JPH04283946A - Forming method of minute wiring pattern on ceramic green sheet - Google Patents

Forming method of minute wiring pattern on ceramic green sheet

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JPH04283946A
JPH04283946A JP7232391A JP7232391A JPH04283946A JP H04283946 A JPH04283946 A JP H04283946A JP 7232391 A JP7232391 A JP 7232391A JP 7232391 A JP7232391 A JP 7232391A JP H04283946 A JPH04283946 A JP H04283946A
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ceramic
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photoresist
wiring pattern
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    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern

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Abstract

PURPOSE:To form a minute wiring pattern on a ceramic green sheet. CONSTITUTION:A photoresist 2 constituted of photosensitive resin is applied by coating on a green sheet 1 constituted of ceramic powder for a multilayer wiring board and then exposure and development are conducted, so as to form a desired photoresist pattern. A conductor paste 3 is filled up in a recession formed thereby and the photoresist 2 is removed thereafter. Thereby a very minute wiring pattern is formed on the ceramic green sheet 1 for the multilayer wiring board.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、高速LSI素子を実装
するためのセラミック多層配線基板の製造方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic multilayer wiring board for mounting high-speed LSI devices.

【0002】0002

【従来の技術】従来、ICやLSI等の半導体素子は、
ガラスエポキシ等のプリント回路基板或はアルミナセラ
ミック基板に実装されていたが、半導体素子の高集積化
,微細化,高速化に伴い、実装用基板に対しても高密度
微細配線化,高速伝送化,高周波数化,高熱放散化の要
求が増えてきた。
[Prior Art] Conventionally, semiconductor devices such as ICs and LSIs are
They were mounted on printed circuit boards such as glass epoxy or alumina ceramic substrates, but as semiconductor devices become more highly integrated, finer, and faster, mounting substrates are also becoming more densely wired and have faster transmission speeds. , demands for higher frequencies and higher heat dissipation have increased.

【0003】従来のプリント基板には、スルーホールメ
ッキ性,加工性,多層化接着,高温での熱変形等の問題
があり、高密度化には限界がある。そのため、高密度実
装基板としては、未だ実用化には至っておらず、セラミ
ック基板の方が可能性を秘めている。
Conventional printed circuit boards have problems such as through-hole plating, workability, multilayer adhesion, and thermal deformation at high temperatures, and there is a limit to their ability to increase density. Therefore, as a high-density mounting board, it has not yet been put into practical use, and ceramic boards have more potential.

【0004】しかし、アルミナ基板も1500℃以上の
高温で焼結しなければならないため、同時焼成される配
線導体材料としては、比較的比抵抗の高いW,Mo等の
高融点金属に限定される。したがって、パルス信号の伝
送損失を考慮に入れた場合、配線パターンの微細化には
限界が生じてしまう。
[0004] However, since the alumina substrate must also be sintered at a high temperature of 1500°C or higher, the wiring conductor materials to be co-fired are limited to high melting point metals such as W and Mo, which have relatively high resistivity. . Therefore, if the transmission loss of the pulse signal is taken into account, there is a limit to the miniaturization of the wiring pattern.

【0005】一方、高速伝送化に対しても、パルス信号
の伝播遅延時間が基板材料の誘電率の平方根に比例する
ため、基板材料の低誘電率化が必要不可欠となる。しか
し、アルミナ基板は誘電率が約10と比較的高い。
On the other hand, for high-speed transmission, it is essential to lower the dielectric constant of the substrate material because the propagation delay time of the pulse signal is proportional to the square root of the dielectric constant of the substrate material. However, the alumina substrate has a relatively high dielectric constant of about 10.

