JPH04289476A - 高電圧検出回路 - Google Patents

高電圧検出回路

Info

Publication number
JPH04289476A
JPH04289476A JP3052315A JP5231591A JPH04289476A JP H04289476 A JPH04289476 A JP H04289476A JP 3052315 A JP3052315 A JP 3052315A JP 5231591 A JP5231591 A JP 5231591A JP H04289476 A JPH04289476 A JP H04289476A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage detection
special mode
detection means
power supply
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3052315A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Tsujimura
善徳 辻村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu VLSI Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu VLSI Ltd
Priority to JP3052315A priority Critical patent/JPH04289476A/ja
Publication of JPH04289476A publication Critical patent/JPH04289476A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高電圧検出装置に関し
、特に、半導体集積回路における高電圧検出装置に関す
る。近年、半導体集積回路等において、通常の電源電圧
よりも高い特別モード用電圧を与えることにより、例え
ば、試験モードを立ち上げて所定の試験を行うものが提
供されている。そして、例えば、トランジスタの閾値電
圧の変動に対しても正確に特別モード用電圧を検出する
ことのできる高電圧検出回路が要望されている。
【0002】
【従来の技術】図4は従来の高電圧検出回路の一例を示
す回路図である。同図に示されるように、従来の高電圧
検出回路は、複数のNチャンネル型エンハンスメントM
ISトランジスタT411〜T41p, Nチャンネル
型デプレッションMISトランジスタT43,および,
 インバータIVを備えている。
【0003】すなわち、入力INには初段のトランジス
タT411のドレインおよびゲートが共通接続され、ト
ランジスタT411のソースには次段のトランジスタT
412のドレインおよびゲートが共通接続され、同様に
して、p段目のトランジスタT41pまで直列に接続さ
れている。トランジスタT41pのソースは、トランジ
スタT43 のドレインおよびインバータIVの入力に
共通接続(ノードN4)されている。また、トランジス
タT43 のゲートおよびソースは低電位電源Vssに
接続されている。
【0004】この図4に示す高電圧検出回路において、
各Nチャンネル型エンハンスメントMISトランジスタ
T411〜T41pは、そのゲート(ドレイン)電圧が
ソース電圧よりも該トランジスタの閾値電圧Vth 以
上高い場合にオンとなるため、入力INに印加された電
圧が所定レベル以上の場合にのみ、すなわち、通常の高
電位電源電圧Vccより高い特別モード用電圧VHHが
印加された場合にのみ、ノードN4(インバータIVの
入力) が高レベルとなり、該インバータIVの出力が
低レベルとなるようになっている。ここで、Nチャンネ
ル型デプレッションMISトランジスタT43は、定電
流源として機能するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、図4
に示す従来の高電圧検出回路は、複数段のトランジスタ
T411〜T41pの各閾値電圧Vth によって、入
力INに対して通常の高電位電源電圧Vccより高い特
別モード用電圧VHHが印加されたかどうかを識別する
ようになっている。 すなわち、入力INに対して特別モード用電圧VHHが
印加された場合にノードN4 が高レベル“H”となる
かどうかは、トランジスタT411〜T41pの閾値電
圧Vth によって決定されるようになっている。
【0006】従って、例えば、トランジスタT411〜
T41mの閾値電圧Vth が低い値にずれると設定値
より低い値の特別モード電圧VHHにより、ノードN4
 が高レベル“H”となってしまい、場合によっては、
入力INの電圧が通常の電源電圧Vccよりも低い値、
すなわち、通常の使用条件で試験モード等の特別モード
