JPH04305950A - Measuring method for semiconductor wafer - Google Patents

Measuring method for semiconductor wafer

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JPH04305950A
JPH04305950A JP9494291A JP9494291A JPH04305950A JP H04305950 A JPH04305950 A JP H04305950A JP 9494291 A JP9494291 A JP 9494291A JP 9494291 A JP9494291 A JP 9494291A JP H04305950 A JPH04305950 A JP H04305950A
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JP
Japan
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wafer
semiconductor wafer
semiconductor
image data
chip
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JP9494291A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshito Marumo
丸茂 芳人
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Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To recognize accurately the shape of a semiconductor chip near the circumference of a semiconductor wafer by detecting the center and radius of the semiconductor wafer and the array position of said semiconductor chip as well. CONSTITUTION:Image data with no semiconductor wafer 2 is stored as reference data. The reference data and the image data about the circumference of the semiconductor wafer 2 are compared and computed in a CPU 9 so as to detect the center and radius of the semiconductor wafer 2. The image data of the semiconductor chip and the image data of one semiconductor chip previously stored is calculated and processed at the CPU 9 so as to detect the array position of the semiconductor chips. A further attempt is made to improve the inspection efficiency and reliability of the semiconductor wafer by detecting the center and radius of the semiconductor wafer and accurately recognizing the shape of the semiconductor chips near the circumference of the semiconductor wafer.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハの測定方
法に関するもので、更に詳細には、半導体ウエハの円周
付近の半導体チップの形状を認識する半導体ウエハの測
定方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for measuring a semiconductor wafer, and more particularly to a method for measuring a semiconductor wafer for recognizing the shape of a semiconductor chip near the circumference of the semiconductor wafer.

【0002】0002

【従来の技術】一般に、半導体ウエハ(以下にウエハと
いう)上に形成された半導体チップ(以下にチップとい
う)の電気的特性を検査するプローバにおいては、水平
及び垂直の三次元方向に移動可能なウエハ載置台上に載
置されたウエハの位置合せを行った後、ウエハに多数規
則的に配列されたチップの電極と対応する位置に測定用
触針であるプローブ針を植設したプローブカードをプロ
ーバのプローブヘッドに装着し、プローブ針とチップの
各電極を接触させて、各チップ毎に順次電気的検査を行
っている。
[Prior Art] Generally, a prober that inspects the electrical characteristics of a semiconductor chip (hereinafter referred to as a chip) formed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) is movable in horizontal and vertical three-dimensional directions. After aligning the wafer placed on the wafer mounting table, a probe card with probe needles (measurement probes) implanted in positions corresponding to the electrodes of the chips arranged regularly on the wafer is placed. The probe is attached to the probe head of a prober, and the probe needle is brought into contact with each electrode of the chip to sequentially perform electrical testing on each chip.

【0003】このようなプローバによるウエハ検査工程
においてウエハの検査を効率良く行うには、ウエハの円
周付近に存在する完全でない形状の不良チップの無駄な
検査を省く必要がある。したがって、ウエハaの位置合
せ及びプローブカードとチップの位置合せ等の測定を高
精度に行うことは検査効率上極めて重要である。
In order to efficiently inspect a wafer in such a wafer inspection process using a prober, it is necessary to eliminate wasteful inspection of defective chips that are not perfectly shaped and exist near the circumference of the wafer. Therefore, it is extremely important for inspection efficiency to perform measurements such as alignment of the wafer a and alignment of the probe card and the chip with high precision.

【0004】そこで、従来では、ウエハの表面に形成さ
れたチップを測定する方法として、例えば特開昭63−
42137号公報等に記載のものが開発されている。こ
れら従来の測定方法は、ウエハ載置台の中心をウエハ載
置台上面と対向する方向に設置した容量型センサーによ
り求める方法である。
[0004] Conventionally, therefore, as a method for measuring chips formed on the surface of a wafer, for example, Japanese Patent Laid-Open No.
Those described in Japanese Patent No. 42137 and the like have been developed. In these conventional measurement methods, the center of the wafer mounting table is determined using a capacitive sensor installed in a direction facing the upper surface of the wafer mounting table.

