JPH0429483Y2 - - Google Patents
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- JPH0429483Y2 JPH0429483Y2 JP1984191194U JP19119484U JPH0429483Y2 JP H0429483 Y2 JPH0429483 Y2 JP H0429483Y2 JP 1984191194 U JP1984191194 U JP 1984191194U JP 19119484 U JP19119484 U JP 19119484U JP H0429483 Y2 JPH0429483 Y2 JP H0429483Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
（技術分野）
本考案は、メタルハライドランプ用発光管端部
閉塞体に係り、更に詳細には垂直点灯されるメタ
ルハライドランプにおける発光管を構成する透光
性セラミツクス管の下方側端部を閉塞するための
導電性閉塞体に関するものである。[Detailed Description of the Invention] (Technical Field) The present invention relates to an arc tube end closure body for metal halide lamps, and more specifically, the present invention relates to an arc tube end closure body for metal halide lamps, and more specifically, the present invention relates to an arc tube end closure body for metal halide lamps, and more specifically, the lower part of a translucent ceramic tube constituting the arc tube in a vertically lit metal halide lamp. This invention relates to a conductive closure for closing a side end.
（従来技術）
従来から、透光性セラミツクス管を用いたメタ
ルハライドランプにおける発光管の端部閉塞体と
して、特開昭52−71695号公報等において、導電
性デイスクが提案されている。このような導電性
のデイスクは、例えば酸化アルミニウム粉末と金
属タングステン粉末を混合、焼結した導電性のサ
ーメツトにて構成されるものであり、この導電性
サーメツトの発光管内側に位置する部分には、タ
ングステンまたはモリブデン電極が設けられる一
方、該導電性サーメツトの外側面には、リード部
材が埋設、固定されて、かかるリード部材から、
該導電性サーメツトを通じて、前記タングステン
またはモリブデン電極に給電されるようになつて
いる。このような構造の導電性サーメツトデイス
クを使用する理由は、例えば高圧ナトリウムラン
プに適用した場合には、高価なニオブメタルの使
用を避けられるからであり、また透光性セラミツ
クスからなる発光管の内部に、水銀及び希ガスと
共に、適当な種類の発光金属のハロゲン化物を封
入した、所謂メタルハライドランプに適用した場
合には、耐メタルハライド性を有するからであ
る。(Prior Art) Conventionally, a conductive disk has been proposed as an end closure body of an arc tube in a metal halide lamp using a translucent ceramic tube, such as in Japanese Patent Application Laid-Open No. 71695/1983. Such a conductive disk is made of, for example, a conductive cermet made by mixing and sintering aluminum oxide powder and metallic tungsten powder, and the part of this conductive cermet located inside the arc tube has a , a tungsten or molybdenum electrode is provided, and a lead member is embedded and fixed in the outer surface of the conductive cermet, and from this lead member,
Electricity is supplied to the tungsten or molybdenum electrode through the conductive cermet. The reason for using a conductive cermet disk with such a structure is that, when applied to a high-pressure sodium lamp, for example, it avoids the use of expensive niobium metal, and it also avoids the use of the inside of an arc tube made of translucent ceramics. In addition, when applied to a so-called metal halide lamp in which a suitable type of luminescent metal halide is sealed together with mercury and a rare gas, it has metal halide resistance.
（問題点）
しかしながら、このようなサーメツトデイスク
で閉塞してなる発光管を備えたメタルハライドラ
ンプにあつては、その始動時に、アークが対向す
る電極間で発生せず電極と導電性サーメツト間で
発生する、所謂バツクアーク現象のために、かか
るデイスクにクラツクが生じ、その結果、発光管
がリークしたり、またデイスクから蒸発、飛散し
たサーメツト材の耐熱性金属成分が発光管内壁に
付着して黒化し、光束の低下を招く等の問題があ
つた。(Problem) However, in a metal halide lamp equipped with an arc tube closed with such a cermet disk, when the lamp is started, an arc does not occur between the opposing electrodes, but between the electrodes and the conductive cermet. Due to the so-called back arc phenomenon that occurs, cracks occur in the disk, resulting in the arc tube leaking, and the heat-resistant metal components of the cermet material evaporated and scattered from the disk adhering to the inner wall of the arc tube, causing a black color. This caused problems such as a decrease in luminous flux.
