JPH04305896A - 原子スケールにおける固体表面の化学的ラベリングおよび原子範囲における情報ユニットの貯蔵方法 - Google Patents

原子スケールにおける固体表面の化学的ラベリングおよび原子範囲における情報ユニットの貯蔵方法

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JPH04305896A
JPH04305896A JP3336643A JP33664391A JPH04305896A JP H04305896 A JPH04305896 A JP H04305896A JP 3336643 A JP3336643 A JP 3336643A JP 33664391 A JP33664391 A JP 33664391A JP H04305896 A JPH04305896 A JP H04305896A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【従来技術】外部の原子または分子を表面に化学反応さ
せることにより各々の原子および原子群を固体表面に、
ターゲットとし、位置選択し、時間安定的にラベリング
する方法に関するものである。
【0002】情報の貯蔵、特に画像およびデータ信号は
最近主として磁気的、光学的記録単体を使用して行われ
る。これらを使用して得ることができる情報密度は本方
法によって書き込まれ、再読され得る最小情報ユニット
によって決定される。通常の磁気的貯蔵手段において、
これらのユニットは磁気的ドメイン(ヴァイスドメイン
)の大きさによって、機械的な観点から使用される読み
/書きヘッドのヘッド間隔および実際の情報単体から読
み/書きヘッドまでの距離によって決定される。貯蔵さ
れる情報が光学的性質の変化によって作られる情報担体
の場合は、限界は光の波長である。従ってここでの最小
情報ユニットは光の波長の約半分より小さくないことが
可能である。この型の光学的記録担体における記録密度
の増加は他方光学的読み取りユニットが情報伝達表面上
で数ナノメーターに過ぎない光学的近似領域の顕微鏡手
段により得られる。現在ここで得られる最高の情報密度
は約20nmのオーダーである。
【0003】情報密度のこれ以上の増加はサブナノメー
ター範囲の分解能をもつ近似領域の技術を使ってのみ可
能となる。この目的のための適当な方法は走査タンネリ
ング顕微鏡および原子力顕微鏡を含む走査プローブ技術
である。これらの方法は原子スケールの表面の画像化を
可能にする。従ってこのことは最高に可能な密度、すな
わち個々の原子または分子の範囲での情報貯蔵メディア
をつくることを提案する。これらのメディアの開発の成
功によりテラバイト/cm2 の範囲の情報密度が得ら
れることになる。
【0004】無機物または有機物の表面におけるナノメ
ーター範囲の情報の貯蔵に対しては数多くの提案がなさ
れており、それらはM.A.McCord等、J.Va
c.Sci.Technol.B4、(1986)、8
6−88、R.M.Silver等、Appl.Phy
s.Lett.51(1987)、247−249およ
びU.Staufer等、J.Vac.Sci.Tec
hnol.A6(1988)、537−539を含む。 個々の原子の沈積もまた報告されている(R.S.Be
cker等、Nature、325(1987)、41
5−421)。ここで開示された最高の分解能の情報貯
蔵メディア、また特に長期安定のものに示された全ての
提案は不満足である。有機物の貯蔵メディアでは10n
m以下の線の幅をつくるのは不可能であるのに対して、
無機物系では約3nmまでの構造をつくることが出来る
がいかなる時間の長さにも、すなわち分から時間まで安
定な方法で保持できない。前に開示された(Van  
Loenen等、Appl.Phys.Lett.55
(1989)1312−1314)、シリコンにおける
長期安定構造の場合、対照的に原子構造は破壊され、す
なわち原子配列は失われる。従ってこのタイプの方法は
消せない貯蔵メディアに対してのみ適している。
【0005】
【発明の目的】本発明の目的は従って固体表面に、原子
尺度でターゲットとし、時間安定的にラベリングを可能
にする方法を与えるものであり、すなわち部分的に固体
格子を破壊したりまたは表面に平行な格子方向の位置に
重要な変化を起こさずに時間安定な情報の貯蔵を容易に
することである。
【0006】
【発明の構成】発明者は表面に平行な上部原子層の原子
格子の位置が著しく変化せず、或いはその原子および分
子が前に占有していた格子の位置から移動しないという
条件で、表面感受性の走査プローブを使ったターゲット
方法で反応が原子尺度で実施されるなら、外部の原子ま
たは分子で表面に化学反応させることにより固体表面の
各々の原子位置または該当位置の群に、ターゲットし、
位置選択し、時間安定的にラベリングする方法によって
目的が達成されることを見出した。
【0007】本発明による方法は限られた時間で、限ら
れた領域に電場または磁場を与え、外部の原子または分
子で表面に化学反応を生じさせることにより実施される
ことが有利である。
【0008】各々の原子または原子群を時間安定的にラ
ベリングする本発明による方法は情報ユニットを貯蔵す
るのに特に有利に実施することが出来る。これは情報を
