JPH04316540A - オレフィン性不飽和を含む置換基をもつベンゾエート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はオレフィン性不飽和をも
つ置換基を含む新規なベンゾエート、該ベンゾエートで
製造されたポリマー、該新規ポリマーを含むポジ型、放
射線感受性組成物、及び化学放射線に暴露されて酸を形
成する基質に関する。

【０００２】ポジ型、放射線感受性組成物、及びフォト
レジストとしてのその用途は業界で公知である。紫外線
領域での高感受性に加えて、そのようなフォトレジスト
は現像しやすく、良好な耐エッチング性を持つ。

【０００３】

【従来の技術】水溶性有機化合物からなり、特殊な酸−
分解性結合を持つポジ型フォトレジスト組成物、及び化
学放射線に暴露されて酸を形成する化合物は例えば、米
国特許第３７７９７７８号に開示されている。これらの
フォトレジスト組成物は強アルカリ溶液中で現像のみさ
れ、熱安定性は少ない。

【０００４】欧州特許第０２５４８５３号に開示された
ポジ型フォトレジスト組成物は暴露および現像の後、高
い熱安定性のイメージを与えるが、それらの光安定性は
かなり少なく、強アルカリ水溶液中で現像のみされうる
。

【０００５】

【課題を解決するための手段】オレフィン性不飽和をも
つ置換基を含むベンゾエートから製造されるポリマーが
放射線感受性、ポジ型組成物に対して有効に使用されう
ることが見いだされた。それらから得られたフォトレジ
ストは化学線に対する感受性を増強し、暴露後、かなり
穏やかな現像条件、例えば、１重量％水性ＮａＨＣＯ３
　溶液のようなかなり弱アルカリ媒体中で現像されうる
。 サブミクロン分解（ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ　ｒｅｓｏｌｕ
ｔｉｏｎ）での層が製造され、そのためフォトレジスト
は半導体の製造に使用される。さらに、本発明のフォト
レジストから得られた構造は優れた熱安定性をもつ。

【０００６】特に、本発明はオレフィン性不飽和置換基
を含み、次式Ｉ

【化７】 （Ｒ１　及びＲ２　がそれぞれ互いに独立して水素原子
、炭素原子数１ないし４のアルキル基またはフェニル基
を表わし、Ｒ３　が水素原子、メチル基またはハロゲン
原子を表わし、Ｒ４　が水素原子またはメチル基を表わ
し、Ｒ５　が炭素原子数１ないし４のアルキル基または
炭素原子数６ないし１２のアリール基を表わし、そして
Ｒ６　及びＲ７　がそれぞれ互いに独立して水素原子、
炭素原子数１ないし４のアルキル基または炭素原子数６
ないし１２のアリール基を表わし、そしてＲ５　及びＲ
７　が一緒になって、未置換または炭素原子数１ないし
４のアルキル基で、炭素原子数１ないし４のアルコキシ
基で、炭素原子数６ないし１２のアリール基で、または
炭素原子数６ないし１２のアリールオキシ基で置換され
たエチレン、プロピレンまたはブチレン官能基を表わす
）で表される化合物からなるベンゾエートに関する。

【０００７】式Ｉにおいては、Ｒ１　及びＲ２　が好ま
しくは、それぞれ互いに独立して水素原子、又は炭素原
子数１ないし４のアルキル基を表わし、Ｒ３　が水素原
子、又はメチル基を表わし、そして環のオレフィン性不
飽和基はカルボニルオキシ基に対してパラ位にあり、Ｒ
４　が水素原子またはメチル基を表わし、Ｒ５　が炭素
原子数１ないし４のアルキル基を表わし、そしてＲ６　
及びＲ７　がそれぞれ互いに独立して水素原子、炭素原
子数１ないし４のアルキル基を表わし、そしてＲ５　及
びＲ７　が一緒になって、未置換または炭素原子数１な
いし４のアルキル基で、炭素原子数１ないし４のアルコ
キシ基で、またはフェノキシ基で置換されたエチレン、
プロピレンまたはブチレン官能基を表わす。

【０００８】さらに特に式Ｉにおいては、Ｒ１　、Ｒ２
　、Ｒ３　及びＲ４　がそれぞれ互いに独立して水素原
子、又はメチル基を表わし、そして環のオレフィン性不
飽和基はカルボニルオキシ基に対してパラ位にあり、Ｒ
５　がメチル基を表わし、そしてＲ６　及びＲ７　がそ
れぞれ互いに独立して水素原子またはメチル基を表わし
、そしてＲ５　及びＲ７　が一緒になって、未置換また
はメチル基で置換されたエチレンまたはプロピレン官能
基を表わす。

【０００９】いかなるアルキル置換基Ｒ１　、Ｒ２　、
Ｒ５　、Ｒ６　またはＲ７　は分枝状もしくは好ましく
は直鎖でもよく、代表的にはメチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、及びｎ−ブチル基である
。ハロゲン原子としてのＲ３　は好ましくは、塩素原子
または臭素原子である。

【００１０】炭素原子数６ないし１２のアリール基は、
未置換または、１若しくはそれ以上の置換基をもつフェ
ニル基、ビフェニル基、またはナフチル基のそれぞれで
ある。適当な置換基はハロゲン原子、好ましくは塩素原
子若しくは臭素原子、またはニトロ基でありうる。適当
な置換されたアリール基の代表例はｏ−クロロフェニル
基、ｏ−ニトロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル
基、及び２−クロロナフチル基である。

【００１１】炭素原子数１ないし４のアルコキシ置換基
は、メトキシ基、エトキシ基またはｎ−プロポキシ基が
適当であり、炭素原子数６ないし１２のアリールオキシ
置換基は、フェノキシ基およびナフトキシ基である。特
に好ましい式Ｉの化合物は、４−ビニル安息香酸のテト
ラヒドロピラン−２−イルおよびテトラヒドロフラン−
２−イルエステルである。