また、メタルハライドランプにおいては、発光
管内に過飽和の状態で封入されたメタルハライド
が該発光管の最冷点、一般に、管下端部で凝縮し
て、電極から加わる高熱の作用の下に、そこを閉
塞するサーメツトデイスクを劣化せしめ、甚しい
場合には電極倒れの現象を惹起する等の問題も内
在しているのである。更に、このような凝縮した
メタルハライド液相は、発光間端部とサーメツト
デイスクとの間に設けられるフリツトシールを劣
化せしめ、そのシール性を低下せしめているので
ある。 In addition, in metal halide lamps, metal halide sealed in the arc tube in a supersaturated state condenses at the coldest point of the arc tube, generally at the lower end of the tube, and blocks it under the action of high heat applied from the electrodes. There are also inherent problems such as deterioration of the cermet disk and, in severe cases, the phenomenon of electrode collapse. Furthermore, such a condensed metal halide liquid phase deteriorates the frit seal provided between the light emitting end and the cermet disk, reducing its sealing performance.
（解決課題）
本考案は、かかる事情に鑑みて為されたもので
あつて、その課題とするところは、始動時にバツ
クアークを生ずることのない、また電極近傍のサ
ーメツトデイスクの侵食現象や電極倒れ現象の発
生を効果的に抑制し得るメタルハライドランプ用
発光管端部閉塞体を提供することにある。(Issues to be solved) The present invention was devised in view of the above circumstances, and its objectives are to prevent back arcs from occurring at the time of starting, and to prevent corrosion of the cermet disk near the electrodes and the collapse of the electrodes. An object of the present invention is to provide an arc tube end closure for a metal halide lamp that can effectively suppress the occurrence of the phenomenon.
（解決手段）
そして、このような課題を解決するために、本
考案にあつては、かかる発光管の下方側の端部に
焼嵌め固定せしめられて、該端部を閉塞する導電
性閉塞体を構成するサーメツトデイスクの発光管
内部に露呈する電極側表面を全面に亘つて覆うよ
うに、所定厚さの電気絶縁層を設けると共に、該
電気絶縁層の表面が、該サーメツトデイスクの周
縁部よりもその略中央部に位置する電極立設部分
において発光管内方に突出するようにしたのであ
る。(Solution Means) In order to solve such problems, the present invention provides a conductive closing body that is shrink-fitted and fixed to the lower end of the arc tube to close the end. An electrically insulating layer of a predetermined thickness is provided so as to cover the entire surface of the electrode side of the cermet disk exposed inside the arc tube, and the surface of the electrically insulating layer extends over the periphery of the cermet disk. The electrode standing portion located approximately in the center of the arc tube is made to protrude inward from the arc tube.
（実施例）
以下、本考案を更に具体的に明らかにするため
に、本考案の一実施例を、図面に基づいて詳細に
説明することとする。(Example) Hereinafter, in order to clarify the present invention more specifically, one embodiment of the present invention will be described in detail based on the drawings.
まず、第１図は、本考案の適用されるメタルハ
ライドランプの全体を概略的に示すものであつ
て、そこにおいて、２は一般にガラス等からな
る、透光性を有するバルブであり、そしてこのバ
ルブ２の開口部が口金４にて閉塞せしめられるこ
とにより、かかるバルブ２内が密封されている。
なお、このバルブ２内には、窒素などの不活性ガ
スが封入されたり、或いはそれが真空状態に維持
されたりする。そして、よく知られているよう
に、かかる口金４を通じて、バルブ２の内部に収
容された発光管６の両端のリード部材８，８に、
該発光管６を支持する導電性部材１０，１０を介
して給電が行なわれるようになつている。 First, FIG. 1 schematically shows the entire metal halide lamp to which the present invention is applied, in which 2 is a light-transmitting bulb generally made of glass or the like; The interior of the valve 2 is sealed by closing the opening of the valve 2 with the base 4.
Note that the valve 2 is filled with an inert gas such as nitrogen, or is maintained in a vacuum state. As is well known, through the cap 4, the lead members 8, 8 at both ends of the arc tube 6 housed inside the bulb 2 are connected.
