JPH04289176A - 後のめっきに備えてポリマ―表面を調製する方法およびこの方法で作成される改良された金属めっきプラスチック物品 - Google Patents
後のめっきに備えてポリマ―表面を調製する方法およびこの方法で作成される改良された金属めっきプラスチック物品Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機ポリマ―表面に金
属をめっきするための改良方法、および金属をめっきし
た有機ポリマ―基材(基板)の質の改良に係る。
属をめっきするための改良方法、および金属をめっきし
た有機ポリマ―基材(基板)の質の改良に係る。
【0002】
【従来の技術】電気製品、電子レンジ、事務機器、その
他の電気/電子製品に使用されるエンクロ―ジャ(外枠
)の金属に取って代わって構造用プラスチックが使われ
るようになって以来ずっと製造業者は、一般に電磁干渉
(EMI)、特に高周波干渉(RFI)が原因で生じる
問題を克服しなければならなかった。米国の連邦通信委
員会(FCC)は、1983年以来電気製品に対して、
規定された一定のEMI/RFIレベルを越えることの
ないように要求している。このFCCの要件は、FCC
規則CRF47、第15部、サブセクションJに成文化
されている。このFCCの要件を満たすには、シ―ルド
を設けることにより電気/電子製品からのEMI/RF
I放出を減らす。より高速でより高周波数の最新式回路
の感度が増大すると共に、また電子デバイスが世界中に
拡まり続ける中で、EMIシ―ルドの問題はより難しく
なって来ている。このため、シ―ルド媒体による大きな
信号減衰が重要視されている。
他の電気/電子製品に使用されるエンクロ―ジャ(外枠
)の金属に取って代わって構造用プラスチックが使われ
るようになって以来ずっと製造業者は、一般に電磁干渉
(EMI)、特に高周波干渉(RFI)が原因で生じる
問題を克服しなければならなかった。米国の連邦通信委
員会(FCC)は、1983年以来電気製品に対して、
規定された一定のEMI/RFIレベルを越えることの
ないように要求している。このFCCの要件は、FCC
規則CRF47、第15部、サブセクションJに成文化
されている。このFCCの要件を満たすには、シ―ルド
を設けることにより電気/電子製品からのEMI/RF
I放出を減らす。より高速でより高周波数の最新式回路
の感度が増大すると共に、また電子デバイスが世界中に
拡まり続ける中で、EMIシ―ルドの問題はより難しく
なって来ている。このため、シ―ルド媒体による大きな
信号減衰が重要視されている。
【0003】また、EMIシ―ルドされたエンクロ―ジ
ャは、エンクロ―ジャ内に封入されたデリケ―トな電子
/電気回路および部品を、静電気または大気中の核爆発
により発生する人工の高強度EMI放出などのような外
部起源による障害から保護するためにも使われる。
ャは、エンクロ―ジャ内に封入されたデリケ―トな電子
/電気回路および部品を、静電気または大気中の核爆発
により発生する人工の高強度EMI放出などのような外
部起源による障害から保護するためにも使われる。
【0004】電磁波干渉(障害)および高周波干渉は電
子ノイズといわれることが多い。電子ノイズは、点灯や
静電気などのような発生源から、または無線信号、ラジ
オゲ―ム、コンピュ―タ―、計算機、キャッシュレジス
タ―、電気モ―タ―、自動車の点火装置、およびあらゆ
る種類の電気器具・製品、特に電子部品を搭載している
ものなどのような人工の発生源から自然に発生し得る。 電気部品を封入する充分にシ―ルドされたエンクロ―ジ
ャは、人工の電磁ノイズを抑制するための最も迅速・簡
単で最も有効・安価な方法であることが多い。
子ノイズといわれることが多い。電子ノイズは、点灯や
静電気などのような発生源から、または無線信号、ラジ
オゲ―ム、コンピュ―タ―、計算機、キャッシュレジス
タ―、電気モ―タ―、自動車の点火装置、およびあらゆ
る種類の電気器具・製品、特に電子部品を搭載している
ものなどのような人工の発生源から自然に発生し得る。 電気部品を封入する充分にシ―ルドされたエンクロ―ジ
ャは、人工の電磁ノイズを抑制するための最も迅速・簡
単で最も有効・安価な方法であることが多い。
【0005】電気部品のエンクロ―ジャとして、メタル
ケ―ス、金属箔クラッド、金網スクリ―ン、塗布コ―テ
ィング、磁性材料を有するもの、または各種の代替物質
を有するものが試みられて来ている。しかしながら、価
格面での利点と加工容易性とから、金属被覆されたコ―
ティングを有するプラスチックエンクロ―ジャが主に選
択されている。
ケ―ス、金属箔クラッド、金網スクリ―ン、塗布コ―テ
ィング、磁性材料を有するもの、または各種の代替物質
を有するものが試みられて来ている。しかしながら、価
格面での利点と加工容易性とから、金属被覆されたコ―
ティングを有するプラスチックエンクロ―ジャが主に選
択されている。
【0006】プリント回路板は、所望の電子回路を製造
するために電子部品を搭載しかつ相互に接続するための
主要な媒介手段となっている。通常のプリント回路板は
、充填材を含有していることもあるさまざまな合成材料
から作成される誘電性基材のシ―トである。このような
基板の片面または両面に導電通路として機能する薄い金
属箔のパタ―ンが設けられている。この通路または「ト
レ―ス」は通常、銅、パラジウム、ニッケルまたは金な
どのような導電性材料から形成されている。これらのト
レ―スは、全体として、基板上の部品間の電気的接続を
すべて規定し、そして基板上の適当な位置間を結んで配
置されている。
するために電子部品を搭載しかつ相互に接続するための
主要な媒介手段となっている。通常のプリント回路板は
、充填材を含有していることもあるさまざまな合成材料
から作成される誘電性基材のシ―トである。このような
基板の片面または両面に導電通路として機能する薄い金
属箔のパタ―ンが設けられている。この通路または「ト
レ―ス」は通常、銅、パラジウム、ニッケルまたは金な
どのような導電性材料から形成されている。これらのト
レ―スは、全体として、基板上の部品間の電気的接続を
すべて規定し、そして基板上の適当な位置間を結んで配
置されている。
【0007】ポリカ―ボネ―トのような熱可塑性材料は
、その強度、耐熱性、寸法安定性および成形容易性のた
めに、プリント回路板基材として特に適している。しか
しポリカ―ボネ―ト基材は、強固に密着した金属トレ―
スを設けるのが容易でない。すなわち、後に行なわれる
ことになるその回路板の製造過程または使用中にプリン
ト回路、すなわちめっきした金属導電通路が損傷を受け
たり基材から分離したりすることがあるのである。
、その強度、耐熱性、寸法安定性および成形容易性のた
めに、プリント回路板基材として特に適している。しか
しポリカ―ボネ―ト基材は、強固に密着した金属トレ―
スを設けるのが容易でない。すなわち、後に行なわれる
ことになるその回路板の製造過程または使用中にプリン
ト回路、すなわちめっきした金属導電通路が損傷を受け
たり基材から分離したりすることがあるのである。
【0008】現在、プラスチック製のエンクロ―ジャま
たは基材・基板上に金属被覆コ―ティングを設けるとい
う問題を解決するためにいくつかのアプロ―チが試みら
れている。ひとつは、シ―ルドされたエンクロ―ジャを
成形または形成する際の原料であるポリマ―組成物に導
電性物質を添加するものである。しかしこの方法は、ポ
リマ―組成物の物理的性質が許容できなくなる程度まで
劣化し始めるまでにその組成物中に配合することができ
る導電性添加剤の種類と量によって制限される。また、
ポリアリ―レンなどのような本来導電性のポリマ―から
部品を作成するという研究も行なわれているが、これら
の材料は本質的に不安定である。
たは基材・基板上に金属被覆コ―ティングを設けるとい
う問題を解決するためにいくつかのアプロ―チが試みら
れている。ひとつは、シ―ルドされたエンクロ―ジャを
成形または形成する際の原料であるポリマ―組成物に導
電性物質を添加するものである。しかしこの方法は、ポ
リマ―組成物の物理的性質が許容できなくなる程度まで
劣化し始めるまでにその組成物中に配合することができ
る導電性添加剤の種類と量によって制限される。また、
ポリアリ―レンなどのような本来導電性のポリマ―から
部品を作成するという研究も行なわれているが、これら
の材料は本質的に不安定である。
【0009】第二のアプロ―チでは金属が充填された塗
料を使用する。銀の価格が上昇するまでは銀が普遍的に
使われていた。塗料産業界では、カ―ボンブラック、銅
およびニッケルを始めとしてあらゆる種類の代替品を検
討している。最も有望な塗料はニッケルまたは銅を充填
したもののようである。しかし、塗装されたEMIシ―
ルドにはたくさんの問題が付随している。たとえば、下
にある基材を塗料が化学的に侵蝕すること、廃棄塗料の
環境上安全な処分が困難であること、塗料を塗布した表
面が剥がれ落ちたり、引掻き傷が付いたり、毛羽立った
りすること、塗料を塗布した表面の厚みの制御が困難で
あること、ならびに塗装作業のコストが高いことなどで
ある。
料を使用する。銀の価格が上昇するまでは銀が普遍的に
使われていた。塗料産業界では、カ―ボンブラック、銅
およびニッケルを始めとしてあらゆる種類の代替品を検
討している。最も有望な塗料はニッケルまたは銅を充填
したもののようである。しかし、塗装されたEMIシ―
ルドにはたくさんの問題が付随している。たとえば、下
にある基材を塗料が化学的に侵蝕すること、廃棄塗料の
環境上安全な処分が困難であること、塗料を塗布した表
面が剥がれ落ちたり、引掻き傷が付いたり、毛羽立った
りすること、塗料を塗布した表面の厚みの制御が困難で
あること、ならびに塗装作業のコストが高いことなどで
ある。
【0010】有効なEMIシ―ルドを適度なコストで製
造するためにいくつかの方法が試みられている。最も有
効で有望な方法のひとつはEMIシ―ルドするエンクロ
―ジャの表面の無電解めっきである。無電解めっきまた
は自触媒めっきは、付着した金属または合金により触媒
される制御された化学的還元によって金属または合金の
コ―ティングを適切な基板上に付着させることと定義さ
れる。「薄膜プロセス(Thin Film Proc
esses)」、1978年、ボッセン(Vossen
, J.)およびケルン(Kern, K.)著、第2
13頁、第5〜7行を参照されたい。この無電解めっき
溶液の大きな利点は、適切に製造された不導体上に導電
性金属の膜または層を設けられることと、めっき可能な
いかなる物体にも均一なコ―ティングを設けられること
である。無電解めっきでは成形製造された部品表面上に
純金属の膜を設けることが可能である。金属を無電解め
っきした基板表面には、その後同じ金属または別の金属
もしくは合金を所望の厚みまで容易に電気めっきするこ
とができる。ポリカ―ボネ―トのような熱可塑性材料は
、衝撃強さ、耐熱性、寸法安定性および成形容易性が高
いので、EMIシ―ルドされたエンクロ―ジャまたはハ
ウジングを作成するのに特に適している。しかし、ポリ
カ―ボネ―ト基材の場合、強固に密着する導電性金属層
を無電解めっきまたは被覆することが容易にはできない
。
造するためにいくつかの方法が試みられている。最も有
効で有望な方法のひとつはEMIシ―ルドするエンクロ
―ジャの表面の無電解めっきである。無電解めっきまた
は自触媒めっきは、付着した金属または合金により触媒
される制御された化学的還元によって金属または合金の
コ―ティングを適切な基板上に付着させることと定義さ
れる。「薄膜プロセス(Thin Film Proc
esses)」、1978年、ボッセン(Vossen
, J.)およびケルン(Kern, K.)著、第2
13頁、第5〜7行を参照されたい。この無電解めっき
溶液の大きな利点は、適切に製造された不導体上に導電
性金属の膜または層を設けられることと、めっき可能な
いかなる物体にも均一なコ―ティングを設けられること
である。無電解めっきでは成形製造された部品表面上に
純金属の膜を設けることが可能である。金属を無電解め
っきした基板表面には、その後同じ金属または別の金属
もしくは合金を所望の厚みまで容易に電気めっきするこ
とができる。ポリカ―ボネ―トのような熱可塑性材料は
、衝撃強さ、耐熱性、寸法安定性および成形容易性が高
いので、EMIシ―ルドされたエンクロ―ジャまたはハ
ウジングを作成するのに特に適している。しかし、ポリ
カ―ボネ―ト基材の場合、強固に密着する導電性金属層
を無電解めっきまたは被覆することが容易にはできない
。
【0011】ポリカ―ボネ―ト基材に対する導電性金属
層の密着性を増大するためにいくつかの試みがなされて
いる。一般に密着力は、金属が接着している基材から一
定の条件下でその密着金属層を剥離するのに必要とされ
る力、すなわち「剥離強さ」として測定される。この一
定の条件はANSI/ASTM D 3359−7
6、テ―プによる密着力測定法(Measuring
Adhesion by Tape Test)と題す
る米国国家規格試験(The American Na
tional Standard Test)に規定さ
れている。
層の密着性を増大するためにいくつかの試みがなされて
いる。一般に密着力は、金属が接着している基材から一
定の条件下でその密着金属層を剥離するのに必要とされ
る力、すなわち「剥離強さ」として測定される。この一
定の条件はANSI/ASTM D 3359−7
