JPH04268089A - 金−スズ合金の電着 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表面上の金−スズ合金
の電気めっきに関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】マイク
ロ電子装置の組立てには半導体を他の表面に接続する工
程が含まれる。その様な表面には他の半導体またはセラ
ミックの様な非半導体基材が含まれる。その様な多くの
用途では、スズ、インジウム、アンチモンおよびビスマ
スの少なくとも一つを含む金の合金で接続を行なう。以
前は、半導体デバイスチップは一般に基材またはパッケ
ージ上に、合金板、または例えばそれぞれの厚さで、加
熱により望ましい組成の合金層が得られる様な比率で、
少なくとも一つの金の層および少なくとも一つの合金化
する金属の層からなる板の形のはんだプレフォームを使
用して接続した。例えば、コンラッドライト、「はんだ
ラップ強度に対する固体状態反応の影響」、ＩＥＥＥ部
会報告、ハイブリッドおよびパッケージング、第ＰＨＰ
−１３巻，Ｎｏ．３，１９７７年９月、２０２−２０７
　、Ｄ．Ｒ．オルセンら、「熱疲労に関連するダイボン
ド合金の特性」、Ｐｒｏｃ．　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｏ
ｍｐｏｎｅｎｔｓ　Ｃｏｎｆ．　２７，　１９７７、１
９３−１９８　頁、およびゴランＳ．マチャセビックお
よびチンＣ．リー、「ＧａＡｓダイスとのＡｕ−Ｓｎ　
共融結合の信頼性研究」、ＩＥＥＥ−第２７回年会報告
、信頼性物理学、フェニックス、アリゾナ、１９８９年
４月１１，　１２および１３日、１３７−１４０　頁参
照。しかし、プレフォームの使用には一定の困難がつき
まとう。例えば、取り扱い中にプレフォームが破断する
のを防ぐために、接続に必要な厚さに対してプレフォー
ムを厚く作製し、不均一な加熱プロファイルまたは金属
流動によりはんだと接続すべき表面との間に空隙（ボイ
ド　　ポケット）が生じ、はんだの飛びはねまたはオー
バーフローにより短絡や外観不良が生じ、多数の、例え
ば数千枚の個別のプレフォームパッドを半導体ウエハー
上に配置するのは、取り扱いおよび整列の点で面倒であ
り、はんだの厚さおよび溶融プロファイルが常に均一に
なるとは限らない。

【０００３】少なくともこれらの問題を解決するために
、他の表面と接続すべきウエハーの表面に合金の層を電
気めっきする試みがなされている。しかし、金シアン化
カリウム、およびスズ、インジウム、アンチモンおよび
ビスマスの中の少なくとも一つを含むナトリウム塩を含
む市販の電気めっき浴組成物は不安定であり、金属沈殿
物を形成し、めっき中および密閉容器中で貯蔵していて
も、溶液のｐＨが変化し、組成が大きく変わる合金が電
着される。その様な電気めっき浴の一つは、金シアン化
カリウムおよびスズ酸ナトリウムを、金対スズの比が約
１：１　で含み、ｐＨが１１〜１２であり、推奨めっき
温度が６０〜６５ｏＣである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、スズ、インジ
ウム、アンチモンおよびビスマスの少なくとも一つを含
む金合金を表面上に電解により析出させるための方法で
ある。本発明の金合金めっき電解液は、ナトリウムを含
まず、シアン化カリウム錯体として金及びカリウム塩と
して合金化する金属、炭酸カリウム、リン酸カリウムお
よびシアン化カリウムを含む緩衝剤／配位子、界面活性
剤、および溶液をｐＨ１０〜１１に調節するのに十分な
水酸化カリウムまたはリン酸を含む溶液である。金およ
び他の金属は浴中に１：３　〜１：２０、好ましくは１
：３　〜１：１０、最も好ましくは１：５の比に維持さ
れる。浴の温度は４０〜５０ｏＣに維持される。３〜２
０　ｍＡ／ｃｍ２　の電流密度を使用し、電着は４０〜
６５％　電流効率の範囲内で行なう。電着中に浴を攪拌
することも重要である。めっきは、めっきすべき物品を
カソードとして垂直に、アノードに対して平行に配置す
る装置で行なわれる。めっき溶液は物品とアノードとの
間を上方向に、薄層状の流れで、２〜１００　ｃｍ／秒
の線速度で移動する。この溶液は、めっき作業中および
貯蔵中の両方で安定している。