に入ってしまう危険性があった。
【0007】本発明は、上述した従来の高電圧検出回路
が有する課題に鑑み、トランジスタの閾値電圧の変動に
対しても正確に特別モード用電圧を検出することのでき
る高電圧検出回路の提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】図1は本発明に係る高電
圧検出回路の原理を示すブロック図である。本発明によ
れば、半導体集積回路において特別モードを起動するた
めに通常の高電位電源電圧Vccよりも高い特別モード
用電圧VHHを検出する高電圧検出回路であって、第1
の入力inに印加される前記通常の高電位電源電圧Vc
cを検出する通常電源電圧検出手段1と、第2の入力I
Nに印加される前記特別モード用電圧VHHを検出する
特別モード電圧検出手段2と、前記通常電源電圧検出手
段1および前記特別モード電圧検出手段2の出力を比較
する検出電圧比較手段3とを具備することを特徴とする
高電圧検出回路が提供される。
【0009】
【作用】本発明の高電圧検出装置によれば、通常電源電
圧検出手段1により第1の入力inに印加される通常の
高電位電源電圧Vccが検出され、また、特別モード電
圧検出手段2により第2の入力INに印加される特別モ
ード用電圧VHHが検出される。そして、通常電源電圧
検出手段1の出力および特別モード電圧検出手段2の出
力は、検出電圧比較手段3に供給されて比較され、この
検出電圧比較手段3の出力により最終的な特別モード用
電圧VHHの検出が行われることになる。
【0010】これによって、トランジスタの閾値電圧が
変動したとしても、入力INに印加される電圧が必ず高
電位電源電圧Vccよりも所定レベル以上高い時のみ特
別モード用電圧として識別することができるようになる
【0011】
【実施例】以下、図面を参照して本発明に係る高電圧検
出装置の実施例を説明する。図2は本発明の高電圧検出
回路の一実施例を示す回路図である。前述した図1およ
び図2に示されるように、本実施例の高電圧検出回路は
、通常電源電圧検出手段1, 特別モード電圧検出手段
2, および, 差動増幅回路で構成された検出電圧比
較手段3を具備している。
【0012】通常電源電圧検出手段1は、Nチャンネル
型エンハンスメントMISトランジスタT11,T12
,および, Nチャンネル型デプレッションMISトラ
ンジスタT13 を備えている。すなわち、通常電源電
圧検出手段1の入力inにはトランジスタT11のゲー
トおよびドレインが接続され、該トランジスタT11 
のソースにはトランジスタT12 のドレインが接続さ
れている。トランジスタT12 のゲートには通常の高
電位電源電圧Vccが印加され、トランジスタT12 
のソース(ノードN1)にはトランジスタT13 のド
レインが接続され、そして、トランジスタT13 のゲ
ートおよびソースは低電位電源Vssに接続されている
。ここで、差動増幅回路3へ供給される通常電源電圧検
出手段1の出力(V1)は、ノードN1 から得られる
ようになっている。
【0013】特別モード電圧検出手段2は、Nチャンネ
ル型エンハンスメントMISトランジスタT21,T2
2,および, Nチャンネル型デプレッションMISト
ランジスタT23 を備えている。すなわち、特別モー
ド電圧検出手段2の入力INにはトランジスタT21 
のゲートおよびドレインが接続され、該トランジスタT
21 のソースにはトランジスタT22 のドレインが
接続されている。トランジスタT22 のゲートには通
常の高電位電源電圧Vccが印加され、トランジスタT
22 のソース(ノードN2)にはトランジスタT23
 のドレインが接続され、そして、トランジスタT23
 のゲートおよびソースは低電位電源Vssに接続され
ている。ここで、差動増幅回路3へ供給される特別モー
ド電圧検出手段2の出力(V2)は、ノードN2 から
得られるようになっている。
【0014】この図2に示す高電圧検出回路において、
特別モード電圧検出手段2に設けられたNチャンネル型
エンハンスメントMISトランジスタT21 の閾値電
圧Vth2は、通常電源電圧検出手段1に設けられたN
チャンネル型エンハンスメントMISトランジスタT1
1 の閾値電圧Vth1よりも大きくなるように設定さ
れている。そして、特別モード電圧検出手段2の入力I
Nに印加される電圧 (特別モード用電圧VHH) が
通常電源電圧検出手段1の入力(in)に印加される電
圧 (通常の高電位電源電圧Vcc) よりも、トラン
ジスタT11 およびT21 における閾値電圧の差 
(Vth2−Vth1) 以上高い場合に、特別モード
電圧検出手段2の出力電圧V2が通常電源電圧検出手段
1の出力電圧V1よりも高く(V1<V2)なり、例え
ば、差動増幅回路3の出力が高レベル“H”となるよう
に構成されている。この高レベルの出力信号(OUT)
 により、例えば、試験モード用の回路が立ち上げられ