【0006】そこで、開発されたのが低温焼結性多層セ
ラミック基板である。絶縁材料としては、セラミックと
ガラスの複合材料系や結晶化ガラス系等があるが、いず
れも1000℃以下で焼結するため、配線導体材料とし
て比抵抗の低いAu,Ag−Pd,Cu等の低融点金属
を用いることができる。また、低誘電率セラミックやガ
ラスを選定することで、絶縁材料の誘電率を5以下に下
げることも可能である。更に、グリーンシート多層化法
を使うことができるため、三次元配線が可能で高密度化
に非常に有利である。
[0006] Therefore, a low temperature sinterable multilayer ceramic substrate was developed. Insulating materials include ceramic-glass composite materials and crystallized glass, but since all of them are sintered at temperatures below 1000°C, materials such as Au, Ag-Pd, and Cu, which have low specific resistance, are used as wiring conductor materials. Low melting point metals can be used. Furthermore, by selecting a low dielectric constant ceramic or glass, it is possible to lower the dielectric constant of the insulating material to 5 or less. Furthermore, since a green sheet multilayering method can be used, three-dimensional wiring is possible, which is very advantageous for increasing density.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、グリーンシー
ト多層化法における配線パターンの形成は、一般的には
厚膜スクリーン印刷法により行われており、量産レベル
ではライン&スペースは75μm幅が限界で、微細配線
化には新たな手法・構造が必要となる。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the formation of wiring patterns in the green sheet multilayer method is generally performed by thick film screen printing, and at a mass production level, the line and space width is limited to 75 μm. , new methods and structures are required for finer wiring.

【0008】したがって、本発明の目的は、このような
従来の課題を解決することにより、セラミック多層配線
基板でも高密度微細配線化が実現できるようなセラミッ
ク粉末からなるグリーンシート上での微細配線パターン
の形成方法を提供することにある。
[0008] Therefore, an object of the present invention is to solve such conventional problems by creating a fine wiring pattern on a green sheet made of ceramic powder, which can realize high-density and fine wiring even on a ceramic multilayer wiring board. The object of the present invention is to provide a method for forming the same.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係るセラミックグリーンシート上での微細配
線パターンの形成方法においては、パターン形成工程と
、埋込工程と、除去工程とを有する微細配線パターンの
形成方法であって、パターン形成工程はセラミック粉末
を含むグリーンシート上に、感光性樹脂からなるフォト
レジストをコーティング後、露光・現像して所望のフォ
トレジストパターンを形成する工程であり、埋込工程は
前記フォトレジストパターンにより形成された凹部に導
体を埋め込む工程であり、除去工程は、前記フォトレジ
ストパターンを除去する工程であるものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, a method for forming a fine wiring pattern on a ceramic green sheet according to the present invention includes a pattern forming step, an embedding step, and a removing step. A method for forming a fine wiring pattern, the pattern forming step is a step of coating a green sheet containing ceramic powder with a photoresist made of a photosensitive resin, and then exposing and developing it to form a desired photoresist pattern. The embedding step is a step of embedding a conductor into the recess formed by the photoresist pattern, and the removal step is a step of removing the photoresist pattern.

【0010】0010

【作用】近年、多層セラミック配線基板は、次のグリー
ンシート積層法により成形される。即ち、セラミック粉
末にビヒクルを添加混合し、高速ミキサーやボールミル
等を用い十分混練、均一に分散させてスラリーを調整し
、これをスリップキャスティング法により絶縁層を形成
するのに適した膜厚のグリーンシートとする。なお、バ
インダーや溶剤等の有機ビヒクル類は通常用いられてい
るもので十分であり、成分については何等限定を要しな
い。
[Operation] In recent years, multilayer ceramic wiring boards are formed by the following green sheet lamination method. That is, a vehicle is added to ceramic powder and mixed, thoroughly kneaded using a high-speed mixer or ball mill, etc., and uniformly dispersed to prepare a slurry, which is then used to form a green film with a thickness suitable for forming an insulating layer by slip casting. Make it a sheet. It should be noted that organic vehicles such as binders and solvents that are commonly used are sufficient, and there is no need to limit the components in any way.

