JPH04266869A - 含フッ素アゼチジノン誘導体 - Google Patents
含フッ素アゼチジノン誘導体Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は抗菌薬として有用なカル
バペネム誘導体で、カルバペネム骨格の置換基としてフ
ッ素原子を有する含フッ素カルバペネム誘導体の合成中
間体として有用な、フッ素原子で置換された側鎖を4位
に有する含フッ素アゼチジノン誘導体およびその製法に
関する。
バペネム誘導体で、カルバペネム骨格の置換基としてフ
ッ素原子を有する含フッ素カルバペネム誘導体の合成中
間体として有用な、フッ素原子で置換された側鎖を4位
に有する含フッ素アゼチジノン誘導体およびその製法に
関する。
【0002】
【従来の技術】ペニシリン系やセファロスポリン系の抗
生物質は安全性に優れており、感染症治療に広く用いら
れてきた。しかし、これらの抗生物質も全ての菌種に有
効とはいえず、また耐性を獲得した菌株の問題も生じて
きている。一方、カルバペネム骨格を有する抗生物質は
これらの問題を解決することのできる抗生物質として期
待されている。
生物質は安全性に優れており、感染症治療に広く用いら
れてきた。しかし、これらの抗生物質も全ての菌種に有
効とはいえず、また耐性を獲得した菌株の問題も生じて
きている。一方、カルバペネム骨格を有する抗生物質は
これらの問題を解決することのできる抗生物質として期
待されている。
【0003】
【解決しようとする問題点】チエナマイシンに代表され
るカルバペネム系抗生物質は優れた有効性を示すものの
、物理化学的な不安定性や腎臓のデヒドロペプチダーゼ
(DHP)等の酵素によって分解される等の欠点も有し
ていた。
るカルバペネム系抗生物質は優れた有効性を示すものの
、物理化学的な不安定性や腎臓のデヒドロペプチダーゼ
(DHP)等の酵素によって分解される等の欠点も有し
ていた。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者はカルバペネム
系抗生物質の欠点を克服しかつ、優れた抗菌活性を有す
るカルバペネム系抗生物質を獲得するべく、同骨格の1
位にフッ素原子を有する含フッ素カルバペネム系抗生物
質の合成を企画した。本発明者は含フッ素カルバペネム
誘導体の合成に有用な中間体を獲得するべく鋭意研究の
結果、フッ素原子で置換された側鎖を4位に有する含フ
ッ素アゼチジノン誘導体を得ることに成功し、本発明を
完成した。
系抗生物質の欠点を克服しかつ、優れた抗菌活性を有す
るカルバペネム系抗生物質を獲得するべく、同骨格の1
位にフッ素原子を有する含フッ素カルバペネム系抗生物
質の合成を企画した。本発明者は含フッ素カルバペネム
誘導体の合成に有用な中間体を獲得するべく鋭意研究の
結果、フッ素原子で置換された側鎖を4位に有する含フ
ッ素アゼチジノン誘導体を得ることに成功し、本発明を
完成した。
【0005】すなわち本発明は式I、
(式中、R1は水素原子または水酸基の保護基を意味し
、R2は水素原子または低級アルキル基を意味し、R3
は水素原子またはカルボキシル基の保護基を意味する。 )で表わされる含フッ素アゼチジノン誘導体およびその
製法に関する。
、R2は水素原子または低級アルキル基を意味し、R3
は水素原子またはカルボキシル基の保護基を意味する。 )で表わされる含フッ素アゼチジノン誘導体およびその
製法に関する。
【0006】式Iの化合物に於いて、R1は水素原子ま
たは水酸基の保護基を意味する。ここで水酸基の保護基
としては例えば、第三級ブチルオキシカルボニル基等の
低級アルコキシカルボニル基類、2−ヨウ化エチルオキ
シカルボニル基、2,2,2−トリクロロエチルオキシ
カルボニル基等のハロゲノアルキルオキシカルボニル基
類、ベンジルオキシカルボニル基、o−ニトロベンジル
オキシカルボニル基、p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル基、p−メトキシベンジルオキシカルボニル基等の
アラルキルオキシカルボニル基類、トリメチルシリル基
、第三級ブチルジメチルシリル基、第三級ブチルジフェ
ニルメチルシリル基の等の置換シリル基類、メトキシメ
チル基、2−メトキシエトキシメチル基、メチルチオメ
チル基、テトラヒドロピラニル基等の置換メチル基類を
挙げることができる。
たは水酸基の保護基を意味する。ここで水酸基の保護基
としては例えば、第三級ブチルオキシカルボニル基等の
低級アルコキシカルボニル基類、2−ヨウ化エチルオキ
シカルボニル基、2,2,2−トリクロロエチルオキシ
カルボニル基等のハロゲノアルキルオキシカルボニル基
類、ベンジルオキシカルボニル基、o−ニトロベンジル
オキシカルボニル基、p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル基、p−メトキシベンジルオキシカルボニル基等の
アラルキルオキシカルボニル基類、トリメチルシリル基
、第三級ブチルジメチルシリル基、第三級ブチルジフェ
ニルメチルシリル基の等の置換シリル基類、メトキシメ
チル基、2−メトキシエトキシメチル基、メチルチオメ
チル基、テトラヒドロピラニル基等の置換メチル基類を
挙げることができる。
【0007】R2は水素原子または低級アルキル基を意
味するが、ここで低級アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基類、ブチル基類、ペンチル基類、ヘ