、所定の試験が実行されることになる。このように、本
実施例の高電圧検出回路は、Nチャンネル型MISトラ
ンジスタにより、誤動作のない高電圧検出回路を構成す
ることができる。
【0015】以上において、例えば、トランジスタの製
造時における閾値電圧の変動に対しては、トランジスタ
T11 およびT21 の閾値電圧Vth1およびVt
h2は、ほぼ同じようにばらつくと考えられるため、閾
値電圧の差 (Vth2−Vth1) は大きく変動す
ることがない。その結果、最悪の場合でも、特別モード
電圧検出手段2の出力電圧V2と通常電源電圧検出手段
1の出力電圧V1が反転するようなことはなく、差動増
幅回路3により出力電圧V1およびV2を差動増幅する
ことにより、正確に特別モード用電圧を検出することが
できる。さらに、本実施例の高電圧検出回路によれば、
例えば、通常の高電位電源電圧Vccが高くなった場合
、通常電源電圧検出手段1の入力inおよびトランジス
タT12 のゲートに印加されたVccが高くなるため
、トランジスタT12 のドレイン電圧である通常電源
電圧検出手段1の出力電圧V1は高くなるが、特別モー
ド電圧検出手段2においても、トランジスタT22 の
ゲートに印加されたVccも高くなるため、トランジス
タT22 のドレイン電圧である特別モード電圧検出手
段2の出力電圧V2も高くなる。その結果、出力電圧V
1とV2とが反転するようなことはなく、差動増幅回路
3により出力電圧V1およびV2を差動増幅することに
より、正確に特別モード用電圧の検出を行うことができ
る。
【0016】図3は本発明の高電圧検出回路の他の実施
例を示す回路図である。図3に示す高電圧検出回路は、
図2に示す高電圧検出回路において、通常電源電圧検出
手段1に設けたNチャンネル型エンハンスメントMIS
トランジスタT11 をn個のNチャンネル型エンハン
スメントMISトランジスタT111〜T11nで構成
し、また、特別モード電圧検出手段2に設けたNチャン
ネル型エンハンスメントMISトランジスタT21 を
m個のNチャンネル型エンハンスメントMISトランジ
スタT211〜T21mで構成するようにしたものであ
る。ここで、トランジスタT111〜T11nおよびT
211〜T21mは、全て同じトランジスタ(同じ閾値
電圧Vth を有するトランジスタ)として構成され、
各トランジスタの個数は、n<mとなるように決められ
ている。すなわち、特別モード電圧検出手段2に設けた
トランジスタの数(m個)を通常電源電圧検出手段1に
設けたトランジスタの数(n個)よりも多くすることに
よって、特別モード電圧検出手段2の入力INに印加さ
れる電圧 (特別モード用電圧VHH) が通常電源電
圧検出手段1の入力(in)に印加される電圧 (通常
の高電位電源電圧Vcc) よりも、(m−n)個のト
ランジスタの閾値電圧の和 (m−n)Vth以上高い
場合に、特別モード電圧検出手段2の出力電圧V2が通
常電源電圧検出手段1の出力電圧V1よりも高く(V1
<V2)なるようになっている。そして、差動増幅回路
3により出力電圧V1およびV2が差動増幅される。こ
の差動増幅回路3の出力は、例えば、インバータIVで
反転されて、図4で説明した従来の高電圧検出回路と同
じ低レベルの出力信号(OUT) が得られるようにな
っている。この低レベルの出力信号(OUT) により
、例えば、試験モード用の回路が立ち上げられ、所定の
試験が実行されることになる。
【0017】以上において、図3に示す高電圧検出回路
の実施例においても、例えば、トランジスタの製造時に
おける閾値電圧の変動に対しては、トランジスタT11
1〜T11nおよびT211〜T21mの閾値電圧がほ
ぼ同じようにばらつくと考えられるため、通常電源電圧
検出手段1のトランジスタT111〜T11nの数nと
特別モード電圧検出手段2のトランジスタT211〜T
21mの数mによる(m−n)個のトランジスタの閾値
電圧の和 (m−n)Vthは大きく変動することはな
い。さらに、本実施例の高電圧検出回路においても、例
えば、通常の高電位電源電圧Vccが高くなった場合で
も、出力電圧V1とV2とが反転するようなことがなく
、差動増幅回路3により出力電圧V1およびV2を差動
増幅することにより、正確に特別モード用電圧を検出す
ることができることになる。
【0018】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の高電圧
検出装置によれば、通常電源電圧検出手段で通常の高電
位電源電圧を検出し、特別モード電圧検出手段で特別モ
ード用電圧を検出し、通常電源電圧検出手段と特別モー
ド電圧検出手段の出力を検出電圧比較手段で比較して最
終的な特別モード用電圧の検出を行うことによって、ト
ランジスタの閾値電圧の変動に対しても正確に特別モー
ド用電圧を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る高電圧検出回路の原理を示すブロ