【００１２】式Ｉの化合物は、次式ＩＩ

【化８】 （Ｒ１　、Ｒ２　及びＲ３　が式Ｉの定義と同じ意味を
表わす）で表される化合物を次式ＩＩＩ

【化９】 （Ｒ４　、Ｒ５　、Ｒ６　及びＲ７　が式Ｉの定義と同
じ意味を表わす）で表される化合物で酸媒体中、式Ｉの
化合物に反応させることにより製造されうる。

【００１３】式ＩＩの化合物は例えば、西ドイツ特許第
３６４１０９９号で公知であり、幾つかは市販品として
入手できる。式ＩＩの化合物の代表例は４−または２−
ビニル安息香酸、４−（１’−クロロ）−ビニル安息香
酸、４−イソプロペニル安息香酸及び４−イソブテニル
安息香酸である。

【００１４】式ＩＩＩの化合物もまた公知であり、幾つ
かは市販品として入手できる。式ＩＩＩの化合物におい
て、Ｒ５　、Ｒ６　及びＲ７　はそれぞれ互いに独立し
て炭素原子数１ないし４のアルキル基または炭素原子数
６ないし１２のアリール基を表わすとき、これらの化合
物はメチルイソブテニルエーテル、フェニルイソブテニ
ルエーテル、メチルスチリルエーテル、メチルビニルエ
ーテルまたはエチルビニルエーテルでありうる。

【００１５】式ＩＩＩにおいてＲ５　及びＲ７　が一緒
になってアルキレン官能基であるとき、該化合物は２，
３−ジヒドロピラン、２，３−ジヒドロフランまたは２
，３，４，５−テトラヒドロオキセピンである。式ＩＩ
ＩにおいてＲ５　及びＲ７　が一緒になってアルコキシ
置換されたアルキレン官能基であるとき、該化合物は２
−メトキシ−３，４−ジヒドロピランであり、市販品と
して入手できる（例　　Ｆｌｕｋａ　Ｃｈｅｍｉｅ）。

【００１６】反応溶液の酸媒体は、濃塩酸または濃硫酸
の数滴を反応溶液に添加することにより製造されうる。 式ＩＩで表される化合物と式ＩＩＩで表される化合物の
反応は好ましくは、不活性ガス環境、特に窒素下で、約
２５〜８０℃の範囲の少し高められた温度で行われる。

【００１７】最初に記載したように、式Ｉの化合物はオ
レフィン性不飽和を含むコモノマーが存在してもしなく
ても重合するとき、放射線感受性および耐熱安定材料と
して使用されうる有益な単量体である。

【００１８】本発明はまた、ゲル透過クロマトグラフィ
により測定された分子量（Ｍｗ）１０３　ないし１０６
　をもち、ポリマーに存在する構造単位の全量に基づき
、次式ＩＶ

【化１０】 で表わされる繰り返し構造単位を１００ないし５モル％
、及び次式Ｖ

【化１１】 〔Ｒ１　、Ｒ２　、Ｒ３　、Ｒ４　、Ｒ５　、Ｒ６　及
びＲ７　が式Ｉの定義と同じ意味を表わし、Ｒ８　及び
Ｒ９　がそれぞれ互いに独立して水素原子、未置換の炭
素原子数１ないし４のアルキル基または、ハロゲン原子
、シアノ基またはニトロ基によって置換された炭素原子
数１ないし４のアルキル基を表わすか、または未置換フ
ェニル基またはナフチル基、またはそれぞれハロゲン原
子、若しくは炭素原子数１ないし４のアルコキシ基によ
って置換されたフェニル基またはナフチル基、ヒドロキ
シル基、シアノ基またはニトロ基を表わし、そしてＲ１
０及びＲ１１がそれぞれ互いに独立して水素原子または
ハロゲン原子、未置換の炭素原子数１ないし１２のアル
キル基または、ハロゲン原子、シアノ基またはニトロ基
によって置換された炭素原子数１ないし１２のアルキル
基、未置換フェニル基、ナフチル基若しくはベンジル基
、又はそれぞれハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基
またはニトロ基によって、または炭素原子数１ないし４
のアルキル基または炭素原子数１ないし４のアルコキシ
基によって置換されたフェニル基、ナフチル基若しくは
ベンジル基を表わすか、または−ＯＲ１２，−ＣＯＯＲ
１３および−ＣＯＲ１４（Ｒ１２及びＲ１３がそれぞれ
互いに独立して水素原子、未置換の炭素原子数１ないし
１２のアルキル基または、ハロゲン原子、シアノ基また
はニトロ基によって置換された炭素原子数１ないし１２
のアルキル基、未置換フェニル基若しくはナフチル基、
またはそれぞれハロゲン原子、シアノ基またはニトロ基
によって置換されたフェニル基若しくはナフチル基、炭
素原子数１ないし４のアルキル基または炭素原子数１な
いし４のアルコキシ基を表わし、そしてＲ１４がＲ１２
と同じ意味を表わし、また次式

【化１２】 （Ｒ１５及びＲ１６が互いに独立してＲ１２と同じ意味
を表わす）で表される基を表わすか、またはＲ１０及び
Ｒ１１が一緒になって次式

【化１３】 （Ｒ１７が水素原子または未置換またはヒドロキシ置換
されたフェニル基を表わす）で表される官能基を表わす
〕で表される繰り返し構造単位を９５ないし０モル％含
むポリマーに関する。

【００１９】本発明のポリマーは好ましくは、分子量（
Ｍｗ）５０００ないし５００，０００、もっとも好まし
くは２０，０００ないし１５０，０００をもつ。本発明
のポリマーはさらに好ましくは、式ＩＶで表される繰り
返し構造単位を１００ないし２０モル％、もっとも好ま
しくは１００ないし５０モル％、および式Ｖで表される
繰り返し構造単位を８０ないし０モル％、もっとも好ま
しくは５０ないし０モル％含む。

【００２０】式ＩＶで表される繰り返し構造単位におい
て、Ｒ１　、Ｒ２　、Ｒ３　、Ｒ４　、Ｒ５　、Ｒ６　
及びＲ７　が式Ｉの定義と同じ意味を表わすのが好まし
い。式Ｖで表される繰り返し構造単位中のアルキル基と
してＲ８　、Ｒ９　、Ｒ１０及びＲ１１は直鎖または分
枝状鎖、好ましくは直鎖アルキル基である。

