JPH04304707A - Distribution amplifier - Google Patents
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- JPH04304707A JPH04304707A JP3068621A JP6862191A JPH04304707A JP H04304707 A JPH04304707 A JP H04304707A JP 3068621 A JP3068621 A JP 3068621A JP 6862191 A JP6862191 A JP 6862191A JP H04304707 A JPH04304707 A JP H04304707A
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は分配増幅器に係り、特に
１つの入力信号を増幅し、多数の出力端子に分配する広
帯域な分配増幅器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a distribution amplifier, and more particularly to a wideband distribution amplifier that amplifies one input signal and distributes it to a large number of output terminals.
【０００２】0002
【従来の技術】図３は従来の典型的な１対３の分配増幅
器の構成を示す。同図中、（Ａ）に示す構成は、１入力
１出力の増幅器３を並列に並べ、１つの入力端子６から
の入力を増幅器３で増幅させ、それぞれの出力端子７よ
り出力する。この構成は入力を共通とし、１入力に対し
て３つの出力を得るものである。2. Description of the Related Art FIG. 3 shows the configuration of a typical conventional one-to-three distribution amplifier. In the configuration shown in (A) in the figure, amplifiers 3 having one input and one output are arranged in parallel, and the input from one input terminal 6 is amplified by the amplifier 3 and output from each output terminal 7. This configuration uses a common input and obtains three outputs for one input.
【０００３】図４は従来の分配増幅器の電界効果トラン
ジスタを用いた帰還形増幅器の回路を示す。同図中、１
は電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴ）であり、２は抵
抗、４は入力端子、５は出力端子である。入力端子４か
ら入力された信号のうち一方の信号は抵抗２で増幅され
、出力端子５より出力される。また、ＦＥＴ１のドレイ
ンは高周波接地している。図３の分配増幅器は図４に示
したようなＦＥＴを用いた帰還型増幅器が使用される。FIG. 4 shows a feedback amplifier circuit using field effect transistors of a conventional distribution amplifier. In the same figure, 1
is a field effect transistor (hereinafter referred to as FET), 2 is a resistor, 4 is an input terminal, and 5 is an output terminal. One of the signals input from the input terminal 4 is amplified by the resistor 2 and output from the output terminal 5. Further, the drain of FET1 is grounded at high frequency. The distribution amplifier of FIG. 3 uses a feedback type amplifier using FETs as shown in FIG. 4.
【０００４】0004
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の分配増
幅器では、入力容量が１入力１出力の増幅器３に対して
３倍となるため、分配増幅器の増幅が可能な周波数帯域
（例えば、３ｄＢ劣化帯域）がこの入力容量の増加によ
り減少するため、動作周波数の広帯域化が困難であると
いう欠点があった。上記のような１入力３出力の分配増
幅器では出力端子の増加するとともに、入力容量が増加
し、帯域は更に劣化するため多出力で広帯域な分配増幅
器の実現が困難であった。本発明は上記の点に鑑みなさ
れたもので出力端子の数に関係なく広帯域な分配増幅器
を提供することを目的とする。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional distribution amplifier, the input capacitance is three times that of the 1-input, 1-output amplifier 3, so the frequency band in which the distribution amplifier can amplify (for example, 3 dB deterioration The disadvantage is that it is difficult to widen the operating frequency band because the input capacitance decreases due to the increase in input capacitance. In the above-mentioned one-input, three-output distribution amplifier, as the number of output terminals increases, the input capacitance also increases and the band further deteriorates, making it difficult to realize a multi-output, wideband distribution amplifier. The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a wideband distribution amplifier regardless of the number of output terminals.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】信号が入力される入力部
と、信号が分配される分配部と、信号が出力される複数
の出力部より構成されるトランジスタを用いた分配増幅
器において、入力部、分配部及び、出力部の間に設けら
れる前記トランジスタの入力容量及び出力容量を並列素
子とし、入力部、分配部及び、出力部とトランジスタ間
を接続する第１の伝送線路及びインダクタンスを直列素
子とする定Ｋ形フィルタ回路を多段に接続した第２の伝
送線路を有し、入力部は第２の伝送線路の一方の端子を
入力端子とし、他方の端子を抵抗を介して接地させ、分
配部は第２の伝送線路の両方の端子を抵抗を介して高周
波的に接地させ、出力部は第２の伝送線路の一方の端子
を出力端子とし、他方の端子を抵抗を介して高周波的に
接地させる。[Means for Solving the Problems] In a distribution amplifier using transistors, the input section is composed of an input section to which a signal is input, a distribution section to which the signal is distributed, and a plurality of output sections to which the signal is output. , the input capacitance and output capacitance of the transistor provided between the distribution section and the output section are used as parallel elements, and the first transmission line and inductance connecting between the input section, the distribution section, the output section and the transistor are used as series elements. The input section has one terminal of the second transmission line as an input terminal, the other terminal is grounded via a resistor, and a distribution line is provided. The output section uses one terminal of the second transmission line as an output terminal, and the other terminal is grounded at high frequency through a resistor. Ground it.
