JPH043015A - Formation of electrode of plzt optical shutter array - Google Patents

Formation of electrode of plzt optical shutter array

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JPH043015A
JPH043015A JP10461890A JP10461890A JPH043015A JP H043015 A JPH043015 A JP H043015A JP 10461890 A JP10461890 A JP 10461890A JP 10461890 A JP10461890 A JP 10461890A JP H043015 A JPH043015 A JP H043015A
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electrodes
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Abstract

PURPOSE:To easily obtain vertical type electrodes by adhering a PLZT substrate which is formed with land electrodes at prescribed intervals on one surface and a transparent substrate which is formed with bumps and wiring patterns by a transparent adhesive, then forming grooves of the depth arriving at the land electrodes, forming conductive films in these grooves and dividing the PLZT substrate. CONSTITUTION:The PLZT substrate 1 which is formed with the land electrodes at the prescribed intervals on the one surface and the transparent substrate 10 which is formed with the bumps 16 in the positions corresponding to the land electrode 12 and is formed with the wiring patterns 17 are adhered and fixed by the transparent adhesive 9 and thereafter, the grooves 13 of the depth arriving at the land electrodes 12 from the PLZT (PbO, LaO, ZrO2, TiO) substrate 1 are formed. The conductive films 11 are then formed in these grooves 13 and the grooves 14 perpendicular to the grooves 13 are formed. The PLZT substrate 1 is divided to a matrix shape to obtain independent picture elements. In addition, the conductive films 11 formed in the grooves 13 are used as the electrodes of the independent picture elements. The vertical electrodes are obtd. by the simple processes using the PLZT substrate 1 in this way, by which the degradation in the driving electrodes and the crosstalks are suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はPLZT (透明なセラミック)の複屈折を
利用して平面デイスプレィや光シャッタ等の表示装置に
用いるPLZT光シャッタアレーの電極形成方法に係り
、更に詳しくは各光シャッタの駆動電圧を有効に利用す
るようにしたPLZT光シャッタアレーの電極形成方法
に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention relates to a method for forming electrodes of PLZT optical shutter arrays used in display devices such as flat displays and optical shutters by utilizing the birefringence of PLZT (transparent ceramic). More specifically, the present invention relates to a method for forming electrodes of a PLZT optical shutter array that effectively utilizes the driving voltage of each optical shutter.

[従 来 例] 近年、 PZTにLaを添加した透明なセラミックのP
LZT(PbO,LaO,ZrO,、Tie)が光シャ
ッタやデイスプレィに用いられようとしている。このP
LZTを2次元光シヤツタや平面デイスプレィを表示装
置に用いる場合、例えば第7図乃至第10図に示す表面
電極や溝型電極の構造が採られる。
[Conventional example] In recent years, transparent ceramic P made by adding La to PZT has been developed.
LZT (PbO, LaO, ZrO, Tie) is about to be used in optical shutters and displays. This P
When LZT is used in a display device such as a two-dimensional optical shutter or a flat display, the structures of surface electrodes and groove-shaped electrodes shown in FIGS. 7 to 10, for example, are adopted.

第7図に示す表面電極の場合、PLZT基板1上に駆動
電極2および共通電極(例えばGND) 3を形成し、
それら電極間に電圧を印加することにより、内部に電場
を発生させ、その部分のへ偏光面を回転させることによ
り光透過率を制御することができる。また、第8図に示
されるように、PLZT基板1内に′電場をより有効に
発生させるため、そのPLZT基板1の両面に駆動電極
2および共通電極3を形成することも考えられる。
In the case of the surface electrode shown in FIG. 7, a drive electrode 2 and a common electrode (for example, GND) 3 are formed on a PLZT substrate 1,
By applying a voltage between these electrodes, an electric field is generated inside, and the light transmittance can be controlled by rotating the plane of polarization in that part. Furthermore, as shown in FIG. 8, in order to more effectively generate an electric field within the PLZT substrate 1, it is conceivable to form the drive electrode 2 and the common electrode 3 on both surfaces of the PLZT substrate 1.