【0005】すなわち、ウエハ載置台を容量型センサー
の下で移動させ、ウエハ載置台上面と上面を外れた位置
において容量型センサーの出力に差があることに注目し
、ウエハ載置台の円周上のエッジを3点以上検出し、容
量型センサー下でのウエハ載置台の中心座標を求める。 次に、ウエハ載置台の中心に予め付されたマークを、ウ
エハパターン認識用に設けたTVカメラの下に移動させ
、予め付されたTV画面上のマークに一致させ、TVカ
メラ下でTV画面にマークを表示する位置での、ウエハ
載置台の中心座標を求める。また、容量型センサーとT
Vカメラ下でのTV画面上にマークを表示する位置との
距離を測定し、記録する。
That is, by moving the wafer mounting table under the capacitive sensor, and noting that there is a difference in the output of the capacitive sensor between the top surface of the wafer mounting table and a position off the top surface, Detect three or more edges of the wafer and determine the center coordinates of the wafer mounting table under the capacitive sensor. Next, move the mark placed in advance on the center of the wafer mounting table under the TV camera installed for wafer pattern recognition, match it with the mark placed on the TV screen in advance, and place the mark on the TV screen under the TV camera. Find the center coordinates of the wafer mounting table at the position where the mark is displayed. In addition, capacitive sensors and T
Measure and record the distance from the position where the mark is displayed on the TV screen under the V camera.

【0006】次に、ウエハ載置台にウエハを搭載し、容
量型センサーの下にウエハ載置台を移動し、ウエハ表面
とウエハ表面外とで容量型センサーの出力に差があるこ
とに注目し、ウエハ円周上のエッジを3点以上検出し、
ウエハ中心とウエハの半径を求める。また、ウエハ載置
台の中心と、ウエハの中心とのX軸方向及びY軸方向の
ズレ量を計算し求める。
Next, the wafer was mounted on a wafer mounting table, and the wafer mounting table was moved under the capacitive sensor, noting that there was a difference in the output of the capacitive sensor between the wafer surface and the outside of the wafer surface. Detects three or more edges on the wafer circumference,
Find the wafer center and wafer radius. In addition, the amount of deviation between the center of the wafer mounting table and the center of the wafer in the X-axis direction and the Y-axis direction is calculated and determined.

【0007】次に、ウエハ載置台をTVカメラの下に移
動させ、TV画面上のマークにウエハ上のチップのー点
、例えば左上のチップ角を合わせる。この時点において
、TVカメラの下のTV画面にマークを表示する位置に
おいての、ウエハの中心とウエハの半径及びチップ上の
ー点の相互の座標関係が判明し、予め、プローバにパラ
メータとして入力したチップのX方向長さ、及びY方向
長さを使用し、演算を行えば、ウエハの円周付近のチッ
プの面積も求められ、完全でない形状の不良チップを検
査前に知ることができる。
Next, the wafer mounting table is moved under the TV camera, and the -point of the chip on the wafer, for example, the upper left corner of the chip, is aligned with the mark on the TV screen. At this point, the mutual coordinate relationship between the center of the wafer, the radius of the wafer, and the -point on the chip at the position where the mark will be displayed on the TV screen below the TV camera has been determined, and it has been input into the prober as a parameter in advance. By performing calculations using the length in the X direction and the length in the Y direction of the chip, the area of the chip near the circumference of the wafer can also be determined, and defective chips with imperfect shapes can be known before inspection.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウエハの測定方法では、オペレータがTV画面上
のマークにウエハ載置台の中心に付されたマークを一致
させる必要があり、また、ウエハ載置台の中心に付され
たマークが容量型センサーで測定するウエハ載置台の中
心に正しく一致しているとは限らなかった。このため、
TVカメラ下でのウエハの中心位置と、チップの位置と
の相互関係に誤差が生ずることがあった。この誤差は、
結果としてウエハ円周付近でのチップの面積が実際のも
のと異なるということでオペレータに判っても、ウエハ
の中心がどの方向にどれ位ずれているか判らず修正も不
可能で有った。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional method for measuring semiconductor wafers, it is necessary for the operator to match the mark on the TV screen with the mark placed at the center of the wafer mounting table. The mark placed at the center of the wafer did not necessarily match the center of the wafer mounting table as measured by the capacitive sensor. For this reason,
An error may occur in the mutual relationship between the center position of the wafer under the TV camera and the position of the chip. This error is
As a result, even if the operator knew that the area of the chip near the circumference of the wafer was different from the actual one, it was impossible to correct it because he could not tell in which direction and by how much the center of the wafer had shifted.