6、テ―プによる密着力測定法(Measuring
Adhesion by Tape Test)と題す
る米国国家規格試験(The American Na
tional Standard Test)に規定さ
れている。
【0012】従来の密着性改良法のひとつは、表面をグ
リットブラストして、後に設けられる金属層を固定する
ことができる粗面を形成するものである。別の方法では
、金属層を設ける前に、表面を膨潤させるために化学膨
潤剤または浸透剤を使用する必要がある。
リットブラストして、後に設けられる金属層を固定する
ことができる粗面を形成するものである。別の方法では
、金属層を設ける前に、表面を膨潤させるために化学膨
潤剤または浸透剤を使用する必要がある。
【0013】このような方法により確かに密着性が増大
するが、いくつかの理由から完全に満足できるものでは
ない。すなわち、このような技術では表面に位置するポ
リマ―分子の構造劣化が生じ、その結果下層のポリマ―
基材の衝撃強さと共に引張強さも低下する。この構造劣
化は、特にポリマ―が充填材を含有しているような場合
、基板材料全体がさらされる膨潤およびクラッキング工
程で生じる。また、このような表面調製では、シ―ルド
しようとするエンクロ―ジャの鋭角の隅または端のよう
に高い応力がかかる領域でクラックが形成され伝搬され
る。このようなクラックが存在すると当然、シ―ルド効
果の悪いエンクロ―ジャが生成する。その結果現状では
、EMI/RFIシ―ルドされるプラスチック製エンク
ロ―ジャの表面を金属の無電解めっき用に調製する実行
可能で費用的に有効な方法が存在しないのである。
するが、いくつかの理由から完全に満足できるものでは
ない。すなわち、このような技術では表面に位置するポ
リマ―分子の構造劣化が生じ、その結果下層のポリマ―
基材の衝撃強さと共に引張強さも低下する。この構造劣
化は、特にポリマ―が充填材を含有しているような場合
、基板材料全体がさらされる膨潤およびクラッキング工
程で生じる。また、このような表面調製では、シ―ルド
しようとするエンクロ―ジャの鋭角の隅または端のよう
に高い応力がかかる領域でクラックが形成され伝搬され
る。このようなクラックが存在すると当然、シ―ルド効
果の悪いエンクロ―ジャが生成する。その結果現状では
、EMI/RFIシ―ルドされるプラスチック製エンク
ロ―ジャの表面を金属の無電解めっき用に調製する実行
可能で費用的に有効な方法が存在しないのである。
【0014】
【発明の目的】したがって、本発明の主たる目的は、芳
香族ポリマ―基材の表面を化学的に改質することによっ
て、その表面に密着性の高い金属層を設ける方法を提供
することである。
香族ポリマ―基材の表面を化学的に改質することによっ
て、その表面に密着性の高い金属層を設ける方法を提供
することである。
【0015】本発明のもうひとつ別の目的は、EMIシ
―ルドされたエンクロ―ジャの形態にあり、内部に封入
された電気/電子部品が発生するノイズがこのシ―ルド
されたエンクロ―ジャによって所望のレベルまで低下し
ている、金属めっきした芳香族ポリマ―基材を提供する
ことである。
―ルドされたエンクロ―ジャの形態にあり、内部に封入
された電気/電子部品が発生するノイズがこのシ―ルド
されたエンクロ―ジャによって所望のレベルまで低下し
ている、金属めっきした芳香族ポリマ―基材を提供する
ことである。
【0016】本発明のさらに別の目的は、基材表面に沿
って位置するポリマ―鎖上にニトロフェノ―ルポリマ―
鎖末端をもっており、それによりその表面が無電解金属
付着に必要な親水特性を得ているポリカ―ボネ―ト基材
を提供することである。
って位置するポリマ―鎖上にニトロフェノ―ルポリマ―
鎖末端をもっており、それによりその表面が無電解金属
付着に必要な親水特性を得ているポリカ―ボネ―ト基材
を提供することである。
【0017】さらに、本発明の別の目的は、芳香族ポリ
マ―基材の改質された表面上に無電解めっきされた導電
金属トレ―スパタ―ンを有しており、このパタ―ンが基
材表面に対して改良された密着性を有する、プリント回
路板を提供することである。
マ―基材の改質された表面上に無電解めっきされた導電
金属トレ―スパタ―ンを有しており、このパタ―ンが基
材表面に対して改良された密着性を有する、プリント回
路板を提供することである。
【0018】
【発明の概要】本発明は、芳香族ポリマ―表面に位置す
るポリマ―分子をニトロ化溶液によりニトロ化した後こ
のニトロ化されたポリマ―分子をアンモノリシス溶液に
よりアンモノリシス開裂することからなる、芳香族ポリ
マ―表面を改質してこの表面に対する金属層の密着性を
改良する方法、およびそれによって製造された物品に関
する。ポリカ―ボネ―トなどのような芳香族ポリマ―の
表面を、硝酸と硫酸からなるニトロ化溶液に接触させる
ことによってニトロ化する。次に、このニトロ化された
表面を、水酸化アンモニウムなどのようなアンモノリシ
ス溶液に接触させる。こうして表面が化学的に改質され
、表面の金属被覆に先立って望ましい状態である親水性
になる。
るポリマ―分子をニトロ化溶液によりニトロ化した後こ
のニトロ化されたポリマ―分子をアンモノリシス溶液に
よりアンモノリシス開裂することからなる、芳香族ポリ
マ―表面を改質してこの表面に対する金属層の密着性を
改良する方法、およびそれによって製造された物品に関
する。ポリカ―ボネ―トなどのような芳香族ポリマ―の
表面を、硝酸と硫酸からなるニトロ化溶液に接触させる
ことによってニトロ化する。次に、このニトロ化された
表面を、水酸化アンモニウムなどのようなアンモノリシ
ス溶液に接触させる。こうして表面が化学的に改質され
、表面の金属被覆に先立って望ましい状態である親水性
になる。
【0019】また本発明は、上記方法によって化学的に
改質された表面上に金属層を設ける方法も開示する。化
学的に改質された表面上に一次金属層を無電解めっきす
る。次に、この一次金属層の上に所望の厚みの金属層が
得られるまで二次金属層を無電解めっきまたは電解めっ
きする。銅の一次金属層の次にニッケルの二次金属層を
設けるのが好ましい。
改質された表面上に金属層を設ける方法も開示する。化
学的に改質された表面上に一次金属層を無電解めっきす
る。次に、この一次金属層の上に所望の厚みの金属層が
得られるまで二次金属層を無電解めっきまたは電解めっ
きする。銅の一次金属層の次にニッケルの二次金属層を
設けるのが好ましい。
【0020】さらに本発明は、EMIシ―ルドまたは導
電性金属トレ―スパタ―ンとして金属層を有するEMI
シ―ルドされたエンクロ―ジャまたはプリント回路板の
ような物品も開示する。
電性金属トレ―スパタ―ンとして金属層を有するEMI
シ―ルドされたエンクロ―ジャまたはプリント回路板の
ような物品も開示する。
【0021】
本発明は、芳香族ポリマ―基材の表面化学を化学的に変
えてその表面にめっきされる金属層の密着性を改良する
ことによる、芳香族ポリマ―基材表面の前処理に関する
。一般に金属層とその下の基材表面との間の密着接合は
、その金属層と表面との間の界面の分子接触によって行
なわれる。この界面分子の接触はポリマ―表面の濡れ性
に直接比例する。ポリマ―表面の濡れ性は、表面上の液
滴の接触角によって決定される。濡れ性のある(親水性
の)表面は、接触角が大きい(鈍角)濡れ性のない(疎
水性の)表面より接触角が小さい(鋭角)。
えてその表面にめっきされる金属層の密着性を改良する
ことによる、芳香族ポリマ―基材表面の前処理に関する
。一般に金属層とその下の基材表面との間の密着接合は
、その金属層と表面との間の界面の分子接触によって行
なわれる。この界面分子の接触はポリマ―表面の濡れ性
に直接比例する。ポリマ―表面の濡れ性は、表面上の液
滴の接触角によって決定される。濡れ性のある(親水性
の)表面は、接触角が大きい(鈍角)濡れ性のない(疎
水性の)表面より接触角が小さい(鋭角)。
【0022】本発明の方法はいくつかの工程を含む。最
初の2つの工程では、EMIシ―ルドされたエンクロ―
ジャなどのようなポリマ―基材の表面を金属被覆処理に
かける前にその表面を化学的に改質する。表面を化学的
に改質するには、その表面を以下に開示する溶液に順次
接触させる。三番目の工程では、化学的に改質された表
面を、無電解金属めっきが可能になるように触媒的に活
性化する。第四工程では、触媒的に活性化された表面に
、所望の厚みの金属層を無電解めっきする。この無電解
めっきされた表面には、さらにその後の工程において、
そのめっき金属と類似の金属または異なる金属の別の層
を電解めっきまたは無電解(自触媒)めっきすることが
できる。通常は、これらの工程の合間にすすぎ工程を挟
む。
初の2つの工程では、EMIシ―ルドされたエンクロ―
ジャなどのようなポリマ―基材の表面を金属被覆処理に
かける前にその表面を化学的に改質する。表面を化学的
に改質するには、その表面を以下に開示する溶液に順次
接触させる。三番目の工程では、化学的に改質された表
面を、無電解金属めっきが可能になるように触媒的に活
性化する。第四工程では、触媒的に活性化された表面に
、所望の厚みの金属層を無電解めっきする。この無電解
めっきされた表面には、さらにその後の工程において、
そのめっき金属と類似の金属または異なる金属の別の層
を電解めっきまたは無電解(自触媒)めっきすることが
できる。通常は、これらの工程の合間にすすぎ工程を挟
む。
【0023】本発明で開示するポリマ―基材は実質的に
芳香族である。本明細書中で使用する「実質的に芳香族
」とは、かなりの割合のマ―(すなわち、モノマ―から
誘導された繰返し単位)がベンゼン基やナフタレン基な
どのような芳香族残基を含有するポリマ―を意味してい
る。一般にマ―の総数の少なくとも約40%、好ましく
は少なくとも約90%、しばしば100%が芳香族残基
を含有する。基材を形成する芳香族ポリマ―は、ポリカ
―ボネ―ト、ポリイミド、ポリ(エチレンテレフタレ―
ト)、ポリ(フェニレンオキサイド)、フェノ―ルホル
ムアルデヒド、ポリスチレン、ポリスルホン、およびこ
れらのブレンドより成る群の中から選択することができ
る。本発明の方法で使用するのに好ましいポリマ―はポ
リカ―ボネ―トであり、ビスフェノ―ルAから誘導され
たものが最も好ましい。
芳香族である。本明細書中で使用する「実質的に芳香族
」とは、かなりの割合のマ―(すなわち、モノマ―から
誘導された繰返し単位)がベンゼン基やナフタレン基な
どのような芳香族残基を含有するポリマ―を意味してい
る。一般にマ―の総数の少なくとも約40%、好ましく
は少なくとも約90%、しばしば100%が芳香族残基
を含有する。基材を形成する芳香族ポリマ―は、ポリカ
―ボネ―ト、ポリイミド、ポリ(エチレンテレフタレ―
ト)、ポリ(フェニレンオキサイド)、フェノ―ルホル
ムアルデヒド、ポリスチレン、ポリスルホン、およびこ
れらのブレンドより成る群の中から選択することができ
る。本発明の方法で使用するのに好ましいポリマ―はポ
リカ―ボネ―トであり、ビスフェノ―ルAから誘導され
たものが最も好ましい。
【0024】ポリカ―ボネ―ト(PC)は、界面法によ
り、ビスフェノ―ルAなどのようなジヒドロキシ芳香族
化合物と塩化カルボニルを反応させることによって製造
できる。この反応は、水相と有機相を存在させて塩基性
条件下で実施できる。芳香族ポリカ―ボネ―トは、次式
を有する繰返し部分をもっている。
り、ビスフェノ―ルAなどのようなジヒドロキシ芳香族
化合物と塩化カルボニルを反応させることによって製造
できる。この反応は、水相と有機相を存在させて塩基性
条件下で実施できる。芳香族ポリカ―ボネ―トは、次式
を有する繰返し部分をもっている。
【0025】
【化1】
ここでA1 は芳香族残基である。A1 基の実例とし
ては、ビスフェノ―ルA、2,2′,6,6′‐テトラ
メチルビスフェノ―ルA、および1,1‐ジクロロ‐2
,2‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)エチレンから誘
導されたものがある。これらやその他の芳香族ジヒドロ
キシ化合物から調製された典型的なポリカ―ボネ―トは
、米国特許第3,135,008号、第3,157,6
22号、第3,169,121号、第3,269,98
6号、第3,334,154号、第3,635,895
号、第3,737,409号、第4,073,814号
、第4,130,548号、第4,195,157号、
第4,217,438号、第4,239,918号、お
よび第4,379,910号に例示されているように業
界でよく知られている。ここに挙げた特許は引用により
援用する。
ては、ビスフェノ―ルA、2,2′,6,6′‐テトラ
メチルビスフェノ―ルA、および1,1‐ジクロロ‐2
,2‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)エチレンから誘
導されたものがある。これらやその他の芳香族ジヒドロ
キシ化合物から調製された典型的なポリカ―ボネ―トは
、米国特許第3,135,008号、第3,157,6
22号、第3,169,121号、第3,269,98
6号、第3,334,154号、第3,635,895
号、第3,737,409号、第4,073,814号
、第4,130,548号、第4,195,157号、
第4,217,438号、第4,239,918号、お
よび第4,379,910号に例示されているように業
界でよく知られている。ここに挙げた特許は引用により