Power is supplied through conductive members 10, 10 that support the arc tube 6.
また、かかる発光管６は、アルミナ磁器などか
らなるチユーブ状の透光性セラミツクス管１２
と、その両端部に固定されて、それを密封するエ
ンドキヤツプとしての導電性サーメツトデイスク
１４，１４とから構成されている。また、この発
光管６の密封された透光性セラミツクス管１２内
には、ランプの種類により各種の金属乃至はその
蒸気が封入されることとなるが、メタルハライド
ランプにあつては、水銀及び希ガスと共に、適当
な種類の発光金属のハロゲン化物（ヨウ化デイス
プロシウム、ヨウ化タリウム、ヨウ化ナトリウ
ム、ヨウ化インジウム等）が封入されているので
ある。 Further, the luminous tube 6 is made of a tube-shaped translucent ceramic tube 12 made of alumina porcelain or the like.
and conductive cermet disks 14, 14 as end caps fixed to both ends thereof to seal them. Additionally, various metals or their vapors are sealed in the sealed translucent ceramic tube 12 of the arc tube 6 depending on the type of lamp, but in the case of metal halide lamps, mercury and rare metals are sealed. Along with the gas, a suitable type of luminescent metal halide (disprosium iodide, thallium iodide, sodium iodide, indium iodide, etc.) is sealed.
ところで、本考案は、このようなエンドキヤツ
プとしての導電性デイスク部材１４、換言すれば
発光管端部導電性閉塞体に適用されるものであつ
て、その一例が、第２図に示されている。すなわ
ち、第２図において、発光管６の透光性セラミツ
クス管１２の端部に、その焼結時の収縮作用を利
用して焼嵌め、固定せしめられた導電性デイスク
１４には、その外側面にリード部材８が埋設、立
設されており、一方その内側面、換言すれば透光
性セラミツクス管１２内に露出させられる面１８
には、タングステン電極等の公知の電極１６が、
その一部を埋設した状態で立設されて、透光性セ
ラミツクス管１２の横断面の略中心部に位置する
ように配置されている。 By the way, the present invention is applied to such a conductive disk member 14 as an end cap, in other words, to a conductive closing member at the end of an arc tube, an example of which is shown in FIG. There is. That is, in FIG. 2, the conductive disk 14, which is shrink-fitted and fixed to the end of the translucent ceramic tube 12 of the arc tube 6 by utilizing the contraction effect during sintering, has an outer surface. A lead member 8 is buried or erected in the inner surface of the lead member 8, in other words, a surface 18 exposed inside the translucent ceramic tube 12.
, a known electrode 16 such as a tungsten electrode is used.
It is erected with a part of it buried, and is arranged so as to be located approximately at the center of the cross section of the translucent ceramic tube 12.
そして、この導電性デイスク１４の電極１６側
の導電性デイスク表面１８に、電気絶縁層２０が
所定厚さで設けられ、かかる導電性デイスク表面
１８の全面にわたつて覆つているのである。しか
も、この絶縁層２０は、垂直点灯時において下方
に位置する側のもの（第１図において下方のも
の）において、その中央部の電極１６設置部分が
突部２２とされて、その周縁部よりも厚みねある
層とされ、これによつて周縁部よりも高い表面と
なるようにされている。そして、この高さの高い
表面部分を貫通して、電極１６が、導電性デイス
ク１４内に所定長さで突入した状態で支持されて
いる。この時、電極１６は少なくとも導電性デイ
スク１４で固定支持されておれば良く、前記絶縁
層２０の貫通穴とは必ずしも接触していなくても
良い。 An electrical insulating layer 20 is provided to a predetermined thickness on the conductive disk surface 18 of the conductive disk 14 on the electrode 16 side, covering the entire surface of the conductive disk surface 18. Moreover, this insulating layer 20 has a protrusion 22 in the central part where the electrode 16 is installed in the lower side in vertical lighting (the lower one in FIG. The layer is also thick so that the surface is higher than the periphery. The electrode 16 is supported by penetrating this high surface portion and protruding into the conductive disk 14 by a predetermined length. At this time, the electrode 16 only needs to be fixedly supported by at least the conductive disk 14, and does not necessarily need to be in contact with the through hole of the insulating layer 20.
