JPH04268296A - Erasable type read out dedicated memory - Google Patents

Erasable type read out dedicated memory

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Publication number
JPH04268296A
JPH04268296A JP3029760A JP2976091A JPH04268296A JP H04268296 A JPH04268296 A JP H04268296A JP 3029760 A JP3029760 A JP 3029760A JP 2976091 A JP2976091 A JP 2976091A JP H04268296 A JPH04268296 A JP H04268296A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory
address
read out
eprom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3029760A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoto Miyazawa
宮沢 清人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3029760A priority Critical patent/JPH04268296A/en
Publication of JPH04268296A publication Critical patent/JPH04268296A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

PURPOSE:To realize a high speed access by providing an EPROM in a cache memory which is operating at a high speed. CONSTITUTION:A multiplexer 1 selects either the data stored in an EPROM section 5 or the data stored in a data memory 2 as the data to be transmitted to the external through a data bus 11. The data memory 2 temporarily stores a portion of the data which are stored in the EPROM section 5 as a cache memory and when the data, read out from the host device, are located in the data memory 2, no read out from the EPROM section 5 takes place and instead the read out is conducted from the data memory 2. An address tag comparator 4 judges whether the newly read out data from the host device as the data stored in the memory 2 or not and if the data are not located in the memory 2, discard the mostly not read out data, which are located in the memory 2, and the data are stored.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明はユーザプログラマブル読
出し専用メモリ(PROM)のうち、時に消去可能なユ
ーザプログラマブル読出し専用メモリ(EPROM)に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention This invention relates to user programmable read only memories (PROMs), sometimes erasable user programmable read only memories (EPROMs).

【0002】0002

【従来の技術】従来の消去可能なユーザプログラマブル
読出し専用メモリ(EPROM)は、スタテックランダ
ムアクセスメモリ(SRAM)に比較してその動作速度
が低速であり、従ってEPROMとSRAMの両者を使
用するコンピュータシステム等においては、EPROM
の動作速度(アクセス速度)に合せるため、SRAMの
アクセスサイクルに“WAIT”を挿入してサイクル時
間を延長している。
BACKGROUND OF THE INVENTION Conventional erasable user programmable read only memory (EPROM) has a slower operating speed compared to static random access memory (SRAM), and therefore computers using both EPROM and SRAM In systems etc., EPROM
In order to match the operating speed (access speed) of SRAM, "WAIT" is inserted into the SRAM access cycle to extend the cycle time.

【0003】0003

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のEPROMのアクセス速度(アクセスタイム)は、S
RAMのアクセス速度に比較して遅いが、中央処理装置
(CPU)のアクセス速度(サイクルタイム)よりは早
いため、システム全体の処理速度の送らせる要因とはな
っていなかった。しかし、近年、CPUのサイクルタイ
ムが急速に短縮されてきている。一方、EPROMのア
クセスタイムの短縮幅は小さいために、CPUのサイク
ルタイムがEPROMのアクセスタイムのよりも短くな
り、このためEPROMの動作のときに、CPUのサイ
クルタイムに“WAIT”を挿入してサイクルタイムを
延長することが必要となってきており、このためシステ
ム全体の性能を低下させる要因となっている。
[Problems to be Solved by the Invention] As mentioned above, the access speed (access time) of the conventional EPROM is
Although it is slower than the access speed of RAM, it is faster than the access speed (cycle time) of the central processing unit (CPU), so it has not been a factor in increasing the processing speed of the entire system. However, in recent years, the cycle time of CPUs has been rapidly reduced. On the other hand, since the reduction in access time of EPROM is small, the cycle time of the CPU is shorter than the access time of EPROM. Therefore, when operating the EPROM, "WAIT" is inserted in the cycle time of the CPU. It has become necessary to extend the cycle time, which is a factor that degrades the overall system performance.

【0004】0004

【課題を解決するための手段】本発明の消去可能形読出
し専用メモリは、消去可能にデータを格納するプログラ
ム可能な読出し専用のEPROM部と、前記EPROM
部よりも高速で動作し前記EPROM部に格納してある
データの一部を格納するデータメモリと、前記データメ
モリ内に入れておくデータのアドレスを記憶するアドレ
スタグと、上位装置から前記EPROM部に対して読出
しを受けたときに前記アドレスタグに記憶してあるアド
レスと前記上位装置から送られてきたアドレスをと比較
しそれらが一致したとき前記データメモリ内にあるデー
タを送出し前記データメモリ内にないデータのアドレス
を入力したときそれを前記データメモリ内の最も読出し
されていないデータのアドレスと交換するアドレスタグ
コンパレータとを備えている。
The erasable read-only memory of the present invention includes a programmable read-only EPROM section that stores data in an erasable manner;
a data memory that operates at a higher speed than the EPROM section and stores part of the data stored in the EPROM section; an address tag that stores the address of the data stored in the data memory; When a read is received from the address tag, the address stored in the address tag is compared with the address sent from the host device, and when they match, the data in the data memory is sent to the data memory. and an address tag comparator that, when inputting an address of data that is not in the data memory, exchanges it with the address of the least read data in the data memory.

【0005】[0005]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
Embodiments Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0006】図1は本発明の一実施例を示すブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.