これに対して、第9図に示す溝型電極の場合、g動電極
4と共通電極5との間に電圧を印加をすると、上記表面
電極の場合より有効な電場を発生させることができ、駆
動電圧の低Fが望める。また、第1O図に示されている
ように、上記表面電極と同様の目的でPLZT基板1の
両面から駆動電極4および共通電極5を形成することも
考えられる。
On the other hand, in the case of the groove-type electrode shown in FIG. 9, when a voltage is applied between the g-movement electrode 4 and the common electrode 5, a more effective electric field can be generated than in the case of the surface electrode. A low F driving voltage can be expected. Furthermore, as shown in FIG. 1O, it is also conceivable to form drive electrodes 4 and common electrodes 5 from both sides of PLZT substrate 1 for the same purpose as the above-mentioned surface electrodes.

[発明が解決しようとする課題] しかし、上記表面電極や溝型電極によるPLZT基板に
は以ドの欠点がある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the PLZT substrate with the above-mentioned surface electrode or groove-type electrode has the following drawbacks.

(1)光の透過方向に垂直な電場成分のみが透過率の制
御寄与するにもかかわらず、第7図乃至第10図の二点
鎖線に示されるように、 PLZT基板1内に発生する
電場がどうしても彎曲するため、それら電極間に印加し
た電圧が有効に働いていないことになり、駆動電圧をよ
り低下させることが難しい。
(1) Even though only the electric field component perpendicular to the light transmission direction contributes to transmittance control, the electric field generated within the PLZT substrate 1 as shown by the two-dot chain lines in FIGS. 7 to 10 is inevitably curved, so the voltage applied between these electrodes is not working effectively, making it difficult to further reduce the driving voltage.

(2)PLZT基板1に複数の画素を形成した場合、隣
接画素に電場が漏れ、クロストークが悪い。
(2) When a plurality of pixels are formed on the PLZT substrate 1, the electric field leaks to adjacent pixels, resulting in poor crosstalk.

(3)PLZT基板1は、電歪特性を有しているため、
電圧印加により歪が生じ、しかもその歪が電極(lli
、動電極および共通電極)付近に集中し、光透過率の劣
化を招くだけなく、それら電極部分のPLZT基板1内
に亀裂等の破損が発生する。
(3) Since the PLZT substrate 1 has electrostrictive properties,
Strain occurs due to voltage application, and that strain is applied to the electrode (lli
, dynamic electrode, and common electrode), which not only causes deterioration of light transmittance but also causes damage such as cracks in the PLZT substrate 1 at these electrode portions.

(4)その電極部分の破損が隣接画素領域にも及ぶため
、光漏れが発生する。
(4) Light leakage occurs because the damage to the electrode portion extends to the adjacent pixel area.

(5)その電圧印加による歪により、PLZT基板1内
に種々モードの振動が発生し、ときによっては振動音に
なる。
(5) Due to the distortion caused by the applied voltage, various modes of vibration occur within the PLZT substrate 1, and in some cases vibration noise is generated.

この発明は、第11図に示されるように、駆動電極6お
よび共通電極7を独立の縦型電極とすれば、各PLZT
 8において発生する電場が透過する光の方向と直角に
なり(同図の二点鎖線に示す)、上記(1)から(5)
に示す欠点が解消することに着目してなされたものであ
り、その目的はPLZT基板を用いて縦型電極を簡単な
工程で作製することができ、駆動電極の低下やクロスト
ークの向上を図ることができるようにしたPLZT光シ
ャッタアレーの電極形成方法を提供することにある。
In this invention, as shown in FIG. 11, if the drive electrode 6 and the common electrode 7 are independent vertical electrodes, each PLZT
The electric field generated at point 8 is perpendicular to the direction of the transmitted light (shown by the two-dot chain line in the figure), and the above (1) to (5)
This was done with a focus on eliminating the drawbacks shown in the following, and the purpose is to be able to fabricate vertical electrodes in a simple process using a PLZT substrate, and to reduce the drive electrode and improve crosstalk. It is an object of the present invention to provide a method for forming electrodes of a PLZT optical shutter array, which enables the formation of electrodes in a PLZT optical shutter array.