キシル基類等の炭素数1から6迄のものがよい。これら
のうちではメチル基、エチル基がよく、特にメチル基が
好ましい。
味するが、ここで低級アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基類、ブチル基類、ペンチル基類、ヘ
キシル基類等の炭素数1から6迄のものがよい。これら
のうちではメチル基、エチル基がよく、特にメチル基が
好ましい。
【0008】このR2の結合した炭素原子は不斉炭素原
子であるが、この炭素原子上の立体配置はいずれでもよ
い。しかし、R2がアルキル基である場合はこのアゼチ
ジノン誘導体をカルバペネム誘導体に導いた時に、この
アルキル基がβ配置となる配置のものが特に好ましい。
子であるが、この炭素原子上の立体配置はいずれでもよ
い。しかし、R2がアルキル基である場合はこのアゼチ
ジノン誘導体をカルバペネム誘導体に導いた時に、この
アルキル基がβ配置となる配置のものが特に好ましい。
【0009】R3は水素原子またはカルボキシル基の保
護基を意味するが、ここでカルボキシル基の保護基とし
ては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基類、ブチ
ル基類等の炭素数1から4の直鎖状若しくは分岐鎖状低
級アルキル基類、メトキシメチル、メトキシエチル等の
いずれのアルキル部分も炭素数が1から6であるアルコ
キシアルキル基類、ピバロイルオキシメチル基等の炭素
数2から7である脂肪族アシルオキシメチル基類、フタ
リジル基等を、さらに光学活性エステルを与える様なエ
ステル残基、例えば、メンチル基や(−)−8−フェニ
ルメンチル基等でもよい。さらに本発明の化合物の製造
に際して、カルボキシル基の保護基を兼ね、温和な条件
下で容易に除去し得るエステル残基として、例えばo−
ニトロベンジル、p−ニトロベンジル、ベンズヒドリル
若しくは2−ナフチルメチル基等のアラルキル基、そし
てアリル基、また、トリメチルシリル基、第三級ブチル
ジメチルシリル基、第三級ブチルジフェニルメチルシリ
ル基等の置換シリル基等を挙げることができる。
護基を意味するが、ここでカルボキシル基の保護基とし
ては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基類、ブチ
ル基類等の炭素数1から4の直鎖状若しくは分岐鎖状低
級アルキル基類、メトキシメチル、メトキシエチル等の
いずれのアルキル部分も炭素数が1から6であるアルコ
キシアルキル基類、ピバロイルオキシメチル基等の炭素
数2から7である脂肪族アシルオキシメチル基類、フタ
リジル基等を、さらに光学活性エステルを与える様なエ
ステル残基、例えば、メンチル基や(−)−8−フェニ
ルメンチル基等でもよい。さらに本発明の化合物の製造
に際して、カルボキシル基の保護基を兼ね、温和な条件
下で容易に除去し得るエステル残基として、例えばo−
ニトロベンジル、p−ニトロベンジル、ベンズヒドリル
若しくは2−ナフチルメチル基等のアラルキル基、そし
てアリル基、また、トリメチルシリル基、第三級ブチル
ジメチルシリル基、第三級ブチルジフェニルメチルシリ
ル基等の置換シリル基等を挙げることができる。
【0010】次に本発明の含フッ素アゼチジノン誘導体
の合成について説明する。変換の概要は次に示す通りで
ある。(式中、TBS=第三級ブチルシリル基を意味し
、RおよびR1はR3の定義に等しい。)
の合成について説明する。変換の概要は次に示す通りで
ある。(式中、TBS=第三級ブチルシリル基を意味し
、RおよびR1はR3の定義に等しい。)
【0011】
先ず、フルオロマロン酸ジアルキルエステルを有機溶媒
中で塩基と処理した後に、4−アシルオキシアゼチジノ
ンと反応させ縮合体を得る工程である。
先ず、フルオロマロン酸ジアルキルエステルを有機溶媒
中で塩基と処理した後に、4−アシルオキシアゼチジノ
ンと反応させ縮合体を得る工程である。
【0012】このフルオロマロン酸ジアルキルエステル
のアルキル部分は、炭素数1から6迄のアルキルエステ
ルでよく、アルキル基に特に限定はないが、ジメチルエ
ステルあるいはジエチルエステルを使用するのが一般的
である。
のアルキル部分は、炭素数1から6迄のアルキルエステ
ルでよく、アルキル基に特に限定はないが、ジメチルエ
ステルあるいはジエチルエステルを使用するのが一般的
である。
【0013】ここでは、塩基としてリチウムヘキサメチ
ルジシラジドを使用したが,特にこれに限定されず、例
えばLDAやn−ブチルリチウム等のアルキル金属類等
でもよい。また、水素化ナトリウム等のアルカリ金属塩
類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナ
トリウムプロポキシド、第三級ブトキシカリ等のカリウ
ム、ナトリウム等の金属アルコラート等でもよい。
ルジシラジドを使用したが,特にこれに限定されず、例
えばLDAやn−ブチルリチウム等のアルキル金属類等
でもよい。また、水素化ナトリウム等のアルカリ金属塩
類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナ
トリウムプロポキシド、第三級ブトキシカリ等のカリウ
ム、ナトリウム等の金属アルコラート等でもよい。
【0014】溶媒は通常はテトロヒドロフラン等のエー
テル類を使用する。また反応温度は−78℃から室温の
範囲でよい。反応の際は先ずドライアイス−アセトン冷
