JPH04298753A - レチクル支持装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置の製造工程等に用いられるレチク
ルの支持装置（レチクル支持台）に関し、特に半導体露
光装置のレチクル支持装置に関する。

［従来の技術］ 第４図は、従来のレチクル支持装置の概略斜視図を示す
。このレチクル支持装置は、複数箇所に吸着パッド２１
が配置されている。レチクル１はこの吸着パッド２１に
吸着されて固定される。

第５図は、別のレチクル支持装置の概略斜視図を示す。

このレチクル支持装置は、環状部材に吸着溝を形成した
吸着環２２を有する。レチクル１はこの吸着環２２に吸
着されて固定される。

［発明が解決しようとする課題］ 上述のいずれの従来例によっても、支持されているレチ
クル１の自重によってレチクル自身が変形する。レチク
ルの変形により、レチクル上のパターン位置がシフトす
る。その結果、ウェハ等に焼付転写したときに、チップ
倍率変化やディストーションが現れ、トータルオーバー
レイの劣化（全体としての重ね合わせ精度の劣化）や歩
留まりの劣下等の問題点が発生する。

近年、半導体メモリー等の高集積化にともなって、パタ
ーン設計ルールの微細化が進んでいる。

また、フィールドサイズの大型化にともなうレチクルサ
イズの大型化が予測される。パターンの微細化は、焼付
転写精度の向上を要求し、またレチクルサイズの大型化
は、レチクル自重変形の量が大きくなることを意味する
。したがって、上述従来例にあるようなレチクル支持装
置では、半導体の製造そのものが不可能になるおそれが
ある。

本発明は、上述の従来例における問題点に鑑み、レチク
ルの自重変形によるチップ倍率変化やディストーション
を抑え、トータルオーバーレイおよび歩留まりを向上さ
せることのできるレチクル支持装置を提供することを目
的とする。

［課題を解決するための手段および作用］上記の目的を
達成するため、本発明に係るレチクル支持装置は、密閉
手段によりレチクルの一面の側に密閉された空間を形成
し、この密閉手段のレチクル面と対向する一面は可透光
な部材で構成するようにし、圧力調整手段によりこの密
閉された空間内の圧力を所定の圧力とするようにしてい
る。

上記のように密閉された空間の圧力を調整することによ
り、レチクルの自重による変形を矯正することができる
。

圧力調整手段は、例えば圧力流体を供給する圧力供給手
段と、該圧力流体の圧力を調節して前記密閉された空間
に供給する圧力調節手段とを有する。

さらに、密閉された空間内の圧力を検知する圧力検知手
段と、この圧力検知手段の検知結果に基づいて圧力調節
手段による圧力調節量を制御する圧力制御手段とを設け
てもよい。

また、レチクルのたわみ量を測定するたわみ測定手段と
、このたわみ測定手段の測定結果に基づいて圧力調節手
段による圧力調節量を制御する圧力制御手段とを設けて
もよい。

また、本発明に係るレチクル支持装置は、半導体露光装
置等で用いるレチクルの一面の側にこのレチクル面と対
向する一面が可透光な部材で構成された第１の密閉され
た空間を形成するとともに、このレチクルと同等のダミ
ーレチクルを支持するダミーレチクル支持手段と、この
ダミーレチクルの一面と共働して第２の密閉された空間
を形成する第２の密閉手段とを設けている。そして、第
１および第２の密閉された空間に圧力流体を供給し、こ
の圧力流体の圧力を調節して上記第１および第２の密閉
された空間に供給する圧力を調節する。さらに、ダミー
レチクルのたわみ量を測定し、測定結果に基づいて圧力
調節量を制御するようにしている。

なお、上記の密閉された空間の圧力は、この空間外の圧
力に対して正または負のいずれに変圧してもよい。どち
らに変圧してもレチクルの自重による変形を矯正するこ
とができる。

［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。

第１図は、本発明の一実施例に係るレチクル支持装置の
概略断面図を示す。同図において、１は回路パターン等
が描図されたレチクル、２はレチクル１を吸着固定する
ための吸着環、３は吸着環２内の排気をするバキューム
、４は耐圧ガラス、５はレチクル１と耐圧ガラス４の空
隙の圧力を維持するための圧力チャンバーである。吸着
環２およびバキューム３等でレチクル支持手段を構成す
る。また、耐圧ガラス４および圧力チャンバー５等はレ
チクルの下側に密閉された空間３０を形成する密閉手段
を構成する。

