求項１１記載の光記録媒体。
【請求項１５】　　第２の誘電体層において、記録薄膜
層より遠ざかる方向にその構成成分である窒化物の分布
率を増加させ、反射層との境界面近傍において１００％
の分布率をもつように分布勾配を設けたことを特徴とす
る請求項１１記載の光記録媒体。
【請求項１６】　　第１及び第２の誘電体層の構成成分
としての酸化物が、ＳｉＯ２　であることを特徴とする
請求項１１記載の光記録媒体。
【請求項１７】　　第１及び第２の誘電体層が、ＺｎＳ
とＳｉＯ２　の混合膜からなり、ＳｉＯ２　の配合比率
が５〜４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１１
記載の光記録媒体。
【請求項１８】　　記録薄膜層が、少なくともＴｅ、Ｇ
ｅ、Ｓｂの３成分を含有することを特徴とする請求項１
１記載の光記録媒体。