【００２１】ハロゲン原子置換基は弗素原子、塩素原子
、臭素原子または沃素原子であり、好ましくは塩素原子
、または臭素原子である。未置換または置換されたアル
キル基はメチル基、エチル基、２−クロロエチル基、２
−ニトロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、
ｎ−ブチル基、第二ブチル基、第三ブチル基、ｎ−ペン
チル基、イソアミル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘ
キシル基、ｎ−デシル基、６−ニトロヘキシル基または
９−ブロモノニル基である。

【００２２】置換されたフェニル基またはナフチル基の
代表例はｏ−，ｍ−またはｐ−クロロフェニル基、ｏ−
，ｍ−またはｐ−トリル基、キシリル基、２−ニトロフ
ェニル基またはα−クロロナフチル基である。

【００２３】式Ｖで表される繰り返し構造単位において
は、Ｒ８　、Ｒ９　及びＲ１０は好ましくは、それぞれ
互いに独立して水素原子、炭素原子数１ないし６のアル
キル基またはフェニル基を表わし、Ｒ１１は好ましくは
ハロゲン原子、フェニル基またはベンジル基、または−
ＯＲ１２，−ＣＯＯＲ１３および−ＣＯＲ１４〔Ｒ１２
、Ｒ１３及びＲ１４がそれぞれ互いに独立して水素原子
、炭素原子数１ないし６のアルキル基またはフェニル基
を表わし、Ｒ１４がまた次式

【化１４】 （Ｒ１６及びＲ１７が互いに独立してＲ１２と同じ意味
を表わすのが好ましい）で表される官能基を表わす〕で
表される群から選ばれた官能基である。

【００２４】本発明のポリマーは、９５モル％まで、好
ましくは８０モル％まで、もっとも好ましくは５０モル
％までの量でその中に存在する式Ｉの化合物または、式
Ｉの化合物と次式Ｖａ

【化１５】 （Ｒ８　、Ｒ９　、Ｒ１０及びＲ１１が式Ｖの定義と同
じ意味を表わす）で表される化合物の混合物を公知の方
法でラジカル重合させることによって製造されうる。

【００２５】ラジカル重合は異なる技術、例えば、「Ｓ
．Ｓａｎｄｌｅｒ　及びＷ．Ｋａｒｏ著、”Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ　Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ”　、１〜３巻、１９６８年
、Ａｃａｄｅｍｉｃ　Ｐｒｅｓｓ社，　ニューヨーク」
に記載された技術により行われる。慣用の重合法の代表
例は塊状重合、または溶媒重合、乳化重合、懸濁重合ま
たは沈降重合である。

【００２６】式Ｖの化合物は公知であり、幾つかは市販
品として入手できる。エチレンまたはプロピレンのよう
なオレフィンに加えて、ビニル化合物は特に、式Ｖの化
合物の例として記載されうる。そのような単量体の例は
スチレン型、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、
ρ−メチルスチレンまたはρ−ヒドロキシフェニルスチ
レン、アクリル酸、メチルアクリレート、アクリルアミ
ド、相当するメタクリル化合物、マレイン酸、メチルマ
レート、マレイミドまたはρ−ヒドロキシフェニルマレ
イミドを含むα，β−不飽和酸およびそれらのエステル
またはアミド、塩化ビニル、弗化ビニル、塩化ビニリデ
ンまたは弗化ビニリデンのようなハロゲン含有ビニル化
合物、及び酢酸ビニルまたはビニルエーテルのようなビ
ニルエステル、例えば、メチルビニルエーテルまたはブ
チルビニルエーテルである。

【００２７】他の適当な化合物の例はアリルクロライド
、アリルブロマイドまたはアリルシアナイドのようなア
リル化合物である。重合は通常、フリーラジカル重合の
慣用な開始剤のひとつによって開始される。これらは熱
開始剤、例えば、アゾ化合物、代表的にはアゾイソブチ
ロニトリル（ＡＩＢＮ）またはベンゾイルパーオキサイ
ドのようなパーオキサイド、または鉄（ＩＩＩ）アセチ
ルアセトネート、ベンゾイン及びベンゾイルパーオキサ
イドの混合物のようなレドックス開始剤系、またはベン
ゾインまたはベンジルメチルケタールのような光化学的
遊離ラジカル形成体を含む。

【００２８】重合は溶液中で好ましくは行われる。反応
温度は通常、１０ないし２００℃、好ましくは４０ない
し１５０℃、最も好ましくは４０ないし１００℃である
。

【００２９】存在するいかなる溶媒も反応条件下で、不
活性でなければならない。適当な溶媒は芳香族炭化水素
、塩素化炭化水素、ケトンおよびエーテルを含む。その
ような溶媒の代表例はベンゼン、トルエン、キシレン、
エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、エチレンクロ
ライド、プロピレンクロライド、メチレンクロライド、
クロロホルム、メチルエチルケトン、アセトン、シクロ
ヘキサノン、ジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラ
ンである。

【００３０】最初に記載したように、本発明のポリマー
は酸に対してかなり良好な高感受性をもつポジ型フォト
レジストのための有益な材料であり、酸を発生する光開
始剤と一緒に、放射線感受性組成物を形成する。酸に対
する新規ポリマーの感受性は層の厚さが例えば、３０μ
ｍと多くても持続する。さらに、新規ポリマーの酸分割
によって得られる化合物は塩基に可溶である。対照的に
、新規ポリマーは塩基にかなり安定であるため、暴露さ
れた領域と暴露されていない領域の良好な相違はフォト
レジストにおいて得られる。

【００３１】従って、本発明は成分ａ）及びｂ）の全量
に基づいて、 ａ）ポリマーに存在する繰り返し構造単位の全量に基づ
いて、式ＩＶで表される繰り返し構造単位を１００ない
し５モル％および式Ｖで表される繰り返し構造単位を９
５ないし０モル％含むポリマーを８５ないし９９重量％
、及びｂ）化学線放射に暴露されて酸を形成する基質を
１ないし１５重量％を含むポジ型、放射線感受性組成物
に関する。

【００３２】放射線感受性組成物は好ましくは、成分ａ
）を９０ないし９９重量％、特に９５ないし９８重量％
、そして成分ｂ）を１ないし１０重量％、特に２ないし
５重量％含み、そして成分ａ）は好ましくは、式ＩＶで
表される繰り返し構造単位を１００ないし２０モル％、
特に１００ないし５０モル％、そして式Ｖで表される繰
り返し構造単位を８０ないし０モル％、特に５０ないし
０モル％含む。