原子範囲に貯蔵して、これに対応して高い情報密度を得
る方法を提供する。
【0009】しかしながら本発明による方法は情報の貯
蔵に限定されず、貯蔵した情報の消去にもまた使用出来
る。これは外部の原子または分子と表面との間の化学結
合が再び壊されることが出来、格子がラベリングの過程
で部分的でさえも破壊されないので、例えば熱または電
磁線放射線エネルギー(例えば全表面または点のレーザ
ー処理)の形でエネルギーの供給または表面の化学処理
によって、最初の状態が回復するためである。
【0010】本発明による方法は、例えば反応性雰囲気
としてまたは変態される表面上に吸着される外部原子ま
たは分子の形で、充分な濃度の共反応体の存在下で実施
される。特に適当な表面は半導体層化材料、特にタング
ステンジセレイド(WSe2)、であることが証明され
る。原子ラベリングはこのタイプの層の表面で近似領域
技術、例えば表面感受性走査プローブの針形電極を、例
えば走査タンネリング顕微鏡または走査原子力顕微鏡を
使用し、短期の電場または磁場を与え実施される。この
タイプの走査プローブの最高の電場領域は望ましくは半
導体層化材料の表面で10乃至0.1nmであり、個々
の原子および原子群がターゲットされることが出来る。 適用される外部の場は原子尺度での固体表面と外部の原
子または分子の間で、ターゲットする方法で局部的に化
学反応を開始することが出来る。ここでの基本的な様相
が、本発明による方法が例えば原子または分子が格子位
置から移動するような方法で格子が部分的に破壊し秩序
のない表面で、反応が起こることを許容するということ
である;これは表面に平行な格子領域における位置の変
化を避けることも可能である。
【0011】情報を書き込むのに使用される近似領域技
術は通常の走査タンネリング顕微鏡または走査原子力顕
微鏡プロセスである。特性化された表面に対応するこれ
らの近似領域技術の適用は知られており、また記述され
ている(Y.Kuk等、Rev.Sci.Instru
m.60(2)(1989)、165−180)。
【0012】本発明による方法は実証的な項目で以下に
記述する:タングステンジセレナイド試料の表面はまず
走査タンネリング顕微鏡を用いて原子的分解能で画像処
理される。試料上でタンネリングチップの走査の間、0
.7乃至0.9ボルトの振幅をもつ電圧のパルスがパル
ス発生機によってタンネリングチップと試料の間でタン
ネリング電圧に重ねて適用される。この試料の次の走査
は電子のラベル位置が明瞭に見えるような表面構造を与
えることである;ラベル付けされた原子はその有効高さ
の増加によってラベル付けされない近隣とは異なり、そ
れは例えば図2の如く、ラベル付けされない近隣と比較
してラベル付けされた原子位置のより高い輝度から明ら
かである。
【0013】ラベリング方法は図1および図2に例示す
る実証的な項目で記述されている。タングステンジセレ
ナイドが固体として使用され、空気がこの実験の反応メ
ディアとして使用される。表面における共反応体の吸着
をより確実にするために新たにつくった試料を使わずに
、その代わり表面が実験の前に室温で数週間正常の実験
室の大気に曝された試料を使用して実施された。図1に
無変態状態の成長したWSe2 の表面のSTM画像を
示すし、そして図2に約1.5Vの電圧パルスを与えた
直後の同一表面を示す。写真中の個々の点はWSe2 
の表面(隣接の原子間隔=0.33nm)上のタングス
テン原子でる。3つの原子からなる群はパルス時に正確
にタンネリングチップの位置に対応する相対的位置にタ
ーゲットされる。この様な方法で、模様を試料上に書く
ことが出来;各電圧パルスは、変態後なお最初の横位置
にある原子の決められた位置にラベリングし、その電荷
密度は共反応体と形成する化学結合によって変化してい
る。(図2における試料で増加している。)同じチップ
を使って100以上の構造を書き、更に原子的分解能で
これらを画像化するのに何の問題もない。パルスの結果
としてこのサンプルチップの画像品質には通常変化はな
い。書き込みおよび読み取りは共に通常の状態で、すな
わち特に不活性ガス、真空または低温を使用せずに実施
することが出来る。
【0014】ラベルの時間安定性を試験するために、ラ
ベル付けしたある配列、例えば三角または平行四辺形が
特に書かれ、その得られた構造が画像化され、そしてそ
の互いの相対位置が記録された。その構造は2日後変形
しない形で、同じ配置で見出された。また特に大気中で
安定であることを立証することも可能であった。
【0015】情報の貯蔵の適用に際して、読み取りの操
作が貯蔵された情報に変化を与えないことが基本である
。終わりに各種タングステンジセレナイド試料上の大お
よび小の構造(図2)がSTMを使用して数時間走査さ
れた。いかなる場合も画像化過程(情報担体として使用
時の読み取り過程)による変化は認められなかった。 タングステンジセレナイド表面上の構造は試料表面を6
00℃で約40分間加熱することにより最も容易に消去
できる。この操作により表面が構造で覆われるが、なお
自動的に秩序が保たれ、原子尺度で平滑に、構造のない
状態に再びなることになる。
【0016】情報貯蔵としての使用のため、読み取り、
書き込みおよび消去の機能は位置的に選択される(原子
尺度で)化学的方法で示され、これらを得るのに使用さ