【０００６】[0006]
【作用】本発明はトランジスタの入力容量、出力容量を
並列素子とし、入力部、分配部、出力部とトランジスタ
間を接続する伝送線路あるいはインダクタンスを直列素
子とする定Ｋ型フィルタ回路を複数用い、分配増幅器の
入力部、分配部及び出力部を構成し、この分配増幅器に
入力された信号が入力部、分配部、出力部等の伝送線路
及びトランジスタ列を全て通過して、それぞれの信号が
増幅、分配され、出力される際に出力端子の数に関係な
く広帯域な増幅特性が得られる。[Operation] The present invention uses a plurality of constant K type filter circuits in which the input capacitance and output capacitance of a transistor are used as parallel elements, and the transmission line or inductance that connects the input section, distribution section, output section and the transistors is used as a series element. The input section, distribution section, and output section of the distribution amplifier are configured, and the signals input to this distribution amplifier pass through all the transmission lines and transistor arrays of the input section, distribution section, output section, etc., and each signal is amplified. When distributed and output, wideband amplification characteristics can be obtained regardless of the number of output terminals.
【０００７】[0007]
【実施例】図１は本発明の一実施例の分配増幅器の回路
構成を示す。同図は１入力３出力の構成をもつ分配増幅
器を例として示す。従って、この分配増幅器は入力部１
６、２つの分配部１８ａ，１８ｂ、３つの出力部１７ａ
，１７ｂ，１７ｃにより構成される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a circuit configuration of a distribution amplifier according to an embodiment of the present invention. The figure shows an example of a distribution amplifier having a configuration of one input and three outputs. Therefore, this distribution amplifier has input section 1
6. Two distribution sections 18a, 18b, three output sections 17a
, 17b, 17c.
【０００８】先ず、入力部１６について説明する。４つ
のインダクタンスＬ１を直列素子とし、各インダクタン
スＬ１を接続する伝送線路の終端に特性インピーダンス
の値を有する終端抵抗Ｒｉ １２が接続される。この終
端抵抗Ｒｉ １２に接続される電源は省略し、高周波的
接地としている。さらに、各インダクタンスＬ１を接続
する伝送線路にＦＥＴＱ１１ 〜 Ｑ１３のゲートが接
続されている。ＦＥＴＱ１１ 〜 Ｑ１３のそれぞれの
ソースは接地され、ドレインは分配部１８ａに接続され
る。First, the input section 16 will be explained. Four inductances L1 are used as series elements, and a terminating resistor Ri 12 having a characteristic impedance value is connected to the end of a transmission line connecting each inductance L1. The power supply connected to this terminating resistor Ri 12 is omitted, and a high-frequency ground is used. Further, the gates of FETs Q11 to Q13 are connected to the transmission line connecting each inductance L1. The sources of each of FETs Q11 to Q13 are grounded, and the drains are connected to the distribution section 18a.
【０００９】次に分配部１８ａ，１８ｂについて説明す
る。分配部１８ａの構成は７つのインダクタンスＬ３と
、３つのインダクタンスＬ４を有し、ＦＥＴＱ１１ 〜
Ｑ１３ドレインと各インダクタンスＬ４が接続されて
いる。
また、インダクタンスＬ３を接続する伝送線路の両方の
終端に特性インピーダンスの値を有する終端抵抗Ｒｃ
１４が接続される。入力部１６と同様に、終端抵抗Ｒｃ
１４に接続される電源は省略し、高周波的接地として
いる。Next, the distribution sections 18a and 18b will be explained. The configuration of the distribution section 18a has seven inductances L3 and three inductances L4, and FETQ11 to
The drain of Q13 and each inductance L4 are connected. In addition, a terminating resistor Rc having a characteristic impedance value is provided at both ends of the transmission line connecting the inductance L3.
14 are connected. Similar to the input section 16, the terminating resistor Rc
The power supply connected to 14 is omitted, and is connected to high frequency grounding.