ック図である。
【図2】本発明の高電圧検出回路の一実施例を示す回路
図である。
【図3】本発明の高電圧検出回路の他の実施例を示す回
路図である。
【図4】従来の高電圧検出回路の一例を示す回路図であ
る。
【符号の説明】
1…通常電源電圧検出手段 2…特別モード電圧検出手段 3…検出電圧比較手段 in…通常電源電圧検出手段の入力 IN…特別モード電圧検出手段の入力

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体集積回路において特別モードを
    起動するために通常の高電位電源電圧(Vcc) より
    も高い特別モード用電圧(VHH)を検出する高電圧検
    出回路であって、第1の入力(in)に印加される前記
    通常の高電位電源電圧を検出する通常電源電圧検出手段
    (1) と、第2の入力(IN)に印加される前記特別
    モード用電圧を検出する特別モード電圧検出手段(2)
     と、前記通常電源電圧検出手段および前記特別モード
    電圧検出手段の出力を比較する検出電圧比較手段(3)
     とを具備することを特徴とする高電圧検出回路。
  2. 【請求項2】  前記通常電源電圧検出手段(1) は
    、前記第1の入力(in)にゲートおよびドレインが接
    続された第1のNチャンネル型エンハンスメントMIS
    トランジスタ(T11; T111〜T11n) と、
    前記第1のNチャンネル型エンハンスメントMISトラ
    ンジスタのソースにドレインが接続され, 前記通常の
    高電位電源電圧(Vcc)がゲートに印加された第2の
    Nチャンネル型エンハンスメントMISトランジスタ(
    T12) と、前記第2のNチャンネル型MISトラン
    ジスタのソースにドレインが接続され, 低電位電源(
    Vss) にゲートおよびソースが接続された第1のN
    チャンネル型デプレッションMISトランジスタ(T1
    3) とを具備し、前記特別モード電圧検出手段(2)
     は、前記第2の入力(IN)にゲートおよびドレイン
    が接続された第3のNチャンネル型エンハンスメントM
    ISトランジスタ(T21; T211〜T21m) 
    と、前記第3のNチャンネル型エンハンスメントMIS
    トランジスタのソースにドレインが接続され, 前記通
    常の高電位電源電圧(Vcc) がゲートに印加された
    第4のNチャンネル型エンハンスメントMISトランジ
    スタ(T22) と、前記第4のNチャンネル型MIS
    トランジスタのソースにドレインが接続され, 低電位
    電源(Vss) にゲートおよびソースが接続された第
    2のNチャンネル型デプレッションMISトランジスタ
    (T23) とを具備し、前記検出電圧比較手段(3)
     には、前記第2のNチャンネル型MISトランジスタ
    のソースの電位(V1), および, 前記第4のNチ
    ャンネル型MISトランジスタのソースの電位(V2)
    が供給されるようになっていることを特徴とする請求項
    1の高電圧検出回路。
  3. 【請求項3】  前記特別モード電圧検出手段(2) 
    に設けられた第3のNチャンネル型エンハンスメントM
    ISトランジスタ(T21) の閾値電圧(Vth2)
    は、前記通常電源電圧検出手段(1) に設けられた第
    1のNチャンネル型エンハンスメントMISトランジス
    タ(T11) の閾値電圧(Vth1)よりも大きくな
    るように設定されていることを特徴とする請求項2の高
    電圧検出回路。
  4. 【請求項4】  前記特別モード電圧検出手段(2) 
    に設けられた第3のNチャンネル型エンハンスメントM
    ISトランジスタ (T211〜T21m) の数は、
    前記通常電源電圧検出手段(1) に設けられた第1の
    Nチャンネル型エンハンスメントMISトランジスタ 
    (T111〜T11n) よりも多くなるように設定さ
    れていることを特徴とする請求項2の高電圧検出回路。
  5. 【請求項5】  前記検出電圧比較手段(3) は差動
    増幅回路を備え、前記通常電源電圧検出手段(1) と
    前記特別モード電圧検出手段(2) との出力を差動増
    幅するようになっていることを特徴とする請求項1の高
    電圧検出回路。
  6. 【請求項6】  前記特別モード用電圧により起動され
    る特別モードは、該半導体集積回路における試験モード
    となっていることを特徴とする請求項1の高電圧検出回
    路。