従つて、このような中央部の突出した絶縁層２
０を導電性デイスク１４の電極側表面１８の全面
に亘つて設けた発光管６にあつては、かかる絶縁
層２０によつて、始動時にリード部材８に給電さ
れ、所定の電圧がその両端の電極１６，１６間に
印加されても、かかる電極側表面１８で放電する
バツクアーク現象が効果的に抑制され、アークは
電極１６の先端から効果的に発生せしめられるこ
ととなるのである。 Therefore, such a protruding central insulating layer 2
In the case of the arc tube 6 in which the voltage 0 is provided over the entire electrode side surface 18 of the conductive disk 14, power is supplied to the lead member 8 at the time of startup through the insulating layer 20, and a predetermined voltage is applied to both ends of the lead member 8. Even when the voltage is applied between the electrodes 16, the back arc phenomenon of discharge on the electrode side surface 18 is effectively suppressed, and the arc is effectively generated from the tip of the electrode 16.
このため、従来バツクアーク現象のために惹起
されていたデイスク１４のクラツクの発生、更に
はそれに基づくリークの発生が良好に防止され得
ることとなり、またデイスク１４からサーメツト
材の耐熱性金属成分が蒸発したり、飛散したりす
ることが、効果的に阻止され得るところから、そ
のような耐熱性金属成分の付着による発光管６、
具体的には透光性セラミツクス管１２の内面の黒
化の問題が解消され得ることとなり、以て光束の
低下を招く等の問題を悉く解消し得ることとなつ
たのである。 Therefore, the occurrence of cracks in the disk 14, which were conventionally caused by the back arc phenomenon, as well as the occurrence of leaks due to this, can be effectively prevented, and the heat-resistant metal component of the cermet material evaporates from the disk 14. The arc tube 6 has such a heat-resistant metal component attached thereto, since it can effectively prevent the metal components from scattering or scattering.
Specifically, the problem of blackening of the inner surface of the translucent ceramic tube 12 can be solved, and thus problems such as a decrease in luminous flux can be completely solved.
しかも、電極１６の立設部位の絶縁層２０の厚
みが厚くされて、デイスク１４の周縁部よりも高
くされているところから、メタルハライドが凝縮
しても、そのような凝縮メタルハライド液相は電
極１６から遠ざけられ、接触を断たれることとな
り、電極１６近傍でのメタルハライドによるサー
メツトの劣化、ひいては電極倒れの現象を効果的
に抑制し得るのである。 Furthermore, since the thickness of the insulating layer 20 at the standing portion of the electrode 16 is increased and is higher than the peripheral edge of the disk 14, even if the metal halide condenses, such condensed metal halide liquid phase will not reach the electrode 16. As a result, the deterioration of the cermet caused by the metal halide near the electrode 16 and the phenomenon of electrode collapse can be effectively suppressed.
また、透光性セラミツクス管１２に対する導電
性デイスク１４の取付けが、焼嵌め構造において
実現され、従来の如きフリツトシール構造が採用
されてはいないところから、凝縮によつて生じた
メタルハライド液相が、そのようなセラミツク管
１２とデイスク１４との嵌合部に作用して、その
シール性を低下せしめ、またその耐久性を低下せ
しめる等という問題も有利に回避され得るのであ
る。 Furthermore, since the conductive disk 14 is attached to the translucent ceramic tube 12 using a shrink-fitting structure, and the conventional frit seal structure is not used, the metal halide liquid phase generated by condensation is It is also possible to advantageously avoid such problems that the fitting portion between the ceramic tube 12 and the disk 14 is affected and the sealing performance and durability are reduced.
なお、このように、発光管６の端部閉塞体とし
て用いられる導電性デイスク１４の材料には、公
知の各種の材料が適宜に選択され得るものである
が、一般に透光性セラミツクス管１２を構成する
材料と電極１６及びリード部材８として用いられ
る耐熱性金属との中間の熱膨脹率を有する導電性
サーメツト材料であれば、何れをも使用可能であ
り、例えば金属タングステン若しくは金属モリブ
デンと酸化アルミニウムとからなる複合体、タン
グステンカーバイド、タングステンボライド等が
用いられる。 As described above, various known materials can be appropriately selected as the material for the conductive disk 14 used as the end closure of the arc tube 6, but in general, the translucent ceramic tube 12 is used. Any conductive cermet material can be used as long as it has an intermediate coefficient of thermal expansion between the constituent materials and the heat-resistant metal used as the electrode 16 and the lead member 8. For example, tungsten metal, molybdenum metal, and aluminum oxide can be used. Composites consisting of tungsten carbide, tungsten boride, etc. are used.