【0011】次に、上下導体を接続するスルーホールを
シートに形成し、導体印刷やスルーホールに導体ペース
トが詰まるように印刷する。更に、これらを所望の多層
構造となるように積層,熱圧着する。成形時に添加され
た有機ビヒクルを除去した後、焼成され多層セラミック
配線基板が得られる。
Next, through holes connecting the upper and lower conductors are formed in the sheet, and the conductor is printed or printed so that the through holes are filled with conductive paste. Furthermore, these are laminated and thermocompressed to form a desired multilayer structure. After removing the organic vehicle added during molding, it is fired to obtain a multilayer ceramic wiring board.

【0012】本発明では、導体配線を成形する際に、ま
ずグリーンシート上に感光性樹脂からなるフォトレジス
トをコーティング後(図1(a)参照)、露光・現像し
て所望のフォトレジストパターンを形成する(図1(b
)参照)。
[0012] In the present invention, when forming a conductor wiring, a photoresist made of a photosensitive resin is first coated on a green sheet (see FIG. 1(a)), and then exposed and developed to form a desired photoresist pattern. form (Figure 1(b)
)reference).

【0013】感光性樹脂には、主に光重合型,光架橋型
,光分解型が挙げられる。光重合型のオリゴマーやモノ
マーとしては、アクリロイル基(CH2=CH−CO−
),メタクリロイル基(CH2=C(CH3)−CO−
),ビニルエーテル基(CH2=CH=O−),ビニル
基(CH2=CH−),アリル基(CH2=CH−CH
2−)を二つ以上含む多官能基製のもので、具体的な化
合物にはペンタエリトリトールトリアクリレート,ペン
タエリトリトールジアクリレート,トリメチロールプロ
パントリアクリレート,エチレングリコールアクリレー
ト等がある。更に、不飽和単量体の官能基を側鎖に持つ
ようなペンダント型線状高分子も含まれる。
Photosensitive resins mainly include photopolymerizable, photocrosslinkable, and photodegradable types. Photopolymerizable oligomers and monomers include acryloyl groups (CH2=CH-CO-
), methacryloyl group (CH2=C(CH3)-CO-
), vinyl ether group (CH2=CH=O-), vinyl group (CH2=CH-), allyl group (CH2=CH-CH
It is made of a polyfunctional group containing two or more of 2-), and specific compounds include pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, and ethylene glycol acrylate. Furthermore, pendant linear polymers having a functional group of an unsaturated monomer in a side chain are also included.

【0014】光重合開始剤としては、ベンゾイン及びベ
ンゾイン誘導体であるベンゾインアルキルエーテル類や
ベンジル,ベンゾフェノン及びこれらの誘導体,アルキ
ルアントラキノン,アセトフェノン誘導体,塩素化アセ
トンフェノン誘導体等が使用される。感光性樹脂として
所定の解像度を得るために、上記成分以外にもヒドロキ
ノン,メチルヒドロキノン等の重合禁止剤やオイルブル
ー,メチレンブルー,クリスタルバイオレット,オイル
イエロー等の接着剤等も添加される。
As the photopolymerization initiator, benzoin and benzoin derivatives such as benzoin alkyl ethers, benzyl, benzophenone and derivatives thereof, alkylanthraquinone, acetophenone derivative, chlorinated acetonephenone derivative, etc. are used. In order to obtain a predetermined resolution as a photosensitive resin, in addition to the above components, polymerization inhibitors such as hydroquinone and methylhydroquinone, adhesives such as oil blue, methylene blue, crystal violet, and oil yellow are also added.

【0015】一方、光架橋型には、環化ポリイソプレン
ゴムまたはブタジエンゴムとヒスアジトまたはアジドピ
レンを混合した系、アクリルアシド重合体と水溶性ビス
アミド、例えばスチルベンジアジドスルフォン酸ソーダ
の混合系等がある。
On the other hand, the photo-crosslinkable type includes systems in which cyclized polyisoprene rubber or butadiene rubber is mixed with hisazide or azidopyrene, and systems in which an acrylic acid polymer and a water-soluble bisamide such as stilbendiazide sulfonate are mixed. .