【００３３】多数の化合物が、光の暴露で酸を形成また
は溶離する放射線感受性成分ｂ）として公知である。こ
れらの化合物は例えば、ジアゾ法に使用されるジアゾニ
ウム塩、公知のポジ型コピー組成物で使用されるｏ−キ
ノン−ジアジド、または照射によりハロゲン化水素を形
成するハロゲン化合物を含む。このタイプの化合物は例
えば、米国特許第３５１５５５２号、第３５３６４８９
号または第３７７９７７８号、及びドイツ特許第２７１
８２５９号、第２２４３６２１号または第２６１０８４
２号に開示されている。

【００３４】本発明の組成物の特に適当な放射線感受性
成分ｂ）はヨードニウムまたはスルホニウム塩の群から
選ばれた光開始剤である。そのような化合物は例えば、
”ＵＶ−Ｃｕｒｉｎｇ，Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ”　（編集：Ｓ．Ｐ．Ｐａｐｐａｓ，
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｍａｒｋｅｔｉｎｇ　Ｃｏｒｐ
．，６４２　Ｗｅｓｔｏｖｅｒ　Ｒｏａｄ，Ｓｔａｎｆ
ｏｒｄ，Ｃｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔ，ＵＳＡ）に記載され
ている。スルホキソニウム塩はまた放射線感受性化合物
として使用されうる。そのような塩は例えば、欧州特許
第３５９６９号または第４４２７４号及び第５４５０９
号に開示されている。低い紫外線範囲で吸収する脂肪族
スルホキソニウム塩の製造が特に記載される。

【００３５】化学線で照射されるとき、スルホン酸を生
じるこれらの化合物を使用することができる。そのよう
な化合物はそれ自体公知であり、例えば、英国特許第２
１２０２６３号、欧州特許第８４５１５号、第３７５１
２号または第５８６３８号、そして米国特許第４２５８
１２１号または第４３７１６０５号に記載される。

【００３６】塩が放射線感受性、酸放出成分ｂ）として
使用されるとき、該塩は好ましくは有機溶媒に可溶であ
る。もっとも好ましくは、これらの塩は錯体酸（ｃｏｍ
ｐｌｅｘ　ａｃｉｄｓ）、例えば、弗化水素ホウ酸（ｈ
ｙｄｒｏｆｌｕｏｒｏｂｏｒｉｃ　ａｃｉｄ）、ヘキサ
フルオロホスホン酸（ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｈｏｓｐ
ｈｏｎｉｃ　ａｃｉｄ）、ヘキサフルオロヒ酸（ｈｅｘ
ａｆｌｕｏｒｏａｒｓｅｎｉｃ　ａｃｉｄ）またはヘキ
サフルオロアンチモン酸（ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏａｎｔ
ｉｍｏｎｉｃ　ａｃｉｄ）との生成物である。

【００３７】結合剤ｃ）はまた、新規な放射線感受性組
成物に添加されうる。光感受性組成物が液体または低粘
度混合物のとき、結合剤を添加することは特に有益であ
る。この場合、新規なポリマーは慣用の溶液阻害剤とし
て作用する。暴露により、塩基に可溶なポリマー性化合
物は、酸触媒される加水分解によりポリマーから形成さ
れる。

【００３８】結合剤ｃ）の量は、成分ａ），ｂ）及びｃ
）の全量に基づいて３０〜９０重量％、好ましくは６０
〜９０重量％である。結合剤の選択はそれらに要求され
る使用分野および特性、例えば、水性アルカリ溶媒系中
の現像能力、または基質への接着力に従って行われる。

【００３９】適当な結合剤ｃ）の例は、アルデヒド、好
ましくはアセトアルデヒドまたはホルムアルデヒド、特
にホルムアルデヒドから誘導されたノボラックであり、
そしてフェノールである。この結合剤のフェノール成分
は好ましくはフェノールそれ自体、または例えば、１ま
たは２個の塩素原子によって置換されたハロゲン化フェ
ノール、好ましくはｐ−クロロフェノールか、または１
または２個の炭素原子数１ないし９のアルキル基によっ
て置換されたフェノール、例えば、ｏ−，ｍ−またはｐ
−クレゾール、キシレノール、ｐ−第三ブチルフェノー
ルまたはｐ−ノニルフェノールである。しかし、好まし
いノボラックのフェノール成分はｐ−フェニルフェノー
ル、レゾルシノール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
メタンまたは２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパンである。

【００４０】これらのノボラックのフェノール性ヒドロ
キシ基の幾つかは、例えば、クロロ酢酸、イソシアネー
ト、エポキサイドまたは無水カルボン酸との反応によっ
て変成されうる。他の適当な結合剤の例は無水マレイン
酸とスチレンまたはビニルエーテルまたは１−アルケン
とのコポリマーである。

【００４１】使用される他の適当な結合剤は、アクリレ
ート及びメタクリレートのホモポリマー及びコポリマー
、例えば、メチルメタクリレート／エチルアクリレート
／メタクリル酸のコポリマー、ポリ（アルキルメタクリ
レート）またはポリ（アルキルアクリレート）＜アルキ
ル基は炭素原子数１ないし２０のもの＞である。

【００４２】好ましくは、使用される結合剤はアルカリ
可溶基質、例えば、ノボラック（上記のように変成され
うる）、無水マレイン酸とスチレンまたはビニルエーテ
ルまたは１−アルケンのコポリマー、並びにアクリル酸
またはメタクリル酸とエチレン性不飽和酸、例えば、メ
タクリル酸またはアクリル酸とのエステルコポリマーで
ある。

【００４３】さらに他の補助樹脂は、ポジ型系において
慣用なこれらのアルカリ可溶結合剤に添加されうる。こ
れらの補助樹脂の代表例はビニルポリマー、例えば、ポ
リビニルアセテート、ポリアクリレート、ポリ（アルキ
ルメタクリレート）またはポリ（アルキルアクリレート
）＜アルキル基は炭素原子数１ないし２０のアルキル基
＞、ポリビニルエーテルまたはポリビニルピロリドンで
ある。しかし一般に、アルカリ可溶結合剤の量に基づい
て２０重量％以上のこれらの補助樹脂は添加されない。