【０００５】代表的な実施形態には、１３〜９５重量％
のスズを含み、残りが金である金−スズ合金組成物が含
まれる。特に重要なのは、接続に好適な、１９〜２５重
量％のスズを含み、残りが金である金−スズ合金組成物
である。 融点が３００　ｏＣ未満のその様な合金の一つは、融点
が２８０　ｏＣの、８０Ａｕ−２０Ｓｎ　重量％の共融
組成物を形成する金−スズ（ＡｕＳｎ）合金である（図
１）。８０Ａｕ−２０Ｓｎ　は剪断強度が比較的高く、
半導体デバイス使用の一般的な温度範囲内の熱サイクル
に対して比較的不活性な合金である。

【０００６】本発明を、代表的な金−スズめっき組成物
に関して説明する。１３〜９５、好ましくは１９〜２５
、最も好ましくは２０重量％のＳｎを含み、残りはＡｕ
である合金を電着させるのに適した、本発明に係わる代
表的な金−スズ電解浴を下記の表Ｉに示す。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　表Ｉ　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　シアン化カリウム錯体としての金
［ＫＡｕ（ＣＮ）２］　　　　　　　　　　０．１−５
　ｇ／ｌ　スズ酸カリウムとしてのスズ（Ｋ２ＳｎＯ３
・３Ｈ２Ｏ）　　　　　　　　　　　５−３０　ｇ／ｌ
カリウムのリン酸塩化合物（例えばＫ２ＨＰＯ４）　　
　　　　　　　　　１０−５０　ｇ／ｌ　　　または同
じ位の濃度のリン酸 シアン化カリウム（ＫＣＮ）　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　２０−５０　ｇ／
ｌ　炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１０−３
０　ｇ／ｌ　界面活性剤　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　２０−１００　ｐｐｍ

【０００７】浴中の金およびスズは１：３　〜１：２０
、好ましくは１：３　〜１：１０、最も好ましくは１：
５　の比で存在する。 十分な水酸化カリウムまたはリン酸を使用して、ｐＨを
１０〜１１の範囲内の望ましい値に調節することができ
る。浴の温度を４０〜５０ｏＣに維持する。電着中の電
流密度は３〜２０　ｍＡ／ｃｍ２に維持される。めっき
する表面を液体が２〜１００　ｃｍ／秒の線速度で薄層
状に通過する様に、電着中に浴を攪拌する。金対スズの
比、電流密度、ｐＨ、溶液温度、およびめっきすべき表
面を通過する液体の速度を変えることにより、１３−９
５　重量％の望ましい範囲内のスズを含む合金を電着さ
せることができる。金／スズの比およびそれらのパラメ
ータを適切に選択することにより、上記の範囲内のＡｕ
−Ｓｎ　の望ましい組成物をめっきすることができる。 溶液中の金およびスズは、めっき中のこれらの成分の減
少に応じて、ある一定の間隔で溶液中に補給する。一般
に、スズ含有量の２５％　が消費されるまでスズは補給
する必要は無いが、金は約１０％　以下が消費されたら
補給すべきである。補給すべきＫＡｕ（ＣＮ）２の量は
めっきされた重量から推定できるが、定期的な金含有量
の浴分析を行なう方が良い。