[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために、この発明のPLZT光シャ
ッタアレーの電極形成方法は、PLZT基板の片面には
所定間隔でランド電極を形成しており、そのP L Z
 T基板に接着する透明基板にはそのランド電極と対向
する位置にバンプを形成するとともに、このハンプを介
して上記ランド電極を外部に引き出すための配線パター
ンを形成しており、上記P L Z T基板と透明基板
とを透明な接着剤で接着固定した後、上記PLZT基板
上から少なくとも上記ランド電極に達する深さの溝を形
成した後、その溝に導電膜を成膜するとともに、その溝
に直角の溝を形成し、北記PLZT基板をマトリックス
状に分割して独立画素を得、かつ、上記溝に形成した導
電膜を上記独立画素の電極としたことを要旨とする。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, a method for forming electrodes for a PLZT optical shutter array according to the present invention includes forming land electrodes at predetermined intervals on one side of a PLZT substrate. Z
A bump is formed on the transparent substrate to be adhered to the T substrate at a position facing the land electrode, and a wiring pattern is formed to lead out the land electrode to the outside via the hump. After adhesively fixing the substrate and the transparent substrate with a transparent adhesive, a groove having a depth reaching at least the land electrode is formed on the PLZT substrate, and a conductive film is formed in the groove. The gist of this invention is to form perpendicular grooves and divide the Hokkaido PLZT substrate into matrix shapes to obtain independent pixels, and to use the conductive film formed in the grooves as electrodes of the independent pixels.

また、この発明のPLZT光シャッタアレーの電極形成
方法は、PLZT基板の一方の面には所定間隔でランド
電極を形成しており、そのPLZT基板に透明な接着剤
で接着する透明基板には上記ランド電極に対向する位置
にバンプを形成するとともに、このバンプを介して上記
ランド電極を外部に引き出すための配線パターンを形成
しており、上記PLZT基板と透明な基板とを透明接着
剤で接着固定した後、この接着したPLZT基板にリフ
トオフ可能な樹脂を塗布するとともに、そのリフトオフ
可能な樹脂の丘から少なくとも上記ランド電極に達する
深さの第1の溝およびこの第1の溝より深く、かつ。
Further, in the method for forming electrodes of a PLZT optical shutter array of the present invention, land electrodes are formed on one surface of a PLZT substrate at predetermined intervals, and the above-described transparent substrate is bonded to the PLZT substrate with a transparent adhesive. A bump is formed at a position facing the land electrode, and a wiring pattern is formed to lead the land electrode to the outside via this bump, and the PLZT substrate and the transparent substrate are adhesively fixed with a transparent adhesive. After that, a lift-off resin is applied to the bonded PLZT substrate, and a first groove is deep enough to reach at least the land electrode from the hill of the lift-off resin, and the groove is deeper than the first groove.

平行な第2の溝を形成し、その後上記リフトオフ可能な
樹脂の塗布面および第1.第2の溝の内に渡って導電膜
を成膜し、その後リフトオフ可能な樹脂を剥離し、上記
第1および第2の溝に直角で、かつ、第1の溝と第2の
溝との中間の深さの第3の溝を形成し、上記PLZT基
板を複数の独立1M素にするとともに、上記第1および
第2の溝に残った金属膜を上記独立画素の電極としたも
のである。
A parallel second groove is formed, and then the lift-off resin application surface and the first groove are formed. A conductive film is formed across the inside of the second groove, and then the lift-off resin is peeled off. A third groove of intermediate depth is formed to make the PLZT substrate into a plurality of independent 1M elements, and the metal film remaining in the first and second grooves is used as the electrode of the independent pixel. .