却下で塩基とフルオロマロン酸エステルとを処理し、次
いで4−アシルオキシアゼチジノンを加え、同温度で撹
拌を続けて反応させた後、室温に迄上昇させればよい。
テル類を使用する。また反応温度は−78℃から室温の
範囲でよい。反応の際は先ずドライアイス−アセトン冷
却下で塩基とフルオロマロン酸エステルとを処理し、次
いで4−アシルオキシアゼチジノンを加え、同温度で撹
拌を続けて反応させた後、室温に迄上昇させればよい。
【0015】使用する反応試剤類の量であるが、4−ア
シルオキシアゼチジノンに対し,フルオロマロン酸ジア
ルキルエステル及び塩基を各々小過剰モルを使用すれば
よく、例えば1.1倍モル程度を使用すれば良好な収率
で縮合体が得られた。
シルオキシアゼチジノンに対し,フルオロマロン酸ジア
ルキルエステル及び塩基を各々小過剰モルを使用すれば
よく、例えば1.1倍モル程度を使用すれば良好な収率
で縮合体が得られた。
【0016】この縮合反応は立体選択的に進行し、トラ
ンス体の縮合体のみが得られる。
ンス体の縮合体のみが得られる。
【0017】次にこの縮合体のエステル部分を部分加水
分解してモノエステル体とする工程であるが、縮合体を
溶媒に溶解し塩基水溶液を加え撹拌して実施する。
分解してモノエステル体とする工程であるが、縮合体を
溶媒に溶解し塩基水溶液を加え撹拌して実施する。
【0018】ここで使用する溶媒は水と混和するもので
あれば特に制限はないが、例えばメタノール、エタノー
ル等の低級アルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン等である。
あれば特に制限はないが、例えばメタノール、エタノー
ル等の低級アルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン等である。
【0019】塩基としてはリチウム、ナトリウム、カリ
ウム、カルシウム等の金属の水酸化物、炭酸塩、炭酸水
素塩等を使用すればよい。またカリウムスーパーオキシ
ド等も使用できる。塩基の使用量は縮合体に対して、当
モルから小過剰モルを使用し、例えば1モルから1.0
5モルの範囲でよい。また反応温度は、通常は、室温で
よい。
ウム、カルシウム等の金属の水酸化物、炭酸塩、炭酸水
素塩等を使用すればよい。またカリウムスーパーオキシ
ド等も使用できる。塩基の使用量は縮合体に対して、当
モルから小過剰モルを使用し、例えば1モルから1.0
5モルの範囲でよい。また反応温度は、通常は、室温で
よい。
【0020】このモノエステル体を脱炭酸すれば側鎖の
R2が水素原子である含フッ素アゼチジノン誘導体が得
られる。脱炭酸は、モノエステル体を溶媒中に懸濁また
は溶解させて加熱することで収率よく行うことができる
。
R2が水素原子である含フッ素アゼチジノン誘導体が得
られる。脱炭酸は、モノエステル体を溶媒中に懸濁また
は溶解させて加熱することで収率よく行うことができる
。
【0021】一方、側鎖のR2がアルキル基である含フ
ッ素アゼチジノン誘導体の合成であるが、例えば、R2
がメチル基の誘導体は以下の方法で合成できる。即ち、
先のモノエステル体のカルボン酸部分を酸クロリドに変
換した後に還元してヒドロキシメチル基に変換し、この
水酸基をハロゲン化し、生成するハロゲノメチル基を還
元すればよい。
ッ素アゼチジノン誘導体の合成であるが、例えば、R2
がメチル基の誘導体は以下の方法で合成できる。即ち、
先のモノエステル体のカルボン酸部分を酸クロリドに変
換した後に還元してヒドロキシメチル基に変換し、この
水酸基をハロゲン化し、生成するハロゲノメチル基を還
元すればよい。
【0022】先ず、モノエステル体のカルボン酸部分の
酸クロリドへの変換であるが、塩基存在下に塩素化剤を
反応させればよい。塩素化剤としては例えばオキザリル
クロリドを使用すればよいがこの他、チオニルクロリド
でもよい。
酸クロリドへの変換であるが、塩基存在下に塩素化剤を
反応させればよい。塩素化剤としては例えばオキザリル
クロリドを使用すればよいがこの他、チオニルクロリド
でもよい。
【0023】塩基としては、ピリジン、トリエチルアミ
ン、トリブチルアミン等の有機塩基を通常は使用する。
ン、トリブチルアミン等の有機塩基を通常は使用する。
【0024】溶媒は使用してもしなくともよく、溶媒を
使用する場合は塩素化剤と反応するものでなければ特に
限定はない。例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等
、あるいはハロゲン化アルキル類を使用すればよい。 反応温度は通常は室温でよい。
使用する場合は塩素化剤と反応するものでなければ特に
限定はない。例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等
、あるいはハロゲン化アルキル類を使用すればよい。 反応温度は通常は室温でよい。
【0025】反応終了後、得られる酸クロリドは特に精
製することなく次の還元反応に使用しても良い。
製することなく次の還元反応に使用しても良い。
【0026】この酸クロリドは有機溶媒に溶解し、例え
ばn−ブチルアンモニウムボロヒドリドにより処理する
ことでヒドロキシメチル体に導くことができる。ここで
溶媒としては例えば、塩化メチレンを例示することがで
きる。この還元反応は低温で実施するが、具体的にはド
ライアイス−アセトン冷却下で実施すればよい。
ばn−ブチルアンモニウムボロヒドリドにより処理する