【００４４】本発明の組成物は他の慣用の変成剤、例え
ば、安定剤、顔料、染料、充填剤、接着促進剤、水平化
剤、湿潤剤及び可塑剤を含みうる。適用するため、組成
物は適当な溶媒に溶解される。

【００４５】本発明の組成物はコーティング剤としてす
べての種類の基質、例えば、木材、織物、紙、セラミッ
クス、ガラス、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリオレフィンまたはセルロースアセテートのよ
うなプラスチック材料に好ましくはフィルムの形態で、
そしてＡｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｎ，ＭｇまたはＣｏ
のような金属およびＳｉまたはＳｉＯ２　に優れた安定
性を持ち、イメージ−ワイズ暴露（ｉｍａｇｅ−ｗｉｓ
ｅ　ｅｘｐｏｓｕｒｅ）によりイメージを作るのが望ま
しい。さらに本発明はコートされた基質に関する。

【００４６】コートされた基質の製造は例えば、組成物
の溶液または懸濁液を作ることによって行われる。溶媒
の選択および濃度は主に、組成物の性質およびコーティ
ング方法に依存する。溶液は常に基質に対して公知のコ
ーティング方法、例えば、回転コーティング（ｗｈｉｒ
ｌ　ｃｏａｔｉｎｇ）、浸漬、ナイフ塗布（ｄｏｃｔｏ
ｒ　ｃｏａｔｉｎｇ）、流し塗り、はけ塗り、噴霧及び
リバースローラーコーティングにより適用される。光感
受性層を臨時の可とう性担体（ｔｅｍｐｏｒａｒｙ　ｆ
ｌｅｘｉｂｌｅ　ｓｕｐｐｏｒｔ）に適用でき、次いで
最終基質、例えば、銅クラッド回路板に積層法による塗
膜の移動（ｃｏａｔ　ｔｒａｎｓｆｅｒ）によりコート
されうる。

【００４７】付加物（層の厚さ）及び基質の性質は、望
ましい使用次第である。本発明の組成物の特に有利な点
は、それらが層の厚さを広範囲に変えても使用できるこ
とである。この厚さの範囲は約０．５μｍから１００μ
ｍの値からなる。ナフトキノンイアジドに基づいた慣用
のポジ型系で、１０μｍ以上の層厚さはもはや使用でき
ない。

【００４８】本発明の組成物の可能な用途は、電子工学
分野〔ガルバノレジスト（ｇａｌｖａｎｏｒｅｓｉｓｔ
）、放電レジスト（ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　ｒｅｓｉｓｔ
）、溶媒レジスト（ｓｏｌｖｅｎｔ　ｒｅｓｉｓｔ）〕
、オフセット板またはスクリーン印刷版のような印刷板
の製造、モールドエッチングにおけるフォトレジストと
して、または集積回路の製造におけるマイクロレジスト
としてである。

【００４９】コートされた基質の加工のために可能な基
質および条件は、それぞれに応じて異なる。ポリエステ
ル、セルロースアセテートまたはプラスチックコートさ
れた紙から作られたシートは、代表的に情報の写真記録
に使用される。特に、処理されたアルミニウムはオフセ
ット版に使用され、銅クラッド積層体は印刷回路の製造
に使用され、そしてシリコンウエーハーは集積回路の製
造に使用される。写真材料およびオフセット印刷版の層
の厚さは約０．５μｍないし１０μｍであり、印刷回路
の層の厚さは１ないし約１００μｍである。

【００５０】基質をコートした後、溶媒は通常乾燥する
ことにより除去され、基質上にフォトレジストの層を得
る。慣用の方法で材料をイメージ−ワイズ暴露した後、
フォトレジストの暴露された領域は現像液で洗い流され
る。

【００５１】現像液の選択はフォトレジストのタイプ、
特に使用される結合剤または光分解生成物の性質に依存
する。現像液は、有機溶媒またはそれらの混合物を添加
しうつ塩基の水溶液からなる。

【００５２】特に好ましい現像液は、ナフトキノンジア
ジド／ノボラックレジストの現像に使用される水性アル
カリ溶液である。これらは特に、アルカリ金属のケイ酸
塩、リン酸塩及び水酸化物、またはテトラアルキルアン
モニウム化合物の水溶液を含む。これらの溶液はさらに
少量の湿潤剤および／または有機溶媒を含む。

【００５３】代表的な有機溶媒は、水と混和でき、現像
液に添加できるもの、例えば、２−エトキシエタノール
またはアセトン、並びにそのような溶媒の２またはそれ
以上の混合物である。”予測されたパターンにおける化
学放射線の暴露”という表現は、予測されたパターン、
例えば、クロムマスクまたは写真の透明度を含むフォト
マスクを通した暴露、並びにイメージを作るためにコー
トされた表面の表面上を論理的制御によって移動するレ
ーザービームに対する暴露を意味すると理解される。

【００５４】本発明の組成物の光感受性は一般に紫外線
領域（約２５０ｍ）から約６００ｎｍに広がり、かなり
広い範囲である。それゆえ、適当な光源は多数の広範囲
に変化するタイプからなる。部分的な光源ならびに反射
板ランプの配列が適当である。例は炭素アーク、キセノ
ンアーク、ハロゲン原子で不純物を添加されうる水銀蒸
気ランプ（ｍｅｒｃｕｒｙ　ｖａｐｏｕｒ　ｌａｍｐｓ
）〔金属ハライドランプ〕、蛍光ランプ、アルゴングロ
ーランプ、電子フラッシュランプ及び写真用フラッドラ
ンプである。

【００５５】ランプとイメージ材料の距離は、ランプの
用途およびタイプに依存し、例えば、２ｃｍないし１５
０ｃｍに実質的に変化できる。特に適当な光源はレーザ
ー光源、例えば、アルゴン鉄レーザーまたはクリプトン
鉄レーザーである。このタイプの暴露で、光高分子層を
接触しているフォトマスクは、レーザービームが直接層
に書き込むとき、もはや必要ない。本発明の組成物の高
感受性はここでかなり有効であり、かなり低い強度で高
書き込み速度を可能にする。この方法は電子工学産業の
ための印刷回路、リトグラフ用オフセット板、又はレリ
ーフ印刷板ならびに写真イメージ記録材料を製造するの
に使用されうる。