６はレチクル１を圧力チャンバー５に押し当てるための
押え環、７は圧力チャンバー５内の空間３０の圧力を測
定するための圧力センサー、８は圧力チャンバー５への
圧力供給および開放を行う制御弁、９は圧力チャンバー
５内の圧力を調節するための圧力調節器、１０は圧力チ
ャンバー５に加圧するための高圧Ｎ２ガス、１１は圧力
制御部である。高圧Ｎ２ガス１０は不図示の圧力供給手
段から供給される。圧力調節器９は圧力調節手段を構成
する。また、圧力センサー７は圧力検知手段を構成し、
圧力制御部１１は圧力制御手段を構成する。

第６図は、第１図のレチクル支持装置の部分概観図を示
す。第１の取付ベース３０と第２の取付ベース３１には
、可動プランジャ３２とリニアガイド３３が設けられて
いる。リニアガイド３３には平行板バネ３５を介して押
え環６が取付けられている。可動プランジャ３２を駆動
することにより、平行板バネ３５をリニアガイド３３に
沿って矢印３４のように上下動させることができる。こ
れにより、押え環６をレチクル１に押し当て、あるいは
開放することができる。

上記第１図および第６図に示す構成において、レチクル
１を吸着環２の上面に載せ、バキューム３によって仮固
定する。その後、可動プランジャ３２を駆動し、押え環
６を吸着環２と対向するように押し当てる。この状態で
は、レチクル１の自重による変形が起きている。

そこで、圧力制御部１１は、制御弁８を圧力チャンバー
５側に接続し、高圧Ｎ２ガス１０を圧力チャンバー５に
供給する。ここで、圧力調節器９の設定圧力は、予め圧
力制御部１１によって初期化されているものとする。圧
力制御部１１は、圧力センサー７の出力をモニターしな
がら、圧力調節器９の設定圧力を上げ、圧力チャンバー
５内を加圧する。これにより、密閉された空間３０は、
予め設定されたレチクル１の適正矯正圧力に達する。以
後、圧力制御部１１は、その適正矯正圧力を維持するよ
うに、圧力センサー７をモニターしながら圧力調節器９
の設定圧力を調節する。

第２図は、本発明の第２の実施例に係るレチクル支持装
置の概略構成を示す。上記の第１の実施例では、圧力セ
ンサー７で圧力チャンバー５内の圧力を圧力制御部１１
へフィードバックしている。これに対して本実施例は、
レチクル１の自重変形を測定しその値をフィードバック
するようにしている。なお、第２図において、第１図と
同一の付番は同一または共通の部材を示す。また、押え
環６とその押し当て機構は第６図に示したものと同様で
あるので説明を省略する。

第１の実施例と相違する部分のみを説明する。

１２はレチクル１にスポット光を投射するための投光部
、１３は投光部１２から投射されレチクル１で反射した
光を検出するための受光部、１４は受光部１３の出力を
位置の信号に変換する計測部である。これらは、レチク
ルのたわみ量を測定するたわみ測定手段を構成する。

上記構成において、第１の実施例と同様に圧力チャンバ
ー５に加圧していく。圧力制御部１１は計測部１４の出
力をモニターしており、レチクル１の変位（たわみ量）
が「０」になると、以後その状態を維持するように計測
部１４の出力をモニターしながら圧力調節器９の設定圧
力を調節する。

第３図は、本発明の第３の実施例を示した図である。同
図において、第１図と同一の付番は同一または共通の部
材を示す。また、押え環６とその押し当て機構は第６図
に示したものと同様であるので説明を省略する。

第３図において、２０はレチクル１と同等なダミーレチ
クル、１５は圧力チャンバー５と同様な構成の第２の圧
力チャンバーであって圧力チャンバー５と連結されてい
る。１７、１８、１９はダミーレチクル２０の自重変形
を測定するための検出ヘッド、１６は検出ヘッド１７、
１８、１９の出力からダミーレチクル２０の各部分の変
位を算出する変位測定回路である。