JP3052315A 1991-03-18 1991-03-18 高電圧検出回路 Withdrawn JPH04289476A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3052315A JPH04289476A (ja) 1991-03-18 1991-03-18 高電圧検出回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3052315A JPH04289476A (ja) 1991-03-18 1991-03-18 高電圧検出回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04289476A true JPH04289476A (ja) 1992-10-14

Family

ID=12911352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3052315A Withdrawn JPH04289476A (ja) 1991-03-18 1991-03-18 高電圧検出回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04289476A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6661218B2 (en) 2000-12-30 2003-12-09 Hynix Semiconductor Inc High voltage detector

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6661218B2 (en) 2000-12-30 2003-12-09 Hynix Semiconductor Inc High voltage detector

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4728900A (en) Balanced differential amplifier
US6480037B1 (en) Sense amplifier circuit of semiconductor memory device
US6366113B1 (en) Data receiver
US6346834B1 (en) Power on reset circuit
US8210744B2 (en) Apparatus for detecting temperature using transistors
US5120993A (en) Substrate bias voltage detection circuit
US6744284B2 (en) Receiver circuit of semiconductor integrated circuit
JPH052037A (ja) ゼロクロス検出回路
US7372307B1 (en) Efficient current monitoring for DC-DC converters
JP2812162B2 (ja) 電流比較器
US6327190B1 (en) Complementary differential input buffer for a semiconductor memory device
US6414521B1 (en) Sense amplifier systems and methods
JPH04289476A (ja) 高電圧検出回路
US4774692A (en) Sense circuit of a semiconductor memory device
US6975169B2 (en) Low-voltage differential amplifier
JPH0856142A (ja) 高速コンパレータ回路
US5812027A (en) Spike insensitive intermediate frequency amplifier
US6605933B2 (en) Power metal oxide semiconductor integrated circuit
US7180325B2 (en) Data input buffer in semiconductor device
KR100974210B1 (ko) 벌크 전압 디텍터
US11422582B2 (en) Low power reference voltage generating circuit
US5416369A (en) High-sensitivity high-resolution comparator
JP2000115259A (ja) Cmos回路用の入力補正回路
KR19990079808A (ko) 저전압 검출 회로
JP2000206157A (ja) 電圧検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19980514