また、掛かる導電性デイスク１４の電極１６側
の表面１８上にその全面に亘つて設けられる絶縁
層２０は、公知の絶縁材料を用いて適宜に形成さ
れることとなるが、特に熱膨脹率が導電性デイス
ク１４材料の熱膨脹率に近い、耐熱・耐絶縁性セ
ラミツクスを用いて形成するのが望ましく、例え
ばアルミナ、ベリリア、スピネル、ボロンナイト
ライド、及びガラス等を用いて、かかる絶縁層２
０が形成されることとなる。そして、このような
絶縁層２０は、各種の公知の手法にて形成され得
るものであつて、例えば導電性デイスク材料と上
記絶縁材料とを一体で成形・焼結して設けても
別々に成形・焼結して積層しても、また予め焼結
した導電性デイスク１４の表面にフリツトシー
ル、溶射等の方法により被覆して、形成するよう
にしても何等差支えない。 In addition, the insulating layer 20 provided over the entire surface of the surface 18 of the conductive disk 14 on the electrode 16 side is appropriately formed using a known insulating material. It is preferable to form the insulation layer 2 using a heat-resistant and insulation-resistant ceramic having a coefficient of thermal expansion close to that of the material of the insulation disk 14, such as alumina, beryllia, spinel, boron nitride, glass, etc.
0 will be formed. Such an insulating layer 20 can be formed by various known methods. For example, the conductive disk material and the insulating material may be molded and sintered together, or they may be formed separately. - There is no problem even if it is formed by sintering and laminating, or by coating the surface of a pre-sintered conductive disk 14 by a method such as frit sealing or thermal spraying.
尤も、このような絶縁層２０は、デイスク１４
中央の電極１６立設部位において最も電極側に突
出するように設けられる必要があるが、第２図に
例示の如き突部２２により段階的に高さを増大せ
しめる形態のみならず、第３図に示される如く円
錐形状に形成して、電極１６に向かつて連続的に
高さが高くなる形態のものであつても、何等差支
えないのである。 However, such an insulating layer 20 is
Although it is necessary to protrude most toward the electrode side at the central electrode 16 erected portion, it is not limited to the form in which the height is increased stepwise by the protrusion 22 as illustrated in Fig. 2, as well as in Fig. 3. There is no problem even if it is formed into a conical shape as shown in FIG. 1, and the height increases continuously toward the electrode 16.
そして、このような絶縁層２０は、少なくとも
閉塞体たる導電性デイスク１４の電極側表面１８
の全面に対して施されている必要があるが、また
これに限らず、該デイスク１４の全表面に渡るよ
うに設けられていても、何等差支えないのであ
る。また、この絶縁層２０の厚さとしては、本考
案の目的、即ちバツクアーク現象を有効に抑制し
得る範囲内において適宜に決定されることとなる
が、一般に0.05〜0.8mm程度の厚さにおいて形成
され、そして電極１６立設部位では、ここでは、
その表面を電極側に突出させ電極と凝縮メタルハ
ライド液相との接触を断つために、一般に1.0〜
３mmの厚さ（但し、電極１６のコイル部１７に接
しないこと）とされることとなる。 Such an insulating layer 20 covers at least the electrode-side surface 18 of the conductive disk 14 serving as a closure.
Although it is necessary to cover the entire surface of the disk 14, it is not limited to this, and there is no problem even if it is provided over the entire surface of the disk 14. The thickness of the insulating layer 20 will be appropriately determined within a range that can effectively suppress the back arc phenomenon, which is the purpose of the present invention, but it is generally formed to a thickness of about 0.05 to 0.8 mm. and at the electrode 16 erected position, here,
In order to protrude its surface toward the electrode and cut off contact between the electrode and the condensed metal halide liquid phase,
The thickness is 3 mm (however, it does not touch the coil portion 17 of the electrode 16).