ことでヒドロキシメチル体に導くことができる。ここで
溶媒としては例えば、塩化メチレンを例示することがで
きる。この還元反応は低温で実施するが、具体的にはド
ライアイス−アセトン冷却下で実施すればよい。
【0027】次にこのヒドロキシメチル体をクロロメチ
ル体に変換する反応である。この変換は、例えば、上記
のヒドロキシメチル体を四塩化炭素に溶解し、トリフェ
ニルホスフィンを加えて加熱還流して反応させることに
よって実施でき、クロロメチル体が得られる。また、こ
の他にも通常使用される条件でのクロル化でもよく、ピ
リジン等の有機塩存在下で、チオニルクロリドを反応さ
せてもよい。
ル体に変換する反応である。この変換は、例えば、上記
のヒドロキシメチル体を四塩化炭素に溶解し、トリフェ
ニルホスフィンを加えて加熱還流して反応させることに
よって実施でき、クロロメチル体が得られる。また、こ
の他にも通常使用される条件でのクロル化でもよく、ピ
リジン等の有機塩存在下で、チオニルクロリドを反応さ
せてもよい。
【0028】このクロロメチル体のメチル体ヘの変換で
あるが、例えば、無水ベンゼン中で、2,2’−アゾビ
スイソブチロニトリル存在下、トリn−ブチルスズヒド
リドによって処理して還元することで実施される。また
、ヘキサメチルホスホリックトリアミド中、ナトリウム
シアノボロヒドリドを使用する条件でもよい。
あるが、例えば、無水ベンゼン中で、2,2’−アゾビ
スイソブチロニトリル存在下、トリn−ブチルスズヒド
リドによって処理して還元することで実施される。また
、ヘキサメチルホスホリックトリアミド中、ナトリウム
シアノボロヒドリドを使用する条件でもよい。
【0029】次に実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0030】
【実施例1】(3s、4S)−3−[(1’R)−(第
三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4−ビス
(メトキシカルボニル)フルオロメチルアゼチジン−2
−オン ジメチルフルオロマロネート30mgをテトラヒドロフ
ラン1mlに溶解して、−78℃でリチウムヘキサメチ
ルジシラジドの1M−ヘキサン溶液0.21mlを滴下
し、同温度で30分撹拌した。ここへ(3R,4R)−
4−アセトキシン−3−[(1’R)−1’−(第三級
ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]アゼチジン−2
−オン52mgをテトラヒドロフラン1mlに溶解した
溶液を滴下し、混合物を−夜撹拌した。この間反応温度
を−78℃から室温に徐々に上昇させた。反応混液をジ
クロロメタンで希釈後して、5%硫酸水素カリウム水溶
液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウ
ム水溶液で洗浄した。有機溶媒層を無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去し、残留物をシリカゲ
ルを用いるフラッシュクロマトグラフィーに付した。ヘ
キサン−酢酸エチル(7:3,v/v)の流分より標記
の化合物63mgを無色粉末として得た。
三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4−ビス
(メトキシカルボニル)フルオロメチルアゼチジン−2
−オン ジメチルフルオロマロネート30mgをテトラヒドロフ
ラン1mlに溶解して、−78℃でリチウムヘキサメチ
ルジシラジドの1M−ヘキサン溶液0.21mlを滴下
し、同温度で30分撹拌した。ここへ(3R,4R)−
4−アセトキシン−3−[(1’R)−1’−(第三級
ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]アゼチジン−2
−オン52mgをテトラヒドロフラン1mlに溶解した
溶液を滴下し、混合物を−夜撹拌した。この間反応温度
を−78℃から室温に徐々に上昇させた。反応混液をジ
クロロメタンで希釈後して、5%硫酸水素カリウム水溶
液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウ
ム水溶液で洗浄した。有機溶媒層を無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去し、残留物をシリカゲ
ルを用いるフラッシュクロマトグラフィーに付した。ヘ
キサン−酢酸エチル(7:3,v/v)の流分より標記
の化合物63mgを無色粉末として得た。
【0031】[α]D−47.70゜(c=1.02,
クロロホルム) IR;νmax(cm−1,CHC13:3440,1
778,1755 1H−NMR;δH(500MHz;CDC13):0
.07(6H,s),0. 88(9H,s),1.06(3H,d,J=7.0H
z),3.29(1H,m),3.87 and
3.88(each 3H,each s),4.
25−4.30(1H,m),4.41(1H,dd,
J=2.5and 22.0Hz),5.85(1H
,br s)
クロロホルム) IR;νmax(cm−1,CHC13:3440,1
778,1755 1H−NMR;δH(500MHz;CDC13):0
.07(6H,s),0. 88(9H,s),1.06(3H,d,J=7.0H
z),3.29(1H,m),3.87 and
3.88(each 3H,each s),4.