[作  用コ 上記方法としたので、PLZT基板が複数に分割され、
独立の画素が複数個得られ、かつ、それら画素の両端は
第1および第2の溝に形成した金属膜により縦型の電極
となる。また、第1の溝に形成した金属膜がランド電極
に接続しており、そのランド電極がバンプを介して配線
パターンに接続されるので、各独立画素の電極をその配
線パターンを介して外部に引き出すことができる。さら
に、各独q両索を駆動した際、それら独立画素の電極が
縦型であるため、内部に発生する電場が直線状になり5
各独q画素の電極間に印加する電圧を低くすることがで
き、しかも隣接画素のクロストークへ〕歪等の漏れを防
止することができる。
[Function] Since the above method is used, the PLZT substrate is divided into multiple pieces,
A plurality of independent pixels are obtained, and both ends of these pixels become vertical electrodes due to the metal films formed in the first and second grooves. In addition, the metal film formed in the first groove is connected to the land electrode, and the land electrode is connected to the wiring pattern via the bump, so the electrode of each independent pixel is connected to the outside via the wiring pattern. It can be pulled out. Furthermore, when driving each individual pixel, the electric field generated inside becomes linear because the electrodes of these independent pixels are vertical.
The voltage applied between the electrodes of each q pixel can be lowered, and leakage of distortion, etc. to crosstalk between adjacent pixels can be prevented.

[実 施 例」 以ト、この発明の実施例を第1図乃至第6図に基づいて
説明する。
[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described based on FIGS. 1 to 6.

第1図および第2図はこの発明の電極形成方法により得
たPLZT光シャッタアレーの概略的部分断面図および
正面図を示しており、 PLZT基板(第7図乃至第1
0図と同じ)1の各画素8aは透明の接着剤9で独立に
透明基板(例えばガラス板)10と接着固定している。
1 and 2 show a schematic partial cross-sectional view and a front view of a PLZT optical shutter array obtained by the electrode forming method of the present invention.
Each pixel 8a (same as in Figure 0) 1 is independently adhesively fixed to a transparent substrate (for example, a glass plate) 10 using a transparent adhesive 9.

それら各画素8aは、少なくとも接着剤9に達する深さ
で、ランド電極12に接続する金属膜(導電膜)11を
形成した第1の溝13、その第1の1114より深く、
平行で内側に金属膜(導電膜01を成膜した第2の溝1
4および第1および第2の溝13.14に直角で、それ
らの中間の深さの第3の溝(分割溝;第1図の二点鎖線
に示す)15により、マトリックス状に分割されている
。そして5各独qの画素8aは、第1の溝13に形成さ
れた金属膜11による電極(駆動電極)、第2の溝14
に形成された金属膜11による電極(共通電極)を有し
、しかもそれら電極は縦型になっている。
Each pixel 8a is deeper than the first groove 13 and the first groove 1114 in which the metal film (conductive film) 11 connected to the land electrode 12 is formed, at least to reach the adhesive 9;
A second groove 1 in which a metal film (conductive film 01) is formed on the inside in parallel.
4 and the first and second grooves 13 and 14, and are divided into a matrix by a third groove (dividing groove; shown by the two-dot chain line in FIG. 1) 15 at an intermediate depth. There is. Each pixel 8a of 5 cells q has an electrode (drive electrode) formed by the metal film 11 formed in the first groove 13 and a second groove 14.
It has an electrode (common electrode) made of a metal film 11 formed on the substrate, and these electrodes are vertical.