【００１０】各インダクタンスＬ４はＦＥＴＱ４１ 〜
Ｑ４３のゲートとインダクタンスＬ３が直列に接続さ
れている伝送線路に接続されている。また、この分配部
１８ａで分配された信号の一方はＦＥＴＱ２１〜 Ｑ２
３の各ゲートに接続される。[0010] Each inductance L4 is connected to a FET Q41 ~
The gate of Q43 and the inductance L3 are connected to a transmission line connected in series. Further, one of the signals distributed by this distribution section 18a is transmitted to FETQ21 to Q2.
It is connected to each gate of 3.
【００１１】分配部１８ｂの構成は分配部１８ａと同様
に７つのインダクタンスＬ３と、３つのインダクタンス
Ｌ４を有し、伝送線路の終端に特性インピーダンスの値
を有する終端抵抗Ｒｃ １４が接続される。また、ＦＥ
ＴＱ４１ 〜 Ｑ４３ドレインとインダクタンスＬ４が
それぞれ接続されている。インダクタンスＬ４の伝送線
路には直列に接続されているインダクタンスＬ３がある
。Similar to the distribution section 18a, the distribution section 18b has seven inductances L3 and three inductances L4, and a terminating resistor Rc 14 having a characteristic impedance value is connected to the end of the transmission line. Also, FE
The drains of TQ41 to Q43 are connected to the inductance L4, respectively. The transmission line with inductance L4 has an inductance L3 connected in series.
【００１２】次に出力部１７ａ，１７ｂ，１７ｃについ
て説明する。出力部１７ａは４つのインダクタンスＬ２
を有し、各インダクタンスＬ２を接続する伝送線路の一
方の端子は終端抵抗Ｒｏ １３を介して接地される。他
方の端子は出力端子７ａとなる。インダクタンスＬ２を
直列に続する伝送線路には分配部１８ａから分配された
信号がＦＥＴＱ２１ 〜 Ｑ２３、さらに、３つのイン
ダクタンスＬ４を介して直列に接続されているインダク
タンスＬ３により分岐され、インダクタンスＬ３が直列
に接続されている伝送線路の終端には特性インピーダン
スの値を有する終端抵抗Ｒｃ １４が接続され接地して
いる。分岐された他方の信号はＦＥＴＱ３１ 〜Ｑ３３
のゲートに接続される。そのＦＥＴＱ３１ 〜Ｑ３３
のソースは接地され、ドレインは出力部１７ａの伝送
線路に接続される。Next, the output sections 17a, 17b, and 17c will be explained. The output section 17a has four inductances L2
One terminal of the transmission line connecting each inductance L2 is grounded via a terminating resistor Ro13. The other terminal becomes the output terminal 7a. The signal distributed from the distribution section 18a is branched to the transmission line connecting the inductance L2 in series through the FETs Q21 to Q23, and further through the inductance L3 connected in series through three inductances L4, and the inductance L3 is connected in series. A terminating resistor Rc 14 having a characteristic impedance value is connected to the end of the connected transmission line and grounded. The other branched signal is FETQ31~Q33
connected to the gate. The FETQ31 ~Q33
The source is grounded, and the drain is connected to the transmission line of the output section 17a.
【００１３】出力部１７ｂは出力部１７ａと同様の構成
であり、ＦＥＴＱ５１ 〜Ｑ５３ のドレインが伝送線
路に接続され出力端子７ｂより出力される。The output section 17b has the same configuration as the output section 17a, and the drains of FETs Q51 to Q53 are connected to the transmission line and outputted from the output terminal 7b.
【００１４】出力部１７ｃは出力部１７ａと同様の構成
であり、ＦＥＴＱ６１ 〜Ｑ６３ のドレインが伝送線
路に接続され出力端子７ｃより出力される。The output section 17c has the same configuration as the output section 17a, and the drains of FETs Q61 to Q63 are connected to the transmission line and outputted from the output terminal 7c.
【００１５】上記のように各ＦＥＴの入力容量及び出力
容量を並列素子とし、それらＦＥＴを接続する伝送線路
及びインダクタンスを直列素子とすることで定Ｋ型ロー
パスフィルタを構成することがわかる。As described above, it can be seen that a constant K type low-pass filter is constructed by using the input capacitance and output capacitance of each FET as parallel elements, and using the transmission line and inductance connecting these FETs as series elements.