25−4.30(1H,m),4.41(1H,dd,
J=2.5and 22.0Hz),5.85(1H
,br s)
【0032】
【実施例2】(3S,4S)−3−[(1’R)−1’
−(ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4−ビス
(エトキシカルボニル)フルオロメチルアゼチジン−2
−オン ジエチルフルオロマロネート1.0gをテトラヒドロフ
ラン20mlに溶解して、−78℃でリチウムヘキサメ
チルジシラジドの1M−ヘキサン溶液5.6mlを滴下
し、同温度で20分撹拌した。(3R,4R)−4−ア
セトキシ−3−[(1’R)−1’−(第三級ブチルジ
メチルシリルオキシ)エチル]アゼチジン−2−オン1
.45gをテトラヒドロフラン20mlに溶解した溶液
を滴下し、混合物を12時間撹拌した。この間反応温度
を−78℃から室温に徐々に上昇させた。反応混液をベ
ンゼンで希釈後、5%硫酸水素カリウム水溶液、飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液で
洗浄した。有機溶媒層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後
、減圧下に溶媒を留去し、残留物をシリカゲルを用いる
フラッシュクロマトグラフィーに付した。ヘキサン−酢
酸エチル(4:1)の流分より標記の化合1.74gを
無色粉末として得た。
−(ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4−ビス
(エトキシカルボニル)フルオロメチルアゼチジン−2
−オン ジエチルフルオロマロネート1.0gをテトラヒドロフ
ラン20mlに溶解して、−78℃でリチウムヘキサメ
チルジシラジドの1M−ヘキサン溶液5.6mlを滴下
し、同温度で20分撹拌した。(3R,4R)−4−ア
セトキシ−3−[(1’R)−1’−(第三級ブチルジ
メチルシリルオキシ)エチル]アゼチジン−2−オン1
.45gをテトラヒドロフラン20mlに溶解した溶液
を滴下し、混合物を12時間撹拌した。この間反応温度
を−78℃から室温に徐々に上昇させた。反応混液をベ
ンゼンで希釈後、5%硫酸水素カリウム水溶液、飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液で
洗浄した。有機溶媒層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後
、減圧下に溶媒を留去し、残留物をシリカゲルを用いる
フラッシュクロマトグラフィーに付した。ヘキサン−酢
酸エチル(4:1)の流分より標記の化合1.74gを
無色粉末として得た。
【0033】[α]D−36.14° (c=1.3
,クロロホルム) (Found:M+−Me,390.1716 C1
7H29NO6FSi requires m/z
,390.1748) IR;νmax(cm−1,KBr):1772,17
40 1H−NMR:δH(500MHz;CDCl3:0.
07(6H,s).0.88(9H,s).1.07(
3H,d,J=7.0Hz).1.32,1.33(e
ach 3H,each t,each J=7
.0Hz).3.29(1H,m).4.26−4.4
2(6H,m).5.89(1H,br s)
,クロロホルム) (Found:M+−Me,390.1716 C1
7H29NO6FSi requires m/z
,390.1748) IR;νmax(cm−1,KBr):1772,17
40 1H−NMR:δH(500MHz;CDCl3:0.
07(6H,s).0.88(9H,s).1.07(
3H,d,J=7.0Hz).1.32,1.33(e
ach 3H,each t,each J=7
.0Hz).3.29(1H,m).4.26−4.4
2(6H,m).5.89(1H,br s)
【00
34】
34】
【実施例3】(3S,4S)−3−[(1’R)−1’
−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4
−フルオロ(メトキシカルボニル)[(1″R, 3
″R,4S)−8−フェニル−p−メンタン−3−イル
オキシカルボニル]メチルアゼチジン−2−オンメチル
フェニルメンチルフルオロマロネート40mgと(
3R,4R)−4−アセトキシ−3−[(1’R)−1
’−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]ア
ゼチジン−2−オン12.5mgをリチウムヘキサメチ
ルジシラジドの1M−ヘキサン溶液0.1mlの存在下
、先の実施例と同様に置換反応を行って標記の化合物8
.6mgを得た。
−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4
−フルオロ(メトキシカルボニル)[(1″R, 3
″R,4S)−8−フェニル−p−メンタン−3−イル
オキシカルボニル]メチルアゼチジン−2−オンメチル
フェニルメンチルフルオロマロネート40mgと(
3R,4R)−4−アセトキシ−3−[(1’R)−1
’−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]ア
ゼチジン−2−オン12.5mgをリチウムヘキサメチ
ルジシラジドの1M−ヘキサン溶液0.1mlの存在下
、先の実施例と同様に置換反応を行って標記の化合物8
.6mgを得た。
【0035】1H−NMR:δH(500MHz;CD
Cl3):0.07(6H,s).0.86(3H,d
,J=7.0Hz).0.88(9H,s),1.06
(3H,d,J=7.0Hz),1.26(6H,d,
J=7.0Hz),3.26(1H,m),3.83(
3H,s),4.26−4.31(1H,m),4,4
3(1H,dd,J=2.5and 22.0Hz)
,4.96(1H,dt,J=4.5and 12.