【０００８】作業温度はサーモスタットにより１ｏＣ以
内で制御すべきである。浴温度が１０ｏＣ増加すると、
ｐＨが約０．１３５　単位減少する。ｐＨを固定し、温
度が変化する場合、温度が高い程、めっきされた合金中
のＳｎ含有量が高くなる。しかし、任意の浴において、
ｐＨが減少し、温度が増加すると、合金組成に対する温
度変化の影響がある程度補償される。

【０００９】温度測定に十分注意し、ｐＨを注意深く調
整することが必要である。めっき中にｐＨは徐々に増加
し、Ａｕ補給により段階的に増加するので、Ａｕ補給す
る度にｐＨを調整する必要がある。また、各めっき毎に
ｐＨ検査するのがよい。全電流はめっき中、本質的に一
定に維持すべきである。特定のパラメータ範囲内では、
合金組成は電流密度により事実上変化しない。作業パラ
メータおよび浴組成は、６５％　未満、例えば４０〜６
０％　のカソード電流効率で電着される様に選択する。 こうしてカソードで水素が発生し、それにより、めっき
されている合金組成が安定化する。

【００１０】ガス、気泡、例えば水素がめっきされた金
属に付着してピットを生じさせるのを防ぐために、界面
活性剤を使用する。本発明の組成物では、アルカリ性め
っき浴中で十分な化学的安定性および溶解性を有してい
れば、どの様な界面活性剤でも使用できる。好ましい界
面活性剤はフルオラッド（Ｆｌｕｏｒａｄ）ＦＣ−９８
　であるが、これは密で安定した泡を形成しない、耐薬
品性が高い、ペルフルオロアルキルスルホン酸カリウム
として説明されているアニオン系界面活性剤である。ま
た、他のアルキルおよびアリールアルキルスルホネート
、線状脂肪族ポリエーテル、アルキル−フェノキシ−ポ
リエーテルアルコール、アリールアルキル−ポリエーテ
ルアルコールの様な非イオン系界面活性剤、および界面
活性剤として作用するが、めっき作業を妨害する恐れの
ある過剰の泡を形成せず、ナトリウムを導入しない類似
の高分子化合物も好適である。

【００１１】攪拌条件は合金組成物に著しい影響を与え
るので、めっきしている表面を横切る流れは厳密に制御
する必要がある。制御された薄層状流が得られる様に、
アノードおよびカソードを垂直で互いに平行に配置する
ことにより、一定で均一な速度の薄層状流が得られる。 薄層状流は、液体がめっきすべき表面を２〜１００　ｃ
ｍ／秒、好ましくは５〜１２　ｃｍ　／秒、最も好まし
くは約７．５−８．５　ｃｍ／秒で通過する様に調整す
る。この合金の電着に非常に適した装置では、対向する
電極を垂直で平行に配置し、その間を調整された薄層状
の上方向の浴流が通過する。例えば、ここに参考として
含める、１９８７年９月２９日にフーゴＡ．Ａ．サンテ
ィニ（Ｈｕｇｏ　Ａ．Ａ．Ｓａｎｔｉｎｉ）に与えられ
た米国特許第４，６９６，７２９　号参照。この装置は
、めっきを行なう隔室および閉ループ流体系を有する。 めっき液は平衡室を通ってめっき隔室に入り、乱流を防
ぎ、隔室内で薄層上の流れを確保している。

【００１２】アノードおよびカソードは、隔室の対向す
る壁上に垂直に、互いに間隔を置いて平行に配置されて
いる。アノードおよびカソードはそれぞれ、一定または
パルス式の可変直流電流源の陽極および陰極端子に接続
されている。陽極は中空でない、または孔の開いた形の
、この技術で良く知られた白金製または白金被覆した金
属、例えばチタン、二オブ、等の非消費型電極である。 めっきすべき物品、例えば半導体ウエハーを、めっき隔
室の一つの分割壁上に密着させて垂直に取り付け、陰極
端子と電気的に接続して陰極を形成する。この配置によ
り、電極収容室（隔室）を通して、めっきすべき表面を
電解液の薄層状の流れが通過できる。電解液流の一定で
均一な速度は、閉ループ機構中の、室の限定された断面
積を通る浴体積流を調整することにより確立される。