【0007】図1において、マルチプレクサ1は、デー
タバス11を介して外部に送出するデータを、EPRO
M部5のデータとするかデータメモリ2のデータとする
かを選択する。データメモリ2は、キャッシュメモリと
して、EPROM部5に記憶しているデータの一部を一
時的に記憶しており、上位装置から読出しを受けたデー
タがデータメモリ2内にあるときは、EPROM部5か
ら読出しを行わずにこのデータメモリ2から読出しを行
う。データメモリ2としては、その動作時間がEPRO
M部5の動作時間よりも高速なものを使用する。このた
め、読出しを受けたデータを高速で送出することができ
る。
In FIG. 1, a multiplexer 1 sends data to the outside via a data bus 11 to an EPRO
Select whether to use the data in the M section 5 or the data in the data memory 2. The data memory 2 serves as a cache memory and temporarily stores part of the data stored in the EPROM section 5. When data read from the host device is in the data memory 2, the data memory 2 is used as a cache memory. Data is read from this data memory 2 without reading from data memory 5. As data memory 2, its operating time is EPRO.
A device whose operation time is faster than that of the M section 5 is used. Therefore, the read data can be sent out at high speed.

【0008】アドレスタグ3は、データメモリ2内に記
憶しているデータが、EPROM部5のどのアドレスに
あるかを示すところである。アドレスタグコンパレータ
4は、上位装置から新たに読出しを受けたデータが、デ
ータメモリ2内にあるデータであるか否かを、アドレス
バス13を介して上位装置から入力したアドレスとアド
レスタグ3のアドレスと比較することによって判断し、
データメモリ2内にないデータのときは、データメモリ
2内の最も読出しされていないデータを捨ててそのデー
タを記憶させることによって交換する。
The address tag 3 indicates at which address of the EPROM section 5 the data stored in the data memory 2 is located. The address tag comparator 4 compares the address input from the host device via the address bus 13 and the address of the address tag 3 to determine whether the data newly read from the host device is the data in the data memory 2 or not. Judging by comparing with
When the data is not in the data memory 2, the data is replaced by discarding the least read data in the data memory 2 and storing that data.

【0009】図2は図1の実施例を使用したコンピュー
タシステムの一例を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of a computer system using the embodiment of FIG.

【0010】図2のシステムと従来のシステムとの相違
は、本実施例のEPROM24が、データメモリ2にデ
ータが記憶されているときの記憶されていないときとで
、アクセス時間が異なることである。このため、アドレ
スタグコンパレータ4からRDY信号14を送出し(図
1参照)、これによってレディ制御部27を介してMP
U21に対してアクセス時間の相違を知らせる。レディ
制御部27は、SRAM23およびEPROM24およ
びI/O25のアクセス時間の差異をMPU21に対し
て通知する。外部から見た場合、これ以外は従来のシス
テムと同じである。
The difference between the system of FIG. 2 and the conventional system is that the EPROM 24 of this embodiment has different access times depending on whether data is stored in the data memory 2 or not. . Therefore, the address tag comparator 4 sends out the RDY signal 14 (see FIG. 1), which causes the MP
Notify U21 of the difference in access time. The ready control unit 27 notifies the MPU 21 of the difference in access time between the SRAM 23, EPROM 24, and I/O 25. When viewed from the outside, everything else is the same as the conventional system.

【0011】[0011]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のEPRO
Mは、高速で動作するキャッシュメモリ内部にを設ける
ことにより、大容量のEPROMでも高速でアクセスす
ることができるという効果があり、外部回路にキャッシ
ュメモリを設けるのに比して少ない部品で実現できるた
め、コストを低減できるという効果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, the EPRO of the present invention
M has the effect that even large-capacity EPROMs can be accessed at high speed by providing a cache memory inside the cache memory that operates at high speed, and can be achieved with fewer parts than providing a cache memory in an external circuit. Therefore, there is an effect that costs can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例を使用したコンピュータシステム
の一例を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of a computer system using the embodiment of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    マルチプレクサ 2    データメモリ 3    アドレスタグ 4    アドレスタグコンパレータ 5    EPROM部 11    データバス 13    アドレスバス 14    RDY信号 21    MPU 23    SRAM 24    EPROM 25    I/O 27    レディ制御部 1 Multiplexer 2 Data memory 3 Address tag 4 Address tag comparator 5 EPROM section 11 Data bus 13 Address bus 14 RDY signal 21 MPU 23 SRAM 24 EPROM 25 I/O 27 Ready control section

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  消去可能にデータを格納するプログラ
ム可能な読出し専用のEPROM部と、前記EPROM
部よりも高速で動作し前記EPROM部に格納してある
データの一部を格納するデータメモリと、前記データメ
モリ内に入れておくデータのアドレスを記憶するアドレ
スタグと、上位装置から前記EPROM部に対して読出
しを受けたときに前記アドレスタグに記憶してあるアド
レスと前記上位装置から送られてきたアドレスをと比較
しそれらが一致したとき前記データメモリ内にあるデー
タを送出し前記データメモリ内にないデータのアドレス
を入力したときそれを前記データメモリ内の最も読出し
されていないデータのアドレスと交換するアドレスタグ
コンパレータとを備えることを特徴とする消去可能形読
出し専用メモリ。
1. A programmable read-only EPROM section for erasably storing data;
a data memory that operates at a higher speed than the EPROM section and stores part of the data stored in the EPROM section; an address tag that stores the address of the data stored in the data memory; When a read is received from the address tag, the address stored in the address tag is compared with the address sent from the host device, and when they match, the data in the data memory is sent to the data memory. an address tag comparator for replacing an address of data that is not in the data memory with the address of the least read data in the data memory.
JP3029760A 1991-02-25 1991-02-25 Erasable type read out dedicated memory Pending JPH04268296A (en)

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JP3029760A JPH04268296A (en) 1991-02-25 1991-02-25 Erasable type read out dedicated memory

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07146820A (en) * 1993-04-08 1995-06-06 Hitachi Ltd Control method for flash memory and information processor using the same
JP2006065533A (en) * 2004-08-26 2006-03-09 Sony Corp Semiconductor memory device, its access method, and memory control system

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