れる方法が示されている(ナノオーダーの化学的情報貯
蔵);図2において生じる構造では約10テラバイト/
cm2 のデータ密度がつくられ、数オーダーの大きさ
の磁気的ハードディスクまたは磁気光学的ディスクを超
える。
【図面の簡単な説明】
【図1】無変態状態の成長したWSe2 の表面の結晶
構造を示すSTM画像
【図2】約1.5Vの電圧パルスを与えた直後の同一表
面の結晶構造を示すSTM画像写真中の個々の点はWS
e2 の表面上のタングステン原子である。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  固体表面に平行な上部原子層の原子格
    子の位置が変化せず、かつその原子および分子が前に占
    有していた格子の位置から移動しないという条件で、表
    面感受性の走査プローブを使ったターゲット方法で反応
    が原子尺度で実施されることを含む、外部の原子または
    分子と表面で化学反応させることにより固体表面の個々
    の原子位置または該当位置の群にターゲットし、位置選
    択し、時間安定的にラベリングする方法。
  2. 【請求項2】  請求項1に記載する方法であって、使
    用する表面感受性のプローブが走査タンネリング顕微鏡
    (STM)であることを特徴とする方法。
  3. 【請求項3】  請求項1に記載する方法であって、使
    用する表面感受性のプローブが走査原子力顕微鏡(SA
    FM)であることを特徴とする方法。
  4. 【請求項4】  請求項1に記載する方法であって、部
    分的な位置における化学反応が電場または磁場を限られ
    た時間、限られた領域に適用することにより行うことを
    特徴とする方法。
  5. 【請求項5】  請求項4に記載する方法であって、限
    られた時間、限られた領域に適用される電場がSTMま
    たはSAFMのチップと該当表面の間に電圧パルスを適
    用することによって作られることを特徴とする方法。
  6. 【請求項6】  請求項4に記載する方法であって、同
    時に表面が光に曝される間に、化学反応が限られた時間
    、限られた領域に電場を適用されることにより行われる
    ことを特徴とする方法。
  7. 【請求項7】  請求項1に記載する方法であって、使
    用される表面が半導体の層状材料であることを特徴とす
    る方法。
  8. 【請求項8】  請求項1に記載する方法であって、表
    面の化学反応が表面を取り巻くガスの原子および分子と
    行われることを特徴とする方法。
  9. 【請求項9】  請求項1に記載する方法であって、化
    学反応が表面に吸着された原子または分子と行われるこ
    とを特徴とする方法。
  10. 【請求項10】  請求項1に記載する方法であって、
    表面に熱エネルギーの供給、電磁線の放射への曝露また
    は化学処理によって、得られたラベルを消去することを
    特徴とする方法。
JP3336643A 1991-01-07 1991-12-19 原子スケールにおける固体表面の化学的ラベリングおよび原子範囲における情報ユニットの貯蔵方法 Withdrawn JPH04305896A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06213910A (ja) * 1992-11-30 1994-08-05 Digital Instr Inc 形状を除く表面のパラメータを正確に測定し、または形状に関連した仕事を行うための方法および相互作用装置
JP2011503589A (ja) * 2007-11-15 2011-01-27 フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 試料検査方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5453970A (en) * 1993-07-13 1995-09-26 Rust; Thomas F. Molecular memory medium and molecular memory disk drive for storing information using a tunnelling probe
US7260051B1 (en) 1998-12-18 2007-08-21 Nanochip, Inc. Molecular memory medium and molecular memory integrated circuit
US6982898B2 (en) * 2002-10-15 2006-01-03 Nanochip, Inc. Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers
US7233517B2 (en) 2002-10-15 2007-06-19 Nanochip, Inc. Atomic probes and media for high density data storage
US20040150472A1 (en) * 2002-10-15 2004-08-05 Rust Thomas F. Fault tolerant micro-electro mechanical actuators