【００１３】共融金−スズ合金を電着するための基材と
して使用する半導体ウエハーは、一般に、その表面に直
接Ａｕ−Ｓｎ　を電着させるだけの十分導電性を備えて
はいない。十分な導電性を与えるために、めっきすべき
表面上に蒸着またはスパッタリングにより、一つ以上の
好適な金属の薄い層を堆積させる。半導体ウエハーがシ
リコン製である代表的な用途では、これらの層は、０．
１　ミクロンのチタン、０．２　ミクロンの白金、およ
び０．０５−０．１ミクロンの金を、シリコンウエハー
の表面から所定順序で堆積させる。この技術で公知の他
の好適な薄い金属層も使用できる。

【００１４】

【実施例】下記の表ＩＩに、１９〜２５重量％、好まし
くは２０重量％のＳｎを含み、残りは金である合金を電
着させるための好ましいめっきパラメータを示す。一つ
の欄にめっきパラメータの好ましい範囲を示し、他の、
外側の欄には選択した好ましいめっきパラメータを示す
。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　表ＩＩ　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　浴中の金
含有量　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　１．８−２．２　ｇ／ｌ　　　　　　　　　２
．０　ｇ／ｌ　浴中のスズ含有量　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　８−１２　ｇ／ｌ　　　
　　　　　　　　　１０　ｇ／ｌＨＰＯ４−２　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　３０−５０　ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　
４０　ｇ／ｌＣＮ−　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３０−５
０　ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　４０　ｇ／ｌＣＯ３
−２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　１５−２５　ｇ／ｌ　　　　
　　　　　　　２０　ｇ／ｌ界面活性剤　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０
−１００　ｐｐｍ　　　　　　　　　　６０　ｐｐｍ浴
の温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　４４−４６　ｏＣ　　　　　　　
　　　　　４５ｏＣｐＨ　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１
０．５５−１０．７５　　　　　　　　　１０．６５　
電流密度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　７．５−８．５　ｍＡ／ｃｍ２
　　　　　　８　ｍＡ／ｃｍ２電極間隔　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
６−１０　ｍｍ　　　　　　　　　　　　　８　ｍｍカ
ソードを通過する電解液の線状流　　　　　　　　７−
１１　ｃｍ　／秒　　　　　　　　８．５　ｃｍ／秒め
っき厚　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　６−９　μｍ　／ｈ　　　　　　
　　　　７−８　μｍ　　／ｈ

【００１５】金対スズの比、電流密度、ｐＨ、溶液温度
、およびめっきすべき表面を通過する液体の速度を変え
ることにより、望ましい範囲内の金−スズ合金を電着さ
せることができる。図２〜５に示すグラフは、各種Ａｕ
−Ｓｎ　比の、本発明の溶液から１９−２５　重量％Ｓ
ｎ、好ましくは２０重量％Ｓｎ合金を含むＡｕ−Ｓｎ　
合金の電着を示す。