0Hz),5.69(1H,br s),
Cl3):0.07(6H,s).0.86(3H,d
,J=7.0Hz).0.88(9H,s),1.06
(3H,d,J=7.0Hz),1.26(6H,d,
J=7.0Hz),3.26(1H,m),3.83(
3H,s),4.26−4.31(1H,m),4,4
3(1H,dd,J=2.5and 22.0Hz)
,4.96(1H,dt,J=4.5and 12.
0Hz),5.69(1H,br s),
【0036
】
】
【実施例4】(3S,4S)−3−[(1’R)−1’
−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4
−エトキシカルボニル(フルオロ)メチルアゼチジン−
2−オン 前記、(3S,4S)−3−[(1’R)−1’−(第
三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4−ビス
(エトキシカルボニル)フルオロメチルアゼチジン−2
−オン550mgをエタノール10mlに溶解した溶液
に水酸化リチウム−水和物56mgを水5mlに溶解し
た水溶液を加え、室温で2時間撹拌した。反応終了後、
混液を減圧濃縮し、残留物にエーテル30mlと水10
mlを加えた。エーテル層を飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液3mlで3回抽出した。水層を合わせ、氷冷下4N
塩酸を用いて酸性とし、混合液をジクロロメタンで5回
抽出した。抽出液を飽和塩化ナトリウム水溶液で乾燥後
、減圧下溶媒を留去しカルボン酸462mgを無色粉末
として得た(1H−NMR;δH(90MHz:CDC
l3):0.0(6H,s),0.82(9H,s),
3.30(1H,m),4.15−4.52(4H,m
),6.60(1H,br s))。これは精製する
ことなく次の反応に用いた。上記粗カルボン酸25mg
をキシレン0.5mlに懸濁させ、3時間135℃で加
熱撹拌した。溶媒を減圧下に留去した後、残留物をベン
ゼン−ヘキサン(1:1)混液に溶解させ、飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄
した。有機溶媒層を硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下溶
媒を留去し、残留物をシリカゲルを用いるフラッシュク
ロマトグラフィーに付した。ヘキサン−酢酸エチル(4
:1)の流分より2種のジアステレオマー(約2:1)
の混合物として目的物22mgを無色固体として得た。
−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4
−エトキシカルボニル(フルオロ)メチルアゼチジン−
2−オン 前記、(3S,4S)−3−[(1’R)−1’−(第
三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4−ビス
(エトキシカルボニル)フルオロメチルアゼチジン−2
−オン550mgをエタノール10mlに溶解した溶液
に水酸化リチウム−水和物56mgを水5mlに溶解し
た水溶液を加え、室温で2時間撹拌した。反応終了後、
混液を減圧濃縮し、残留物にエーテル30mlと水10
mlを加えた。エーテル層を飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液3mlで3回抽出した。水層を合わせ、氷冷下4N
塩酸を用いて酸性とし、混合液をジクロロメタンで5回
抽出した。抽出液を飽和塩化ナトリウム水溶液で乾燥後
、減圧下溶媒を留去しカルボン酸462mgを無色粉末
として得た(1H−NMR;δH(90MHz:CDC
l3):0.0(6H,s),0.82(9H,s),
3.30(1H,m),4.15−4.52(4H,m
),6.60(1H,br s))。これは精製する
ことなく次の反応に用いた。上記粗カルボン酸25mg
をキシレン0.5mlに懸濁させ、3時間135℃で加
熱撹拌した。溶媒を減圧下に留去した後、残留物をベン
ゼン−ヘキサン(1:1)混液に溶解させ、飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄
した。有機溶媒層を硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下溶
媒を留去し、残留物をシリカゲルを用いるフラッシュク
ロマトグラフィーに付した。ヘキサン−酢酸エチル(4
:1)の流分より2種のジアステレオマー(約2:1)
の混合物として目的物22mgを無色固体として得た。
【0037】Found:M+−Me,318.153
7,C14H25NO4FSi requires
m/z,318.1537IR;νmax(cm−1
,CHCl3):3405,176l 1H−NMR: δH(500MHz;CDC13)
:0.07(6H,s),0.85(9H,s),1.
15 and 1.17[3H(2:1),eac
h d,each J=7.0Hz),1.34(
3H,t,J=7.0Hz),3.25 and
3.27[1H(1:2),each m),4.0
6−4.14(1H,m),4.22−4.36(3H
,m),4.90−4.96[1H(:2),each
dd,each J=5.0 and 48
.0Hz),5.85 and 5.90[1H(
2:1),each br s,NH)
7,C14H25NO4FSi requires
m/z,318.1537IR;νmax(cm−1
,CHCl3):3405,176l 1H−NMR: δH(500MHz;CDC13)
:0.07(6H,s),0.85(9H,s),1.
15 and 1.17[3H(2:1),eac
h d,each J=7.0Hz),1.34(
3H,t,J=7.0Hz),3.25 and
3.27[1H(1:2),each m),4.0
6−4.14(1H,m),4.22−4.36(3H
,m),4.90−4.96[1H(:2),each
dd,each J=5.0 and 48
.0Hz),5.85 and 5.90[1H(
2:1),each br s,NH)
【0038】
【実施例5】(3S,4S)−3−[(1’R)−1’
−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4
−(1″−エトキシカルボニル−1″−フルオロ−2″
−ヒドロキシエチル)アゼチジン−2−オン前記半エス
テル579mgをベンゼン10mlおよびピリジン0.