援用する。
【0026】ポリカ―ボネ―ト樹脂は、ゼネラル・エレ
クトリック社(General Electric C
ompany)によりレキサン(Lexan)(登録商
標)として、モベイ社(Mobay Corporat
ion)によりマ―クロロン(Markrolon)(
登録商標)ポリカ―ボネ―トとして、またダウ・ケミカ
ル社(Dow Chemical Company)に
よりカリバ―(Calibre)(登録商標)ポリカ―
ボネ―トとして商業生産されている。
クトリック社(General Electric C
ompany)によりレキサン(Lexan)(登録商
標)として、モベイ社(Mobay Corporat
ion)によりマ―クロロン(Markrolon)(
登録商標)ポリカ―ボネ―トとして、またダウ・ケミカ
ル社(Dow Chemical Company)に
よりカリバ―(Calibre)(登録商標)ポリカ―
ボネ―トとして商業生産されている。
【0027】適切な芳香族ポリマ―の部類に入る芳香族
ポリイミドは、ジアミン(たとえば、m‐フェニレンジ
アミン、4,4′‐ジアミノジフェニルメタンまたは4
,4′‐ジアミノジフェニルエ―テルなど)と二無水物
との反応によって製造できる。典型的な二無水物は、ピ
ロメリト酸無水物、ビス(3,4‐ジカルボキシフェニ
ル)スルホン二無水物、ビス(3,4‐ジカルボキシフ
ェニル)スルフィド二無水物および2,2‐ビス[4‐
(3,4‐ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパ
ン二無水物である。最後に挙げたビスフェノ―ルA二無
水物にはエ―テル基が存在するのでこれから誘導される
ポリイミドは通常「ポリエ―テルイミド」といわれる。 ポリイミドとポリエ―テルイミドも、米国特許第3,3
56,691号、第3,422,064号、第3,80
3,085号、第3,847,867号、第3,847
,869号、第3,850,965号、第3,933,
749号、第3,944,517号、第3,968,0
83号、第3,975,345号、第3,983,09
3号、第4,048,142号、第4,092,297
号、第4,107,147号、第4,118,535号
、第4,297,474号、、第4,331,799号
、および第4,332,929号(引用により援用する
)に例示されているように業界で公知である。
ポリイミドは、ジアミン(たとえば、m‐フェニレンジ
アミン、4,4′‐ジアミノジフェニルメタンまたは4
,4′‐ジアミノジフェニルエ―テルなど)と二無水物
との反応によって製造できる。典型的な二無水物は、ピ
ロメリト酸無水物、ビス(3,4‐ジカルボキシフェニ
ル)スルホン二無水物、ビス(3,4‐ジカルボキシフ
ェニル)スルフィド二無水物および2,2‐ビス[4‐
(3,4‐ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパ
ン二無水物である。最後に挙げたビスフェノ―ルA二無
水物にはエ―テル基が存在するのでこれから誘導される
ポリイミドは通常「ポリエ―テルイミド」といわれる。 ポリイミドとポリエ―テルイミドも、米国特許第3,3
56,691号、第3,422,064号、第3,80
3,085号、第3,847,867号、第3,847
,869号、第3,850,965号、第3,933,
749号、第3,944,517号、第3,968,0
83号、第3,975,345号、第3,983,09
3号、第4,048,142号、第4,092,297
号、第4,107,147号、第4,118,535号
、第4,297,474号、、第4,331,799号
、および第4,332,929号(引用により援用する
)に例示されているように業界で公知である。
【0028】ポリエ―テルイミド樹脂はゼネラル・エレ
クトリック社(General Electric C
ompany)によりウルテム(Ultem)(登録商
標)ポリエ―テルイミドとして商業生産されている。
クトリック社(General Electric C
ompany)によりウルテム(Ultem)(登録商
標)ポリエ―テルイミドとして商業生産されている。
【0029】ポリ(エチレンテレフタレ―ト)(PET
)は次のようにして製造できる。まずパラキシレンを酸
化してテレフタル酸を製造した後、これを精製する。 すなわち、メタノ―ルと反応させてテレフタル酸のジメ
チルエステル(DMT)とするか、あるいはさらに酸化
して精製テレフタル酸(PTA)を形成する。PET製
造用のもうひとつの基礎的な原料供給流はエタンであり
、これはエチレンオキサイドに変換された後、最後にエ
チレングリコ―ル(EG)に変換される。PETは(D
MT)または(PTA)と(EG)とを反応させること
によって生成する縮合ポリ―である。その反応には、連
続的溶融重合プロセスの後、固相重合プロセスを使用し
て高度に結晶性のペレット化生成物を得る。
)は次のようにして製造できる。まずパラキシレンを酸
化してテレフタル酸を製造した後、これを精製する。 すなわち、メタノ―ルと反応させてテレフタル酸のジメ
チルエステル(DMT)とするか、あるいはさらに酸化
して精製テレフタル酸(PTA)を形成する。PET製
造用のもうひとつの基礎的な原料供給流はエタンであり
、これはエチレンオキサイドに変換された後、最後にエ
チレングリコ―ル(EG)に変換される。PETは(D
MT)または(PTA)と(EG)とを反応させること
によって生成する縮合ポリ―である。その反応には、連
続的溶融重合プロセスの後、固相重合プロセスを使用し
て高度に結晶性のペレット化生成物を得る。
【0030】ポリ(エチレンテレフタレ―ト)樹脂はイ
―ストマン・コダック社(Eastman Kodak
Company) により商業生産されている。
―ストマン・コダック社(Eastman Kodak
Company) により商業生産されている。
【0031】ポリフェニレンエ―テルともいわれるポリ
(フェニレンオキサイド)ポリマ―は公知の方法で製造
される。典型例は、2,6‐ジメチル‐フェノ―ルを2
,6‐ジメチル‐1,4‐フェニレンエ―テルと特徴付
けられるポリマ―にする酸化カップリング重合である。
(フェニレンオキサイド)ポリマ―は公知の方法で製造
される。典型例は、2,6‐ジメチル‐フェノ―ルを2
,6‐ジメチル‐1,4‐フェニレンエ―テルと特徴付
けられるポリマ―にする酸化カップリング重合である。
【0032】ポリ(フェニレンオキサイド)樹脂はゼネ
ラル・エレクトリック社(General Elect
ric Company)によりPPO(登録商標)と
して商業生産されている。
ラル・エレクトリック社(General Elect
ric Company)によりPPO(登録商標)と
して商業生産されている。
【0033】本発明で開示されるポリマ―基材はまた、
種々の目的に使用する各種添加剤を含んでいてもよい。 本発明の芳香族ポリマ―に配合される添加剤は、難燃剤
、重合連鎖開始剤、重合禁止剤、ポリマ―鎖安定剤、可
塑剤、着色用顔料、紫外線吸収剤、マイクロ波吸収剤、
帯電防止剤、耐衝撃性改良剤、ガラス繊維、ガラスビ―
ズ、炭素繊維、内部離型剤、酸化防止剤、充填材、化学
発泡剤、シリカ、雲母、およびこれらの混合物より成る
群の中から選択される。
種々の目的に使用する各種添加剤を含んでいてもよい。 本発明の芳香族ポリマ―に配合される添加剤は、難燃剤
、重合連鎖開始剤、重合禁止剤、ポリマ―鎖安定剤、可
塑剤、着色用顔料、紫外線吸収剤、マイクロ波吸収剤、
帯電防止剤、耐衝撃性改良剤、ガラス繊維、ガラスビ―
ズ、炭素繊維、内部離型剤、酸化防止剤、充填材、化学
発泡剤、シリカ、雲母、およびこれらの混合物より成る
群の中から選択される。
【0034】本発明の最初の工程では、エンクロ―ジャ
(好ましくはポリカ―ボネ―ト製)の表面を、露出され
た表面をニトロ化するのに有効な濃度のニトロ化溶液に
、有効な温度で有効な時間接触させる。本明細書中の「
有効な時間、温度、濃度」とは、所望レベルの表面の化
学的改質を得るに充分な程度のニトロ化を達成するのに
必要とされる時間、温度、濃度にそれぞれ対応する。 ニトロニウムイオン(NO2 + )が存在すると、表
面またはその付近の芳香環が親電子的攻撃を受ける結果
、この芳香環がニトロ基によって置換される。カ―ボネ
―ト官能基の活性化能のため主としてオルト置換が起こ
る。 ニトロニウムイオンは反応性が高いので、ニトロ化の速
度は速く、表面に沿って並んでいるポリマ―鎖セグメン
トの芳香環のかなりの部分がニトロ化される。しかし、
表面からいくらか深くなるとニトロ化は起こらない。そ
の結果、ひとつのポリマ―が、露出表面より上の位置に
あってニトロ化されている鎖セグメントと、露出表面よ
り下の位置にあってニトロ化されてないいくつかの鎖セ
グメントとを含有し得る。このニトロ化工程の概略を構
造的観点から図示すると次のようになる。
(好ましくはポリカ―ボネ―ト製)の表面を、露出され
た表面をニトロ化するのに有効な濃度のニトロ化溶液に
、有効な温度で有効な時間接触させる。本明細書中の「
有効な時間、温度、濃度」とは、所望レベルの表面の化
学的改質を得るに充分な程度のニトロ化を達成するのに
必要とされる時間、温度、濃度にそれぞれ対応する。 ニトロニウムイオン(NO2 + )が存在すると、表
面またはその付近の芳香環が親電子的攻撃を受ける結果
、この芳香環がニトロ基によって置換される。カ―ボネ
―ト官能基の活性化能のため主としてオルト置換が起こ
る。 ニトロニウムイオンは反応性が高いので、ニトロ化の速
度は速く、表面に沿って並んでいるポリマ―鎖セグメン
トの芳香環のかなりの部分がニトロ化される。しかし、
表面からいくらか深くなるとニトロ化は起こらない。そ
の結果、ひとつのポリマ―が、露出表面より上の位置に
あってニトロ化されている鎖セグメントと、露出表面よ
り下の位置にあってニトロ化されてないいくつかの鎖セ
グメントとを含有し得る。このニトロ化工程の概略を構
造的観点から図示すると次のようになる。
【0035】
【化2】
ニトロ化溶液としては、硝酸、硝酸アセチル、五酸化二
窒素、硝酸金属塩、テトラフルオロホウ酸ニトロニウム
より成る群の中から選択されたニロト化試薬(ニトロ化
剤)と、硫酸、無水酢酸、無水トリフルオロ酢酸より成
る群の中から選択された脱水試薬(脱水剤)との混合物
がある。好ましい態様のニトロ化溶液は、少なくとも約
60〜約70重量%、好ましくは約60重量%の濃度で
水に溶解した硝酸1部と、少なくとも約90〜約95重
量%、好ましくは約90重量%の濃度で水に溶解した硫
酸2部との混合物からなる。
窒素、硝酸金属塩、テトラフルオロホウ酸ニトロニウム
より成る群の中から選択されたニロト化試薬(ニトロ化
剤)と、硫酸、無水酢酸、無水トリフルオロ酢酸より成
る群の中から選択された脱水試薬(脱水剤)との混合物
がある。好ましい態様のニトロ化溶液は、少なくとも約
60〜約70重量%、好ましくは約60重量%の濃度で
水に溶解した硝酸1部と、少なくとも約90〜約95重
量%、好ましくは約90重量%の濃度で水に溶解した硫
酸2部との混合物からなる。
【0036】エンクロ―ジャの表面をニトロ化する前に
、超音波によって、または水のような溶剤もしくはたと
えばインタ―ナショナル・プロダクツ社(Intern
ational Products Corp.)によ
り製造されているマイクロ(Micro)(登録商標)
のような洗剤によって、またはフレオン(Freon)
(登録商標)の1種である1,1,2‐トリクロロ‐1
,1,2‐トリフルオロエタンと似た溶剤特性をもって
いるが環境に対して安全な溶剤によって、表面を清浄に
する必要があることがある。この清浄化工程で、グリ―
ス、油およびほこり粒子などの粒状物を表面から除去す
る。ニトロ化溶液を表面に接触させる有効時間は約0.
5〜約20分であり、約2〜約5分が好ましい。表面を
ニトロ化溶液に接触させるには、エンクロ―ジャをニト
ロ化溶液を含有する浴中に漬けるか、または、装飾的観
点からEMIエンクロ―ジャの内側もしくは隠れた表面
もしくは壁にのみEMIシ―ルドコ―トを設けたい場合
にはニトロ化溶液をエンクロ―ジャの所望の表面に噴霧
または塗装すればよい。噴霧法または塗装法は業界でよ
く知られている。ニトロ化用浴または噴霧するニトロ化
溶液の温度は約10〜約80℃に保つのが好ましい。ニ
トロ化溶液の濃度と温度を調整することによって個々の
処理条件に合わせて接触時間を最適化することは当業者
にとっては容易であろう。ニトロ化用浴はニトロ化工程
の間撹拌して化学反応の効率を高めるのが好ましい。次
に、こうしてニトロ化された表面を水ですすいで表面に
付いているニトロ化溶液をすべて除去する。このニトロ
化後の表面はまだ疎水性である。
、超音波によって、または水のような溶剤もしくはたと
えばインタ―ナショナル・プロダクツ社(Intern
ational Products Corp.)によ
り製造されているマイクロ(Micro)(登録商標)
のような洗剤によって、またはフレオン(Freon)
(登録商標)の1種である1,1,2‐トリクロロ‐1
,1,2‐トリフルオロエタンと似た溶剤特性をもって
いるが環境に対して安全な溶剤によって、表面を清浄に
する必要があることがある。この清浄化工程で、グリ―
ス、油およびほこり粒子などの粒状物を表面から除去す
る。ニトロ化溶液を表面に接触させる有効時間は約0.