ダミーレチクル２０は、レチクル１が固定されていると
同様な状態で固定されている、したがってレチクル１の
変形と同等な変形が起きている。

そこで上記の第１、第２の実施例と同様に、圧力チャン
バー５および第２の圧力チャンバー１５に加圧してゆく
。このとき、圧力チャンバー５と第２の圧力チャンバー
１５は互いに連結されているため、それらの内部圧力は
常に等しい。圧力制御部１１は、検出ヘッド１７、１８
、１９および変位測定回路１６によって算出されるダミ
ーレチクル２０の変位量（たわみ量）をモニターしてい
る。この変位量は加圧にともないやがて「０」になる。

以後、圧力制御部１１は、その状態を維持するように変
位測定回路１６の算出値をモニターしながら圧力調節器
９の設定圧力を調節する。

なお、前述のすべての実施例において、レチクルと圧力
チャンバーの位置関係を逆にして、レチクルの上部にチ
ャンバーを設けてもよい。この場合、前述の実施例とは
逆にチャンバー内を減圧するようにして同様な効果を得
ればよい。

上記の各実施例で、「密閉」という語は、完全に密閉さ
れた状態のみでなく、ほぼ密閉された状態をも含む。「
密閉」された空間の圧力を変えることによりレチクルの
自重による変形を矯正できれば充分である。

上記の各実施例で「レチクル」はマスクを含むものとす
る。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、レチクル自身を
一面とする密閉空間を形成し、その空間内部の圧力を調
節するようにしているので、レチクルの自重変形を矯正
することができる。その結果、チップ倍率変化およびデ
ィストーションの小さい焼付転写が可能となり、トータ
ルオーバーレイおよび歩留まりを向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例に係るレチクル支持装
置の概略構成図、 第２図は、本発明の第２の実施例に係るレチクル支持装
置の概略構成図、 第３図は、本発明の第３の実施例に係るレチクル支持装
置の概略構成図、 第４図および第５図は、従来のレチクル支持台、 第６図は、第１図のレチクル支持装置の部分概観図であ
る。 １：レチクル、 ５：チャンバー、 ６：押え環、 ７：圧力センサー、 ８：制御弁、 ９：圧力調節器、 １０：高圧Ｎ２ガス、 １１：圧力制御部。 特許出願人　キヤノン株式会社 代理人　弁理士　伊東哲也 代理人　弁理士　伊東辰雄

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体露光装置等で用いるレチクルを支持
   するレチクル支持手段と、 該レチクルの一面と共働して密閉された空間を形成する
   とともに、該レチクル面と対向する一面が可透光な部材
   で構成されている密閉手段と、該密閉された空間内の圧
   力を所定の圧力とする圧力調整手段と を具備することを特徴とするレチクル支持装置。
2. 【請求項２】前記圧力調整手段が、圧力流体を供給する
   圧力供給手段と、該圧力流体の圧力を調節して前記密閉
   された空間に供給する圧力調節手段とを有する請求項１
   に記載のレチクル支持装置。
3. 【請求項３】前記圧力調整手段が、さらに、前記密閉さ
   れた空間内の圧力を検知する圧力検知手段と、該圧力検
   知手段の検知結果に基づいて前記圧力調節手段による圧
   力調節量を制御する圧力制御手段とを有する請求項２に
   記載のレチクル支持装置。
4. 【請求項４】前記圧力調整手段が、さらに、前記レチク
   ルのたわみ量を測定するたわみ測定手段と、該たわみ測
   定手段の測定結果に基づいて前記圧力調節手段による圧
   力調節量を制御する圧力制御手段とを有する請求項２に
   記載のレチクル支持装置。
5. 【請求項５】半導体露光装置等で用いるレチクルを支持
   するレチクル支持手段と、 該レチクルの一面と共働して第１の密閉された空間を形
   成するとともに、該レチクル面と対向する一面が可透光
   な部材で構成されている第１の密閉手段と、 該レチクルと同等のダミーレチクルを支持するダミーレ
   チクル支持手段と、 該ダミーレチクルの一面と共働して第２の密閉された空
   間を形成する第２の密閉手段と、上記第１および第２の
   密閉された空間に圧力流体を供給する圧力供給手段と、 該圧力流体の圧力を調節して上記第１および第２の密閉
   された空間に供給する圧力調節手段と、前記ダミーレチ
   クルのたわみ量を測定するたわみ測定手段と、 該たわみ測定手段の測定結果に基づいて上記圧力調節手
   段による圧力調節量を制御する圧力制御手段と を具備することを特徴とするレチクル支持装置。