【００１６】図２では、単一の曲線が０．５　ｇ／ｌ　
の金および１０　ｇ／ｌのＳｎ（１：２０　の比）を含
む浴から、ｐＨ＝１０．８、Ｔ＝４８ｏＣおよび液体速
度７．５　ｃｍ／秒で形成される電着を示す。電流密度
の変化により、電着組成物中の金／スズ比が影響を受け
、電流密度が低い程、析出するスズの百分率が低下する
が、一定の電流密度に達した後は、析出組成物は比較的
大きな電流密度変化に対して実質的に平らになる。図３
では、単一の曲線が３　ｇ／ｌのＡｕおよび１０　ｇ／
ｌのＳｎ（１：３．３の比）を含む浴から、ｐＨ＝１０
．０、Ｔ＝４０ｏＣの様な、図２におけるパラメータと
はやや異なった作業パラメータおよび図２における速度
の約３倍高い液体速度２０　ｃｍ　／秒で形成される電
着を示す。これらの条件下では、より低い電圧密度で、
より安定した組成物が得られる。図４では、実線および
破線の曲線が２　ｇ／ｌのＡｕおよび１０　ｇ／ｌのＳ
ｎ（１：５の比）を含む浴から、１０．５（　実線の曲
線）および１０．８（破線の曲線）の２つのｐＨ値で、
他の作業パラメータ（Ｔ＝４８ｏＣおよび液体速度７．
５　ｃｍ／秒）は図２と等しくして得た析出物を示す。 これらの条件下では、より低いｐＨ（１０．５）では合
金中のＳｎ含有量がより安定し、より高いｐＨ（１０．
８）ではＳｎ含有量が電流密度の増加と共にある程度増
加することが分かる。図５の単一の曲線は、同じ電気め
っき浴の温度変化により、析出組成物に比較的小さな変
化のみが生じることを示している。

【００１７】図６は、純粋８０Ａｕ−２０Ｓｎ　重量％
の合金組成物の融点２８０　ｏＣで行なった差動走査熱
量測定法により得た融解熱と金−スズ合金組成との関係
を示す。融解温度で吸収される合金の融解熱は、その合
金の組成を示す。 純粋８０Ａｕ−２０Ｓｎ　共融組成物を示す融解熱は約
８ｃａｌ／ｇ　である。十字印は８０Ａｕおよび２０Ｓ
ｎ重量％で分析したＡｕ−Ｓｎ　プレフォームから得た
融解熱を表わす。曲線は様々な重量％のスズを含む電気
めっきした金−スズ試料に関する融解熱を表わし、合金
中に８０Ａｕ−２０Ｓｎ　以外の金−スズ組成物が存在
することを示している。６．５−７．５　ｃａｌ／ｇ　
の融解熱を有する合金析出物は、極めて良く結合し、４
．５−５　ｃａｌ／ｇ　の融解熱を有するものも十分良
好に結合する。無論、上記の実施形態は本発明の原理を
説明しているだけである。等業者には、各種の他の修正
および変形が可能であるが、それらは本発明の原理を具
体化するものであり、本発明の範囲および精神に含まれ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】金−スズの２相グラフである。

【図２】０．５　ｇ／ｌ　の金および１０　ｇ／ｌのス
ズを含む浴から、ｐＨ＝１０．８、浴温度Ｔ＝４８ｏＣ
および液体速度７．５　ｃｍ／秒で金−スズを電着させ
る場合の、重量％で表わしたスズ含有量とアンペア／平
方フィートで表わした電流密度のグラフである。

【図３】３　ｇ／ｌの金および１０　ｇ／ｌのスズを含
む浴から、ｐＨ＝１０、浴温度Ｔ＝４０ｏＣおよび液体
速度２０　ｃｍ　／秒で金−スズを電着させる場合の、
重量％で表わしたスズ含有量とアンペア／平方フィート
で表わした電流密度のグラフである。

【図４】２　ｇ／ｌの金および１０　ｇ／ｌのスズを含
む浴から、ｐＨ＝１０．５（　実線の曲線）およびｐＨ
＝１０．８（破線の曲線）、浴温度Ｔ＝４８ｏＣおよび
液体速度７．５　ｃｍ／秒で金−スズを電着させる場合
の、重量％で表わしたスズ含有量とアンペア／平方フィ
ートで表わした電流密度のグラフである。

【図５】２　ｇ／ｌの金および１０　ｇ／ｌのスズを含
む浴から、ｐＨ＝１０．５、液体速度１０　ｃｍ　／秒
および電流密度７．５　ｍＡ／ｃｍ　で金−スズを電着
させる場合の、重量％で表わしたスズ含有量と浴温度の
グラフである。