【0016】更に、光分解型には、オルソナフトキノー
ジアジドに代表されるキノンアジド系のものとニトロ化
合物系の材料があり、これらの高分子ポリマーをメタク
リル酸共重合ポリマー,不飽和有機酸共重合ポリマー等
のアクリル可溶樹脂とブレンドしたり、フェノールノボ
ラック等の高分子と結合したり、これらの混合物がある
Furthermore, photodegradable materials include quinone azide-based materials such as orthonaphthoquinodiazide and nitro compound-based materials. It can be blended with acrylic soluble resins such as polymers, combined with polymers such as phenol novolak, or mixtures thereof.

【0017】また、ドライ現像タイプの樹脂は、特に微
細なパターンを形成するのに有効である。
Furthermore, dry development type resins are particularly effective in forming fine patterns.

【0018】現像液には、感光性樹脂の種類に依って、
ケトン系,キシレン系,エステル系,塩素系等の有機溶
剤と炭化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム等のアルカリ性の水溶液或は水等があるが、セラミッ
クグリーンシートの有機結合剤を破壊する場合があるの
で、その選定には十分な注意が必要である。
The developer contains, depending on the type of photosensitive resin,
There are organic solvents such as ketone, xylene, ester, and chlorine, and alkaline aqueous solutions or water such as sodium carbonate, sodium hydroxide, and potassium hydroxide, but if they destroy the organic binder of the ceramic green sheet. Therefore, sufficient care must be taken in its selection.

【0019】本発明の製造方法においては、次に、前記
フォトレジストパターンにより形成された凹部に導体を
埋め込む(図1(c)参照)。
In the manufacturing method of the present invention, a conductor is then embedded in the recesses formed by the photoresist pattern (see FIG. 1(c)).

【0020】導体としては、アルミナやムライト等焼成
温度が1000℃を越えるセラミックにはタングステン
やモリブデン等が、ガラスセラミックや結晶化ガラス等
焼結温度が1000℃以下の低温焼結性セラミックには
金,銀或は銀−パラジウム,銅やニッケル等が用いられ
ている。
As a conductor, tungsten, molybdenum, etc. are used for ceramics such as alumina and mullite whose sintering temperature exceeds 1000°C, and gold is used for low-temperature sinterable ceramics such as glass ceramics and crystallized glass whose sintering temperature is 1000°C or less. , silver or silver-palladium, copper, nickel, etc. are used.

【0021】また、これらのペーストはセラミックグリ
ーンシート上に塗布、通常の印刷機によりフォトレジス
トパターンにより形成された凹部にペーストを埋め込ま
れる。
[0021] These pastes are applied onto a ceramic green sheet, and filled in the recesses formed by the photoresist pattern using an ordinary printing machine.

【0022】更に、本発明では、前記フォトレジストパ
ターンを除去する(図1(d)参照)。フォトレジスト
は、先と同様の現像液により除去されるが、露光により
硬化している分、若干条件、例えば現像時間等を変更す
る必要がある。
Furthermore, in the present invention, the photoresist pattern is removed (see FIG. 1(d)). The photoresist is removed using the same developer as before, but since it is hardened by exposure, it is necessary to change the conditions, such as the development time, slightly.

【0023】このようにして、フォトレジストパターン
の凹部に相当する微細配線パターンがセラミックグリー
ンシート上に形成される。
In this way, a fine wiring pattern corresponding to the recesses of the photoresist pattern is formed on the ceramic green sheet.

【0024】[0024]

【実施例】次に本発明を実施例を用いて詳細に説明する
EXAMPLES Next, the present invention will be explained in detail using examples.

【0025】(実施例1)本発明の実施例1として、ア
ルミナを55重量%、ホウケイ酸系鉛ガラスを45重量
%含む2成分系セラミック組成物をセラミック原料とし
て、また光架橋型感光性樹脂をフォトレジストとして用
いた場合について述べる。
(Example 1) As Example 1 of the present invention, a two-component ceramic composition containing 55% by weight of alumina and 45% by weight of borosilicate lead glass was used as a ceramic raw material, and a photocrosslinkable photosensitive resin was used as a ceramic raw material. The case where this is used as a photoresist will be described.