5〜約20分であり、約2〜約5分が好ましい。表面を
ニトロ化溶液に接触させるには、エンクロ―ジャをニト
ロ化溶液を含有する浴中に漬けるか、または、装飾的観
点からEMIエンクロ―ジャの内側もしくは隠れた表面
もしくは壁にのみEMIシ―ルドコ―トを設けたい場合
にはニトロ化溶液をエンクロ―ジャの所望の表面に噴霧
または塗装すればよい。噴霧法または塗装法は業界でよ
く知られている。ニトロ化用浴または噴霧するニトロ化
溶液の温度は約10〜約80℃に保つのが好ましい。ニ
トロ化溶液の濃度と温度を調整することによって個々の
処理条件に合わせて接触時間を最適化することは当業者
にとっては容易であろう。ニトロ化用浴はニトロ化工程
の間撹拌して化学反応の効率を高めるのが好ましい。次
に、こうしてニトロ化された表面を水ですすいで表面に
付いているニトロ化溶液をすべて除去する。このニトロ
化後の表面はまだ疎水性である。
【0037】本発明の二番目の工程は、表面に位置する
ニトロ化されたポリマ―分子を、このニトロ化されたポ
リマ―分子のアンモノリシス開裂に有効な濃度のアンモ
ノリシス溶液と有効な温度で有効な時間接触させること
である。本明細書中で使用する「有効な時間、温度、濃
度」とは、表面に所望程度の化学的改質ポリマ―分子を
生ずるのに充分なレベルのアンモノリシスを達成するの
に必要とされる時間、温度、濃度にそれぞれ対応する。 典型的な場合、アンモノリシス溶液は、水酸化アンモニ
ウムおよび水酸化テトラアルキルアンモニウムより成る
群の化合物と、水との混合物を包含する。好ましい態様
のアンモノリシス溶液は、約0.001〜約30重量%
、好ましくは約3〜約8重量%の濃度で水に溶解したア
ンモニアからなる。このアンモノリシス溶液は必要に応
じてアルカリ金属の水酸化物のようなpH調節剤を含有
していてもよい。
ニトロ化されたポリマ―分子を、このニトロ化されたポ
リマ―分子のアンモノリシス開裂に有効な濃度のアンモ
ノリシス溶液と有効な温度で有効な時間接触させること
である。本明細書中で使用する「有効な時間、温度、濃
度」とは、表面に所望程度の化学的改質ポリマ―分子を
生ずるのに充分なレベルのアンモノリシスを達成するの
に必要とされる時間、温度、濃度にそれぞれ対応する。 典型的な場合、アンモノリシス溶液は、水酸化アンモニ
ウムおよび水酸化テトラアルキルアンモニウムより成る
群の化合物と、水との混合物を包含する。好ましい態様
のアンモノリシス溶液は、約0.001〜約30重量%
、好ましくは約3〜約8重量%の濃度で水に溶解したア
ンモニアからなる。このアンモノリシス溶液は必要に応
じてアルカリ金属の水酸化物のようなpH調節剤を含有
していてもよい。
【0038】理論的にいうと(理論に依存することはな
いが)、置換されたニトロ基を有する芳香環に近接する
アリ―ルオキシカ―ボネ―ト炭素結合とアンモニア(N
H3 )が反応するとアンモノリシスが起こる。この結
合部位は開裂が生起する場所であると期待される。開裂
の際に生成する電荷をニトロ基が共鳴安定化することが
できるからである。最初は、アンモニアが反応してヒド
ロキシル(−OH)とウレタン(H2 NC(O)O−
)基を形成すると思われる。しかし、ウレタンは反応条
件の下で見掛上不安定であり、アンモニアとさらに反応
して尿素(H2 NC(O)NH2 )ともうひとつの
ヒドロキシル基を形成する。ニトロ基を含有するポリカ
―ボネ―トポリマ―鎖は断片化されてニトロビスフェノ
―ルAと尿素が生成する。ポリマ―基材の本体に繋って
いるニトロ化されてないポリマ―鎖セグメントは末端が
ニトロフェノ―ル残基とフェノ―ル残基で停止される。 このアンモノリシスの総合的な結果は次の式で概略的に
示される。
いが)、置換されたニトロ基を有する芳香環に近接する
アリ―ルオキシカ―ボネ―ト炭素結合とアンモニア(N
H3 )が反応するとアンモノリシスが起こる。この結
合部位は開裂が生起する場所であると期待される。開裂
の際に生成する電荷をニトロ基が共鳴安定化することが
できるからである。最初は、アンモニアが反応してヒド
ロキシル(−OH)とウレタン(H2 NC(O)O−
)基を形成すると思われる。しかし、ウレタンは反応条
件の下で見掛上不安定であり、アンモニアとさらに反応
して尿素(H2 NC(O)NH2 )ともうひとつの
ヒドロキシル基を形成する。ニトロ基を含有するポリカ
―ボネ―トポリマ―鎖は断片化されてニトロビスフェノ
―ルAと尿素が生成する。ポリマ―基材の本体に繋って
いるニトロ化されてないポリマ―鎖セグメントは末端が
ニトロフェノ―ル残基とフェノ―ル残基で停止される。 このアンモノリシスの総合的な結果は次の式で概略的に
示される。
【0039】
【化3】
ニトロ化された表面にアンモノリシス溶液を接触させる
有効時間は約1分〜約24時間であり、約2〜約6分が
好ましい。ニトロ化された表面をアンモノリシス溶液に
接触させるには、ヒドロキシル化溶液を含有する浴にエ
ンクロ―ジャを漬けるか、または装飾的観点からEMI
エンクロ―ジャの内側もしくは隠れた表面もしくは壁上
にEMIシ―ルドコ―トを設けたい場合にはエンクロ―
ジャの所望のニトロ化表面に溶液を噴霧もしくは塗装す
ればよい。噴霧法は業界でよく知られている。ヒドロキ
シル化用浴または噴霧するヒドロキシル化溶液の温度は
約5〜約65℃に保つのが好ましい。アンモノリシス溶
液の濃度と温度を調整することによって個々の処理条件
に合わせて接触時間を最適化することは当業者にとって
は容易であろう。アンモノリシス用浴はアンモノリシス
工程の間撹拌して化学反応の効率を高めるのが好ましい
。アンモノリシスの結果、ポリカ―ボネ―ト基材の表面
は濃い黄色に変わり、表面の溶解の徴候がいくらか見ら
れる。次に、こうしてアンモノリシスされた表面を水で
すすいで表面に付いているアンモノリシス溶液をすべて
除去する。すすいだ後の表面は親水性で、滑かな感触を
もち、薄い黄色である。このアンモノリシスされた表面
を薄い酸の水溶液に漬けるとほとんど無色になる。しか
し、ヒドロキシル化された表面を薄い塩基の水溶液に漬
けると黄色く見える。このpH依存性のシフトは速やか
に起こると共に可逆的であり、ポリカ―ボネ―ト表面に
沿って並んだニトロフェノ―ル官能基の存在を示してい
る。メルク・インデックス(Merck Index)
によるとo‐ニトロフェノ―ルという化合物はpH指示
薬として使用される(pH5.0では無色であり、pH
7.0では黄色に見える)。化学的に改質されたポリマ
―のX線光電子分光法および静的二次イオン質量分析法
によってニトロフェノ―ル残基の存在が確認される。本
発明は以上のメカニズムにとらわれることはないものと
理解されたい。このメカニズムは開示の範囲内で本発明
のより充分な理解の助けとなるものである。
有効時間は約1分〜約24時間であり、約2〜約6分が
好ましい。ニトロ化された表面をアンモノリシス溶液に
接触させるには、ヒドロキシル化溶液を含有する浴にエ
ンクロ―ジャを漬けるか、または装飾的観点からEMI
エンクロ―ジャの内側もしくは隠れた表面もしくは壁上
にEMIシ―ルドコ―トを設けたい場合にはエンクロ―
ジャの所望のニトロ化表面に溶液を噴霧もしくは塗装す
ればよい。噴霧法は業界でよく知られている。ヒドロキ
シル化用浴または噴霧するヒドロキシル化溶液の温度は
約5〜約65℃に保つのが好ましい。アンモノリシス溶
液の濃度と温度を調整することによって個々の処理条件
に合わせて接触時間を最適化することは当業者にとって
は容易であろう。アンモノリシス用浴はアンモノリシス
工程の間撹拌して化学反応の効率を高めるのが好ましい
。アンモノリシスの結果、ポリカ―ボネ―ト基材の表面
は濃い黄色に変わり、表面の溶解の徴候がいくらか見ら
れる。次に、こうしてアンモノリシスされた表面を水で
すすいで表面に付いているアンモノリシス溶液をすべて
除去する。すすいだ後の表面は親水性で、滑かな感触を
もち、薄い黄色である。このアンモノリシスされた表面
を薄い酸の水溶液に漬けるとほとんど無色になる。しか
し、ヒドロキシル化された表面を薄い塩基の水溶液に漬
けると黄色く見える。このpH依存性のシフトは速やか
に起こると共に可逆的であり、ポリカ―ボネ―ト表面に
沿って並んだニトロフェノ―ル官能基の存在を示してい
る。メルク・インデックス(Merck Index)
によるとo‐ニトロフェノ―ルという化合物はpH指示
薬として使用される(pH5.0では無色であり、pH
7.0では黄色に見える)。化学的に改質されたポリマ
―のX線光電子分光法および静的二次イオン質量分析法
によってニトロフェノ―ル残基の存在が確認される。本
発明は以上のメカニズムにとらわれることはないものと
理解されたい。このメカニズムは開示の範囲内で本発明
のより充分な理解の助けとなるものである。
【0040】粗めの表面が望まれる場合には、アンモノ
リシス溶液にアルカリ金属の水酸化物を加えることがで
きる。水酸化カリウムが好ましい。こうして粗面化され
た表面は、化学的接着に加えて多少の機械的接着が可能
になるので後に設けられる金属層の密着性がさらに良好
になると思われる。一般に、アルカリ金属の水酸化物は
約0.001〜約10M、好ましくは約0.5〜3.0
Mの範囲の量でアンモノリシス溶液に加えるべきである
。このアルカリ金属水酸化物を含有するアンモノリシス
溶液は、ニトロ化された表面と約5〜約20分接触させ
る。アルカリ金属水酸化物を含有するアンモノリシス溶
液の好ましい温度は約30〜約50℃である。
リシス溶液にアルカリ金属の水酸化物を加えることがで
きる。水酸化カリウムが好ましい。こうして粗面化され
た表面は、化学的接着に加えて多少の機械的接着が可能
になるので後に設けられる金属層の密着性がさらに良好
になると思われる。一般に、アルカリ金属の水酸化物は
約0.001〜約10M、好ましくは約0.5〜3.0
Mの範囲の量でアンモノリシス溶液に加えるべきである
。このアルカリ金属水酸化物を含有するアンモノリシス
溶液は、ニトロ化された表面と約5〜約20分接触させ
る。アルカリ金属水酸化物を含有するアンモノリシス溶
液の好ましい温度は約30〜約50℃である。
【0041】第三の工程では、化学的に改質された表面
を、業界で周知であり、たとえば米国特許第3,589
,916号、ならびにファウスト(Foust)らの米
国特許第4,873,136号および第4,842,9
46号、ならびにデュマ(Dumas)らの米国特許第
4,775,449号に記載されている方法によって触
媒的に活性化する。これらの特許はすべて引用により援
用する。 たとえば、基材表面を触媒として活性化するのに充分な
時間、貴金属の酸溶液(たとえば、塩化パラジウムの塩
酸溶液)に接触させることによって基材を触媒的に活性
化できる。この例の場合は露出している表面にパラジウ
ムが吸着する。
を、業界で周知であり、たとえば米国特許第3,589
,916号、ならびにファウスト(Foust)らの米
国特許第4,873,136号および第4,842,9
46号、ならびにデュマ(Dumas)らの米国特許第
4,775,449号に記載されている方法によって触
媒的に活性化する。これらの特許はすべて引用により援
用する。 たとえば、基材表面を触媒として活性化するのに充分な
時間、貴金属の酸溶液(たとえば、塩化パラジウムの塩
酸溶液)に接触させることによって基材を触媒的に活性
化できる。この例の場合は露出している表面にパラジウ
ムが吸着する。
【0042】めっき触媒の吸着を助ける添加剤で処理す
ることによって基材の活性化を始めると有用であること
が多い。そのような添加剤は業界で周知である。触媒吸
着を助ける助剤の例としては、シップレ―社(Ship
ley Company)の製品であるシップレ―(S
hipley)1175A、およびマクダミッド社(M
acDermid Corporation)の製品で
あるメテックス(Metex)420がある。これらの
試薬を約0.1〜約5容量%水に溶解した溶液に約40
〜約80℃の温度で約1〜約10分浸漬すると通常充分
である。このような処理は本発明にとって必須とは思わ
れないが、これを使用すると基材上に無電解めっきした
金属の均一な付着が改善されることが多い。
ることによって基材の活性化を始めると有用であること
が多い。そのような添加剤は業界で周知である。触媒吸
着を助ける助剤の例としては、シップレ―社(Ship
ley Company)の製品であるシップレ―(S
hipley)1175A、およびマクダミッド社(M
acDermid Corporation)の製品で
あるメテックス(Metex)420がある。これらの
試薬を約0.1〜約5容量%水に溶解した溶液に約40
〜約80℃の温度で約1〜約10分浸漬すると通常充分
である。このような処理は本発明にとって必須とは思わ
れないが、これを使用すると基材上に無電解めっきした
金属の均一な付着が改善されることが多い。
【0043】活性化法のひとつの実例では、シップレ―
社(Shipley Company)の製品であるシ
ップレ―・キャタプレップ(Shipley Cata
prep)(登録商標)404の溶液中に基材を漬ける
。この溶液は、後に付着されるめっき触媒に対する保護
剤を提供するものであり、重硫酸ナトリウムおよび各種
の界面活性剤を含んでいる。次に基材を、シップレ―・
キャタポジット(Shipley Cataposit
)(登録商標)44の溶液に漬けることができる。この
溶液はキャタプレップ(Cataprep)(登録商標
)404成分、スズおよびパラジウム(これは無電解め
っき触媒である)を含有している。また基材は、コロイ
ド形態のパラジウム/スズ粒子を有するマクダミッド社
(MacDermid Inc.)製のマキュプレック
ス(Macuplex)(登録商標)D−34−Cの溶
液に漬けてもよい。次いで、水ですすいだ後、シップレ