【0009】このため、本来完全な形状でない不良チッ
プが完全な形状の検査対象のチップと認識されたり、あ
るいは、逆に完全な形状のチップが完全な形状でないチ
ップと認識されることがあった。したがって、以後のウ
エハ検査において、プローブカードのプローブ針が検査
対象となる全てのチップの電極に正確に接触されなかっ
たり、逆に検査対象外の完全な形状でないチップに接触
されてしまい、検査効率の低下を招くばかりか、検査の
信頼性も低下し、更には、プローブ針の寿命の低下等の
問題もあった。
For this reason, a defective chip that is originally not in perfect shape may be recognized as a chip to be inspected that is in perfect shape, or conversely, a chip that is in perfect shape may be recognized as a chip that is not in perfect shape. . Therefore, in subsequent wafer inspections, the probe needles of the probe card may not be able to accurately contact the electrodes of all the chips to be inspected, or conversely may come into contact with chips that are not in perfect shape and are not being inspected, resulting in poor inspection efficiency. This not only causes a decrease in the reliability of the test, but also reduces the reliability of the test, and furthermore, there are problems such as a decrease in the life of the probe needle.

【0010】また、ウエハ上に形成されたチップを砥石
でカットするダイシング工程においても同様に不良チッ
プの存在によりカット効率の低下が生じるという問題が
あった。
[0010] Furthermore, in the dicing process in which chips formed on a wafer are cut with a grindstone, there is a similar problem in that the presence of defective chips lowers the cutting efficiency.

【0011】この発明は上記事情に鑑みなされたもので
、簡単な操作によってウエハの円周付近のチップの形状
を正確に認識して、ウエハの検査効率の向上、信頼性の
向上等を図ることを目的とした半導体ウエハの測定方法
を提供しようとするものである。
The present invention was made in view of the above circumstances, and aims to improve wafer inspection efficiency and reliability by accurately recognizing the shape of chips near the circumference of a wafer through simple operations. The purpose of this paper is to provide a method for measuring semiconductor wafers.

【0012】0012

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の半導体ウエハの測定方法は、半導
体ウエハの形状を検出すると共に、半導体ウエハ上に多
数規則的に配列された半導体チップの配列位置を検出し
て、上記半導体ウエハの半導体チップの形状を認識する
に当って、半導体ウエハを載置する前のウエハ載置台の
画像データを基準データとして記憶し、上記基準データ
と半導体ウエハを載置後のウエハ載置台の画像データと
を比較して、半導体ウエハの中心及び半径を検出するこ
とを特徴とするものである。また、この発明の第2の半
導体ウエハの測定方法は、第1の半導体ウエハの測定方
法において、半導体ウエハ上の隣接する半導体チップの
縦横方向の画像データを検出し、半導体チップの配列位
置を検出することを特徴とするものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, a first semiconductor wafer measuring method of the present invention detects the shape of a semiconductor wafer, and detects the shape of a large number of regularly arranged semiconductor wafers on the semiconductor wafer. In detecting the arrangement position of the semiconductor chips and recognizing the shape of the semiconductor chips on the semiconductor wafer, image data of the wafer mounting table before mounting the semiconductor wafer is stored as reference data, and the image data is used as reference data. This method is characterized in that the center and radius of the semiconductor wafer are detected by comparing the image data of the wafer mounting table on which the semiconductor wafer is placed. Further, in the second semiconductor wafer measurement method of the present invention, in the first semiconductor wafer measurement method, vertical and horizontal image data of adjacent semiconductor chips on the semiconductor wafer is detected, and the arrangement position of the semiconductor chips is detected. It is characterized by:

【0013】この発明において、上記画像データの比較
演算手段は半導体ウエハを載置する前のウエハ載置台の
画像データすなわち基準データと半導体ウエハを載置後
のウエハ載置台の画像データとを比較演算できるもので
あれば任意のものでよく、例えばCCDカメラにて撮像
された信号を中央演算処理装置(CPU)にて比較演算
処理することができる。
In the present invention, the image data comparison calculation means compares and calculates the image data of the wafer mounting table before placing the semiconductor wafer, that is, the reference data, and the image data of the wafer mounting table after placing the semiconductor wafer. Any device may be used as long as it can be used. For example, a signal captured by a CCD camera can be subjected to comparative calculation processing by a central processing unit (CPU).