【0026】上記セラミック組成物は、平均粒径1.0
μmのアルミナ粉末と2.0μmのホウケイ酸系鉛ガラ
スを目標組成となるよう配合し、ボールミル等で1〜3
時間混合し、均質な混合粉末を得る。なお、本組成では
、900℃程度の低温で焼結が可能であるため、導体と
して融点の低い金,銀或は銀−パラジウム等の低抵抗材
料を使用することができる。
[0026] The above ceramic composition has an average particle size of 1.0
Mix alumina powder of μm and borosilicate lead glass of 2.0 μm to the target composition, and use a ball mill etc. to
Mix for an hour to obtain a homogeneous mixed powder. Note that this composition can be sintered at a low temperature of about 900° C., so a low resistance material such as gold, silver, or silver-palladium, which has a low melting point, can be used as the conductor.

【0027】上記セラミック混合粉末は、高速ミキサー
やボールミル等により有機ビヒクル(バインダーや可塑
剤,溶剤等)と共に十分混合・分散され、スラリー化さ
れる。更に、十分に脱泡されたスラリーから、スリップ
キャスティング法により、ポリエステル等からなるキャ
リヤフィルム上で所望の膜厚のグリーンシートを作製す
る。
The above ceramic mixed powder is sufficiently mixed and dispersed with an organic vehicle (binder, plasticizer, solvent, etc.) using a high-speed mixer, a ball mill, etc., to form a slurry. Furthermore, from the slurry that has been sufficiently defoamed, a green sheet having a desired thickness is produced on a carrier film made of polyester or the like by slip casting.

【0028】一方、感光性樹脂として、光架橋型の変性
ポリビニルアルコールとジアゾニウム塩の混合物を用い
た。上記セラミックグリーンシート1上に、上記感光性
樹脂、即ちフォトレジスト2が所定の厚みになるように
均一にコーティングした(図1(a))。このフォトレ
ジスト2上に所定のパターンが形成されたフォトマスク
を密着させ、光を照射し露光する。なお、露光は3kW
の超高圧水銀燈を使用し、1分間行った。更に、水によ
るスプレー現像(圧力3kg/cm2)を1分間行うこ
とで、所望のフォトレジストパターンを形成した(図1
(b))。なお、パターン幅は10μmまで、ピッチ幅
は20μmまで可能だが、今回は85μm&30μmを
試作した。
On the other hand, a mixture of photocrosslinkable modified polyvinyl alcohol and diazonium salt was used as the photosensitive resin. The photosensitive resin, ie, the photoresist 2, was uniformly coated onto the ceramic green sheet 1 to a predetermined thickness (FIG. 1(a)). A photomask having a predetermined pattern formed thereon is brought into close contact with the photoresist 2 and exposed to light. In addition, the exposure was 3kW.
This was carried out for 1 minute using an ultra-high pressure mercury lamp. Furthermore, spray development with water (pressure 3 kg/cm2) was performed for 1 minute to form the desired photoresist pattern (Figure 1
(b)). Note that the pattern width can be up to 10 μm and the pitch width can be up to 20 μm, but this time we prototyped 85 μm & 30 μm.

【0029】上記の方法でフォトレジストパターンが形
成されたグリーンシート上に、銀95重量%、パラジウ
ム5重量%からなる導体ペースト3を塗布し、印刷機に
よりフォトレジストパターンの凹部に埋め込んだ(図1
(c))。なお、ペースト中の有機成分比率は、15重
量%で、残部には銀やパラジウム以外にガラスフリット
や金属酸化物のような添加物が含まれており、粘度は4
00〜500cp程度に調整されている。また、埋め込
み条件は、印刷圧力が3kg/cm2、スピードが約1
0s/100mmで、その他スキージのゴム硬度や接触
角度等についても十分配慮した。
A conductive paste 3 consisting of 95% by weight of silver and 5% by weight of palladium was applied onto the green sheet on which the photoresist pattern was formed by the above method, and was embedded in the recesses of the photoresist pattern using a printing machine (see Fig. 1
(c)). The organic component ratio in the paste is 15% by weight, and the remainder contains additives such as glass frit and metal oxides in addition to silver and palladium, and the viscosity is 4.
It is adjusted to about 00 to 500 cp. In addition, the embedding conditions are a printing pressure of 3 kg/cm2 and a speed of approximately 1.
0s/100mm, and other factors such as the rubber hardness of the squeegee and the contact angle were also taken into consideration.