136mの混液に溶かし、これに氷冷下オキザリルクロ
リド0.148mlをベンゼン5mlに溶解した溶液を
防湿下に加えた。反応混液を室温で3時間撹拌した後、
セライトを通して不溶物を除いた。濾液を減圧下濃縮し
、残留物をジクロロメタン10mlに溶解した。この溶
液をn−ブチルアンモニウムボロヒドリド0.8gをジ
クロロメタン10mlに溶解した溶液に−78℃で徐々
に加えた。反応液を−78℃で1時間撹拌後10%水酸
化ナトリウム水溶液、希クエン酸水溶液、飽和食塩水で
洗浄した。有機溶媒層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後
、減圧下に溶媒を留去し、残留物をシリカゲルを用いる
フラッシュクロマトグラフィーに付した。 ヘキサン−酢酸エチル(7:3)の流分より目的物20
0mgを無色固体として得た。
−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4
−(1″−エトキシカルボニル−1″−フルオロ−2″
−ヒドロキシエチル)アゼチジン−2−オン前記半エス
テル579mgをベンゼン10mlおよびピリジン0.
136mの混液に溶かし、これに氷冷下オキザリルクロ
リド0.148mlをベンゼン5mlに溶解した溶液を
防湿下に加えた。反応混液を室温で3時間撹拌した後、
セライトを通して不溶物を除いた。濾液を減圧下濃縮し
、残留物をジクロロメタン10mlに溶解した。この溶
液をn−ブチルアンモニウムボロヒドリド0.8gをジ
クロロメタン10mlに溶解した溶液に−78℃で徐々
に加えた。反応液を−78℃で1時間撹拌後10%水酸
化ナトリウム水溶液、希クエン酸水溶液、飽和食塩水で
洗浄した。有機溶媒層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後
、減圧下に溶媒を留去し、残留物をシリカゲルを用いる
フラッシュクロマトグラフィーに付した。 ヘキサン−酢酸エチル(7:3)の流分より目的物20
0mgを無色固体として得た。
【0039】IR;νmx(cm−1,CHC13):
3405,3350,1760 1H−NMR; δH(500MHz;CDCl3)
:0.05 and 0.06(each 3H
,each s),0.88(9H,s),1.09
(3H,d,J=7Hz),1.33(3H,t,J=
7.0Hz),3.01(1H,br s),3.3
3(1H,br s),3.90−4.32(6H,
m),6.35(1H,br s),(Found:
M+−Me,348.1621.C15H27NO5F
Si requires m/z,348.164
2).さらにベンゼン−アセトン(4:1)溶出部より
ジオール体202mgを無色固体として得た。
3405,3350,1760 1H−NMR; δH(500MHz;CDCl3)
:0.05 and 0.06(each 3H
,each s),0.88(9H,s),1.09
(3H,d,J=7Hz),1.33(3H,t,J=
7.0Hz),3.01(1H,br s),3.3
3(1H,br s),3.90−4.32(6H,
m),6.35(1H,br s),(Found:
M+−Me,348.1621.C15H27NO5F
Si requires m/z,348.164
2).さらにベンゼン−アセトン(4:1)溶出部より
ジオール体202mgを無色固体として得た。
【0040】IR;νmax(cm−1,CHC13)
:3430,3400−3200,17601H−NM
R;δH(500MHz;CDCl3):0.11
and 0.12(each 3H,each
s),0.90(9H,s),1.32(3H,d,J
=7Hz),1.62(2H,br s),3.41
(1H,d,J=7.0Hz),3.74−3.87(
5H,m),4.18(1H,quintet,J=7
.0Hz),6.15(1H,br s),(Fou
nd:M+−Me,306.1502.C13H25N
O4FSi requires m/z,306.
1537)
:3430,3400−3200,17601H−NM
R;δH(500MHz;CDCl3):0.11
and 0.12(each 3H,each
s),0.90(9H,s),1.32(3H,d,J
=7Hz),1.62(2H,br s),3.41
(1H,d,J=7.0Hz),3.74−3.87(
5H,m),4.18(1H,quintet,J=7
.0Hz),6.15(1H,br s),(Fou
nd:M+−Me,306.1502.C13H25N
O4FSi requires m/z,306.
1537)
【0041】
【実施例6】(3S,4S)−3−[(1’R)−1’
−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4
−(2″−クロロ−1″−エトキシカルボニル−1″−
フルオロエチル)アゼチジン−2−オン前記アルコール
22mgおよびトリフェニルフォスフィン32mgを四
塩化炭素2mlに溶解し、これを16時間加熱還流した
。反応液をエーテルで希釈後、水10%塩酸、飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水で洗浄し
た。有機溶媒層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後,溶媒
を減圧留去し、残留物をシリカゲルを用いるフラッシュ
クロマトグラフィーに付した。ヘキサン−酢酸エチル(
5:1)の流分より目的物19.1mgを無色油状物と
して得た。
−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4
−(2″−クロロ−1″−エトキシカルボニル−1″−
フルオロエチル)アゼチジン−2−オン前記アルコール
22mgおよびトリフェニルフォスフィン32mgを四
塩化炭素2mlに溶解し、これを16時間加熱還流した
。反応液をエーテルで希釈後、水10%塩酸、飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水で洗浄し
た。有機溶媒層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後,溶媒
を減圧留去し、残留物をシリカゲルを用いるフラッシュ
クロマトグラフィーに付した。ヘキサン−酢酸エチル(
5:1)の流分より目的物19.1mgを無色油状物と
して得た。
【0042】IR;νmax(cm−1,CHCl3:
3410,1775,1740 1H−NMR:δH(500MHz;CDC13:0.