【0014】半導体ウエハの中心及び半径を検出するに
は、上記基準データと半導体ウエハを載置後の載置台の
画像データとの比較は少なくとも半導体ウエハの円周上
の3点における基準データとの比較を行えばよく、この
3点の比較により半導体ウエハの中心及び半径が検出で
きる。この場合、基準データは、例えばウエハ載置台の
画像データそのままを使用するか、あるいは、画像デー
タの比較演算が容易なようにウエハ載置台に模様を付け
、特殊な画像データとしてもよい。また、半導体チップ
の配列位置を検出するには、載置台に載った半導体ウエ
ハの画像データを画像表示装置に映し、1つの半導体チ
ップの範囲をオペレータに指示させ、その画像データを
基準データとして記憶装置に記録し、以後ウエハ載置台
に載った半導体ウエハの画像データと基準データを比較
し、一致する画像データの位置により位置検出ができる
In order to detect the center and radius of the semiconductor wafer, the above reference data and the image data of the mounting table after the semiconductor wafer is placed are compared with the reference data at at least three points on the circumference of the semiconductor wafer. All that is required is a comparison, and by comparing these three points, the center and radius of the semiconductor wafer can be detected. In this case, as the reference data, for example, the image data of the wafer mounting table may be used as is, or special image data may be obtained by adding a pattern to the wafer mounting table so as to facilitate image data comparison calculations. In addition, to detect the array position of semiconductor chips, image data of the semiconductor wafer placed on the mounting table is displayed on an image display device, the operator is instructed to specify the range of one semiconductor chip, and the image data is stored as reference data. The image data of the semiconductor wafer that is recorded in the apparatus and then placed on the wafer mounting table is compared with the reference data, and the position can be detected based on the position of the matching image data.

【0015】[0015]

【作用】上記のように構成されるこの発明の半導体ウエ
ハの測定方法によれば、半導体ウエハのない画像データ
を基準データとして記憶すると共に、この基準データと
半導体ウエハの画像データとを比較することにより、半
導体ウエハの中心及び半径を検出することができ、半導
体ウエハの形状を認識することができる。
[Operation] According to the method for measuring a semiconductor wafer of the present invention configured as described above, image data without a semiconductor wafer is stored as reference data, and this reference data is compared with image data of a semiconductor wafer. Accordingly, the center and radius of the semiconductor wafer can be detected, and the shape of the semiconductor wafer can be recognized.

【0016】また、半導体チップの画像データと予め記
憶された半導体チップパターンデータとを比較すること
により、半導体チップの配列位置を検出することができ
る。
Furthermore, by comparing the image data of the semiconductor chips with pre-stored semiconductor chip pattern data, the arrangement position of the semiconductor chips can be detected.

【0017】したがって、半導体ウエハの中心及び半径
の検出と半導体チップの配列位置の検出から容易に半導
体ウエハの円周付近の半導体チップの形状を認識するこ
とができる。
Therefore, the shape of the semiconductor chips near the circumference of the semiconductor wafer can be easily recognized by detecting the center and radius of the semiconductor wafer and the arrangement position of the semiconductor chips.

【0018】[0018]

【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Examples of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0019】図1はこの発明の半導体ウエハの測定方法
を用いるプローバの概略構成図が示されている。
FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of a prober that uses the semiconductor wafer measuring method of the present invention.

【0020】このプローバは、ウエハ搬送装置1によっ
て搬送された被測定用の半導体ウエハ2(以下にウエハ
という)を真空吸着するウエハ載置台3と、このウエハ
載置台3を水平及び垂直の三次元方向に移動するウエハ
載置台駆動装置4と、ウエハ載置台3の上方に配設され
てウエハ2上に形成された半導体チップ(以下にチップ
という)の電気的特性を検査するプローブカード5と、
ウエハ2の円周及びチップの中心位置等を検出するCC
Dカメラ7と、CCDカメラ7からの検出信号を制御処
理する制御部8とで構成されている。
This prober includes a wafer mounting table 3 that vacuum-chucks a semiconductor wafer 2 to be measured (hereinafter referred to as a wafer) transported by a wafer transporting device 1, and a wafer mounting table 3 that is arranged horizontally and vertically in three dimensions. a wafer mounting table driving device 4 that moves in the direction; a probe card 5 that is disposed above the wafer mounting table 3 and inspects the electrical characteristics of a semiconductor chip (hereinafter referred to as a chip) formed on the wafer 2;
CC that detects the circumference of wafer 2, center position of chips, etc.
It is composed of a D camera 7 and a control section 8 that controls and processes detection signals from the CCD camera 7.