【0030】次いで、水によるスプレー現像(圧力3k
g/cm〓2 〓)を4分間行うことで、フォトレジス
トパターンを除去し、80℃で10分間乾燥した(図1
(d))。
Next, spray development with water (pressure 3k)
g/cm〓2〓) for 4 minutes, the photoresist pattern was removed and dried at 80°C for 10 minutes (Figure 1
(d)).

【0031】これにより、線幅が30μm、線間隔が8
5μm、厚みが15μmの非常に微細な配線パターンが
グリーンシート上に形成された。
[0031] As a result, the line width is 30 μm and the line spacing is 8
A very fine wiring pattern of 5 μm and 15 μm in thickness was formed on the green sheet.

【0032】なお、グリーンシートを所望の構造となる
よう積層・熱圧着後、脱バインダー・焼成とすると、線
幅は約25μm、線間隔は約75μm、厚みは約10μ
mにまで収縮するため、高密度微細配線化が可能となる
[0032] When the green sheets are laminated and thermocompressed to obtain the desired structure, and then the binder is removed and fired, the line width is approximately 25 μm, the line spacing is approximately 75 μm, and the thickness is approximately 10 μm.
Since it shrinks up to m, high-density and fine wiring becomes possible.

【0033】(実施例2)本発明の実施例2として、石
英ガラスを15重量%、コーディエライトを20重量%
、ホウケイ酸系ガラスを65重量%含む3成分系セラミ
ック組成物をセラミック原料として、また光重合型感光
性樹脂をフォトレジストとして用いた場合について述べ
る。
(Example 2) As Example 2 of the present invention, 15% by weight of quartz glass and 20% by weight of cordierite were used.
A case will be described in which a three-component ceramic composition containing 65% by weight of borosilicate glass is used as a ceramic raw material, and a photopolymerizable photosensitive resin is used as a photoresist.

【0034】上記セラミック組成物は、平均粒径3.7
μmの石英ガラス粉末、2.6μmのコーディエライト
粉末、2.0μmのホウケイ酸系ガラスを目標組成とな
るよう配合し、ボールミル等で1〜3時間混合し、均質
な混合粉末を得る。なお、本組成も、900℃程度の低
温で焼結が可能であるため、導体として融点の低い金,
銀或は銀−パラジウム、銅やニッケル等の低抵抗材料を
使用することができる。また、上記セラミック混合粉末
から、本発明の実施例1と同様の方法で、所望の膜厚の
グリーンシートを作製する。
[0034] The above ceramic composition has an average particle size of 3.7.
Quartz glass powder of .mu.m, cordierite powder of 2.6 .mu.m, and borosilicate glass of 2.0 .mu.m are blended to a target composition and mixed for 1 to 3 hours using a ball mill or the like to obtain a homogeneous mixed powder. This composition can also be sintered at a low temperature of about 900°C, so gold, which has a low melting point, can be used as a conductor.
Low resistance materials such as silver or silver-palladium, copper or nickel can be used. Further, a green sheet having a desired thickness is produced from the above ceramic mixed powder in the same manner as in Example 1 of the present invention.