なお、上例にあつては、絶縁層２０の厚さを厚
くすることによつて、その電極立設部位の表面を
電極側に突出するように構成されており、本考案
では、そのような構成が最も好ましいものである
が、絶縁層２０の形成される導電性デイスク１４
の電極側表面１８の電極立設部位を上例と同様に
段付き構造若しくは円錐形状に形成して、その表
面を電極側に突出させて、該電極側表面１８上に
形成される絶縁層２０の電極立設部位が電極側に
突出するようにしても何等差し支えないのであ
る。第４図には、その一例として、導電性デイス
ク１４の中央部分を電極１６側に突出せしめて、
絶縁層２０の表面を電極立設部位において突出せ
しめた構造が示されている。 In the above example, by increasing the thickness of the insulating layer 20, the surface of the electrode erected portion is configured to protrude toward the electrode side. The most preferred configuration is the conductive disk 14 on which the insulating layer 20 is formed.
An insulating layer 20 is formed on the electrode side surface 18 by forming the electrode standing portion of the electrode side surface 18 into a stepped structure or conical shape as in the above example, and making the surface protrude toward the electrode side. There is no problem in making the electrode erected portion protrude toward the electrode side. In FIG. 4, as an example, the central part of the conductive disk 14 is made to protrude toward the electrode 16 side,
A structure is shown in which the surface of the insulating layer 20 is made to protrude at the electrode erected portion.
以上、図面に示す本考案の代表的な一例につい
て説明を加えてきたが、本考案が、かかる例示の
構造並びにそれに付随した具体的な説明によつて
限定的に解釈されるものでは決してなく、本考案
の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識
に基づいて、本考案にはは種々なる変更、修正、
改良等が加えられ得るものであつて、本考案が、
そのような実施形態のものをも含むものであるこ
とは、言うまでもないところである。 Although a typical example of the present invention shown in the drawings has been described above, the present invention is not to be construed as being limited by the illustrated structure or the specific explanation accompanying it. Based on the knowledge of those skilled in the art, the present invention may include various changes, modifications and alterations without departing from the spirit of the invention.
Improvements etc. can be made, and the present invention is
It goes without saying that the invention also includes such embodiments.
（考案の効果）
以上の説明から明らかなように、本考案に従う
閉塞体にて、垂直点灯される透光性セラミツクス
管の下方側の端部を閉塞してなる発光管を備えた
メタルハライドランプは、その始動時にバツクア
ークを生ずることがないため、該閉塞体を構成す
るデイスクが損傷を受けるようなことがなく、従
つてランプの信頼性が向上すると共に、黒化もな
いために、光束維持率の高いものとなるのであ
り、しかも、最冷点での凝縮メタルハライド液相
を電極から遠ざけ、接触させないようにすること
により、電極近傍でのメタルハライド液相による
サーメツトの劣化、ひいては電極倒れ現象の防止
に効果があり、そこに、本考案の大きな工業的意
義が存するものである。(Effects of the invention) As is clear from the above explanation, a metal halide lamp equipped with an arc tube formed by closing the lower end of a vertically lit translucent ceramic tube with a closing body according to the invention Since back arcing does not occur at the time of starting, the disk constituting the closing body will not be damaged, thus improving the reliability of the lamp, and since there will be no blackening, the luminous flux maintenance rate will be reduced. Moreover, by keeping the condensed metal halide liquid phase at the coldest point away from the electrode and preventing it from coming into contact with it, it is possible to prevent the deterioration of the cermet due to the metal halide liquid phase near the electrode and the electrode collapse phenomenon. This is the reason why the present invention has great industrial significance.
第１図は本考案に従う閉塞体で透光性セラミツ
ク管の両端部を閉塞した発光管を備えたメタルハ
ライドランプの一例を示す切欠概略図であり、第
２図はそのようなメタルハライドランプの発光管
の端部を拡大して示す要部断面説明図であり、第
３図及び第４図はそれぞれ本考案の他の例を示す
第２図に対応する図である。
２……バルブ、４……口金、６……発光管、８
……リード部材、１０……導電性部材、１２……
透光性セラミツクス管、１４……導電性デイス
ク、１６……電極、１８……導電性デイスク電極
側表面、２０……絶縁層、２２……突部。
FIG. 1 is a schematic cutaway diagram showing an example of a metal halide lamp equipped with an arc tube in which both ends of a translucent ceramic tube are closed with a closure body according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic cutaway view of an arc tube of such a metal halide lamp. FIG. 3 is an explanatory cross-sectional view of a main part showing an enlarged end portion of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are views corresponding to FIG. 2 showing other examples of the present invention. 2... Bulb, 4... Base, 6... Luminous tube, 8
... Lead member, 10 ... Conductive member, 12 ...