【００５６】それゆえ、本発明はまた、新規な組成物で
製造される印刷版、印刷回路、集積回路または銀−遊離
写真フィルムに関する。

【００５７】

【実施例】

実施例１：４−ビニル安息香酸のテトラヒドロピラン−
２−イル　　エステルの製造方法 ２０ｇ（１３５ミリモル）の４−ビニル安息香酸および
２２．７ｇ（２７０ミリモル）の３，４−ジヒドロ−２
Ｈ−ピランをマグネチックスターラを備え付けた１００
ｍｌの丸底フラスコに入れる。懸濁液に４滴の濃塩酸を
添加し、反応混合物を窒素下、４０℃で攪拌する。４０
分後、透明な溶液を得る。この溶液をさらに４０分攪拌
し、次いで氷で冷やした２Ｎ水酸化ナトリウム溶液に注
ぐ。

【００５８】ジエチルエーテルで２回抽出した後、エー
テル層を水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。エー
テルをロータリーエバポレーターで除去し、結果として
生じた液体をｎ−ヘキサンに溶解する。溶液を活性炭で
処理し、ろ過し、そして溶媒をロータリーエバポレータ
ーで除去する。その後、透明無色な液体を高圧下で乾燥
する。 収量：２７．５ｇ（理論値の８８％）。基質は蒸留され
ない。 元素分析（微量分析）： 計算値：Ｃ＝７２．３９％　　　　Ｈ＝６．９４％実験
値：Ｃ＝７２．４１％　　　　Ｈ＝７．２３％１Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３）　は４−ビニル安息香酸
のテトラヒドロピラン−２−イル　　エステルの構造に
一致する。

【００５９】実施例２：４−イソプロペニル安息香酸の
テトラピラン−２−イル　　エステルの製造方法５ｇ（
３１ミリモル）の４−イソプロペニル安息香酸および５
．２ｇ（６２ミリモ１）の３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピ
ランをマグネチックスターラを備え付けた２５ｍｌの丸
底フラスコに入れる。懸濁液に２滴の濃塩酸を添加し、
反応混合物を窒素下、４０℃で攪拌する。２０分かけて
懸濁液は溶液になる。６０分後、溶液を氷で冷やした２
Ｎ水酸化ナトリウム溶液に注ぐ。

【００６０】５０ｍｌのエーテルで抽出した後、有機層
を塩化ナトリウムで飽和した水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ムで乾燥し、ろ過し、蒸発によって濃縮する。少し茶色
の液体をシリカゲル／クロロホルムでクロマトグラフィ
する。 収量：２．７ｇ（理論値の３６％）。 微量分析： 計算値：Ｃ＝７３．１５％　　　　Ｈ＝７．３７％実験
値：Ｃ＝７３．２０％　　　　Ｈ＝７．５９％１Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３）　は４−イソプロペニル
安息香酸のテトラヒドロピラン−２−イル　　エステル
の構造に一致する。

【００６１】実施例３：４−ビニル安息香酸のテトラフ
ラン−２−イル　　エステルの製造方法２４ｇ（１６２
ミリモル）の４−ビニル安息香酸および２８．４ｇ（４
０５ミリモル）の２，３−ジヒドロフランをマグネチッ
クスターラを備え付けた１００ｍｌの丸底フラスコに入
れる。懸濁液に３滴の濃塩酸を添加し、反応混合物を窒
素下、４０℃で攪拌する。１分かけて懸濁液は溶液にな
る。３０分後、溶液を氷で冷やした１Ｎ水酸化ナトリウ
ム溶液に注ぐ。

【００６２】ジエチルエーテルで２回抽出した後、結合
させた有機層を水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、
エーテルをロータリーエバポレーターで除去する。得ら
れた透明な液体を１５０℃／０．０３ｍｂａｒで沸騰さ
せる。 収量：２８．６ｇ（理論値の８１％）。 微量分析： 計算値：Ｃ＝７１．５４％　　　　Ｈ＝６．４７％実験
値：Ｃ＝７１．５１％　　　　Ｈ＝６．６０％１Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３）　は４−ビニル安息香酸
のテトラヒドロフラン−２−イル　　エステルの構造に
一致する。

【００６３】実施例４：４−ビニル安息香酸の１−メト
キシイソブチル　　エステルの製造方法１−メトキシイ
ソブテンをＨ．Ｂｏｈｍｅ　及びＨ．Ｂｅｎｔｌｅｒ　
著、Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．１９５９，８９，１４６４−１
４６８に記載の方法に従って製造し、充填されたカラム
で常圧下、蒸留され、７０℃の沸点を持つ液体を得る。 ガスクロマトグラフィによる分析は９８％の純度を持つ
生成物を示す。収量は３０％である。 微量分析： 計算値：Ｃ＝６９．７％　　　　Ｈ＝１１．７％実験値
：Ｃ＝６８．６％　　　　Ｈ＝１１．２％１Ｈ−ＮＭＲ
スペクトル（ＣＤＣｌ３）　は１−メトキシイソブテン
の構造に一致する。

【００６４】１５ｇ（１００ミリモル）の４−ビニル安
息香酸を１７．２ｇ（２００ミリモル）の１−メトキシ
イソブテンに懸濁させる。この懸濁液に、５滴の濃塩酸
を添加し、反応混合物を４０℃で７時間攪拌する。得ら
れた透明な溶液をジエチルエーテルで希釈し、水性Ｎａ
ＨＣＯ３　で２回抽出する。エーテル層をＮａ２　ＳＯ
４　で乾燥し、次いでろ過し、蒸発によって濃縮する。 残渣を１２５℃／０．０６５ｍｂａｒで蒸留させ、透明
な液体の形態で６ｇの４−ビニル安息香酸の１−メトキ
シイソブチルエステルを得る。 微量分析： 計算値：Ｃ＝７１．７％　　　　Ｈ＝７．７％実験値：
Ｃ＝７１．１％　　　　Ｈ＝７．９％１Ｈ−ＮＭＲスペ
クトル（ＣＤＣｌ３）　は４−ビニル安息香酸の１−メ
トキシイソブチルエステルの構造に一致する。