【図６】８０Ａｕ−２０Ｓｎ　組成を含む金−スズ合金
組成物と、異なった金−スズ組成物に対する融解熱との
関係を表わすグラフである。

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　物体の導電性表面上に、１９〜２５重
   量％のスズを含み、残りが金である金−スズ合金を析出
   させる方法であって、ナトリウムを含まず、金およびス
   ズを含む電気めっき浴を電解し、前記表面上にＡｕ−Ｓ
   ｎ　合金を析出させる、このとき金は浴中にシアン化金
   カリウム錯体として存在し、スズはスズ酸カリウムとし
   て存在し、金およびスズは浴中に金対スズの重量比で１
   ：３　〜１：２０で存在し、浴のｐＨは１０〜１１であ
   り、浴の温度は４０〜５０ｏＣであり、電着を３〜３０
   　ｍＡ／ｃｍ２　の電流密度で、かつ４０〜６５％　の
   電流効率で行なうことを特徴とする方法。
2. 【請求項２】　　前記浴が２０〜１００　ｐｐｍ　の、
   発泡性が低く、ナトリウムを含まない界面活性剤を含む
   請求項１記載の方法。
3. 【請求項３】　　前記浴が界面活性剤として２０〜１０
   ０　ｐｐｍ　のペルフルオロアルキルスルホン酸カリウ
   ムを含む請求項１記載の方法。
4. 【請求項４】　　前記浴が（ａ）　０．１−５　ｇ／ｌ
   　のシアン化カリウム錯体としての金、（ｂ）　５−３
   ０　ｇ／ｌ　　のスズ酸カリウムとしてのスズ（Ｋ２Ｓ
   ｎＯ３・３Ｈ２Ｏ）　、（ｃ）　１０−５０　ｇ／ｌ　
   のカリウムのリン酸塩化合物またはそれと同等のモル濃
   度のリン酸、（ｄ）　２０−５０　ｇ／ｌ　のシアン化
   カリウム（ＫＣＮ）　、（ｅ）　１０−３０　ｇ／ｌ　
   の炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）　、および（ｆ）　２０
   −１００　ｐｐｍの界面活性剤を含む請求項１記載の方
   法。
5. 【請求項５】　　前記浴が（ａ）　１．８−２．２　ｇ
   ／ｌ　のシアン化カリウム錯体としての金、（ｂ）　８
   −１２　ｇ／ｌのスズ酸カリウムとしてのスズ、（ｃ）
   　３０−５０　ｇ／ｌ　のカリウムのリン酸塩化合物ま
   たはそれと同等のモル濃度のリン酸、（ｄ）　３０−５
   ０　ｇ／ｌ　のシアン化カリウム、（ｅ）　１２−２５
   　ｇ／ｌ　の炭酸カリウム、および（ｆ）　５０−１０
   ０　ｐｐｍの界面活性剤を含む請求項４記載の方法。
6. 【請求項６】　　浴のｐＨが１０．５５　〜１０．７０
   　である請求項４記載の方法。
7. 【請求項７】　　浴中の前記金対スズの比が１：３　〜
   １：１０である請求項４記載の方法。
8. 【請求項８】　　前記浴が（ａ）　２．０　ｇ／ｌ　の
   シアン化カリウム錯体としての金、（ｂ）　１０　ｇ／
   ｌのスズ酸カリウムとしてのスズ、（ｃ）　４０　ｇ／
   ｌのカリウムのリン酸塩化合物またはそれと同等のモル
   濃度のリン酸、（ｄ）　４０　ｇ／ｌのシアン化カリウ
   ム、（ｅ）　２０　ｇ／ｌの炭酸カリウム、および（ｆ
   ）　６０　ｐｐｍの界面活性剤を含む請求項４記載の方
   法。
9. 【請求項９】　　浴のｐＨが約１０．６５　である請求
   項５記載の方法。
10. 【請求項１０】　　前記界面活性剤がペルフルオロアル
    キルスルホン酸カリウムである請求項５記載の方法。
11. 【請求項１１】　　浴中の前記金対スズの比が約１：５