US6985377B2 (en) 2002-10-15 2006-01-10 Nanochip, Inc. Phase change media for high density data storage
US6862206B1 (en) * 2003-12-19 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory module hybridizing an atomic resolution storage (ARS) memory and a magnetic memory
DE102004012268A1 (de) * 2004-03-13 2005-10-06 Li, Zhi, Dr. Verfahren und Vorrichtung zur Messung der ebenen Verformung im Mikro-/Nano-Bereich
US7379412B2 (en) 2004-04-16 2008-05-27 Nanochip, Inc. Methods for writing and reading highly resolved domains for high density data storage
US7301887B2 (en) 2004-04-16 2007-11-27 Nanochip, Inc. Methods for erasing bit cells in a high density data storage device
US20050232061A1 (en) 2004-04-16 2005-10-20 Rust Thomas F Systems for writing and reading highly resolved domains for high density data storage
US7463573B2 (en) 2005-06-24 2008-12-09 Nanochip, Inc. Patterned media for a high density data storage device
US7367119B2 (en) 2005-06-24 2008-05-06 Nanochip, Inc. Method for forming a reinforced tip for a probe storage device
US7309630B2 (en) 2005-07-08 2007-12-18 Nanochip, Inc. Method for forming patterned media for a high density data storage device
KR102649982B1 (ko) * 2017-09-28 2024-03-21 퀀텀 실리콘 인코포레이티드 원자 규정 구조들 내의 단전자들의 진전의 개시 및 감시

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3119099A (en) * 1960-02-08 1964-01-21 Wells Gardner Electronics Molecular storage unit
JPS6180536A (ja) * 1984-09-14 1986-04-24 ゼロツクス コーポレーシヨン 原子規模密度情報記緑および読出し装置並びに方法
DE4015656A1 (de) * 1990-05-16 1991-11-21 Basf Ag Verfahren zur zeitlich stabilen markierung einzelner atome oder atomgruppen einer festkoerperoberflaeche sowie verwendung dieses verfahrens zur speicherung von informationseinheiten im atomaren bereich
JPH1116941A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd キャリアフィルムを用いた半導体パッケージの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06213910A (ja) * 1992-11-30 1994-08-05 Digital Instr Inc 形状を除く表面のパラメータを正確に測定し、または形状に関連した仕事を行うための方法および相互作用装置
JP2011503589A (ja) * 2007-11-15 2011-01-27 フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 試料検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0494415A2 (de) 1992-07-15
DE4100254A1 (de) 1992-07-09
KR920015315A (ko) 1992-08-26
US5265046A (en) 1993-11-23
EP0494415A3 (en) 1993-06-02

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