【0021】制御部8は、CCDカメラ7からの検出信
号と予め記憶された測定に必要なパラメータ(例えばチ
ップパターンデータ、移動量データ、ウエハ中心データ
等)とを比較演算してウエハ搬送装置1及びウエハ載置
台駆動装置4に制御信号を伝達するCPU9と、このC
PU9を介してCCDカメラ7からの検出信号を画像情
報として表示する画像表示装置10とで構成されている
The control unit 8 compares and calculates the detection signal from the CCD camera 7 with pre-stored parameters necessary for measurement (for example, chip pattern data, movement amount data, wafer center data, etc.), and controls the wafer transfer device 1. and a CPU 9 that transmits a control signal to the wafer mounting table driving device 4;
The image display device 10 displays the detection signal from the CCD camera 7 as image information via the PU 9.

【0022】なお、プローブカード5にはチップの電極
位置に対応するプローブ針5aが植設されている。
[0022] The probe card 5 has probe needles 5a implanted therein corresponding to the electrode positions of the chip.

【0023】次に、この発明の半導体ウエハの測定方法
について説明する。
Next, a method for measuring a semiconductor wafer according to the present invention will be explained.

【0024】◎ウエハの半径及び半径の検出まず、ウエ
ハ載置台3を移動して、ウエハ載置台3の円周上にCC
Dカメラ7を位置させる。そして、CCDカメラ7によ
り撮像された信号をCPU9に取込み、ウエハ載置台3
の円周付近3aの画像データを基準データ11として、
CPU9のメモリ記憶装置18にて記憶する(図2参照
)。
◎Detection of radius and radius of wafer First, move the wafer mounting table 3 and place the CC on the circumference of the wafer mounting table 3.
Position D camera 7. Then, the signal captured by the CCD camera 7 is taken into the CPU 9, and the wafer mounting table 3
As reference data 11, image data near the circumference 3a of
It is stored in the memory storage device 18 of the CPU 9 (see FIG. 2).

【0025】次に、パターンを一度に焼付けて全面にチ
ップ2a,2bが形成されて製造された複数枚のウエハ
2を収容するカセット(図示せず)からウエハ2が搬送
装置1によってウエハ載置台3の上に置かれた後、CC
Dカメラ7によりウエハ載置台3の円周付近3aが撮像
され、その信号がCPU9により画像データ12として
認識される(図3参照)。
Next, the wafer 2 is transferred from a cassette (not shown) containing a plurality of wafers 2 manufactured by printing a pattern at once and having chips 2a and 2b formed on the entire surface thereof to a wafer mounting table by the transfer device 1. After being placed on 3, CC
The vicinity of the circumference 3a of the wafer mounting table 3 is imaged by the D camera 7, and the signal thereof is recognized as image data 12 by the CPU 9 (see FIG. 3).

【0026】そして、基準データ11とウエハ2搭載後
の画像データ12とがCPU9にて比較演算されて、ウ
エハ2の円周の曲率が求められ、この曲率とウエハ2の
中心点O及び半径rによってウエハ2の形状(大きさ、
面積等)が検出される。この場合、図2及び図3に示す
ように、ウエハ載置台3の円周とウエハ2の円周2cに
おける少なくとも3点3a,3b,3cの基準データ1
1と画像データ12を比較することにより、ウエハ2の
中心O及び半径rが求められる。
Then, the reference data 11 and the image data 12 after mounting the wafer 2 are compared and calculated in the CPU 9 to obtain the curvature of the circumference of the wafer 2, and this curvature is combined with the center point O and the radius r of the wafer 2. The shape (size,
area, etc.) is detected. In this case, as shown in FIG. 2 and FIG.
1 and the image data 12, the center O and radius r of the wafer 2 are determined.