【００６５】実施例５：ポリ（４−ビニル安息香酸）の
テトラヒドロピラン−２−イル　　エステルの製造方法
８ｇ（３４ミリモル）の４−ビニル安息香酸のテトラヒ
ドロピラン−２−イルエステル、５７ｍｇ（１モル％）
のアゾイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）及び３２ｍｌの
トルエンをマグネチックスターラーを備え付けた５０ｍ
ｌのアンプルに入れる。溶液を−７８℃で２度ガス抜き
し、アンプルを高圧下で溶融し、重合を７０℃で１２時
間行う。粘性溶液をメタノールに注ぐとポリマーが沈澱
する。該ポリマーを分離し、乾燥し、そして６０ｍｌの
塩化メチレンに溶解する。溶液を８００ｍｌのメタノー
ルに滴下し、沈澱したポリマーを分離する。白色ポリマ
ーを高圧下、４０℃で乾燥する。 収量：５．８ｇ（理論値の７２％）。 テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中、ゲル浸透クロマトグ
ラフィ（ＧＰＣ）により測定された分子量：Ｍｗ：６３
０００Ｍｎ：３４０００Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８５微量分析
： 計算値：Ｃ＝７２．３９％　　　　Ｈ＝６．９４％実験
値：Ｃ＝７２．２４％　　　　Ｈ＝７．１０％

【００６
６】実施例６：４−ビニル安息香酸のテトラヒドロフラ
ン−２−イルエステルの単独重合１０ｇ（４６ミリモル
）の４−ビニル安息香酸のテトラヒドロフラン−２−イ
ルエステル、７５ｍｇ（１モル％）のＡＩＢＮ、及び４
３ｍｌのトルエンをマグネチックスターラーを備え付け
た１００ｍｌの丸底フラスコに入れる。溶液を−７８℃
で２度ガス抜きし、アルゴンでおおう。重合を７０℃で
１６時間行う。粘性溶液をｎ−ヘキサンに滴下すると白
色ポリマーが沈澱する。該ポリマーを分離し、１００ｍ
ｌの塩化メチレンに溶解する。 溶液を１．３ｌのｎ−ヘキサンに滴下し、ポリマーを分
離し、０．０３ｍｂａｒ／４０℃で乾燥する。 収量：４．６ｇ（理論値の４６％）。 ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｗ：３７０００Ｍｎ：１１０００
Ｍｗ／Ｍｎ＝３．３６ 微量分析： 計算値：Ｃ＝７１．５４％　　　　Ｈ＝６．４７％実験
値：Ｃ＝７１．２４％　　　　Ｈ＝６．５２％

【００６
７】応用実施例 実施例Ａ ４ｇのポリ（４−ビニル安息香酸）のテトラヒドロピラ
ン−２−イル　　エステルおよび０．２ｇのチオフェノ
キシフェニルジフェニルスルホニウム　　ヘキサフルオ
ロアルセネートを４０ｇのシクロペンタノンに溶解する
。溶液を０．５ミクロンのフィルターにろ過し、シリコ
ンウエハーに適用する。均質なフィルムは２５００ｒｐ
ｍで回転コーティング（ｗｈｉｒｌ　ｃｏａｔｉｎｇ）
によってシリコンウエハー上に製造される。フィルムの
厚さは１．２ミクロンである。フィルムはマスク（ｍａ
ｓｋ）及び３０８ｎｍ波長の光で幅の狭いバンドフィル
ターを通して暴露される。暴露エネルギーは４〜５ｍＪ
／ｃｍ２　を必要とする。暴露後、レジストフィルムを
ホットプレート上で１１０℃、１時間加熱し、次いで２
２℃で２分間現像する。暴露領域をこの現像液で洗い流
すため、レジストは陽性である。レジストフィルムを脱
イオン水ですすぎ、９０℃で乾燥する。走査電子顕微鏡
による分析は、レジストが０．５ミクロンの構造を分解
し、該構造はほとんど９０℃の端勾配度（ｅｄｇｅ　ｓ
ｔｅｅｐｎｅｓｓ）を持つ。