【００１６】次に本実施例における分配増幅器の動作に
ついて説明する。入力端子６より入力信号が入力部１６
に入力されると直列素子である伝送線路と４つの各イン
ダクタンスＬ１に供給される。各インダクタンスＬ１を
接続する伝送線路にＦＥＴＱ１１ 〜 Ｑ１３のゲート
が接続され、ＦＥＴＱ１１ 〜 Ｑ１３のドレインの出
力は分配部１８ａのインダクタンスＬ４に供給され、分
配される。、分配された一方の信号はそれぞれ直列素子
のインダクタンスＬ３を接続する伝送線路で分岐され、
他方の信号はＦＥＴＱ２１ 〜 Ｑ２３のゲートに接続
され、そのＦＥＴＱ２１ 〜 Ｑ２３のドレインよりイ
ンダクタンスＬ４に供給され、インダクタンスＬ３を接
続する伝送線路で分岐され、一方はインダクタンスＬ３
に、他方はＦＥＴＱ３１ 〜Ｑ３３ のゲートに接続さ
れ、ＦＥＴＱ３１ 〜Ｑ３３ のドレインの出力は出力
部１７ａに供給され、各インダクタンスＬ２を通過して
出力端子７ａより出力信号が出力される。Next, the operation of the distribution amplifier in this embodiment will be explained. The input signal from the input terminal 6 is sent to the input section 16.
When inputted to , it is supplied to the transmission line which is a series element and each of the four inductances L1. The gates of FETs Q11 to Q13 are connected to the transmission line connecting each inductance L1, and the outputs of the drains of FETs Q11 to Q13 are supplied to and distributed to the inductance L4 of the distribution section 18a. , one of the distributed signals is branched by a transmission line connecting the inductance L3 of the series element,
The other signal is connected to the gates of FETQ21 to Q23, and is supplied to the inductance L4 from the drain of the FETQ21 to Q23, and is branched off at the transmission line connecting the inductance L3, and one signal is connected to the inductance L3.
The other one is connected to the gates of FETs Q31 to Q33, and the outputs of the drains of FETs Q31 to Q33 are supplied to the output section 17a, pass through each inductance L2, and output a signal from the output terminal 7a.
【００１７】分配部１８ａの３つのインダクタンスＬ４
に供給されて伝送線路で分配されたもう一つの信号は並
列素子のＦＥＴＱ４１ 〜 Ｑ４３のゲートに供給され
る。ＦＥＴＱ４１ 〜 Ｑ４３のドレインからの信号は
もう一つの分配部１８ｂの４つの各インダクタンスＬ４
に供給され、分配される。分配された一方の信号は直列
素子の４つの各インダクタンスＬ３に供給され、他方の
信号は並列素子のＦＥＴＱ５１ 〜Ｑ５３ とＦＥＴＱ
６１ 〜Ｑ６３ のゲートに供給される。そのうち、Ｆ
ＥＴＱ５１ 〜Ｑ５３ に供給された信号はソースより
出力部１７ｂに供給され、直列素子である伝送線路とイ
ンダクタンスＬ２に供給され、出力端子７ｂより出力信
号が出力される。Three inductances L4 of the distribution section 18a
Another signal supplied to the FETs Q41 to Q43, which are parallel elements, is supplied to the gates of FETs Q41 to Q43. The signals from the drains of FETQ41 to Q43 are transferred to each of the four inductances L4 of another distribution section 18b.
supplied and distributed. One of the distributed signals is supplied to each of the four inductances L3 of the series elements, and the other signal is supplied to the parallel elements of FETQ51 to Q53 and FETQ.
61 to Q63. Among them, F
The signals supplied to ETQ51 to Q53 are supplied from the source to the output section 17b, and then supplied to the transmission line and inductance L2, which are series elements, and an output signal is output from the output terminal 7b.
【００１８】また、ＦＥＴＱ６１ 〜Ｑ６３ に供給さ
れた信号はソースより出力部１７ｃに供給され、直列素
子である伝送線路と４つの各インダクタンスＬ２に供給
され、各インダクタンスＬ２を通過して出力端子７ｃよ
り出力信号が出力される。Further, the signals supplied to FETs Q61 to Q63 are supplied from the source to the output section 17c, supplied to the transmission line which is a series element and each of the four inductances L2, and passed through each inductance L2 to the output terminal 7c. An output signal is output.
【００１９】これにより１つの入力端子６からの入力に
対して出力端子７ａ，７ｂ，７ｃより３つの出力が得ら
れる。この信号の経過からわかるように、各信号は上記
のカットオフ周波数の極めて高い伝送線路を全て通過し
、増幅、分配されるため、広帯域な増幅特性が得られる
。As a result, three outputs can be obtained from the output terminals 7a, 7b, and 7c for one input from the input terminal 6. As can be seen from the course of this signal, each signal passes through all of the above-mentioned transmission lines with very high cutoff frequencies, is amplified and distributed, and therefore a wideband amplification characteristic is obtained.