Translucent ceramic tube, 14... conductive disk, 16... electrode, 18... electrode side surface of conductive disk, 20... insulating layer, 22... protrusion.
Claims (1)
の下方側の端部に焼嵌め固定せしめられて、該端
部を閉塞する、所定の電極を支持した導電性のサ
ーメツトデイスクからなる閉塞体において、該サ
ーメツトデイスクの発光管内部に露呈する電極側
表面を全面に亘つて覆うように電気絶縁層を設け
ると共に、該電気絶縁層の表面が、該サーメツト
デイスクの略中央部に位置する電極立設部分にお
いて、該サーメツトデイスク周縁部絶縁層表面よ
り電極立設方向に突出していることを特徴とする
メタルハライドランプ用発光管端部閉塞体。 A closing body consisting of a conductive cermet disk supporting a predetermined electrode, which is shrink-fitted and fixed to the lower end of the arc tube of a vertically lit metal halide lamp to close the end. An electrically insulating layer is provided so as to cover the entire surface of the electrode side exposed inside the arc tube of the cermet disk, and the surface of the electrically insulating layer covers the electrode upright portion located approximately in the center of the cermet disk. An arc tube end closure for a metal halide lamp, characterized in that it protrudes from the surface of the peripheral insulating layer of the cermet disk in the direction in which the electrodes are disposed.
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984191194U JPH0429483Y2 (en) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | |
| US06/716,387 US4665344A (en) | 1984-04-25 | 1985-03-27 | Ceramic envelope device for high-pressure discharge lamp |
| AU40569/85A AU557111B2 (en) | 1984-04-25 | 1985-04-01 | Ceramic envelope device for high pressure discharge lamp |
| HU851253A HU189969B (en) | 1984-04-25 | 1985-04-02 | Ceramic covering element for high-pressure discharge lamps |
| CN85102649A CN85102649B (en) | 1984-12-17 | 1985-04-12 | Ceramic sealing device for lamp with high-voltage discharge |
| EP85302604A EP0160445B1 (en) | 1984-04-25 | 1985-04-15 | Discharge tube assembly for high-pressure discharge lamp |
| CA000479161A CA1238076A (en) | 1984-04-25 | 1985-04-15 | Ceramic envelope device for high-pressure discharge lamp |
| DE8585302604T DE3581104D1 (en) | 1984-04-25 | 1985-04-15 | DISCHARGE TUBE ARRANGEMENT FOR HIGH PRESSURE DISCHARGE LAMP. |
| US06/799,836 US4731561A (en) | 1984-12-17 | 1985-11-20 | Ceramic envelope device for high-pressure discharge lamp |
| DE8585308840T DE3582134D1 (en) | 1984-12-17 | 1985-12-04 | CERAMIC PISTON FOR HIGH PRESSURE DISCHARGE LAMP. |
| EP85308840A EP0186348B1 (en) | 1984-12-17 | 1985-12-04 | Ceramic envelope device for high-pressure discharge lamp |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP1984191194U JPH0429483Y2 (en) | 1984-12-17 | 1984-12-17 |
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|---|---|
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ID=30748634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58140963A (en) * | 1981-09-04 | 1983-08-20 | ソ−ン・イ−エムアイ・ピ−エルシ− | High voltage discharge lamp |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60134269U (en) * | 1984-02-20 | 1985-09-06 | 岩崎電気株式会社 | high pressure metal vapor discharge lamp |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP1984191194U patent/JPH0429483Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58140963A (en) * | 1981-09-04 | 1983-08-20 | ソ−ン・イ−エムアイ・ピ−エルシ− | High voltage discharge lamp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61104962U (en) | 1986-07-03 |
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