【００６８】実施例Ｂ ４ｇのポリ（４−ビニル安息香酸）のテトラヒドロフラ
ン−２−イル　　エステルおよび０．２ｇのチオフェノ
キシフェニルジフェニルスルホニウム　　ヘキサフルオ
ロアルセネートを２０ｇのシクロペンタノンに溶解する
。溶液を０．５ミクロンのフィルターにろ過し、シリコ
ンウエハーに適用する。均質なフィルムは２５００ｒｐ
ｍで回転コーティング（ｗｈｉｒｌ　ｃｏａｔｉｎｇ）
によってシリコンウエハー上に製造される。フィルムは
９０℃で２分間乾燥される。フィルムの厚さは１ミクロ
ンである。フィルムは暴露され、実施例Ａのように現像
される。３０８ｎｍで４ｍＪ／ｃｍ２　の暴露エネルギ
ーは、サブミクロンの構造を分解するのに十分である。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　オレフィン性不飽和置換基を含み、次
   式Ｉ 【化１】 （Ｒ１　及びＲ２　がそれぞれ互いに独立して水素原子
   、炭素原子数１ないし４のアルキル基またはフェニル基
   を表わし、Ｒ３　が水素原子、メチル基またはハロゲン
   原子を表わし、Ｒ４　が水素原子またはメチル基を表わ
   し、Ｒ５　が炭素原子数１ないし４のアルキル基または
   炭素原子数６ないし１２のアリール基を表わし、そして
   Ｒ６　及びＲ７　がそれぞれ互いに独立して水素原子、
   炭素原子数１ないし４のアルキル基または炭素原子数６
   ないし１２のアリール基を表わし、そしてＲ５　及びＲ
   ７　が一緒になって、未置換または炭素原子数１ないし
   ４のアルキル基で、炭素原子数１ないし４のアルコキシ
   基で、炭素原子数６ないし１２のアリール基で、または
   炭素原子数６ないし１２のアリールオキシ基で置換され
   たエチレン、プロピレンまたはブチレン官能基を表わす
   ）で表される化合物からなるベンゾエート。
2. 【請求項２】　　Ｒ１　及びＲ２　がそれぞれ互いに独
   立して水素原子、又は炭素原子数１ないし４のアルキル
   基を表わし、Ｒ３　が水素原子、又はメチル基を表わし
   、そして環のオレフィン性不飽和基はカルボニルオキシ
   基に対してパラ位にあり、Ｒ４　が水素原子またはメチ
   ル基を表わし、Ｒ５　が炭素原子数１ないし４のアルキ
   ル基を表わし、Ｒ６及びＲ７　がそれぞれ互いに独立し
   て水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基を表わ
   し、そしてＲ５　及びＲ７　が一緒になって、未置換ま
   たは炭素原子数１ないし４のアルキル基で、炭素原子数
   １ないし４のアルコキシ基で、またはフェノキシ基で置
   換されたエチレン、プロピレンまたはブチレン官能基を
   表わす請求項１記載の式Ｉのベンゾエート。
3. 【請求項３】　　Ｒ１　、Ｒ２　、Ｒ３　及びＲ４がそ
   れぞれ互いに独立して水素原子、又はメチル基を表わし
   、そして環のオレフィン性不飽和基はカルボニルオキシ
   基に対してパラ位にあり、Ｒ５　がメチル基を表わし、
   そしてＲ６　及びＲ７　がそれぞれ互いに独立して水素
   原子またはメチル基を表わし、そしてＲ５　及びＲ７　
   が一緒になって、未置換またはメチル基で置換されたエ
   チレンまたはプロピレン官能基を表わす請求項１記載の
   式Ｉの化合物。
4. 【請求項４】　　４−ビニル安息香酸のテトラヒドロピ
   ラン−２−イルおよびテトラヒドロフラン−２−イルエ
   ステル、４−イソプロペニル安息香酸のテトラヒドロピ
   ラン−２−イルエステル及び４−ビニル安息香酸の１−
   メトキシイソブチルエステルから選ばれた請求項１記載
   の式Ｉの化合物。
5. 【請求項５】　　次式ＩＩ 【化２】 （Ｒ１　、Ｒ２　及びＲ３　が式Ｉの定義と同じ意味を
   表わす）で表される化合物を次式ＩＩＩ 【化３】 （Ｒ４　、Ｒ５　、Ｒ６　及びＲ７　が式Ｉの定義と同
   じ意味を表わす）で表される化合物で酸媒体中、式Ｉの
   化合物に反応させることからなる請求項１記載の式Ｉの
   化合物の製造方法。
6. 【請求項６】　　ゲル透過クロマトグラフィにより測定
   された分子量（Ｍｗ）１０３　ないし１０６　をもち、
   ポリマーに存在する構造単位の全量に基づき、次式ＩＶ
   【化４】 で表わされる繰り返し構造単位を１００ないし５モル％
   、及び次式Ｖ 【化５】 〔Ｒ１　、Ｒ２　、Ｒ３　、Ｒ４　、Ｒ５　、Ｒ６　及
   びＲ７　が式Ｉの定義と同じ意味を表わし、Ｒ８　及び
   Ｒ２　がそれぞれ互いに独立して水素原子、未置換の炭
   素原子数１ないし４のアルキル基または、ハロゲン原子
   、シアノ基またはニトロ基によって置換された炭素原子
   数１ないし４のアルキル基を表わすか、または未置換フ
   ェニル基またはナフチル基、またはそれぞれハロゲン原
   子若しくは炭素原子数１ないし４のアルコキシ基によっ
   て置換されたフェニル基またはナフチル基、ヒドロキシ
   ル基、シアノ基またはニトロ基を表わし、そしてＲ１０
   及びＲ１１がそれぞれ互いに独立して水素原子またはハ
   ロゲン原子、未置換の炭素原子数１ないし１２のアルキ
   ル基または、ハロゲン原子、シアノ基またはニトロ基に
   よって置換された炭素原子数１ないし１２のアルキル基
   、未置換フェニル基、ナフチル基若しくはベンジル基、
   又はそれぞれハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基ま
   たはニトロ基によって、または炭素原子数１ないし４の
   アルキル基または炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
   によって置換されたフェニル基、ナフチル基若しくはベ
   ンジル基を表わすか、または−ＯＲ１２，−ＣＯＯＲ１
   ３および−ＣＯＲ１４（Ｒ１２及びＲ１３がそれぞれ互
   いに独立して水素原子、未置換の炭素原子数１ないし１
   ２のアルキル基または、ハロゲン原子、シアノ基または
   ニトロ基によって置換された炭素原子数１ないし１２の
   アルキル基、未置換フェニル基若しくはナフチル基、ま
   たはそれぞれハロゲン原子、シアノ基またはニトロ基に
   よって置換されたフェニル基若しくはナフチル基、炭素
   原子数１ないし４のアルキル基または炭素原子数１ない
   し４のアルコキシ基を表わし、そしてＲ１４がＲ１２と
   同じ意味を表わし、また次式【化６】 （Ｒ１５及びＲ１６が互いに独立してＲ１２と同じ意味
   を表わす）で表される官能基を表わす〕で表される繰り
   返し構造単位を９５ないし０モル％含むポリマー。
7. 【請求項７】　　式ＩＶで表される繰り返し構造単位を
   １００ないし２０モル％および式Ｖで表される繰り返し
   構造単位を８０ないし０モル％含む請求項６記載のポリ
   マー。
8. 【請求項８】　　以下の成分ａ）及びｂ）の全量に基づ
   いて、 ａ）ポリマーに存在する構造単位の全量に基づいて、式
   ＩＶで表される繰り返し構造単位を１００ないし５モル
   ％および式Ｖで表される繰り返し構造単位を９５ないし
   ０モル％含む請求項６記載のポリマーを８５ないし９９
   重量％、及びｂ）化学線放射に暴露されて酸を形成する
   基質を１ないし１５重量％を含むポジ型（ｐｏｓｉｔｉ
   ｖｅ−ｗｏｒｋｉｎｇ）　、放射線感受性組成物。
9. 【請求項９】　　ａ）式ＩＶで表される繰り返し構造単
   位を１００ないし２０モル％および式Ｖで表される繰り
   返し構造単位を８０ないし０モル％含むポリマーを９０
   ないし９９重量％、及び ｂ）化学線放射に暴露されて酸を形成する基質を１ない
   し１０重量％を含む請求項８記載の組成物。
10. 【請求項１０】　　請求項８記載の組成物で製造された
    印刷版、印刷回路、集積回路または銀−遊離写真用フィ
    ルム。