【0027】◎チップの配列位置の検出上記のウエハ中
心を求めた後、画像表示装置10にウエハ2上のチップ
2aと、予めパラメータとしてCPU9に入力されたチ
ップ2aのX方向の長さ及びY方向の長さと、CCDカ
メラ7の倍率を考慮して、チップ2aと同形状のフレー
ム19が表示される(図4参照)。オペレータがCPU
9に接続されるマウス又は、ジョイステック(図示せず
)によりフレーム19をチップ2aに一致させ(図5参
照)、CPU9に接続されるスイッチ(図示せず)等の
手段によりCPU9に知らせる。すると、CPU9はフ
レーム19内の画像データ20を1つのチップ2aの基
準データとしてメモリ記憶装置18に記憶すると同時に
、既に計算して求めたウエハ2の円周とチップ2aの配
列位置とを計算する。
◎Detection of chip arrangement position After determining the center of the wafer as described above, the image display device 10 displays the chip 2a on the wafer 2, the length in the X direction and the length in the Y direction of the chip 2a, which have been input into the CPU 9 as parameters in advance. Considering the length in the direction and the magnification of the CCD camera 7, a frame 19 having the same shape as the chip 2a is displayed (see FIG. 4). Operator is CPU
The frame 19 is aligned with the chip 2a using a mouse or a joystick (not shown) connected to the CPU 9 (see FIG. 5), and the CPU 9 is notified by means such as a switch (not shown) connected to the CPU 9. Then, the CPU 9 stores the image data 20 in the frame 19 as reference data for one chip 2a in the memory storage device 18, and at the same time calculates the already calculated circumference of the wafer 2 and the arrangement position of the chip 2a. .

【0028】2枚目以降のウエハに関しては、基準デー
タとして記憶した画像データ20とウエハ2の画像デー
タをメモリ記憶装置18内で比較し、一致する場所を検
出することによりオペレータの介在なしに、ウエハ2内
のチップ2aの配列を求めることができる。
Regarding the second and subsequent wafers, the image data 20 stored as reference data and the image data of the wafer 2 are compared in the memory storage device 18, and by detecting a matching location, the image data 20 and the image data of the wafer 2 are compared without operator intervention. The arrangement of chips 2a within wafer 2 can be determined.

【0029】したがって、ウエハ2の円周付近に存在す
る不完全な形状の不良チップ2bと、その他の正確な形
状のチップ2aとを正確に判別することができ、プロー
ブカード5によるウエハ検査を効率良く行うことができ
ると共に、検査の信頼性を向上でき、更には、不良チッ
プ2bにプローブ針5aを接触させることがないので、
プローブ針5aの摩耗を少なくでき、プローブ針5aの
寿命の増大が図れる。
Therefore, defective chips 2b with imperfect shapes existing near the circumference of the wafer 2 and chips 2a with other accurate shapes can be accurately discriminated, and the wafer inspection by the probe card 5 can be efficiently performed. It is possible to perform the test well, improve the reliability of the test, and furthermore, since the probe needle 5a does not come into contact with the defective chip 2b,
Wear of the probe needle 5a can be reduced, and the life of the probe needle 5a can be increased.

【0030】2枚目以降のウエハ2の測定においては、
1枚目のウエハ2の測定データをCPU9に記憶させて
おけば、簡単にウエハ2の測定を行うことができる。
In the measurement of the second and subsequent wafers 2,
If the measurement data of the first wafer 2 is stored in the CPU 9, the measurement of the wafer 2 can be easily performed.

【0031】なお、上記実施例ではCCDカメラ7を用
いて基準データ11、画像データ12等を検出する場合
について説明したが、必ずしも、CCDカメラ7による
データ検出である必要はなく、例えばレーザー光線等の
光学手段を走査させて基準データ11、画像データ12
等を検出させるものであってもよい。
In the above embodiment, the reference data 11, image data 12, etc. are detected using the CCD camera 7. However, it is not always necessary to detect the data using the CCD camera 7. By scanning the optical means, reference data 11 and image data 12 are obtained.
etc. may be detected.