11(6H,s),0.89(9H,s),1.15(
3H,d,J=7Hz),1.34(3H,t,J=7
.0Hz),3.38(1H,m),3.60−4.4
5(6H,m),6.02(1H,br s),(F
ound:M+−Me,366.1312.C15H2
6NO4C1FSirequiresm/z,36.1
304).
3410,1775,1740 1H−NMR:δH(500MHz;CDC13:0.
11(6H,s),0.89(9H,s),1.15(
3H,d,J=7Hz),1.34(3H,t,J=7
.0Hz),3.38(1H,m),3.60−4.4
5(6H,m),6.02(1H,br s),(F
ound:M+−Me,366.1312.C15H2
6NO4C1FSirequiresm/z,36.1
304).
【0043】
【実施例7】(3S,4S)−3−[(1’R)−1’
−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4
−(1″+エトキシカルボニル−1″−フルオロエチル
)アゼチジン−2−オン 前記クロロ体17mg及び2,2’−アゾビスイソブチ
ロニトリル(AIBN)3mgを無水ベンゼン1mlに
溶解し、これにトリ−n−ブチルスズヒドリド0.1m
lを無水ベンゼン1mlに溶解した溶液を加熱還流下に
滴下した。反応混合物を16時間加熱還流後、四塩化炭
素1mlを加え、更に1時間加熱還流した。反応液に1
0%アンモニア水溶液を加えた後、エーテルを加えた。 有機溶媒層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残留物をシリカゲ
ルを用いるフラッシュクロマトグラフィーに付した。ヘ
キサン−酢酸エチル(5:1)の流分より目的物12.
6mgを無色固体として得た。
−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]−4
−(1″+エトキシカルボニル−1″−フルオロエチル
)アゼチジン−2−オン 前記クロロ体17mg及び2,2’−アゾビスイソブチ
ロニトリル(AIBN)3mgを無水ベンゼン1mlに
溶解し、これにトリ−n−ブチルスズヒドリド0.1m
lを無水ベンゼン1mlに溶解した溶液を加熱還流下に
滴下した。反応混合物を16時間加熱還流後、四塩化炭
素1mlを加え、更に1時間加熱還流した。反応液に1
0%アンモニア水溶液を加えた後、エーテルを加えた。 有機溶媒層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残留物をシリカゲ
ルを用いるフラッシュクロマトグラフィーに付した。ヘ
キサン−酢酸エチル(5:1)の流分より目的物12.
6mgを無色固体として得た。
【0044】IR;νmax(cm−1,CHCl3)
:3420,1770,17351H−NMR;δH(
500Hz:CDCl3):0.09 and0.1
0(each 3H,each s),0.90(
9H,s),1.15(3H,d,J=7Hz),1.
33(3H,t,J=7.0Hz),1.62(3H,
d,J=22.0Hz),3.28(1H,m),4.
02(1H,dd,J=3.0 and 15.0
Hz),4.22−4.25(1H,m),4.27(
2H,q,J=7.0Hz),5.93(1H,br
s) (Found:M+−Me,332.1672.C15
H27NO4FSi requires m/z,
332.1694).
:3420,1770,17351H−NMR;δH(
500Hz:CDCl3):0.09 and0.1
0(each 3H,each s),0.90(
9H,s),1.15(3H,d,J=7Hz),1.
33(3H,t,J=7.0Hz),1.62(3H,
d,J=22.0Hz),3.28(1H,m),4.
02(1H,dd,J=3.0 and 15.0
Hz),4.22−4.25(1H,m),4.27(
2H,q,J=7.0Hz),5.93(1H,br
s) (Found:M+−Me,332.1672.C15
H27NO4FSi requires m/z,
332.1694).
Claims (1)
- 【請求項1】 式I、 (式中、R1は水素原子または水酸基の保護基を意味し
、R2は水素原子または低級アルキル基を意味し、R3
は水素原子またはカルボキシル基の保護基を意味する。 )で表わされる含フッ素アゼチジノン誘導体
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3111221A JPH04266869A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 含フッ素アゼチジノン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3111221A JPH04266869A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 含フッ素アゼチジノン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04266869A true JPH04266869A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=14555604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP3111221A Pending JPH04266869A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 含フッ素アゼチジノン誘導体 |
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JP (1) | JPH04266869A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7732413B2 (en) | 2003-03-07 | 2010-06-08 | Schering Corporation | Substituted azetidinone compounds, processes for preparing the same, formulations and uses thereof |
US7741289B2 (en) | 2003-03-07 | 2010-06-22 | Schering Corporation | Substituted azetidinone compounds, processes for preparing the same, formulations and uses thereof |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP3111221A patent/JPH04266869A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7732413B2 (en) | 2003-03-07 | 2010-06-08 | Schering Corporation | Substituted azetidinone compounds, processes for preparing the same, formulations and uses thereof |
US7741289B2 (en) | 2003-03-07 | 2010-06-22 | Schering Corporation | Substituted azetidinone compounds, processes for preparing the same, formulations and uses thereof |
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