一方、 PLZT基板1に貼り合わせたガラス板10は
、上記第1の溝I3に形成された金属膜11と接続する
ランド電極12と対向する位置にバンプ16、金属ある
いはITO(Induim Tin 0xide)等に
よる電極を含み、当該バンブ16を介して駆動電極を外
部に引き出す配線パターン(信号ライン)17を有して
おり、その貼り合わせた際、上記ランド電極12とバン
プ16とが接続し、上記ランド電極12に接続している
金属膜11を外部に引き出すことができるようになって
いる。この場合、各種〜γの画素8aは、第1および第
2の溝13,1.4に形成した金属膜11による3極の
電極構造を有している。
On the other hand, the glass plate 10 bonded to the PLZT substrate 1 has a bump 16 formed of metal, ITO (Induim Tin Oxide), etc. at a position facing the land electrode 12 connected to the metal film 11 formed in the first groove I3. It has a wiring pattern (signal line) 17 that leads the drive electrode to the outside through the bump 16, and when bonded together, the land electrode 12 and the bump 16 are connected, and the land electrode 12 and the bump 16 are connected to each other. The metal film 11 connected to the electrode 12 can be drawn out. In this case, each pixel 8a of various types to γ has a three-pole electrode structure formed by the metal film 11 formed in the first and second grooves 13, 1.4.

次に、L記第1および第2の溝13.14に形成した金
属膜11を電極とする独立の画素8aの作製工程を説明
すると、まず第3図に示されているように、PLZT基
板1の一方の面に所定間隔でランド電極12を形成し、
かつ、その他方の面にリフトオフ可能な樹脂、例えばレ
ジスト等の高分子膜18を塗布する。一方、そのランド
電極12の形成面に接着するガラス板IOに上記ラント
電極12と対向する位置にバンプL6を形成するととも
に、そのランド電極I2を外部↓こ引き出す配線パター
ン17を形成する。
Next, to explain the manufacturing process of an independent pixel 8a using the metal film 11 formed in the first and second grooves 13 and 14 of the letter L as electrodes, first, as shown in FIG. Forming land electrodes 12 at predetermined intervals on one surface of 1,
Further, a lift-off resin such as a polymer film 18 such as a resist is applied to the other surface. On the other hand, a bump L6 is formed on the glass plate IO to be adhered to the surface on which the land electrode 12 is formed, at a position facing the runt electrode 12, and a wiring pattern 17 is formed to draw out the land electrode I2 to the outside.

その後、第4図に示されているように、上記用、ZT基
板Jとガラス板IOとを接着剤9で接着固定する。
Thereafter, as shown in FIG. 4, the ZT substrate J and the glass plate IO are bonded and fixed using an adhesive 9.

接着剤9としては、透明で、PLZT基板1の振動を吸
収するために硬化後も柔軟性を有するもの、好ましくは
シリコン系ゴムを用いるとよい。また、接着剤9の厚さ
は、その振動を十分に吸収可能であり、かつ、その硬化
時にPLZT基板1に余分な応力が加わらない程度にす
る。なお、上記高分子膜18はPLZT基板1とガラス
板10とを接着固定した後であってもよい。
The adhesive 9 may be transparent and flexible even after curing to absorb vibrations of the PLZT substrate 1, preferably silicone rubber. Further, the thickness of the adhesive 9 is set to such a level that it can sufficiently absorb the vibrations, and that no extra stress is applied to the PLZT substrate 1 when it is cured. Note that the polymer film 18 may be formed after the PLZT substrate 1 and the glass plate 10 are bonded and fixed.

続いて、第4図に示されているように、塗布した高分子
膜18の上から少なくとも接着剤9に達し、かつ、ラン
ド電極12に達する第1の溝13をダイシングソーによ
って複数本平行に形成する。さらに、同じダイシングソ
ーによって、その第1の溝13に平行で、それより深い
第2の溝14を複数本形成する。なお、その第1および
第2の溝13.14の間隔は画素8aの大きさに応じて
変えればよい。
Subsequently, as shown in FIG. 4, a plurality of first grooves 13 are formed in parallel from above the applied polymer film 18, reaching at least the adhesive 9 and reaching the land electrode 12. Form. Furthermore, a plurality of second grooves 14 which are parallel to and deeper than the first grooves 13 are formed using the same dicing saw. Note that the interval between the first and second grooves 13 and 14 may be changed depending on the size of the pixel 8a.