    　である請求項５記載の方法。
12. 【請求項１２】　　物体がカソード上に垂直位置でアノ
    ードと間隔を置いて平行に固定され、めっき溶液がめっ
    きされている表面を２〜１００　ｃｍ／秒の線速度で薄
    層状に通過して流れる請求項１記載の方法。
13. 【請求項１３】　　物体の表面上に金およびスズの合金
    を電気めっきするのに適した水性電気めっき浴であって
    、その合金が１９〜２５重量％のスズを含み、残りが金
    である組成を有し、金は浴中にシアン化金カリウム錯体
    として存在し、スズはスズ酸カリウムとして存在し、金
    およびスズは浴中に金対スズの重量比で１：３〜１：２
    ０で存在し、浴のｐＨは１０〜１１であり、浴の温度は
    めっき中４０〜５０ｏＣであることを特徴とする電気め
    っき浴。
14. 【請求項１４】　　前記浴が（ａ）　０．１−５　ｇ／
    ｌ　のシアン化カリウム錯体としての金、（ｂ）　５−
    ３０　ｇ／ｌ　　のスズ酸カリウムとしてのスズ（Ｋ２
    ＳｎＯ３・３Ｈ２Ｏ）　、（ｃ）　１０−５０ｇ／ｌ　
    のカリウムのリン酸塩化合物またはそれと同等のモル濃
    度のリン酸、（ｄ）　２０−５０　ｇ／ｌ　のシアン化
    カリウム（ＫＣＮ）　、（ｅ）　１０−３０　ｇ／ｌ　
    の炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）　、および（ｆ）　２０
    −１００　ｐｐｍの界面活性剤を含む請求項１３記載の
    浴。
15. 【請求項１５】　　前記界面活性剤が、発泡性が低く、
    ナトリウムを含まない組成物である請求項１３の浴。
16. 【請求項１６】　　前記界面活性剤がペルフルオロアル
    キルスルホン酸カリウムである請求項１３記載の浴。
17. 【請求項１７】　　前記浴が（ａ）　１．８−２．２　
    ｇ／ｌ　のシアン化カリウム錯体としての金、（ｂ）　
    ８−１２　ｇ／ｌのスズ酸カリウムとしてのスズ、（ｃ
    ）　３０−５０　ｇ／ｌ　のカリウムのリン酸塩化合物
    またはそれと同等のモル濃度のリン酸、（ｄ）　３０−
    ５０　ｇ／ｌ　のシアン化カリウム、（ｅ）　１２−２
    ５　ｇ／ｌ　の炭酸カリウム、および（ｆ）５０−１０
    ０　ｐｐｍの界面活性剤を含む請求項１３記載の浴。
18. 【請求項１８】　　浴のｐＨが１０．５５　〜１０．７
    ０　である請求項１３記載の浴。
19. 【請求項１９】　　前記界面活性剤がペルフルオロアル
    キルスルホン酸カリウムである請求項１３記載の浴。
20. 【請求項２０】　　前記浴が（ａ）　２．０　ｇ／ｌ　
    のシアン化カリウム錯体としての金、（ｂ）　１０　ｇ
    ／ｌのスズ酸カリウムとしてのスズ、（ｃ）　４０　ｇ
    ／ｌのカリウムのリン酸塩化合物またはそれと同等のモ
    ル濃度のリン酸、（ｄ）　４０　ｇ／ｌのシアン化カリ
    ウム、（ｅ）　２０　ｇ／ｌの炭酸カリウム、および（
    ｆ）　６０　ｐｐｍの界面活性剤を含む請求項１３記載
    の浴。
21. 【請求項２１】　　浴のｐＨが約１０．６５　である請
    求項２０記載の方法。
22. 【請求項２２】　　前記浴を、３〜２０　ｍＡ／ｃｍ２
    　の電流密度で、４０〜６５％　電流効率で電着を行な
    うために使用することを特徴とする請求項１３記載の方
    法。