【００２０】上記に示した伝送線路のカットオフ周波数
はトランジスタとして、例えば、ゲート幅、１００μｍ
、ゲート長０．３μｍのＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）の
ＭＥＳＦＥＴ（メタル・セミコンダクタ）を用いた時、
以下に示す計算式により[0020] The cut-off frequency of the transmission line shown above is, for example, a gate width of 100 μm as a transistor.
, when using a GaAs (gallium arsenide) MESFET (metal semiconductor) with a gate length of 0.3 μm,
According to the calculation formula shown below
【数１】
利得 ＧＶ ＝２５ｎｇｍ但し、入力又は出力容
量Ｃ＝０．２ｐＦ， インダクダンスＬ＝０．５ｎＨ，
ＦＥＴの相互コンダクタンスｇｍ＝３１ｍＳ， ＦＥ
Ｔの個数ｎ＝４とすると、帯域ｆは３１ＧＨｚ 利得Ｇ
Ｖ は１０ｄＢ、入力容量０．２ｐＦとなり、特性イン
ピーダンスを５０Ωとすると帯域は３０ＧＨｚ以上とな
り広帯域に信号を伝播することが可能である。[Equation 1] Gain GV = 25ngm However, input or output capacitance C = 0.2pF, inductance L = 0.5nH,
FET mutual conductance gm=31mS, FE
If the number of T's is n=4, the band f is 31 GHz and the gain G
V is 10 dB, input capacitance is 0.2 pF, and if the characteristic impedance is 50 Ω, the band is 30 GHz or more, and it is possible to propagate a signal over a wide band.
【００２１】また、インダクタンスＬ２とトランジスタ
の出力容量により３つの出力部１７，１７ｂ，１７ｃが
各々伝送線路として構成され、インダクタンスＬ３，Ｌ
４と入力容量、出力容量により分配部１８ａ，１８ｂが
伝送線路として構成される。Furthermore, the three output sections 17, 17b, 17c are each configured as a transmission line by the inductance L2 and the output capacitance of the transistor, and the inductance L3, L
4, input capacitance, and output capacitance, the distribution sections 18a and 18b are configured as transmission lines.
【００２２】上記の実施例ではトランジスタ（ＦＥＴ）
列を構成するトランジスタ数は３個としたが、この数は
任意に決定できる。In the above embodiment, a transistor (FET)
Although the number of transistors forming a column is three, this number can be arbitrarily determined.
【００２３】また、図２は従来の回路と、本発明の回路
との特性を比較したグラフを示す。同図は本発明の分配
増幅器の電力利得の周波数依存性の実験結果を示すもの
であり、従来の回路と較べて、高い電力利得が得られる
ことがわかる。Further, FIG. 2 shows a graph comparing the characteristics of the conventional circuit and the circuit of the present invention. This figure shows the experimental results of the frequency dependence of the power gain of the distribution amplifier of the present invention, and it can be seen that a higher power gain can be obtained compared to the conventional circuit.
【００２４】なお、図１及び図２の実施例に関してイン
ダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４の代わりに伝送線路
を用いても同様の効果が得られ、また、ＦＥＴに変えて
バイポーラトランジスタを用いることもできる。Note that similar effects can be obtained by using transmission lines instead of the inductances L1, L2, L3, and L4 in the embodiments shown in FIGS. 1 and 2, and bipolar transistors can also be used instead of FETs. can.
【００２５】[0025]
【発明の効果】上記のように本発明によれば、１入力３
出力のような複数の出力端子を持つ増幅器であっても入
力容量の増加により増幅可能な周波数帯域が減少するこ
とがなく、出力端子の数に関係なく、周波数帯域の制限
を受けず極めて広帯域な分配増幅器が実現できる。従っ
て、光伝送通信等の高速のデータ伝送のデータ分配部の
高速化に有用である。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, one input and three
Even with amplifiers that have multiple output terminals, the frequency band that can be amplified does not decrease due to an increase in input capacitance, and regardless of the number of output terminals, the frequency band is not limited and is extremely wideband. A distribution amplifier can be realized. Therefore, it is useful for speeding up the data distribution section of high-speed data transmission such as optical transmission communication.