【0035】一方、感光性樹脂として、トリエチレング
リコールアクリレート,ベンゾインプロピルエーテル,
重合禁止剤としてエチルアンスラキノン、着色剤として
オルルブルーからなる光重合型のものを用いた。なお、
露光は3kWの超高圧水銀燈を使用し、1分間行い、現
像はメチルエチルケトンによるスプレー現像(圧力1k
g/cm2)を1分間行った。また、導体としては金ペ
ーストを使用した。
On the other hand, as the photosensitive resin, triethylene glycol acrylate, benzoin propyl ether,
A photopolymerizable type consisting of ethyl anthraquinone as a polymerization inhibitor and Orlu Blue as a coloring agent was used. In addition,
Exposure was carried out for 1 minute using a 3 kW ultra-high pressure mercury lamp, and development was carried out using methyl ethyl ketone spray development (pressure 1 k).
g/cm2) for 1 minute. Furthermore, gold paste was used as the conductor.

【0036】導体を充填した後の硬化したフォトレジス
トパターンは、メチルエチルケトンによるスプレー現像
(圧力1kg/cm2)を4分間行い、除去した。
The hardened photoresist pattern filled with the conductor was removed by spray development with methyl ethyl ketone (pressure 1 kg/cm 2 ) for 4 minutes.

【0037】これにより、線幅が20μm、線間隔が2
0μm、厚みが20μmの非常に微細な配線パターンが
グリーンシート上に形成された。
[0037] As a result, the line width is 20 μm and the line spacing is 2
A very fine wiring pattern with a thickness of 0 μm and a thickness of 20 μm was formed on the green sheet.

【0038】なお、グリーンシートを所望の構造となる
よう積層・熱圧着後、脱バインダー・焼成すると、線幅
は約17μm、線間隔は17μm、厚みは約15μmに
まで収縮するため、非常に高密度微細配線化が可能とな
る。
[0038] When the green sheets are laminated and thermocompressed to form the desired structure, and then the binder is removed and baked, the line width shrinks to approximately 17 μm, the line spacing to 17 μm, and the thickness to approximately 15 μm, resulting in a very high This enables high-density and fine wiring.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように本発明の多層配線基
板用セラミックグリーンシート上での微細配線パターン
の形成方法を用いると、線幅,線間隔,厚みのいずれも
20μmの微細配線をグリーンシート上に形成すること
ができ、LSI素子の高密度化や高速化に対応した実装
基板の提供が可能となる。
[Effects of the Invention] As explained above, by using the method of forming fine wiring patterns on ceramic green sheets for multilayer wiring boards of the present invention, fine wiring with line width, line spacing, and thickness of 20 μm can be formed on green sheets. This makes it possible to provide a mounting board compatible with higher density and higher speed LSI elements.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の多層配線基板用セラミックグリーンシ
ート上での微細配線パターンの形成方法の工程系統図を
示した図である。
FIG. 1 is a diagram showing a process flow diagram of a method for forming a fine wiring pattern on a ceramic green sheet for a multilayer wiring board according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  セラミックグリーンシート 2  フォトレジスト 3  導体ペースト 1 Ceramic green sheet 2 Photoresist 3 Conductor paste

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  パターン形成工程と、埋込工程と、除
去工程とを有する微細配線パターンの形成方法であって
、パターン形成工程はセラミック粉末を含むグリーンシ
ート上に、感光性樹脂からなるフォトレジストをコーテ
ィング後、露光・現像して所望のフォトレジストパター
ンを形成する工程であり、埋込工程は前記フォトレジス
トパターンにより形成された凹部に導体を埋め込む工程
であり、除去工程は、前記フォトレジストパターンを除
去する工程であることを特徴とするセラミックグリーン
シート上での微細配線パターンの形成方法。
1. A method for forming a fine wiring pattern comprising a pattern forming step, a embedding step, and a removing step, the pattern forming step is to form a photoresist made of a photosensitive resin on a green sheet containing ceramic powder. After coating, a desired photoresist pattern is formed by exposure and development.The embedding process is a process of embedding a conductor in the recesses formed by the photoresist pattern, and the removal process is a process of embedding the conductor in the recesses formed by the photoresist pattern. 1. A method for forming a fine wiring pattern on a ceramic green sheet, the method being a step of removing.
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