―・キュポジット(Shipley Cuposit)
(登録商標)アクセルレ―タ―(Accelerato
r)19の溶液、すなわちめっき触媒からスズを分離す
るために使用されるフルオロホウ酸含有溶液に基材を漬
けることができる。
社(Shipley Company)の製品であるシ
ップレ―・キャタプレップ(Shipley Cata
prep)(登録商標)404の溶液中に基材を漬ける
。この溶液は、後に付着されるめっき触媒に対する保護
剤を提供するものであり、重硫酸ナトリウムおよび各種
の界面活性剤を含んでいる。次に基材を、シップレ―・
キャタポジット(Shipley Cataposit
)(登録商標)44の溶液に漬けることができる。この
溶液はキャタプレップ(Cataprep)(登録商標
)404成分、スズおよびパラジウム(これは無電解め
っき触媒である)を含有している。また基材は、コロイ
ド形態のパラジウム/スズ粒子を有するマクダミッド社
(MacDermid Inc.)製のマキュプレック
ス(Macuplex)(登録商標)D−34−Cの溶
液に漬けてもよい。次いで、水ですすいだ後、シップレ
―・キュポジット(Shipley Cuposit)
(登録商標)アクセルレ―タ―(Accelerato
r)19の溶液、すなわちめっき触媒からスズを分離す
るために使用されるフルオロホウ酸含有溶液に基材を漬
けることができる。
【0044】本発明に適した活性化/めっきプロセスは
また、グラブ(W.T. Grubb)らの欧州特許出
願第272,420号(引用して援用する)にも、さら
にシップレ―(Shipley)の米国特許第3,01
1,920号およびフェルドスタイン(Feldste
in)らの米国特許第3,841,881号(両方とも
引用して援用する)にも記載されている。通常活性化工
程に次いで水ですすぐ処理をする。
また、グラブ(W.T. Grubb)らの欧州特許出
願第272,420号(引用して援用する)にも、さら
にシップレ―(Shipley)の米国特許第3,01
1,920号およびフェルドスタイン(Feldste
in)らの米国特許第3,841,881号(両方とも
引用して援用する)にも記載されている。通常活性化工
程に次いで水ですすぐ処理をする。
【0045】表面活性化とすすぎの後、本発明の第四の
工程、すなわち一次金属層の無電解めっきを実施するこ
とができる。金属被覆層を形成するのに使用する金属の
例としては、銅、パラジウム、ニッケル、銀、白金、コ
バルトおよび金がある。プリント回路を形成する際に選
択される金属は銅が普通である。EMIシ―ルドされた
エンクロ―ジャを製造する際に好ましく選択されるのは
銅層の後にニッケル層を付ける複合層である。このニッ
ケル層は、EMI銅層シ―ルドを腐蝕および摩耗から保
護するために通常使用する。改質されたポリマ―鎖と金
属(M)との間の接着機構は、充分には理解されていな
いが、次の概略図に示したようなものであると考えられ
る。
工程、すなわち一次金属層の無電解めっきを実施するこ
とができる。金属被覆層を形成するのに使用する金属の
例としては、銅、パラジウム、ニッケル、銀、白金、コ
バルトおよび金がある。プリント回路を形成する際に選
択される金属は銅が普通である。EMIシ―ルドされた
エンクロ―ジャを製造する際に好ましく選択されるのは
銅層の後にニッケル層を付ける複合層である。このニッ
ケル層は、EMI銅層シ―ルドを腐蝕および摩耗から保
護するために通常使用する。改質されたポリマ―鎖と金
属(M)との間の接着機構は、充分には理解されていな
いが、次の概略図に示したようなものであると考えられ
る。
【0046】
【化4】
無電解浴は業界でよく知られており、カ―ク‐オスマ―
(Kirk−Othmer)の「化学技術事典(Enc
yclopedia of Chemical Tec
hnology)」第3版、第8巻(引用して援用する
)に概略が記載されている。特定の浴または無電解めっ
きプロセスの選択は本発明にとって特に重大なことでは
ない。浴の濃度と個々のめっきパラメ―タ―(たとえば
、温度、pH、浸漬時間など)は、当然のことであるが
、基材としての個々のプラスチックによって変化し、ま
たその上にめっきしようとする特定の金属にも依存する
。適切なめっき浴としては、シップレ―・キュポジット
(Shipley Cuposit)(登録商標)25
0システム、エントン(Enthone)(登録商標)
406システムおよびエンプレ―ト(Enplate)
(登録商標)Ni−426システムがある。この後者の
ふたつはエントン社(Enthone Inc.)製で
ある。さらに、上述のグラブ(Grubb)らの出願や
デュマ(Dumas)らの特許には適切な無電解めっき
浴組成物が列挙されている。浸漬時間、浴温、その他の
操作パラメ―タ―は製造業者の指示に従って所望の時間
内に所望の厚さの金属層を付着させるように決定し調節
することができる。めっき業界の当業者は個々の状況に
応じて最も適しためっき操作手順を決定することができ
るであろう。
(Kirk−Othmer)の「化学技術事典(Enc
yclopedia of Chemical Tec
hnology)」第3版、第8巻(引用して援用する
)に概略が記載されている。特定の浴または無電解めっ
きプロセスの選択は本発明にとって特に重大なことでは
ない。浴の濃度と個々のめっきパラメ―タ―(たとえば
、温度、pH、浸漬時間など)は、当然のことであるが
、基材としての個々のプラスチックによって変化し、ま
たその上にめっきしようとする特定の金属にも依存する
。適切なめっき浴としては、シップレ―・キュポジット
(Shipley Cuposit)(登録商標)25
0システム、エントン(Enthone)(登録商標)
406システムおよびエンプレ―ト(Enplate)
(登録商標)Ni−426システムがある。この後者の
ふたつはエントン社(Enthone Inc.)製で
ある。さらに、上述のグラブ(Grubb)らの出願や
デュマ(Dumas)らの特許には適切な無電解めっき
浴組成物が列挙されている。浸漬時間、浴温、その他の
操作パラメ―タ―は製造業者の指示に従って所望の時間
内に所望の厚さの金属層を付着させるように決定し調節
することができる。めっき業界の当業者は個々の状況に
応じて最も適しためっき操作手順を決定することができ
るであろう。
【0047】ポリカ―ボネ―トの表面は、金属の無電解
めっきの後、熱処理にかけることができる。物品全体、
すなわち基材とその上の金属の全体をオ―ブン加熱すれ
ば充分であるがいかなる加熱法も適している。典型的な
場合、この熱処理は、約45℃から約170℃までの範
囲の温度で約5〜約120分間実施する。一般に上記範
囲内で温度が高い方が短い時間で済むし、逆に温度が低
いと時間が長くかかる。熱処理は120℃で行なうのが
好ましい。メカニズムは分かってないが、この熱処理に
よって最適の密着性を達成するのに必要な時間が短くな
るようである。
めっきの後、熱処理にかけることができる。物品全体、
すなわち基材とその上の金属の全体をオ―ブン加熱すれ
ば充分であるがいかなる加熱法も適している。典型的な
場合、この熱処理は、約45℃から約170℃までの範
囲の温度で約5〜約120分間実施する。一般に上記範
囲内で温度が高い方が短い時間で済むし、逆に温度が低
いと時間が長くかかる。熱処理は120℃で行なうのが
好ましい。メカニズムは分かってないが、この熱処理に
よって最適の密着性を達成するのに必要な時間が短くな
るようである。
【0048】以下に記載するように、表面上に金属のも
うひとつ別の層をたとえば電気めっきにより電解的に設
けようとする場合、この別の金属層のめっきの後に熱処
理を使用するのであれば上記の熱処理は場合により省略
することができる。しかし、金属の電解めっきの前に熱
処理を行なうのが好ましい。以下に記載するように、い
くつかの実施態様では、金属の電解めっきの前(すなわ
ち、無電解めっきの後)に熱処理をすると共に金属の最
終層をめっきしてしまった後にもう一回熱処理をする。
うひとつ別の層をたとえば電気めっきにより電解的に設
けようとする場合、この別の金属層のめっきの後に熱処
理を使用するのであれば上記の熱処理は場合により省略
することができる。しかし、金属の電解めっきの前に熱
処理を行なうのが好ましい。以下に記載するように、い
くつかの実施態様では、金属の電解めっきの前(すなわ
ち、無電解めっきの後)に熱処理をすると共に金属の最
終層をめっきしてしまった後にもう一回熱処理をする。
【0049】電気めっきは二次または第二の金属層を設
ける方法のひとつではあるが、上述したような無電解め
っきは好ましい選択である。基材は電気めっき浴に浸漬
する前にきれいに洗浄するのが普通である。この洗浄は
、強酸の薄い溶液、たとえば10重量%の硫酸水溶液で
基材をすすぐことによって実施することができる。
ける方法のひとつではあるが、上述したような無電解め
っきは好ましい選択である。基材は電気めっき浴に浸漬
する前にきれいに洗浄するのが普通である。この洗浄は
、強酸の薄い溶液、たとえば10重量%の硫酸水溶液で
基材をすすぐことによって実施することができる。
【0050】電気めっきまたは電解めっき用の浴は業界
で周知であり、たとえば米国特許第4,555,315
号(引用して援用する)に記載されている。特定の電気
めっき浴は本発明にとって臨界的なものではない。その
選択はめっきしようとする個々の金属により多少左右さ
れるのはいうまでもない。適した金属としては無電解め
っきに関してすでに記載したものがある。さらに、個々
の浴濃度が、すでに金属の無電解めっきに関して考察し
た要因のいくつかに依存することが当業者には理解でき
るであろう。典型的な場合、銅の電気めっき浴は、陰極
電流密度を約1〜約80ASFの範囲として約16〜約
38℃の範囲の温度で作動させる。銅やその他各種の金
属をめっきするための浴については、上述のカ―ク‐オ
スマ―(Kirk−Othmer)の文献の第8巻、第
826頁以降に記載されている。無電解めっきした層に
対して銅の層を設けるために使用する典型的な浴は、酸
性硫酸銅または酸性フルオロホウ酸銅タイプのような水
性酸性銅電解質、ハライドイオン(たとえばクロライド
イオンおよび/またはブロマイドイオン)ならびにその
他業界で周知の各種成分を含んでいる。この第二の金属
層の厚さは、金属被覆した基材の最終目的用途に依存す
るのはもちろんである。
で周知であり、たとえば米国特許第4,555,315
号(引用して援用する)に記載されている。特定の電気
めっき浴は本発明にとって臨界的なものではない。その
選択はめっきしようとする個々の金属により多少左右さ
れるのはいうまでもない。適した金属としては無電解め
っきに関してすでに記載したものがある。さらに、個々
の浴濃度が、すでに金属の無電解めっきに関して考察し
た要因のいくつかに依存することが当業者には理解でき
るであろう。典型的な場合、銅の電気めっき浴は、陰極
電流密度を約1〜約80ASFの範囲として約16〜約
38℃の範囲の温度で作動させる。銅やその他各種の金
属をめっきするための浴については、上述のカ―ク‐オ
スマ―(Kirk−Othmer)の文献の第8巻、第
826頁以降に記載されている。無電解めっきした層に
対して銅の層を設けるために使用する典型的な浴は、酸
性硫酸銅または酸性フルオロホウ酸銅タイプのような水
性酸性銅電解質、ハライドイオン(たとえばクロライド
イオンおよび/またはブロマイドイオン)ならびにその
他業界で周知の各種成分を含んでいる。この第二の金属
層の厚さは、金属被覆した基材の最終目的用途に依存す
るのはもちろんである。
【0051】また、前述のグラブ(Grubb)らの出
願やファウスト(Foust)らの特許にも記載されて
いるように、ポリカ―ボネ―ト基材上に設けられる金属
はあるパタ―ンの形態であることもできる。パタ―ン化
法の一例もまたドアンジェロ(DeAngelo)らに
対して発行された米国特許第3,562,005号(引
用して援用する)に記載されている。ここで使用するの
に適した別の技術が前述のグラブ(Grubb)らの出
願に開示されている。このレジストを使用しない方法で
は、最初に有機基材を電磁放射線に露出することによっ
て基材を光パタ―ン化した後貴金属化合物で処理して表
面を触媒的に活性化する。活性化された表面を無電解め
っきした後に形成される金属の通路は、本発明で開示さ
れた化学的改質処理のために下層のポリマ―基材に対し
てしっかり固着している。
願やファウスト(Foust)らの特許にも記載されて
いるように、ポリカ―ボネ―ト基材上に設けられる金属
はあるパタ―ンの形態であることもできる。パタ―ン化
法の一例もまたドアンジェロ(DeAngelo)らに
対して発行された米国特許第3,562,005号(引
用して援用する)に記載されている。ここで使用するの
に適した別の技術が前述のグラブ(Grubb)らの出
願に開示されている。このレジストを使用しない方法で
は、最初に有機基材を電磁放射線に露出することによっ
て基材を光パタ―ン化した後貴金属化合物で処理して表
面を触媒的に活性化する。活性化された表面を無電解め
っきした後に形成される金属の通路は、本発明で開示さ
れた化学的改質処理のために下層のポリマ―基材に対し
てしっかり固着している。
【0052】こうして無電解的に金属被覆された層をE
MIシ―ルドとして使用する場合、厚さが約2マイクロ
メ―タ―であるのが好ましい。プリント回路板のような
他の態様では、本発明の方法によって製造された無電解
的に金属被覆された層は通常厚さが約1〜約5マイクロ
メ―タ―であり、その上に電解的に設けられた層は厚さ
が少なくとも約5マイクロメ―タ―である。
MIシ―ルドとして使用する場合、厚さが約2マイクロ