続いて、第5図および第6図に示されているように、上
記高分子膜18の面および第1および第2の溝13.1
4の内側に渡ってスパッタリング法によって金属膜11
を成膜する。その後、第6図および第9図に示されてい
るように、PLZT基板1上に塗布した高分子膜18を
剥離液によって除去すると、その高分子膜18の上に成
膜した金属膜11が除去されることから、金属膜11は
第1および第2の溝13の内側の面のみとなる。
Subsequently, as shown in FIGS. 5 and 6, the surface of the polymer film 18 and the first and second grooves 13.1 are
A metal film 11 is formed by sputtering over the inside of 4.
Deposit a film. Thereafter, as shown in FIGS. 6 and 9, when the polymer film 18 coated on the PLZT substrate 1 is removed using a stripping solution, the metal film 11 formed on the polymer film 18 is removed. Since the metal film 11 is removed, only the inner surfaces of the first and second grooves 13 are left.

続いて、第6図の二点amに示されているように、ダイ
シングソーによって上記第1の溝13より深く、第2の
溝4より浅く、つまりそれらの中間の深さでそれらに直
交する第3の溝15を複数本並列に形成する。すると、
 PLZT基板1がマトリックス状に分割されるため、
各独立の画素8aを得ることができ、しかも各独立の画
p 8 aには第1および第2の溝13.14に形成し
た金属膜11による縦型の電極が形成される。したがっ
て、第1図および第2図に示されているように、PLZ
T基板1は縦型の電極を有する独立の画素8aを2次元
配列したものとなる。
Subsequently, as shown at two points am in FIG. 6, a dicing saw is used to cut the first groove 13 deeper than the second groove 4 and shallower than the second groove 4, that is, perpendicular to them at an intermediate depth. A plurality of third grooves 15 are formed in parallel. Then,
Since the PLZT substrate 1 is divided into a matrix,
Each independent pixel 8a can be obtained, and each independent pixel p8a is provided with a vertical electrode made of the metal film 11 formed in the first and second grooves 13,14. Therefore, as shown in FIGS. 1 and 2, PLZ
The T-substrate 1 is a two-dimensional array of independent pixels 8a having vertical electrodes.

このように、ダイシングソーによる切断、スパッタリン
グ法およびリフトオフ法による金属膜の成膜等の通常工
程で、独立したPLZTの画素8aを2次元に配列し、
またそれら画素8aの電極(駆動電極および共通電極)
を縦型にすることしたので、PLZT内に発生する歪を
一様にし、その破損を防止することができ、しかもそれ
ら電極間に発生する電場が光の透過方向と直角にするこ
とができるため、印加電圧を有効に利用できることにな
り、より駆動電圧の低下を図ることができる。さらに。
In this way, the independent PLZT pixels 8a are arranged two-dimensionally through normal processes such as cutting with a dicing saw, forming a metal film by sputtering method and lift-off method,
Also, the electrodes (drive electrode and common electrode) of those pixels 8a
By making the PLZT vertical, the strain generated within the PLZT can be made uniform and damage can be prevented, and the electric field generated between the electrodes can be made perpendicular to the direction of light transmission. , the applied voltage can be used effectively, and the drive voltage can be further reduced. moreover.

各画素8aが独立形式になるため、隣接画Ji48 a
への電場の漏れがなくなり、クロストークの向上を図る
ことができる。
Since each pixel 8a is independent, the adjacent pixel Ji48a
This eliminates leakage of the electric field to and improves crosstalk.