【0032】また、上記実施例ではプローバによるウエ
ハ検査工程におけるウエハの測定について説明したが、
上記実施例に限定されるものではなく、ウエハ2上に形
成されたチップ2aを砥石でカットするダイシング工程
においても同様に使用することができる。
Furthermore, in the above embodiment, the measurement of the wafer in the wafer inspection process using a prober was explained.
The present invention is not limited to the above embodiment, and can be similarly used in a dicing process in which the chips 2a formed on the wafer 2 are cut with a grindstone.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の半導
体ウエハの測定方法によれば、半導体ウエハの中心及び
半径の検出による半導体ウエハの形状を簡単に検出でき
、また、半導体チップの配列位置を簡単に検出すること
ができるので、半導体ウエハの円周付近の半導体チップ
の形状を認識することができる。したがって、不良半導
体チップの無駄な検査を省くことができ、半導体ウエハ
の検査の効率の向上が図れると共に、検査の信頼性の向
上が図れる。
As explained above, according to the semiconductor wafer measuring method of the present invention, the shape of the semiconductor wafer can be easily detected by detecting the center and radius of the semiconductor wafer, and the arrangement position of semiconductor chips can be easily detected. can be easily detected, so the shape of the semiconductor chip near the circumference of the semiconductor wafer can be recognized. Therefore, it is possible to eliminate wasteful testing of defective semiconductor chips, improve the efficiency of testing semiconductor wafers, and improve the reliability of testing.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】この発明の半導体ウエハの測定方法を用いたプ
ローバの概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a prober using the semiconductor wafer measuring method of the present invention.

【図2】この発明における基準データを示す説明図であ
る。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing reference data in the present invention.

【図3】この発明における画像データの1点を示す説明
図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing one point of image data in the present invention.

【図4】チップ位置を指示するため画像表示装置に表示
するフレームの説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a frame displayed on an image display device to indicate a chip position.

【図5】この発明における半導体チップの検出状態を示
す半導体ウエハの拡大平面図である。
FIG. 5 is an enlarged plan view of a semiconductor wafer showing a detection state of semiconductor chips in the present invention.

【図6】半導体ウエハの説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a semiconductor wafer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2  半導体ウエハ 2a  半導体チップ 2b  不良チップ 2c  半導体チップの円周 3  ウエハ載置台 3a  ウエハ載置台の円周 9  CPU(中央演算処理装置) 10  画像表示装置 11  基準データ 12  画像データ 19  チップと同形状のフレーム 2 Semiconductor wafer 2a Semiconductor chip 2b Defective chip 2c Circumference of semiconductor chip 3 Wafer mounting table 3a Circumference of wafer mounting table 9 CPU (Central Processing Unit) 10 Image display device 11 Standard data 12 Image data 19 Frame with the same shape as the chip

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  半導体ウエハの形状を検出すると共に
、半導体ウエハ上に多数規則的に配列された半導体チッ
プの配列位置を検出して、上記半導体ウエハの半導体チ
ップの形状を認識するに当って、半導体ウエハを載置す
る前のウエハ載置台の画像データを基準データとして記
憶し、上記基準データと半導体ウエハを載置後のウエハ
載置台の画像データとを比較して、半導体ウエハの中心
及び半径を検出することを特徴とする半導体ウエハの測
定方法。
1. In recognizing the shape of the semiconductor chips on the semiconductor wafer by detecting the shape of the semiconductor wafer and also detecting the arrangement positions of a large number of semiconductor chips regularly arranged on the semiconductor wafer, The image data of the wafer mounting table before placing the semiconductor wafer is stored as reference data, and the center and radius of the semiconductor wafer are determined by comparing the above reference data with the image data of the wafer placing table after placing the semiconductor wafer. A semiconductor wafer measuring method characterized by detecting.
【請求項2】  請求項1記載の半導体ウエハの測定方
法において、半導体ウエハ上の隣接する半導体チップの
縦横方向の画像データを検出し、半導体チップの配列位
置を検出することを特徴とする半導体ウエハの測定方法
2. The method for measuring a semiconductor wafer according to claim 1, wherein vertical and horizontal image data of adjacent semiconductor chips on the semiconductor wafer are detected to detect the arrangement position of the semiconductor chips. How to measure.
JP9494291A 1991-04-02 1991-04-02 Measuring method for semiconductor wafer Pending JPH04305950A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013055233A (en) * 2011-09-05 2013-03-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method of detecting chip arrangement on wafer in prober
JP5987976B2 (en) * 2013-04-18 2016-09-07 株式会社島津製作所 Substrate detection system and substrate detection method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013055233A (en) * 2011-09-05 2013-03-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method of detecting chip arrangement on wafer in prober
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