メ―タ―であるのが好ましい。プリント回路板のような
他の態様では、本発明の方法によって製造された無電解
的に金属被覆された層は通常厚さが約1〜約5マイクロ
メ―タ―であり、その上に電解的に設けられた層は厚さ
が少なくとも約5マイクロメ―タ―である。
【0053】本発明の方法によって製造される物品は、
芳香族基材(好ましくはポリカ―ボネ―ト)、前記基材
の表面をニトロ化溶液に接触させた後ヒドロキシル化溶
液と接触させることによって前記基材を改質することか
らなる、前記基材の表面上の金属の密着性を改良する手
段、ならびに前記表面上に配置された金属層からなる。 この金属層はあらかじめ処理された表面上に無電解的に
設けられた一次層を含んでいる。この一次金属層の上に
、別の二次金属層を所望の厚さが得られるまで無電解的
または電解的にめっきしてもよい。本発明は金属層のさ
まざまな組合せを包含する。たとえば、単一の銅層、一
次銅層上の二次ニッケル層、または一次のニッケル層と
その上の二次銅層および第三のニッケル層が考えられる
。
芳香族基材(好ましくはポリカ―ボネ―ト)、前記基材
の表面をニトロ化溶液に接触させた後ヒドロキシル化溶
液と接触させることによって前記基材を改質することか
らなる、前記基材の表面上の金属の密着性を改良する手
段、ならびに前記表面上に配置された金属層からなる。 この金属層はあらかじめ処理された表面上に無電解的に
設けられた一次層を含んでいる。この一次金属層の上に
、別の二次金属層を所望の厚さが得られるまで無電解的
または電解的にめっきしてもよい。本発明は金属層のさ
まざまな組合せを包含する。たとえば、単一の銅層、一
次銅層上の二次ニッケル層、または一次のニッケル層と
その上の二次銅層および第三のニッケル層が考えられる
。
【0054】本発明のさまざまな態様の物品はEMIシ
―ルドされたエンクロ―ジャ、プリント回路板、または
EMIシ―ルドとプリント回路板とを有するハウジング
(この場合回路板はハウジングと一体となった部品であ
り、上述のような金属層をプリント回路板または「トレ
―ス」として含有している)として適している。
―ルドされたエンクロ―ジャ、プリント回路板、または
EMIシ―ルドとプリント回路板とを有するハウジング
(この場合回路板はハウジングと一体となった部品であ
り、上述のような金属層をプリント回路板または「トレ
―ス」として含有している)として適している。
【0055】本発明の好ましい態様の製品は、本発明の
方法によって化学的に処理されて無電解めっき能が改善
された壁の表面を有するポリカ―ボネ―トなどのような
芳香族ポリマ―のエンクロ―ジャと、その上に設けられ
た第一の金属層(好ましくは銅)からなる。第一の金属
層の上に第二の金属層(好ましくはニッケル)を配置す
ることができる。この第二の層は第一の層上に無電解的
または電解的に設けられる。すでに述べたように、この
第二の層は無電解めっきで設けるのが好ましい。エンク
ロ―ジャの壁の内面に設けた金属層は、2つの層が望ま
れた場合その双方が、エンクロ―ジャ内に封入された電
気部品が発するノイズの強度を低下させることによって
ノイズに関するFCC規則に規定された条件を満たすよ
うにあらかじめ定められた合計の厚さをもっている。第
一の金属層と第二の金属層の合計厚さはこのFCCの条
件を満たすように調節する。エンクロ―ジャのシ―ルド
はまた、このシ―ルドされたエンクロ―ジャ内に封入さ
れた電気部品を約1キロヘルツから約10ギガヘルツま
での特定周波数範囲の電磁放射線から保護するのにも使
用できる。
方法によって化学的に処理されて無電解めっき能が改善
された壁の表面を有するポリカ―ボネ―トなどのような
芳香族ポリマ―のエンクロ―ジャと、その上に設けられ
た第一の金属層(好ましくは銅)からなる。第一の金属
層の上に第二の金属層(好ましくはニッケル)を配置す
ることができる。この第二の層は第一の層上に無電解的
または電解的に設けられる。すでに述べたように、この
第二の層は無電解めっきで設けるのが好ましい。エンク
ロ―ジャの壁の内面に設けた金属層は、2つの層が望ま
れた場合その双方が、エンクロ―ジャ内に封入された電
気部品が発するノイズの強度を低下させることによって
ノイズに関するFCC規則に規定された条件を満たすよ
うにあらかじめ定められた合計の厚さをもっている。第
一の金属層と第二の金属層の合計厚さはこのFCCの条
件を満たすように調節する。エンクロ―ジャのシ―ルド
はまた、このシ―ルドされたエンクロ―ジャ内に封入さ
れた電気部品を約1キロヘルツから約10ギガヘルツま
での特定周波数範囲の電磁放射線から保護するのにも使
用できる。
【0056】本発明の別の態様ではEMIシ―ルドされ
たエンクロ―ジャのような物品が3層の金属EMIシ―
ルドをもっている。好ましい例では、第一の層がエンク
ロ―ジャの壁表面上に無電解めっきされた第一のニッケ
ル層であり、第二の層はこの第一のニッケル層の上に無
電解めっきまたは電解めっきされた銅であり、第三の層
は第二の層の上に無電解めっきまたは電解めっきされた
第二のニッケル層である。
たエンクロ―ジャのような物品が3層の金属EMIシ―
ルドをもっている。好ましい例では、第一の層がエンク
ロ―ジャの壁表面上に無電解めっきされた第一のニッケ
ル層であり、第二の層はこの第一のニッケル層の上に無
電解めっきまたは電解めっきされた銅であり、第三の層
は第二の層の上に無電解めっきまたは電解めっきされた
第二のニッケル層である。
【0057】さらにまた本発明の別の態様では平坦なま
たは三次元のプリント回路板(PCB)が開示される。 このPCBはポジ像タイプでもネガ像タイプでもよい。 本発明のPCBは芳香族ポリマ―(好ましくはポリカ―
ボネ―ト製)基板からなり、その表面は本発明のプロセ
スに従って化学的に処理されていて無電解めっきされた
第一の金属層の密着性が改善されている。この第一の金
属層の上には無電解めっきまたは電解めっきされた第二
の金属層が配置され、これら第一の金属層と第二の金属
層が所望の厚みのトレ―スパタ―ンを形成しており、こ
れによってPCB上に配置された電気部品と外部の電気
手段とが電気的に接続される。好ましい金属層は銅であ
る。
たは三次元のプリント回路板(PCB)が開示される。 このPCBはポジ像タイプでもネガ像タイプでもよい。 本発明のPCBは芳香族ポリマ―(好ましくはポリカ―
ボネ―ト製)基板からなり、その表面は本発明のプロセ
スに従って化学的に処理されていて無電解めっきされた
第一の金属層の密着性が改善されている。この第一の金
属層の上には無電解めっきまたは電解めっきされた第二
の金属層が配置され、これら第一の金属層と第二の金属
層が所望の厚みのトレ―スパタ―ンを形成しており、こ
れによってPCB上に配置された電気部品と外部の電気
手段とが電気的に接続される。好ましい金属層は銅であ
る。
【0058】上述の物品に使用した基材表面とこの表面
に直接接触する金属被覆層との密着性は、表面の粗さを
増すことによって高めることができる。すでに述べたよ
うに、表面粗さは、アンモノリシス溶液にアルカリ金属
水酸化物を添加することによって増大することができる
。粗い組織を有する表面は、この表面と粗面化された表
面に直接接触する金属被覆層との間の機械的接着を改善
するはずである。
に直接接触する金属被覆層との密着性は、表面の粗さを
増すことによって高めることができる。すでに述べたよ
うに、表面粗さは、アンモノリシス溶液にアルカリ金属
水酸化物を添加することによって増大することができる
。粗い組織を有する表面は、この表面と粗面化された表
面に直接接触する金属被覆層との間の機械的接着を改善
するはずである。
【0059】
【実施例の記載】以下の実施例において、基板に対する
金属の密着力は、前述したASTMのD3359−78
、B法のクロスカットテ―プテスト(Cross−Cu
t Tape Test)を適用して評価した。このB
法の概略は次の通りである。 (1)このテストにより評価しようとする基板領域上の
金属層に、鋭い刃のナイフを用いて一様な力で一本の溝
に付き一回ずつ傷を付けてクロスハッチパタ―ンを形成
する。 (2)このカッティング過程で生じた残渣を除く。 (3)36±2.5オンス/インチの接着力を有する規
定の接着テ―プをクロスハッチ領域全体に均一に貼り付
ける。 (4)このテ―プを、基板に対して90°の方向に一回
ですばやく引いて剥がす。 (5)テ―プに金属片が付いていないかどうか検査する
。
金属の密着力は、前述したASTMのD3359−78
、B法のクロスカットテ―プテスト(Cross−Cu
t Tape Test)を適用して評価した。このB
法の概略は次の通りである。 (1)このテストにより評価しようとする基板領域上の
金属層に、鋭い刃のナイフを用いて一様な力で一本の溝
に付き一回ずつ傷を付けてクロスハッチパタ―ンを形成
する。 (2)このカッティング過程で生じた残渣を除く。 (3)36±2.5オンス/インチの接着力を有する規
定の接着テ―プをクロスハッチ領域全体に均一に貼り付
ける。 (4)このテ―プを、基板に対して90°の方向に一回
ですばやく引いて剥がす。 (5)テ―プに金属片が付いていないかどうか検査する
。
【0060】5つに分けた等級で「5」は表面から剥が
れ落ちた金属層がなかったことを意味し、「0」は金属
層の65%より多くが表面から剥がれ落ちたことを意味
する。中間の数字は剥がれ落ちた金属層の割合が0%と
65%の間であることを示す。各テ―プに対して等級値
を得てそれを平均する。
れ落ちた金属層がなかったことを意味し、「0」は金属
層の65%より多くが表面から剥がれ落ちたことを意味
する。中間の数字は剥がれ落ちた金属層の割合が0%と
65%の間であることを示す。各テ―プに対して等級値
を得てそれを平均する。
【0061】以下の特定実施例で本発明をさらに詳細に
説明する。これらの実施例は例示のためにのみ挙げるも
のであり、本発明の最も広い範囲に限定を加えるもので
はない。特に断わらない限り、液体の比はすべて容量比
である。
説明する。これらの実施例は例示のためにのみ挙げるも
のであり、本発明の最も広い範囲に限定を加えるもので
はない。特に断わらない限り、液体の比はすべて容量比
である。
【0062】実施例1
レキサン(Lexan)(登録商標)ポリカ―ボネ
―トBE2130Aから成形した2インチ×3インチ×
1/8インチの大きさのプレ―トを次のように処理した
。
―トBE2130Aから成形した2インチ×3インチ×
1/8インチの大きさのプレ―トを次のように処理した
。
【0063】2容量%のマイクロ(Micro)(登録
商標)洗剤と98容量%の脱イオン水からなる溶液を用
い、24℃で5分間かけて基板を超音波洗浄した。次に
基板を水で濯ぎ、空気乾燥した。この基板を、1容量部
の硝酸[検定(HNO3 )70〜71%]と2容量部
の硫酸[検定(H2 SO4 )95.5〜96.5%
]からなるニトロ化溶液に23℃で3分間浸漬した。次
に基板を水道水で1分未満濯ぎ、さらに65℃の水道水
で5分間濯いだ後23℃に冷却した。
商標)洗剤と98容量%の脱イオン水からなる溶液を用
い、24℃で5分間かけて基板を超音波洗浄した。次に
基板を水で濯ぎ、空気乾燥した。この基板を、1容量部
の硝酸[検定(HNO3 )70〜71%]と2容量部
の硫酸[検定(H2 SO4 )95.5〜96.5%
]からなるニトロ化溶液に23℃で3分間浸漬した。次
に基板を水道水で1分未満濯ぎ、さらに65℃の水道水
で5分間濯いだ後23℃に冷却した。
【0064】次にサンプルを1容量部の水酸化アンモニ
ウム[検定(NH3)28.0〜30.0%]と1容量
部の脱イオン水からなる溶液に23℃で4分間浸漬し、
その後23℃の水道水で5分間濯いだ。この基板を77
.2%の脱イオン水、22%の塩酸[検定(HCl)3
6.5〜38.0%]および0.8%のマキュプレック
ス(Macuplex)(登録商標)D−34−C(基
板表面上に吸着するコロイド状パラジウム/スズ粒子を
含有する)からなる溶液中に23℃で2分間浸漬するこ
とによって触媒を付着させた。その後サンプルを水で1
分間濯いだ後、1容量部のシップレ―・キュポジット(
Shipley Cuposit)(登録商標)アクセ
ルレ―タ―(Accelerator)19と5容量部
の脱イオン水からなる溶液である促進剤に浸漬した。次
に基板を水道水で約2分間濯いだ。
ウム[検定(NH3)28.0〜30.0%]と1容量
部の脱イオン水からなる溶液に23℃で4分間浸漬し、
その後23℃の水道水で5分間濯いだ。この基板を77
.2%の脱イオン水、22%の塩酸[検定(HCl)3
6.5〜38.0%]および0.8%のマキュプレック
ス(Macuplex)(登録商標)D−34−C(基
板表面上に吸着するコロイド状パラジウム/スズ粒子を
含有する)からなる溶液中に23℃で2分間浸漬するこ
とによって触媒を付着させた。その後サンプルを水で1
分間濯いだ後、1容量部のシップレ―・キュポジット(
Shipley Cuposit)(登録商標)アクセ
ルレ―タ―(Accelerator)19と5容量部
の脱イオン水からなる溶液である促進剤に浸漬した。次
に基板を水道水で約2分間濯いだ。
【0065】このサンプルを、低リン無電解金属調合浴
であるエンプレ―ト(Enplate)(登録商標)N
i−426を用いて金属で被覆した。この浴は、製造業
者の推奨に従って調合し、54±1℃で6.1〜6.2
のpHに維持した。この浴に1時間基板を浸漬した。こ
うしてめっきした物品を取出し、水道水で約2分間濯い
だ後空気乾燥した。ニッケルの厚さはセイコ―・インス
トルメンツ・アンド・エレクトロニクス社(Seiko
Instruments and Electron
ics, Ltd.)製のセイコ―(Seiko)SF
T/156X線装置を用いたX線蛍光分析によって3.