[発明の効果] 以上説明したように、この発明のPLZT光シャッタア
レーの電極形成方法によれば、PLZT基板の片面には
所定間隔でランド電極を形成しており、そのPLZT基
板に接着する透明基板にはそのランド電極と対向する位
置にバンプを形成するとともに。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the method for forming electrodes of a PLZT optical shutter array of the present invention, land electrodes are formed on one side of a PLZT substrate at predetermined intervals, and transparent A bump is formed on the substrate at a position facing the land electrode.

このバンブを介して上記ランド電極を外部に引き出すた
めの配線パターンを形成しており、上記PLZT基板と
透明基板とを透明な接着剤で接着固定した後、上記PL
ZT基板上から少なくとも上記ランド電極に達する深さ
の溝を形成し、かつ、その溝に導電膜を成膜し、その後
その溝に直角の溝を形成し、上記PLZT基板をマトリ
ックス状に分割して各独立画素を得、かつ、上記溝に形
成した導電膜をそれら独立画素の電極としたので、各画
素の電極が縦型になるため、その電極間に印加する駆動
電圧の低下を図ることができ、しかも隣接画素へのクロ
ストークの向上を図ることができるので、平面デイスプ
レィや光シャッタ等の表示装置としてのPLZT光シャ
ッタアレーが実現可能となるという効果がある。
A wiring pattern is formed to lead out the land electrode to the outside through this bump, and after bonding and fixing the PLZT substrate and the transparent substrate with a transparent adhesive, the PLZT
A groove with a depth reaching at least the land electrode is formed on the ZT substrate, a conductive film is formed in the groove, and then a groove is formed at right angles to the groove, and the PLZT substrate is divided into a matrix. Since each independent pixel was obtained by using the method, and the conductive film formed in the groove was used as the electrode of each independent pixel, the electrode of each pixel became vertical, so it was possible to reduce the driving voltage applied between the electrodes. Moreover, since crosstalk to adjacent pixels can be improved, it is possible to realize a PLZT optical shutter array as a display device such as a flat display or an optical shutter.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図はこの発明の一実施例を示し、 P
LZT光シャッタアレーの電極形成方法が適用される円
−ZT光シャッタアレーの概略的側断面図および正面図
、第3図乃至第6図は上記PLZT光シャッタアレーの
電極形成方法を説明するための工程図、第7図乃至第1
O図はPLZT光シャッタアレーの表面電極および溝型
電極を説明する図、第11図はPLZT光シャッタアレ
ーの縦型電極を説明する図である。 図中、■はPLZT基板、8aは画素、9は接着剤(透
明の)、IOは透明基板(ガラス板)、11は導電膜(
金属膜)、12はランド電極、13は第1の溝(駆動電
極)、14は第2の溝(共通電極)、15は第3の溝(
分割溝)。 16はバンプ。 17は配線パターン(電極 を含む)。 18は高分子膜(リフトオフ可能なレジスト膜等)であ
る。
FIG. 1 and FIG. 2 show an embodiment of the present invention, and P
A schematic side sectional view and a front view of a circle-ZT optical shutter array to which the electrode formation method of the LZT optical shutter array is applied, and FIGS. 3 to 6 are diagrams for explaining the electrode formation method of the PLZT optical shutter array. Process diagram, Figures 7 to 1
Figure O is a diagram for explaining the surface electrode and groove-type electrode of the PLZT optical shutter array, and FIG. 11 is a diagram for explaining the vertical electrode of the PLZT optical shutter array. In the figure, ■ is a PLZT substrate, 8a is a pixel, 9 is an adhesive (transparent), IO is a transparent substrate (glass plate), and 11 is a conductive film (
12 is a land electrode, 13 is a first groove (drive electrode), 14 is a second groove (common electrode), 15 is a third groove (
dividing groove). 16 is a bump. 17 is a wiring pattern (including electrodes). 18 is a polymer film (such as a lift-off resist film).