【図１】本発明の一実施例の分配増幅器の回路構成図で
ある。FIG. 1 is a circuit diagram of a distribution amplifier according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来の回路と、本発明の回路との特性を比較し
たグラフである。FIG. 2 is a graph comparing the characteristics of a conventional circuit and a circuit of the present invention.
【図３】従来の分配増幅器の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a conventional distribution amplifier.
【図４】従来の分配増幅器の電界効果トランジスタを用
いた帰還型増幅器の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a feedback amplifier using field effect transistors of a conventional distribution amplifier.
１ トランジスタ（ＦＥＴ）
２ 抵抗
３ 増幅器
４，６ 入力端子
５ 出力端子
７ａ，７ｂ，７ｃ 出力端子
Ｑ１１〜Ｑ１３ ＦＥＴ
Ｑ２１〜Ｑ２３ ＦＥＴ
Ｑ３１〜Ｑ３３ ＦＥＴ
Ｑ４１〜Ｑ４３ ＦＥＴ
Ｑ５１〜Ｑ５３ ＦＥＴ
Ｑ６１〜Ｑ６３ ＦＥＴ
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４５ 高周波的接地１３ 抵
抗
１４ 抵抗
１６ 入力部
１７ａ，１７ｂ，１７ｃ 出力部
１８ａ，１８ｂ 分配部1 Transistor (FET) 2 Resistor 3 Amplifier 4, 6 Input terminal 5 Output terminal 7a, 7b, 7c Output terminal Q11-Q13 FET Q21-Q23 FET Q31-Q33 FET Q41-Q43 FET Q51-Q53 FET Q61-Q63 FET L1, L2, L3, L45 High frequency ground 13 Resistor 14 Resistor 16 Input section 17a, 17b, 17c Output section 18a, 18b Distribution section
Claims (1)
配される分配部と、信号が出力される複数の出力部より
構成されるトランジスタを用いた分配増幅器において、
前記入力部、前記分配部及び、前記出力部の間に設けら
れる前記トランジスタの入力容量及び出力容量を並列素
子とし、前記入力部、前記分配部及び、前記出力部と前
記トランジスタ間を接続する第１の伝送線路及びインダ
クタンスを直列素子とする定Ｋ形フィルタ回路と、前記
定Ｋ形フィルタ回路を多段に接続する第２の伝送線路を
有し、前記入力部は前記第２の伝送線路の一方の端子を
入力端子とし、他方の端子を抵抗を介して接地させ、前
記分配部は前記第２の伝送線路の両方の端子を抵抗を介
して高周波的に接地させ、前記出力部は前記第２の伝送
線路の一方の端子を出力端子とし、他方の端子を抵抗を
介して高周波的に接地させることを特徴とする分配増幅
器。Claim 1: A distribution amplifier using transistors, which includes an input section to which a signal is input, a distribution section to which the signal is distributed, and a plurality of output sections to which the signal is output.
The input capacitance and the output capacitance of the transistor provided between the input section, the distribution section, and the output section are parallel elements, and a transistor is connected between the input section, the distribution section, the output section, and the transistor. a constant K type filter circuit including a first transmission line and an inductance as series elements, and a second transmission line connecting the constant K type filter circuit in multiple stages, and the input section is one of the second transmission lines. The terminal of the second transmission line is used as an input terminal, the other terminal is grounded via a resistor, the distribution section grounds both terminals of the second transmission line via a resistor at high frequency, and the output section is configured to connect the second transmission line to the ground via a resistor. A distribution amplifier characterized in that one terminal of a transmission line is used as an output terminal, and the other terminal is grounded at high frequency via a resistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068621A JPH04304707A (en) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | Distribution amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068621A JPH04304707A (en) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | Distribution amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04304707A true JPH04304707A (en) | 1992-10-28 |
Family
ID=13379014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3068621A Pending JPH04304707A (en) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | Distribution amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04304707A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06350393A (en) * | 1993-06-08 | 1994-12-22 | Nec Corp | Power distributer |
| JP2013512634A (en) * | 2009-12-03 | 2013-04-11 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | Power amplification circuit and front-end circuit |
-
1991
- 1991-04-01 JP JP3068621A patent/JPH04304707A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06350393A (en) * | 1993-06-08 | 1994-12-22 | Nec Corp | Power distributer |
| JP2013512634A (en) * | 2009-12-03 | 2013-04-11 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | Power amplification circuit and front-end circuit |
| US8912847B2 (en) | 2009-12-03 | 2014-12-16 | Epcos Ag | Power amplifier circuit and front end circuit |
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