1マイクロメ―トルと決定された。ASTMのD335
9−78、B法に概略が定められている手順に従うテ―
プテストを用いて金属コ―ティングの密着力を測定した
。プレシジョン・ゲ―ジ・アンド・ツ―ル社(Prec
ision Gage & Tool Co.)製のク
ロスカット用工具を用いて、1mm×1mmの正方形1
0×10個の格子を描いた。試験手順に合わせてこの格
子に対してテ―プを均一に貼り付けてから剥がした。格
子を描いた領域を観察したところ、金属被覆は完全に滑
らかであり、正方形のいかなる部分も剥がれ落ちていな
かった。これはASTM密着性等級が5であることを示
している。サンプルを80±2℃の空気オ―ブン中で3
0分間焼いた。その後、サンプルを取出し、23℃まで
放冷し、上に概略を記載した方法で金属コ―ティングの
密着力を再度検査した。密着性等級5がふたたび得られ
た。
であるエンプレ―ト(Enplate)(登録商標)N
i−426を用いて金属で被覆した。この浴は、製造業
者の推奨に従って調合し、54±1℃で6.1〜6.2
のpHに維持した。この浴に1時間基板を浸漬した。こ
うしてめっきした物品を取出し、水道水で約2分間濯い
だ後空気乾燥した。ニッケルの厚さはセイコ―・インス
トルメンツ・アンド・エレクトロニクス社(Seiko
Instruments and Electron
ics, Ltd.)製のセイコ―(Seiko)SF
T/156X線装置を用いたX線蛍光分析によって3.
1マイクロメ―トルと決定された。ASTMのD335
9−78、B法に概略が定められている手順に従うテ―
プテストを用いて金属コ―ティングの密着力を測定した
。プレシジョン・ゲ―ジ・アンド・ツ―ル社(Prec
ision Gage & Tool Co.)製のク
ロスカット用工具を用いて、1mm×1mmの正方形1
0×10個の格子を描いた。試験手順に合わせてこの格
子に対してテ―プを均一に貼り付けてから剥がした。格
子を描いた領域を観察したところ、金属被覆は完全に滑
らかであり、正方形のいかなる部分も剥がれ落ちていな
かった。これはASTM密着性等級が5であることを示
している。サンプルを80±2℃の空気オ―ブン中で3
0分間焼いた。その後、サンプルを取出し、23℃まで
放冷し、上に概略を記載した方法で金属コ―ティングの
密着力を再度検査した。密着性等級5がふたたび得られ
た。
【0066】実施例2〜17
実施例1に開示した組成のニトロ化溶液とヒドロキ
シル化溶液を用い、さまざまなグレ―ドのレキサン(L
exan)(登録商標)ポリカ―ボネ―トをいろいろな
条件で処理した。個々のパラメ―タ―は次の表1にまと
めて示す。
シル化溶液を用い、さまざまなグレ―ドのレキサン(L
exan)(登録商標)ポリカ―ボネ―トをいろいろな
条件で処理した。個々のパラメ―タ―は次の表1にまと
めて示す。
【0067】
【表1】
表1注
1 単位:分
2 単位:℃
3 単位:マイクロメ―トル
4 ASTMのD3359−78、B試験法に従って実
施5 ニトロ化溶液:23℃、1容量部の硝酸(検定H
NO3 約70〜71%)と2容量部の硫酸(検定H2
SO4 約95.5〜96.5%) 6 水道水で濯ぎ 7 アンモノリシス溶液:23℃、1容量部の水酸化ア
ンモニウム(検定NH3 約28〜30%)と1容量部
の脱イオン水 8 触媒付着溶液:23℃、77.2容量%の脱イオン
水、22容量%の塩酸(検定HCl約36.5〜38%
)および0.8容量%のマキュプレックス(Macup
lex)(登録商標)D−34−C 9 1容量部のシップレ―・キュポジット(Shipl
ey Cuposit)(登録商標)アクセルレ―タ―
(Accelerator)19と5容量部の脱イオン
水 10エンプレ―ト(Enplate)(登録商標)Ni
−426無電解金属調合液 A:時間、B:温度、C:厚さ。
施5 ニトロ化溶液:23℃、1容量部の硝酸(検定H
NO3 約70〜71%)と2容量部の硫酸(検定H2
SO4 約95.5〜96.5%) 6 水道水で濯ぎ 7 アンモノリシス溶液:23℃、1容量部の水酸化ア
ンモニウム(検定NH3 約28〜30%)と1容量部
の脱イオン水 8 触媒付着溶液:23℃、77.2容量%の脱イオン
水、22容量%の塩酸(検定HCl約36.5〜38%
)および0.8容量%のマキュプレックス(Macup
lex)(登録商標)D−34−C 9 1容量部のシップレ―・キュポジット(Shipl
ey Cuposit)(登録商標)アクセルレ―タ―
(Accelerator)19と5容量部の脱イオン
水 10エンプレ―ト(Enplate)(登録商標)Ni
−426無電解金属調合液 A:時間、B:温度、C:厚さ。
【0068】上記実施例ではいずれの基板もニトロ化工
程前に洗浄しなかった。他に示してない限り濯ぎはすべ
て約15℃で水道水を流しながら行なった。ニッケルめ
っき浴は約6.1〜6.3のpHに保った。
程前に洗浄しなかった。他に示してない限り濯ぎはすべ
て約15℃で水道水を流しながら行なった。ニッケルめ
っき浴は約6.1〜6.3のpHに保った。
【0069】実施例6
表1に示した実施例6の基板サンプルをニッケルめ
っき後さらに処理した。前述の基板を約85±2℃で約
1時間焼いた。基板が冷却したところで金属被覆層の密
着力を検査した。密着性等級は5のままであった。その
後基板サンプルを、一部に脱イオン水を満たしたチャン
バ―内に入れた。サンプルをチャンバ―内の水面の上方
に保持した。次にチャンバ―を閉じてオ―ブン中に入れ
、約65±2℃で約100%の相対湿度に維持した。チ
ャンバ―内の環境にさらして1日後、3日後および10
日後、前述のASTMテ―プテスト法によって金属コ―
ティングの密着力を検査した。いずれの場合も密着性等
級は5であった。
っき後さらに処理した。前述の基板を約85±2℃で約
1時間焼いた。基板が冷却したところで金属被覆層の密
着力を検査した。密着性等級は5のままであった。その
後基板サンプルを、一部に脱イオン水を満たしたチャン
バ―内に入れた。サンプルをチャンバ―内の水面の上方
に保持した。次にチャンバ―を閉じてオ―ブン中に入れ
、約65±2℃で約100%の相対湿度に維持した。チ
ャンバ―内の環境にさらして1日後、3日後および10
日後、前述のASTMテ―プテスト法によって金属コ―
ティングの密着力を検査した。いずれの場合も密着性等
級は5であった。
【0070】実施例7
表1に示した実施例7のサンプルは2−1/2イン
チ×1/2インチ×1/8インチの大きさをもったプレ
―トであった。このプレ―トをステンレススチ―ル製ジ
グに固定して1平方インチ当たり3400ポンドの曲げ
応力をプレ―トにかけられるようにした。その後、この
応力のかかったサンプルを表1に示した工程に従って処
理した。無電解金属被覆工程完了時にプレ―トの応力の
かかった表面を、光学顕微鏡を使用して通常の大きさの
45倍の倍率で観察した。このプレ―トの応力のかかっ
た金属被覆領域には、曲げ応力に基づくクラック、隙間
、その他の悪影響はまったく認められなかった。プレ―
トをジグからはずし、透明なエポキシ溶液中に入れてこ
のエポキシ溶液が硬化した時に金属被覆領域の断面が作
られるようにした。その後光学顕微鏡を用いて通常の大
きさの1000倍の倍率で断面を観察した。金属層内に
も基板表面上にもクラック、隙間、その他の悪影響は認
められなかった。
チ×1/2インチ×1/8インチの大きさをもったプレ
―トであった。このプレ―トをステンレススチ―ル製ジ
グに固定して1平方インチ当たり3400ポンドの曲げ
応力をプレ―トにかけられるようにした。その後、この
応力のかかったサンプルを表1に示した工程に従って処
理した。無電解金属被覆工程完了時にプレ―トの応力の
かかった表面を、光学顕微鏡を使用して通常の大きさの
45倍の倍率で観察した。このプレ―トの応力のかかっ
た金属被覆領域には、曲げ応力に基づくクラック、隙間
、その他の悪影響はまったく認められなかった。プレ―
トをジグからはずし、透明なエポキシ溶液中に入れてこ
のエポキシ溶液が硬化した時に金属被覆領域の断面が作
られるようにした。その後光学顕微鏡を用いて通常の大
きさの1000倍の倍率で断面を観察した。金属層内に
も基板表面上にもクラック、隙間、その他の悪影響は認
められなかった。
【0071】実施例18
レキサン(Lexan)(登録商標)ポリカ―ボネ
―トML6000から成形したプレ―トを、下記の各種
化学溶液を使用して処理した。基板を洗浄することなく
表1のニトロ化溶液中に25℃で6分間浸漬し、水で1
分間濯ぎ、表1のアンモニア水溶液に25℃で6分間浸
漬し、水で5分間濯ぎ、25℃で6分間触媒付着処理し
、水で1分間濯ぎ、促進剤に5分間浸漬し、最後に水で
5分間濯いだ。次にプレ―トに、製造業者の推奨通りに
調合したシップレ―・キュポジット(ShipleyC
uposit)(登録商標)251無電解銅浴を使用し
て銅を無電解めっきした。プレ―トをこの無電解銅浴に
7分間浸漬した。その間浴を撹拌し、かつ40±1℃に
維持した。次にプレ―トを水で濯ぎ、空気乾燥した。基
板上に付着した銅層の厚さをX線蛍光分析によって測定
したところ1.5マイクロメ―トルの厚さであった。次
に基板上の銅層を、実施例1に記載した無電解ニッケル
浴を用いてニッケル層で金属被覆した。基板をこの無電
解ニッケル浴に5分間浸漬した。その間浴は50±1℃
に維持した。基板を水で濯いで空気乾燥した。銅層の上
に付着したニッケル層の厚さをX線蛍光分析で測定した
ところ約0.7マイクロメ―トルの厚さであった。実施
例1に記載したやり方でASTMテ―プテストを実施し
たところ密着性等級は5であった。EMIシ―ルド効果
を、アメリカ材料試験協会(The American
Society of Testing and M
aterials)によって開発されたデュアルチャン
バ―法The Dual Chamber Metho
d)(ASTM ES−7−83)で測定した。30
メガヘルツ、100メガヘルツ、300メガヘルツおよ
び1000メガヘルツで減衰値を測定したところ、それ
ぞれ60デシベル、70デシベル、79デシベルおよび
73デシベルを越える値が得られた。これらの減衰値が
EMIシ―ルドに関する現在のFCC規制に良く合致し
ていることは特筆すべきである。
―トML6000から成形したプレ―トを、下記の各種
化学溶液を使用して処理した。基板を洗浄することなく
表1のニトロ化溶液中に25℃で6分間浸漬し、水で1
分間濯ぎ、表1のアンモニア水溶液に25℃で6分間浸
漬し、水で5分間濯ぎ、25℃で6分間触媒付着処理し
、水で1分間濯ぎ、促進剤に5分間浸漬し、最後に水で
5分間濯いだ。次にプレ―トに、製造業者の推奨通りに
調合したシップレ―・キュポジット(ShipleyC
uposit)(登録商標)251無電解銅浴を使用し
て銅を無電解めっきした。プレ―トをこの無電解銅浴に
7分間浸漬した。その間浴を撹拌し、かつ40±1℃に
維持した。次にプレ―トを水で濯ぎ、空気乾燥した。基
板上に付着した銅層の厚さをX線蛍光分析によって測定
したところ1.5マイクロメ―トルの厚さであった。次
に基板上の銅層を、実施例1に記載した無電解ニッケル
浴を用いてニッケル層で金属被覆した。基板をこの無電
解ニッケル浴に5分間浸漬した。その間浴は50±1℃
に維持した。基板を水で濯いで空気乾燥した。銅層の上
に付着したニッケル層の厚さをX線蛍光分析で測定した
ところ約0.7マイクロメ―トルの厚さであった。実施
例1に記載したやり方でASTMテ―プテストを実施し
たところ密着性等級は5であった。EMIシ―ルド効果
を、アメリカ材料試験協会(The American
Society of Testing and M
aterials)によって開発されたデュアルチャン
バ―法The Dual Chamber Metho
d)(ASTM ES−7−83)で測定した。30
メガヘルツ、100メガヘルツ、300メガヘルツおよ
び1000メガヘルツで減衰値を測定したところ、それ
ぞれ60デシベル、70デシベル、79デシベルおよび
73デシベルを越える値が得られた。これらの減衰値が
EMIシ―ルドに関する現在のFCC規制に良く合致し
ていることは特筆すべきである。
【0072】実施例19
2インチ×3インチ×1/8インチの大きさのレキ
サン(Lexan)(登録商標)ポリカ―ボネ―トBE
2130Aのプレ―トをニトロ化中実施例1に記載の条
件で処理した。次にサンプルを水で濯ぎ、25容量部の
水酸化アンモニウム(検定NH3 28%)と2.0M
の水酸化カリウムからなる水溶液に23℃で15分間浸
漬した。次にサンプルを濯いで乾燥した。こうしてアン
モノリシスした表面の表面仕上げ(粗さ)を、米国カリ
フォルニア州サンタ・バ―バラ(Santa Barb
ara)のスロ―ン・テクノロジ―社(Sloan T
echnology Corporation)が供給
しているスロ―ン・デクタク・II・サ―フェス・プロ
フィ―ル・メジャリング・システム(Sloan De
ktak II Surface Profile M
easuring System)[ダイヤモンドチッ
プのサブミクロン触針を有するバ―ジョン2.3のプロ
フィロメ―タ―]を用いて測定した。この表面仕上げは
±0.5μMと測定された。比較のために実施例1のサ
ンプルのアンモノリシスした表面の表面仕上げを測定し
たところ±0.1μMであった。このように、アンモノ
リシス溶液に水酸化カリウムを添加することによって表
面粗さは5倍に増大した。