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)PLZT基板の片面には所定間隔でランド電極を
形成しており、そのPLZT基板に接着する透明基板に
はそのランド電極と対向する位置にバンプを形成すると
ともに、該バンプを介して前記ランド電極を外部に引き
出すための配線パターンを形成しており、 前記PLZT基板と透明基板とを透明な接着剤で接着固
定した後、前記PLZT基板上から少なくとも前記ラン
ド電極に達する深さの溝を形成した後、その溝に導電膜
を成膜するとともに、その溝に直角の溝を形成し、前記
PLZT基板をマトリックス状に分割して独立画素を得
、かつ、前記溝に形成した導電膜を前記独立画素の電極
としたことを特徴とするPLZT光シャッタアレーの電
極形成方法。
(1) Land electrodes are formed on one side of the PLZT substrate at predetermined intervals, and bumps are formed on the transparent substrate to be adhered to the PLZT substrate at positions facing the land electrodes, and the A wiring pattern is formed to lead the land electrode to the outside, and after the PLZT substrate and the transparent substrate are adhesively fixed with a transparent adhesive, a groove with a depth reaching at least the land electrode is formed on the PLZT substrate. After forming the PLZT substrate, a conductive film is formed in the groove, a groove is formed at right angles to the groove, the PLZT substrate is divided into a matrix shape to obtain independent pixels, and the conductive film formed in the groove is A method of forming an electrode of a PLZT optical shutter array, characterized in that the electrode is used as an electrode of the independent pixel.
(2)PLZT基板の一方の面には所定間隔でランド電
極を形成しており、そのPLZT基板に透明な接着剤で
接着する透明基板には前記ランド電極に対向する位置に
バンプを形成するとともに、該バンプを介して前記ラン
ド電極を外部に引き出すための配線パターンを形成して
おり、 前記PLZT基板と透明な基板とを透明接着剤で接着固
定した後、該接着したPLZT基板にリフトオフ可能な
樹脂を塗布するとともに、そのリフトオフ可能な樹脂の
上から少なくとも前記ランド電極に達する深さの第1の
溝および該第1の溝より深く、かつ、平行な第2の溝を
形成し、その後前記リフトオフ可能な樹脂の塗布面およ
び第1、第2の溝の内に渡って導電膜を成膜し、その後
リフトオフ可能な樹脂を剥離し、前記第1および第2の
溝に直角で、かつ、第1の溝と第2の溝との中間の深さ
の第3の溝を形成し、 前記PLZT基板を複数の独立画素にするとともに、前
記第1および第2の溝に残った金属膜を前記独立画素の
電極としたことを特徴とするPLZT光シャッタアレー
の電極形成方法。
(2) Land electrodes are formed on one surface of the PLZT substrate at predetermined intervals, and bumps are formed on the transparent substrate that is bonded to the PLZT substrate with a transparent adhesive at positions opposite to the land electrodes. , a wiring pattern is formed to lead the land electrode to the outside through the bump, and after the PLZT substrate and the transparent substrate are adhesively fixed with a transparent adhesive, a lift-off is possible to the bonded PLZT substrate. While applying the resin, a first groove having a depth reaching at least the land electrode and a second groove deeper and parallel to the first groove are formed on the resin that can be lifted off, and then the A conductive film is formed over the coated surface of the lift-off resin and within the first and second grooves, and then the lift-off resin is peeled off, and the conductive film is perpendicular to the first and second grooves, and A third groove having a depth intermediate between the first groove and the second groove is formed, the PLZT substrate is made into a plurality of independent pixels, and the metal film remaining in the first and second grooves is removed. A method of forming an electrode of a PLZT optical shutter array, characterized in that the electrode is used as an electrode of the independent pixel.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009229675A (en) * 2008-03-21 2009-10-08 V Technology Co Ltd Optical modulator
JP2009237215A (en) * 2008-03-27 2009-10-15 V Technology Co Ltd Light modulator

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