サン(Lexan)(登録商標)ポリカ―ボネ―トBE
2130Aのプレ―トをニトロ化中実施例1に記載の条
件で処理した。次にサンプルを水で濯ぎ、25容量部の
水酸化アンモニウム(検定NH3 28%)と2.0M
の水酸化カリウムからなる水溶液に23℃で15分間浸
漬した。次にサンプルを濯いで乾燥した。こうしてアン
モノリシスした表面の表面仕上げ(粗さ)を、米国カリ
フォルニア州サンタ・バ―バラ(Santa Barb
ara)のスロ―ン・テクノロジ―社(Sloan T
echnology Corporation)が供給
しているスロ―ン・デクタク・II・サ―フェス・プロ
フィ―ル・メジャリング・システム(Sloan De
ktak II Surface Profile M
easuring System)[ダイヤモンドチッ
プのサブミクロン触針を有するバ―ジョン2.3のプロ
フィロメ―タ―]を用いて測定した。この表面仕上げは
±0.5μMと測定された。比較のために実施例1のサ
ンプルのアンモノリシスした表面の表面仕上げを測定し
たところ±0.1μMであった。このように、アンモノ
リシス溶液に水酸化カリウムを添加することによって表
面粗さは5倍に増大した。
【0073】次に、実施例19のアンモノリシスした表
面に触媒を付着させ、無電解めっきした。サンプルを0
.8容量%のマキュプレックス(Macuplex)(
登録商標)D−34−Cと22容量%のHCl(37%
)からなる触媒付着用水溶液に2分間浸漬した。次にサ
ンプルを脱イオン水で1分間濯いだ後、1容量部のシッ
プレ―・キュポジット(Shipley Cuposi
t)(登録商標)アクセルレ―タ―(Accelera
tor)19と5容量部の脱イオン水からなる溶液に浸
漬した。次にサンプルを水で2分間濯ぎ、50℃のエン
プレ―ト(Enplate)(登録商標)Ni−426
ニッケル/リン浴を用いて20分間ニッケルめっきし、
水で2分間濯ぎ、48℃のシップレ―・キュポジット(
Shipley Cuposit)(登録商標)251
銅浴を用いて8分間銅めっきし、2分間水で濯ぎ、50
℃の前記ニッケル浴中で3分間ニッケルめっきし、3分
間水で濯ぎ、最後に乾燥した。実施例1に記載したよう
にしてASTMテ―プテストを行なったところ密着性等
級は5であった。
面に触媒を付着させ、無電解めっきした。サンプルを0
.8容量%のマキュプレックス(Macuplex)(
登録商標)D−34−Cと22容量%のHCl(37%
)からなる触媒付着用水溶液に2分間浸漬した。次にサ
ンプルを脱イオン水で1分間濯いだ後、1容量部のシッ
プレ―・キュポジット(Shipley Cuposi
t)(登録商標)アクセルレ―タ―(Accelera
tor)19と5容量部の脱イオン水からなる溶液に浸
漬した。次にサンプルを水で2分間濯ぎ、50℃のエン
プレ―ト(Enplate)(登録商標)Ni−426
ニッケル/リン浴を用いて20分間ニッケルめっきし、
水で2分間濯ぎ、48℃のシップレ―・キュポジット(
Shipley Cuposit)(登録商標)251
銅浴を用いて8分間銅めっきし、2分間水で濯ぎ、50
℃の前記ニッケル浴中で3分間ニッケルめっきし、3分
間水で濯ぎ、最後に乾燥した。実施例1に記載したよう
にしてASTMテ―プテストを行なったところ密着性等
級は5であった。
【0074】以上の説明は本発明を例示したのみであり
、本発明をこれに限定する意図はないものと理解された
い。当業者には、本発明の思想を逸脱することなくその
範囲内に入る数多くの変形、変更、置換および修正が可
能であることは明らかであろう。したがって、本発明は
添付の特許請求の範囲によってのみ限定されるものであ
る。
、本発明をこれに限定する意図はないものと理解された
い。当業者には、本発明の思想を逸脱することなくその
範囲内に入る数多くの変形、変更、置換および修正が可
能であることは明らかであろう。したがって、本発明は
添付の特許請求の範囲によってのみ限定されるものであ
る。
Claims (44)
- 【請求項1】 芳香族ポリマ―表面に位置するポリマ
―分子をニトロ化溶液によりニトロ化した後このニトロ
化されたポリマ―分子をアンモノリシス溶液によりアン
モノリシス開裂することからなる、前記表面を改質して
この表面に対する金属層の密着性を改良する方法。 - 【請求項2】 前記ニトロ化溶液が、硝酸、硝酸アセ
チル、五酸化二窒素、硝酸金属塩、テトラフルオロホウ
酸ニトロニウムより成る群の中から選択されたニトロ化
試薬と、硫酸、無水酢酸、無水トリフルオロ酢酸より成
る群の中から選択された脱水試薬との混合物からなる、
請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 前記ニトロ化溶液が、少なくとも約6
0重量%の濃度で水に溶解させた硝酸1部と、少なくと
も約90重量%の濃度で水に溶解させた硫酸2部との混
合物からなる、請求項2記載の方法。 - 【請求項4】 前記ニトロ化溶液を約0.5〜約20
分の間前記表面に接触させる、請求項2記載の方法。 - 【請求項5】 前記ニトロ化溶液が約10〜約80℃
の温度である、請求項2記載の方法。 - 【請求項6】 前記アンモノリシス溶液が、水と、水
酸化アンモニウムおよび水酸化テトラアルキルアンモニ
ウムより成る群の中から選択された化合物とからなる、
請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 前記アンモノリシス溶液が約0.00
1〜約30重量%の濃度で水に溶解させたアンモニアか
らなる、請求項6記載の方法。 - 【請求項8】 前記アンモノリシス溶液を約1分〜約
24時間の間前記表面に接触させる、請求項6記載の方
法。 - 【請求項9】 前記アンモノリシス溶液が約5〜約6
5℃である、請求項6記載の方法。 - 【請求項10】 前記芳香族ポリマ―が、ポリカ―ボ
ネ―ト、ポリイミド、ポリ(アルキレンテレフタレ―ト
)、ポリ(フェニレンオキサイド)、フェノ―ルアルキ
ルアルデヒド、ポリスチレン、ポリスルホンおよびこれ
らのブレンドより成る群の中から選択される、請求項1
記載の方法。 - 【請求項11】 芳香族ポリマ―基材の表面に位置す
るポリマ―分子をニトロ化し、ニトロ化されたポリマ―
分子をアンモノリシス開裂し、前記表面に金属層を設け
ることからなる、前記表面を金属被覆する方法。 - 【請求項12】 前記金属層を設ける工程が、前記表
面上に一次金属層を無電解めっきし、前記一次層の上に
二次金属層を無電解めっきまたは電解めっきすることか
らなる、請求項11記載の方法。 - 【請求項13】 前記芳香族ポリマ―基材がポリカ―
ボネ―ト基材である、請求項11記載の方法。 - 【請求項14】 前記金属層が銅、ニッケル、金、銀
、白金、パラジウム、コバルト、またはこれらの組合せ
からなる、請求項11記載の方法。 - 【請求項15】 前記金属層が、前記表面に近接して
位置する銅層とこの銅層の上のニッケル層とからなる、
請求項11記載の方法。 - 【請求項16】 前記金属層が、前記表面に近接して
位置する第一のニッケル層、この第一ニッケル層の上の
銅層、およびこの銅層の上の第二のニッケル層からなり
、前記銅層が前記第一ニッケル層と前記第二ニッケル層
の間に挟まれている、請求項11記載の方法。 - 【請求項17】 前記表面に前記金属層を設けて電磁
干渉シ―ルドを形成する、請求項11記載の方法。 - 【請求項18】 前記表面に前記金属層でパタ―ンを
描いてプリント配線板のプリント回路を形成する、請求
項11記載の方法。 - 【請求項19】 前記一次金属層を有する前記芳香族
ポリマ―表面を、前記一次層上に前記二次金属層を設け
る前に、約45〜約170℃の温度で約5〜約120分
間熱処理する、請求項11記載の方法。 - 【請求項20】 ポリカ―ボネ―ト表面を改質してそ
の表面に設けられた金属層の密着性を改良するための方
法であって、前記表面を、少なくとも約60重量%の濃
度で水に溶解させた硝酸1部と少なくとも約90重量%
の濃度で水に溶解させた硫酸2部との混合物に約2〜約
5分間接触させることによって前記表面をニトロ化し、
前記表面を、約3〜約8重量%の濃度で水に溶解させた
アンモニアの溶液に約2〜約6分間接触させることによ
って前記表面を親水性にし、これにより前記密着性を改
良する方法。 - 【請求項21】 芳香族ポリマ―基材の表面に位置す
るニトロ基を含有するアンモノリシス開裂した芳香族ポ
リマ―を有する前記基材と、前記表面上に位置する金属
層とからなる物品。 - 【請求項22】 前記金属層が、前記表面上に位置す
る無電解めっきした一次金属層と、この第一層の上に位
置する電解めっきまたは無電解めっきした第二の金属層
とからなる、請求項21記載の物品。 - 【請求項23】 前記第一の金属層が銅である、請求
項21記載の物品。 - 【請求項24】 前記第一の金属層がニッケルである
、請求項21記載の物品。 - 【請求項25】 前記芳香族ポリマ―基材がポリカ―
ボネ―ト基材である、請求項21記載の物品。 - 【請求項26】 芳香族ポリマ―基材の表面に位置す
るニトロ基を含有するアンモノリシス開裂した芳香族ポ
リマ―を有する前記基材と、前記表面上に位置する無電
解めっきした金属層とからなる物品。 - 【請求項27】 前記金属層が銅またはニッケルであ
る、請求項26記載の物品。 - 【請求項28】 ポリカ―ボネ―ト基材の表面に位置
するニトロ基を含有するアンモノリシス開裂したポリカ
―ボネ―トポリマ―を有する前記基材と、前記表面上に
位置する金属層とからなる物品。 - 【請求項29】 前記金属層が、前記表面上に位置す
る無電解めっきした第一のニッケル層、この第一ニッケ
ル層の上に位置する無電解めっきまたは電解めっきした
銅層、およびこの銅層の上に位置する無電解めっきまた
は電解めっきした第二のニッケル層からなる、請求項2
8記載の物品。 - 【請求項30】 内面と外面のある壁を有しており、
この壁の表面が、ニトロ基を含有するアンモノリシス開
裂したポリカ―ボネ―トポリマ―鎖を有しているポリカ
―ボネ―ト製エンクロ―ジャと、前記表面上に位置する
金属層とからなる電気部品用のEMIシ―ルドされたエ
ンクロ―ジャであって、前記金属層が、このエンクロ―
ジャ内に封入された前記電気部品が発生するノイズの強
度を所望のレベルまで低下させる、EMIシ―ルドされ
た電気部品用エンクロ―ジャ。 - 【請求項31】 前記金属層が、前記表面上に位置す
る無電解めっきした第一の金属層と、この第一金属層の
上に位置する電解めっきまたは無電解めっきした第二の
金属層とからなる、請求項30記載のエンクロ―ジャ。 - 【請求項32】 前記第一の金属層が銅である、請求
項31記載のエンクロ―ジャ。 - 【請求項33】 前記第二の層がニッケルである、請
求項31記載のエンクロ―ジャ。 - 【請求項34】 前記金属層が前記壁の前記内面上に
位置する、請求項30記載のエンクロ―ジャ。 - 【請求項35】 前記金属層の厚みが前記エンクロ―
ジャから発するノイズの前記強度に対応している、請求
項30記載のエンクロ―ジャ。 - 【請求項36】 壁の表面が、ニトロ基を含有するア
ンモノリシス開裂したポリカ―ボネ―トポリマ―鎖を有
しているような壁を有するポリカ―ボネ―ト製エンクロ
―ジャと、前記表面上に位置する金属層とからなる電気
部品用のEMIシ―ルドされたエンクロ―ジャであって
、前記金属層が特定周波数域の電磁放射線による障害か
ら前記電気部品を保護する、EMIシ―ルドされた電気
部品用エンクロ―ジャ。 - 【請求項37】 前記金属層が、前記壁上に位置する
無電解めっきした第一の金属層と、この第一金属層の上
に位置する電解めっきまたは無電解めっきした第二の金
属層とからなる、請求項36記載のエンクロ―ジャ。 - 【請求項38】 前記特定周波数域が約1キロヘルツ
〜約10ギガヘルツである、請求項36記載のエンクロ
―ジャ。 - 【請求項39】 ポリカ―ボネ―ト基板の表面に位置
するニトロ基を含有するアンモノリシス開裂したポリカ
―ボネ―トポリマ―鎖を有する前記基板と、前記表面上
に位置する無電解めっきした第一の金属層、この第一金
属層の上に位置する電解めっきした第二の金属層からな
るプリント回路板であって、前記第一金属層と第二金属
層が、このプリント回路板上に配置される電気部品と外
部電気手段との間を電気的に相互に接続するトレ―スパ
タ―ンである、プリント回路板。 - 【請求項40】 前記第一金属層と第二金属層が銅で
ある、請求項39記載のプリント回路板。 - 【請求項41】 前記基板がポジ像を有する、請求項
39記載のプリント回路板。 - 【請求項42】 前記基板がネガ像を有する、請求項
39記載のプリント回路板。 - 【請求項43】 一体的に形成された壁と基板とを有
しており、前記壁と前記基板の表面が、この表面上に位
置するニトロ基を含有するアンモノリシス開裂したポリ
カ―ボネ―トポリマ―鎖を有しているポリカ―ボネ―ト
製ハウジングと、前記壁の前記表面上に位置しておりE
MIシ―ルドとなる金属層と、前記基板の前記表面上に
位置しており、前記基板上に配置される電気部品と外部
電気手段との間を電気的に相互に接続する導電性金属の
トレ―スパタ―ンと、からなる電気部品用エンクロ―ジ
ャ。 - 【請求項44】 前記表面に粗面組織を加えることに
よって、前記金属層と前記表面との間の密着性をさらに
高める、請求項43記載のエンクロ―ジャ。
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